JPH0422457B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、特に液面上に展開された薄膜の特性
を光学的に測定する方法に関するもので、更に詳
しくは、薄膜の種々の特性分析の基礎となる光吸
収特性の測定方法に関する。本発明は、例えば単
分子累積膜の形成に際し、累積すべく液面上に展
開された単分子膜の特性分析等に利用されるもの
である。

［従来の技術］ 従来、ある試料の光吸収特性を測定する方法と
しては、透過率又は反射率から光吸収特性を求め
る方法がある。しかし、試料に光が照射された場
合、透過光、反射光に他に散乱光があり、更に高
精度を期すためには光の吸収成分を直接測定する
方法が光吸収特性評価上重要となる。

光の吸収成分を直接測定する方法としては、断
続的に光を照射すると、試料に吸収された光エネ
ルギーが無輻射緩和過程により、断続的に熱に変
換されることを利用した測定法である光音響分光
法（Photoacoustic Spectroscopy：PAS）や光
熱輻射分光法（Photothermal Radiometry：
PTR）がある。

PAS法は、検出器の種類によりマイクロホン
法と圧電素子法に分けられるが、マイクロホン法
では試料を密閉した試料室にいれる必要があり、
圧電素子法では検出器と試料の配置が問題とな
り、いずれも液面上に展開された薄膜の測定には
不向きである。また、PTR法は、赤外線検出器
を用いていることから、水蒸気等の大気変動の影
響を受けやすいという欠点がある。

一方、やはり光の吸収成分を直接測定する方法
として、光熱偏向分光法（Photothermal
Deflection Spectroscopy：PDS）と言われる方
法がある。このPDS法は、試料の光吸収による
発熱と共に試料内及び試料近傍に温度分布が生じ
て屈折率が変化し、これによつてそこに入射する
光が偏向することを利用したものである。即ち、
試料の測定部位に、光吸収されたときに発熱によ
る温度分布を生じさせて屈折率を変化させる励起
光と、これによる偏向量を測定するためのプロー
ブ光とを照射し、励起光の波長とプローブ光の偏
向量とから試料の光吸収特性を測定するものであ
る。この方法は、試料と検出系が独立に設定で
き、現場での計測や遠隔計測に適しており、本発
明の基本原理もこのPDS法による。

上記PDS法は、励起光とプローブ光の配置に
よつて、横方向（transverse）型と縦方向
（collinear）型の二通りがあり、いずれも上述の
ように試料の励起光吸収量に応じたプローブ光の
偏向量を測定するもので、検出器としては位置敏
感検出器（PSD）を用いることが多い。

第１０図ａは縦方向型の例で、励起光源１０よ
り出た励起光１１は、チヨツパー１２で断続光と
なり、レンズ３４で集束されて試料４′に照射さ
れる。プローブ光源５より出たプローブ光６は、
レンズ３５及びミラー等の光路調整器１７で励起
光１１が照射されている試料４′の領域を通過し
て検出器７へと至り、点線で示されるように偏向
したときの偏向量が測定される。第１０図ｂは横
方向型の例で、プローブ光５が試料４′の表面に
平行に照射される点が縦方向型と相違するだけで
他は同様である。

このPDS法の理論的取扱いは、試料内の熱伝
導方程式を解けばよく、偏向角φとして測定され
る偏向量は、励起光強度、屈折率の温度係数
（ｎ／Ｔ）、プローブ光の通過する領域での温度勾
配（Ｔ／ｘ）等に比例することになる。試料の光
吸収係数に比例する項は（Ｔ／ｘ）に含まれる。
また（ｎ／Ｔ）は、試料によつては正負いずれか
の値をとり得、このことは偏向角も正負両方の場
合があることを示している。

しかしながら、このPDS法をそのまま液面上
に展開された薄膜についての測定に適用すると、
試料たる薄膜が極めて薄いものであるため、次の
ような不都合を生ずる。ここで液面上に展開され
た薄膜とは、例えば単分子膜のように、液面上に
浮きも沈みもせずに広げられた薄い膜をいう。

液面上に展開された薄膜の場合、照射される励
起光の薄膜通過領域が短いため、励起光が液面に
達する前の外環境による影響、例えば空気中の粉
塵やゆらぎの影響を受けやすい。また、励起光が
薄膜到達後の不要な反射光や透過光の影響もＳ／
Ｎ比を低下させる原因となり、精度及び感度のよ
い測定が困難となる。特に、液面上の気相に特殊
な気体を用いて液面上の薄膜と相互作用を利用す
る系においては、励起光が通過する気体領域をで
きるだけ短かくする必要があるが、実現が困難で
ある。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、液面に展開された薄膜という極めて
薄く特異な環境下にある試料について、その光吸
収特性を精度及び感度よく測定できるようにする
ことをその解決すべき問題点とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明において上記問題点を解決するために講
じられた手段は、液面上に展開された薄膜の測定
部位に断続的に励起光を照射しつつこの測定部位
又はその近傍にプローブ光を照射し、このプロー
ブ光の偏向量から光吸収特性を測定するに際し、
前記励起光を、液面で全反射される入射角で液体
側から照射する薄膜の光吸収特性測定方法とする
ことである。

［作用］ 励起光が試料たる薄膜に吸収されると、励起光
の照射時と非照射時とでは測定部位及びその近傍
の屈折率が変化するので、これをプローブ光の偏
向量として検出することによつて光吸収特性を測
定することができる。この原理自体は従来の
PDS法と同様である。

ところで、本発明では、試料が液面上に展開さ
れた薄膜であり、しかも励起光は、薄膜が展開し
ている液面で全反射されるよう液体側から照射さ
れるものである。励起光は液体内を通つて薄膜に
照射されるので、空気中を通つて照射されるとき
のように空気中の粉塵やゆらぎの影響を受けるこ
とがない。また、薄膜へ照射された励起光は、液
面で全反射され、液面上の気相へと抜ける透過光
は、全反射時のエバネツセント波としての波長オ
ーダー以下のごくわずかのものであるので、透過
光が測定値に影響を及ぼす心配もない。更に、励
起光は、液面で規則的に反射されることになるた
め、不規則な反射光による悪影響も生じないもの
である。

［実施例］ 第１図において１は液体２を収容した液槽で、
その液面３上には試料たる薄膜４が展開されてい
る。図示される薄膜４は、単分子膜を模式的に表
わしたものである。

液槽１の側方にはプローブ光源５が設けられて
いる。このプローブ光源５からは、液面３直下で
液面３と平行方向にプローブ光６が照射されるも
のである。また、プローブ光源５と液槽１を挟ん
で相対向する位置には、送られて来るプローブ光
６の位置を検出する検出器７が設けられている。
この検出器７の信号は、ドライバー８を介してロ
ツクインアンプ９へ送られるようになつている。

プローブ光源５のやや下方には励起光源１０が
設けられている。励起光源１０は、薄膜４が展開
されている液面３で全反射される角度で、液体２
側から励起光１１を薄膜４の測定部位に向けて照
射するものである。励起光１１の光路に沿つた位
置に、励起光１１を断続光として照射するための
チヨツパー１２が設けられている。また、励起光
源１０から照射されて液面３で全反射された励起
光１１が液槽１から出た位置には、この励起光１
１を吸収するための吸収体１３が設けられてい
る。

チヨツパー１２はロツクインアンプ９に接続さ
れていて、チヨツパー１２から送られる励起光１
１の断続状態を示す信号を参照信号として、検出
器７からの信号を同期検出できるようになつてい
る。プローブ光源５、励起光源１０、チヨツパー
１２及びロツクインアンプ９は、各々測定制御器
１４に接続されている。測定制御器１４は、プロ
ーブ光６及び励起光１１の光路及び波長並びにチ
ヨツパー１２による励起光１１の断続間隔を制御
すると共に、ロツクインアンプ９からの信号によ
つて光吸収特性を算出するものである。

尚、液槽１は、少なくともプローブ光６及び励
起光１１の光路となる部分に透明な窓を設けてお
けば、ことさら全体を透明とする必要はない。ま
た、液体２は、励起光１１について吸収の小さい
ものであればプローブ光６へ多少直接影響を与え
るものであつても測定にさほど悪影響はないが、
透明であることが好ましい。

まず、励起光源１０より出射された励起光１１
は、チヨツパー１２により断続光に変調され、液
槽１の液面３上に展開されている薄膜４の測定部
位を液面３下より照射する。このとき、励起光１
１は、入射角が液体２の臨界角より大きくなるよ
うに入射され、液面３で全反射され、液体２内を
通過して液槽１の外へ出る。液面３上の気相に
は、全反射の時のエバネツセント波として、波長
オーダー以下のごくわずかな光がしみ出すだけで
ある。液槽１から出た励起光１１は、吸収体１３
により吸収され、不要な光がカツトされる。断続
励起光１１が全反射される測定部位上の領域で
は、液面３上の薄膜４が光を吸収し、無放射輻射
過程により、断続的に熱を発生し、そのため、近
傍の屈折率変化が断続的に生じることになる。

一方、プローブ光源５から出射されるプローブ
光６は、液面３直下を液面３と平行に通るため、
上記励起光１１の照射によつて断続的に屈折率が
変化する領域を通過することになる。この屈折率
の断続的変化を生じる測定部位近傍を、プローブ
光源５から出射されたプローブ光６が通過する
と、変化した屈折率分布に応じて、点線で示され
るように光路が偏向することになる。

検出器７は、断続してプローブ光６を受け、プ
ローブ光６の受光位置をドライバー８を介してロ
ツクインアンプ９へ送る。ロツクインアンプ９
は、この検出器７からの信号を受けると同時にチ
ヨツパー１２からの信号を受けており、両信号を
同期させることによつて、励起光１１照射時のプ
ローブ光６の受光位置信号と、励起光１１非照射
時のプローブ光６の受光位置信号とをＳ／Ｎ比良
く区分けして測定制御器１４へ送る。測定制御器
１４は、この送られて来た信号に基づき、その時
の励起光１１の波長についてのプローブ光６の偏
向量を求め、これに基づいて光吸収特性を算出す
る。また、励起光１１の波長を順次変えながら同
様の測定を行えば、薄膜４の分光吸収特性を得る
ことができる。

この測定に際して、測定部位は、測定制御器１
４で励起光１１の光路を調節することで自由に選
択でき、また液面３の位置に応じてやはり測定制
御器１４でプローブ光６の光路を調節して正確を
期すことができる。また、プローブ光源５、励起
光源１０及びチヨツパー１２に必要な調節を全て
測定制御器１４で自動的に行うようにし、操作を
簡略化することも可能である。

励起光１１の測定部位における光量分布、液体
２の熱による屈折率変化の特性、プローブ光６の
入射ビーム位置及びその時の偏向量から薄膜４に
よつて吸収された光エネルギーが求まる。従つ
て、励起光１１の薄膜４への照射エネルギーをフ
オトセンサー等でモニターしておけば、両者から
薄膜４の絶対的な光吸収特性が得られる。そし
て、励起光１１の波長を変化させることにより、
絶対的分光吸収特性が得られる。また、励起光１
１の各波長における相対強度を予め求め、波長に
対応したプローブ光６の偏向量を求めるだけで
も、相対的な分光吸収特性を得ることができる。
光吸収特性の相対値、絶対値は、測定の目的に応
じ適宜選択すればよい。

プローブ光６は、第２図に示されるように、励
起光１１と共に測定部位で全反射させるようにし
てもよい。このようにすると、液体２の大きな屈
折率変化を生ずる部分を通過させることができ、
高感度の測定ができる利点がある。

プローブ光６は、第３図に示されるように、液
面３近くの気相中を通過させ、気相部の屈折率変
化の影響下に置くこともできる。このようにする
と、プローブ光６と励起光１１が全く交差しない
ので、プローブ光６に対して励起光１１が交差す
ることによつて及ぼす影響を除去することができ
る。

第４図に示されるように、薄膜４が展開されて
いる液面３の一部を仕切枠１５で仕切り、薄膜４
の無い液面３′を形成し、この液面３′を参照液面
として測定することもできる。即ち、プローブ光
源５から出射されたプローブ光６及び励起光源１
０から出射されてチヨツパー１２を経た励起光１
１を、例えばビームスプリツターやハーフミラー
等の光路分割手段１６で分割した後、ミラー等の
光路調整手段１７を用いて液面３と３′に同時に
プローブ光６と励起光１１を送る。そして、液面
３，３′に対応するプローブ光６の偏向量を各々
の検出器７で検知し、両者の差から測定を行うも
のである。このようにすると、薄膜４の有無によ
る差が測定でき、他の影響を相殺することができ
るので、高精度の測定が可能となる。

また、第５図に示されるように、励起光１１を
多重反射させることもできる。励起光源１０より
出射した励起光１１は、チヨツパー１２により断
続光となつた後、液面３で全反射され、さらに液
面３下に配置された鏡面１８により反射され、再
び液面３を照射する。液面３と平行に鏡面１８を
設定すれば、鏡面１８の存在する領域で反射を繰
り返し、液面３上の薄膜４を複数箇所照射するこ
とになり、屈折率分布の生ずる領域が広がる。そ
こにプローブ光源５からプローブ光６を通過させ
れば、プローブ光６は偏向される領域が増大する
ため、その大きな偏向角を得ることができる。こ
の偏向によるプローブ光６の位置ずれを検出器７
で検出すれば、高感度な検出を行なうことができ
る。入射角θ、鏡面１８と液面３の距離ｄ、反射
領域をｌとすれば、励起光照射回数Ｎは次式のよ
うな関係がある。即ち、Ｎ＝ｌ／（2d tanθ）の
関係が成立し、例えば、ｌ＝30mm、ｄ＝0.5mm、
θ＝60°とすればＮ≒18となり、感度を約18倍上
げることができる。

更に、第６図に示されるように、プローブ光６
を、液面３付近に設けた、例えばニオブ酸リチウ
ム結晶、酸化チタン結晶、二酸化ケイ素結晶、ガ
ラス、プラスチツク等の屈折率変化の大きな媒体
１９中に通すこともできる。即ち、液面３上の薄
膜４の光吸収によつて発生した熱を、薄膜４近傍
に液面３と平行に配置した熱屈折率変化の大きな
媒体１９に作用させて屈折率変化に変換し、その
媒体１９中をプローブ光６を通過させ、プローブ
光６の偏向量を拡大し、高感度検出を図ることが
できる。

本発明による光吸収特性の測定は、液槽１を第
７図及び第８図に示されるようなものとして、単
分子累積膜の取得時に利用すると有益である。

発明者にちなんでラングミユア・ブロジエツト
法と呼ばれる単分子膜累積法（以下LB法という。
新実験化学講座18巻498頁〜507頁丸善参照）にお
いては、液面３上に形成した単分子膜を基板２０
の表面上に移し取り、１枚ずつ重ねて超薄膜を作
るため、液面３上の薄膜の特性が重要である。
LB法により基板２０上に移し取つた累積膜の構
造や分子配向が液面３上の展開単分子膜の状態を
基にしていることは当然であるが、その状態がそ
のまま基板２０上に移されているかどうかには問
題がある。本発明は、液面３上に展開された単分
子膜がそのままの状態で基板２０上に移し取れる
かどうかを分析するのに利用できるものである。
以下に、単分子累積膜を得るための液槽１及びそ
の手順を説明する。

第７図及び第８図に示されるように、液体２が
収容された浅くて広い角型の液槽１の内側に、例
えばポリプロピレン製等の内枠２１が水平に釣つ
てあり、水面３，３′を仕切つている。液体２と
しては、通常純水が用いられる。内枠２１の内側
には、例えばやはりポリプロピレン製等の成膜枠
２２が浮かべられている。成膜枠２２は、幅が内
枠２１の内幅より僅かに短かい直方体で、図中左
右方向に二次元ピストン運動可能なものとなつて
いる。成膜枠２２には、成膜枠２２を図中右方に
引張るための重錘２３が滑車２４を介して結び付
けられている。また、成膜枠２２上に固定された
磁石２５と、成膜枠２２の上方で図中左右に移動
可能で磁石２５に接近すると互に反撥し合う対磁
石２６とが設けられていて、これによつて成膜枠
２２は図中左右への移動並びに停止が可能なもの
となつている。このような重錘２３や一組の磁石
２５，２６の代りに、回転モーターやプーリーを
用いて直接成膜枠２２を移動させるものもある。

内枠２１内の両側には、吸引パイプ２７を介し
て吸引ポンプ（図示されていない）に接続された
吸引ノズル２８が並べられている。この吸引ノズ
ル２８は、単分子膜や単分子累積膜内に不純物が
混入してしまうのを防止するために、液面３，
３′上の不要になつた前工程の単分子膜等を迅速
に除去するのに用いられるものである。尚、２０
は基板ホルダ２９に取付けられて垂直に上下され
る基板である。

まず、成膜枠２２を移動させて、液面３，３′
上の不要となつた単分子膜等を掃き寄せながら吸
引ノズル２８からすすり出し、液面３，３′を浄
化する。こうして清浄化された液面３，３′の左
端に成膜枠２２を寄せて、例えば、〜５×
10^-3mol／の濃度でベンゼン、クロロホルム等
の揮発性溶媒に溶かした膜構成物質の溶液を、ス
ポイト等で数滴液面３上にたらす。この溶液が膜
面３上に広がり、溶媒が揮発すると、単分子膜が
液面３上に残されることになる。

上記単分子膜は、液面３上で二次元系の挙動を
示す。分子の面密度が低いときには二次元気体の
気体膜と呼ばれ、一分子当りの占有面積と表面圧
との間に二次元理想気体の状態方程式が成立す
る。

次いで、この気体膜の状態から、徐々に成膜枠
２２を右方に動かし、単分子膜が展開している液
面３の領域を次第に縮めて面密度を増してやる
と、分子間相互作用が強まり、二次元液体の液体
膜を経て二次元固体の固体膜へと変わる。この固
体膜となると、分子の配列配向はきれいに揃い、
高度の秩序性及び均一な超薄膜性を持つに至る。
そして、このときに基板２０の表面に当該固体膜
となつた単分子膜を付着させて移し取ることが可
能となる。また、同一の基板に複数回単分子膜を
重ねて移し取ることによつて、単分子累積膜を得
ることができる。尚、基板２０としては、例えば
ガラス、合成樹脂、セラミツク、金属等が使用さ
れている。

単分子膜を液面３上から基板２０の表面に移し
取る方法は大別して２種類ある。一は垂直浸漬法
で他は水平付着法である。垂直浸漬法とは、液面
３上の単分子膜に累積操作に好適な一定の表面圧
をかけながら、膜を横切る方向、即ち、垂直方向
に基板２０を上下させることにより単分子膜を移
し取る方法である。水平付着法とは、基板２０を
水平に保ちながら上から液面３にできるだけ近づ
け、わずかに傾けて一端から単分子膜に触れて付
着する方法である。

上記基板２０へ移し取るのに好適な単分子膜の
状態下において当該移し取り操作を行うべく、単
分子膜の表面圧を計測することが行われている。
一般に、移し取るのに好適な単分子膜の表面圧は
15〜30dyn／cmとされている。この範囲外では、
分子の配列配向が乱れたり膜の剥れを生じやすく
なる。もつとも、特別の場合、例えば、膜構成物
質の化学構造、温度条件等によつては、好適な表
面圧の値が上記範囲からはみ出ることもあるの
で、上記範囲は一応の目安である。

上記単分子膜の表面圧は、表面圧測定器（図示
されていない）によつて自動的かつ継続的に計測
されるものである。表面圧の測定器としては、単
分子膜に覆われていない液面３′と、単分子膜に
覆われた液面３との表面張力の差から間接的に求
める方法を応用したものや、単分子膜に覆われて
いない液面３′と、単分子膜に覆われた液面３と
を区切つて浮ぶことになる成膜枠２２に加わる二
次元的圧力を直接測定するもの等があり、各々特
色がある。また、通常、表面圧と共に単分子膜の
一分子当りの占有面積及びその変化量も計測され
る。占有面積及びその変化量は、成膜枠２２の左
右の動きから求められる。

前述した成膜枠２２の動きは、上記測定器によ
つて計測される単分子膜の表面圧に基づいて制御
されるものである。即ち、移し取り操作に好適な
範囲内で選ばれた一定の表面圧を単分子膜が常に
維持するよう、対磁石２６を左右に移動させる駆
動装置（図示されていない）が表面圧測定器によ
り計測された単分子膜の表面圧に基づいて制御さ
れる。この成膜枠２２の移動制御は、膜構成物質
の溶液滴下後、単分子膜の移し取り操作開始迄だ
けでなく、移し取り操作中も継続して成されるも
のである。例えば、移し取り操作において、単分
子膜が基板２０に移し取られて行くに従つて、液
面３上の単分子膜分子の面密度は低下し、表面圧
も低下することになる。従つて、成膜枠２２を移
動させて単分子膜の展開面積を縮小し、その表面
圧低下分を補正して一定表面圧を維持することが
必要となる。

上述のように、単分子累積膜を得るには種々の
微妙な調整が要求されるものである。しかし、こ
れまでどのような条件が最適条件となるかは種々
の実験によらなければならず、また液面３上の単
分子膜が累積に適した状態となつているか否か
は、表面圧等で間接的に確認することしかでき
ず、正確さに欠けているのである。ところで、本
発明を前記表面圧測定器の代りに利用すれば、液
面３上の単分子膜の特性をその場で検知でき、そ
の都度最適条件下で累積させて行くことが可能と
なるものである。

次に、単分子累積膜の取得時に本発明を利用す
るに適した実施例を第９図で説明する。

液体２が収容された液槽１の一側に支持柱３０
が立上げられており、そこに基板２０を保持した
基板ホルダ２９が取付けられていて、基板２０を
液面３に向つて上下に垂直移動できるようになつ
ている。液槽１内の底部には昇降装置３１が設け
られていて、その上に計測ユニツト３２が設置さ
れている。

計測ユニツト３２は、ドーナツ状に中抜きとな
つた略口形を成すもので、その内周側底辺部は鏡
面１８となつていて、この鏡面１８が液面３の直
ぐ下方で平行に位置するよう昇降装置３１で位置
が調節されている。この計測ユニツト３２内に
は、プローブ光源５、検出器７、プローブ光源５
から出射されたプローブ光６を液面３と鏡面１８
の間を通して検出器７へと導く光路調整手段１７
ａ〜１７ｃ、励起光源１０、励起光源から出射さ
れた励起光１１を断続光とするチヨツパー１２、
吸収体１３及び励起光１１を液面３と鏡面１８の
間で複数回反射させて吸収体１３へと導く光路調
整手段１７ｄ，１７ｅが設けられている。また、
計測ユニツト３２の内周側両側面下部は、計測ユ
ニツト３２内を液体２から仕切つた状態でプロー
ブ光６と励起光１０を通過させる窓部３３となつ
ている。尚、２２は、単分子膜である薄膜４の表
面圧を調整するための成膜枠である。

上記実施例によれば薄膜４の光吸収特性を高感
度で測定できることは第５図で説明した通りであ
る。特に本実施例によれば、薄膜４を単分子膜と
してこれを形成しつつ光吸収特性を測定でき、こ
れから形成されている単分子膜の特性を容易に分
析できるので、基板２２に累積される単分子累積
膜をより高精度のものとすることができる。ま
た、ユニツト化されているので、測定系に外界か
ら与えられる影響を減少させることができ、液槽
１への直脱も容易である。

［発明の効果］ 本発明によれば、液面上に展開されている薄膜
の光吸収特性の測定に当り、反射光及び透過光の
影響並びに励起ビームを空気中に通すことによる
悪影響を排除でき、高感度、高精度の測定が可能
となるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２
図ないし第６図は各々他の実施例の説明図、第７
図及び第８図は単分子累積膜を得る場合の液槽及
び手順の説明図、第９図は単分子累積膜の取得時
に利用するに適した実施例の説明図、第１０図
ａ，ｂは従来技術の説明図である。 １：液槽、２：液体、３，３′：液面、４：薄
膜、５：プローブ光源、６：プローブ光、７：検
出器、８：ドライバー、９：ロツクインアンプ、
１０：励起光源、１１：励起光、１２：チヨツパ
ー、１３：吸収体、１４：測定制御器、１５：仕
切枠、１６：光路分割手段、１７，１７ａ〜１７
ｅ：光路調整手段、１８：鏡面、１９：媒体、２
０：基板、２１：内枠、２２：成膜枠、２３：重
錘、２４：滑車、２５：磁石、２６：対磁石、２
７：吸収パイプ、２８：吸引ノズル、２９：基板
ホルダ、３０：支持柱、３１：昇降装置、３２：
計測ユニツト、３３：窓部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 液面上に展開された薄膜の測定部位に断続的
   に励起光を照射しつつこの測定部位又はその近傍
   にプローブ光を照射し、このプローブ光の偏向量
   から光吸収特性を測定するに際し、前記励起光
   を、液面で全反射される入射角で液体側から照射
   することを特徴とする薄膜の光吸収特性測定方
   法。