JPH04223359A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH04223359A
JPH04223359A JP40654190A JP40654190A JPH04223359A JP H04223359 A JPH04223359 A JP H04223359A JP 40654190 A JP40654190 A JP 40654190A JP 40654190 A JP40654190 A JP 40654190A JP H04223359 A JPH04223359 A JP H04223359A
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JP
Japan
Prior art keywords
frame
solid
state imaging
semiconductor device
mark
Prior art date
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Application number
JP40654190A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Komoda
薦田 美典
Hironobu Abe
広伸 阿部
Masahiko Kadowaki
正彦 門脇
Akiya Izumi
泉 章也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04223359A publication Critical patent/JPH04223359A/en
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Abstract

PURPOSE:To enable a case to be improved in moisture resistance by a method wherein an index means which is made to serve as a reference to dispose a device itself in a certain direction is provided the surface of the case, and the index means is made to serve as a mark. CONSTITUTION:An index mark 8 is provided on the surface of a frame 1 on the primary surface side of a solid-state image sensing device. The index mark 8 is provided with a mirror-finished surface making a satin-finished surface serve as a background. The index mark 8 provided as above is formed at the same time when the frame 1 is formed. Then, as the index mark 8 provided to the frame 1 is made to serve as an index means, stripe grooves are not required to be provided to the frame 1. Therefore, the frame 1 can be miniaturized and formed thick enough to keep a solid-state image sensing chip 3 free from moisture.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特
に、半導体チップと、この半導体チップを内包した樹脂
材の筐体と、この筐体から突出して形成されかつ前記半
導体チップの電極と電気的接続がなされた外部リードと
からなる半導体装置であって、前記筐体の表面に装置そ
れ自体の方向を定める目安とするインデックス手段が設
けられているものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor chip, a housing made of a resin material containing the semiconductor chip, and an electrode of the semiconductor chip that is formed to protrude from the housing. The present invention relates to a semiconductor device comprising external leads to which electrical connections are made, and in which index means is provided on the surface of the casing to serve as a guide for determining the direction of the device itself.

【0002】0002

【従来の技術】この種の半導体装置であって、たとえば
固体撮影像装置は次に示すような構成となっていた。
2. Description of the Related Art This type of semiconductor device, for example, a solid-state imaging device, has the following configuration.

【0003】すなわち、図3は、従来の固体撮像装置の
一例を示す平面図である。同図において、たとえばエポ
キシからなる樹脂材の枠体31がある。この枠体31は
後述するガラス基板37とともに筐体を構成するものと
なっている。
That is, FIG. 3 is a plan view showing an example of a conventional solid-state imaging device. In the figure, there is a frame 31 made of a resin material, such as epoxy. This frame body 31 constitutes a housing together with a glass substrate 37 which will be described later.

【0004】枠体31は、その主表面の中央部に凹陥部
32が設けられたものとなっており、この凹陥部32内
には、固体撮像チップ33が搭載されている。
The frame 31 has a concave portion 32 provided in the center of its main surface, and a solid-state imaging chip 33 is mounted within the concave portion 32.

【0005】この固体撮像チップ33の主表面には電極
34が設けられ、これら各電極34はワイヤボンディン
グ35を介してリード36に接続されている。
[0005] Electrodes 34 are provided on the main surface of this solid-state imaging chip 33 , and each of these electrodes 34 is connected to a lead 36 via wire bonding 35 .

【0006】このリード36は、その基部においてワイ
ヤボンディング35の接続部となっており、前記枠体3
1を貫通して該枠体31の外部に延材されたものとなっ
ている。
The lead 36 is connected to the wire bonding 35 at its base, and is connected to the frame 3.
1 and is extended to the outside of the frame body 31.

【0007】さらに、固体撮像チップ33の主表面に対
向して枠体31の凹陥部32を閉塞するガラス基板37
が形成されている。
Furthermore, a glass substrate 37 that faces the main surface of the solid-state imaging chip 33 and closes the concave portion 32 of the frame 31 is provided.
is formed.

【0008】そして、枠体31の一側面には条溝38が
その溝断面を主表面側から認識できるようにして設けら
れている。この条溝38は、装置それ自体の方向を定め
る目安とするインデックス手段として機能するものであ
る。
A groove 38 is provided on one side of the frame 31 so that the cross section of the groove can be recognized from the main surface side. This groove 38 functions as an index means for determining the direction of the device itself.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる半導体装置は、インデックス手段とし
ての条溝38は、樹脂材からなる枠体31に凹陥部32
を形成したものとして形成されるものである。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in a semiconductor device having such a structure, the groove 38 serving as the indexing means is located in the recess 32 in the frame 31 made of a resin material.
It is formed by forming the .

【0010】このために、この条溝38を通して湿気が
侵入してくることが確認されるようになってきた。
For this reason, it has been confirmed that moisture enters through the grooves 38.

【0011】樹脂材は、もともと完全な耐湿性を備える
材料ではないが、その耐湿性に対してはある程度の厚さ
が確保されれば通常問題となることはなく、加工が極め
て容易である等の理由で汎用されているものである。
[0011] Although resin materials are not originally completely moisture resistant, there are usually no problems with their moisture resistance as long as they have a certain thickness, and they are extremely easy to process. It is widely used for this reason.

【0012】しかし、近年において、装置の小型化が強
く要求され、それに伴い樹脂材からなる枠体31も小さ
く形成する傾向にある。
However, in recent years, there has been a strong demand for miniaturization of devices, and accordingly there is a tendency to make the frame 31 made of resin material smaller.

【0013】このような状況下にあって、該枠体31に
凹陥部32を形成することは、この凹陥部32を通して
湿気が侵入し易くなるということが発見されたものであ
る。
Under these circumstances, it has been discovered that forming the recess 32 in the frame 31 makes it easier for moisture to enter through the recess 32.

【0014】特に、樹脂材に対する透湿度合いは、該樹
脂材の厚さが薄くなるにつれ指数級数的に大きくなるこ
とから、たとえ該凹陥部32の深さが浅い状態であって
もこれを無視することはできないようになってきた。
In particular, since the moisture permeability of a resin material increases exponentially as the thickness of the resin material becomes thinner, this can be ignored even if the depth of the recessed portion 32 is shallow. It has become impossible to do so.

【0015】それ故、本発明は、このような事情に基づ
いてなされたものであり、その目的とするところのもの
は、耐湿性の優れた筐体を備える半導体装置を提供する
ことにある。
[0015] Therefore, the present invention has been made based on the above circumstances, and its object is to provide a semiconductor device equipped with a casing having excellent moisture resistance.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、半導体チップと、こ
の半導体チップを内包した樹脂材の筐体と、この筐体か
ら突出して形成されかつ前記半導体チップの電極と電気
的接続がなされた外部リードとからなる半導体装置であ
って、前記筐体の表面に装置それ自体の方向を定める目
安とするインデックス手段が設けられているものにおい
て、前記インデックス手段はマークとしたことを特徴と
するものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention basically comprises a semiconductor chip, a housing made of a resin material containing the semiconductor chip, and a housing protruding from the housing. A semiconductor device comprising an external lead formed by the semiconductor chip and electrically connected to an electrode of the semiconductor chip, wherein an index means is provided on the surface of the casing as a guide for determining the direction of the device itself. In the invention, the index means is a mark.

【0017】そして、上述した発明の構成において、筐
体の表面は梨地加工がされているとともに、マークは梨
地加工された面の一部に鏡面加工されたものとなってい
ることを特徴とするものである。
[0017] The above-described structure of the invention is characterized in that the surface of the casing is matte-finished, and the mark is mirror-finished on a part of the matte-finished surface. It is something.

【0018】さらに、半導体装置は固体撮像装置からな
り、その筐体としては、固体撮像チップの搭載する部分
に凹陥部が形成された樹脂材の枠体と、該固体撮像チッ
プの主表面に対向して前記凹陥部を閉塞する透明板とか
らなっていることを特徴とするものである。
Further, the semiconductor device is composed of a solid-state imaging device, and its casing includes a frame made of a resin material in which a recess is formed in the portion where the solid-state imaging chip is mounted, and a frame body facing the main surface of the solid-state imaging chip. and a transparent plate that closes the recessed portion.

【0019】[0019]

【作用】このように構成した半導体装置は、筐体に設け
られるインデックス手段としてマークを用いていること
から、筐体には、従来のような条溝38を形成する必要
は全くなくなる。
[Operation] Since the semiconductor device constructed in this manner uses marks as index means provided on the casing, there is no need to form grooves 38 in the casing as in the conventional case.

【0020】したがって、前記筐体は、その小型化を図
りつつ、半導体チップとの間で耐湿性を充分確保した厚
さのものとして形成することができるようになる。
[0020] Therefore, the casing can be made smaller and have a thickness that ensures sufficient moisture resistance between the casing and the semiconductor chip.

【0021】そして、前記マークとしては、梨地加工さ
れた面の一部に境面加工されたものとした場合、極めて
明瞭に表示できるものとなる。
[0021] The mark can be displayed extremely clearly when a border is processed on a part of the satin-finished surface.

【0022】さらに、半導体装置として、特に固体撮像
装置に適用した場合には、耐湿性の面で極めて有効とな
る。固体撮像装置は、その固体撮像チップの主表面に投
影像を結像させなければならない必要上、該固体撮像チ
ップの周囲には空間部を形成するようになっている。こ
のため、透湿がなされると筐体の一部となっているガラ
ス基板の前記空間部側の面に結露が生じてしまうからで
ある。該ガラス基板は光像を透過させる透明板であるこ
とから、この透明板に結露が生じてしまうことは、装置
として致命的となるものである。
Furthermore, when applied to a semiconductor device, especially a solid-state imaging device, it is extremely effective in terms of moisture resistance. Since solid-state imaging devices must form a projected image on the main surface of the solid-state imaging chip, a space is formed around the solid-state imaging chip. For this reason, if moisture permeates, dew condensation will occur on the surface of the glass substrate, which is part of the housing, on the side of the space. Since the glass substrate is a transparent plate that transmits a light image, the occurrence of dew condensation on this transparent plate is fatal to the device.

【0023】[0023]

【実施例】図1は、その(a)において本発明による半
導体装置の一実施例である固体撮像装置の平面図を示し
ている。また(b)は、(a)のIb−Ib線における
断面図を示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1A shows a plan view of a solid-state imaging device which is an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. Further, (b) shows a cross-sectional view taken along the line Ib-Ib in (a).

【0024】同図において、たとえばエポキシからなる
樹脂材の枠体1がある。この枠体1はたとえば成形によ
って形成されるものである。そして、この枠体1は後述
するガラス基板7とともに筐体を構成するものとなって
いる。
In the figure, there is a frame 1 made of a resin material, such as epoxy. This frame 1 is formed, for example, by molding. This frame 1 constitutes a housing together with a glass substrate 7, which will be described later.

【0025】枠体1は、その主表面の中央部に凹陥部2
が設けられたものとなっており、この凹陥部2内には、
固体撮像チップ3が搭載されている。
The frame 1 has a concave portion 2 in the center of its main surface.
is provided in this recessed part 2,
A solid-state imaging chip 3 is mounted.

【0026】この固体撮像チップ3の主表面には前記ガ
ラス基板7を通して光像が結像されるようになっている
A light image is formed on the main surface of the solid-state imaging chip 3 through the glass substrate 7.

【0027】固体撮像チップ3の構成としては、その主
表面の中央部において複数のフォトダイオードがマトリ
ックス状に形成され、これら各フォトダイオードにおい
て発生した電荷をたとえばCCD素子からなるシフトレ
ジスタにより転送して出力させるようになっているもの
である。
The solid-state imaging chip 3 has a structure in which a plurality of photodiodes are formed in a matrix at the center of its main surface, and the charges generated in each of these photodiodes are transferred by a shift register made of, for example, a CCD element. It is designed to be output.

【0028】この固体撮像チップ3の主表面の周囲には
電極4が並設されて設けられ、これら各電極4はワイヤ
ボンディング5を介してリード6に接続されている。
Electrodes 4 are provided in parallel around the main surface of this solid-state imaging chip 3, and each of these electrodes 4 is connected to a lead 6 via a wire bonding 5.

【0029】このリード6は、その基部においてワイヤ
ボンディング5の接続部となっており、前記枠体1を貫
通して該枠体1の外部に延材されたものとなっている。
The lead 6 serves as a connection part for the wire bonding 5 at its base, and extends through the frame 1 to the outside of the frame 1.

【0030】このように枠体1の外部に取り出された外
部リード6Aは、枠体1の一辺とこの一辺と対向する他
の一辺のそれぞれの側に並設されて形成されている。
The external leads 6A taken out to the outside of the frame 1 in this manner are formed in parallel on one side of the frame 1 and the other side opposite to this one side.

【0031】さらに、固体撮像チップ3の主表面に対向
して枠体1の凹陥部2を閉塞するガラス基板7が形成さ
れている。このガラス基板7は接着材を介して前記枠体
1に固着されたものとなっている。
Furthermore, a glass substrate 7 is formed facing the main surface of the solid-state imaging chip 3 and closing the recess 2 of the frame 1. This glass substrate 7 is fixed to the frame 1 via an adhesive.

【0032】そして、このような構成からなる固体撮像
装置の枠体1の表面全域にはいわゆる梨地加工がされた
ものとなっている。この梨地加工は枠体1の成形の際に
同時に形成されるものであり、たとえば裏側等に装置の
特性等を示す押印等を行なう際にその押印が明瞭になる
ことから便利なものとなっている。
[0032]The entire surface of the frame 1 of the solid-state imaging device having such a structure is subjected to a so-called matte finish. This satin finish is formed at the same time as the frame body 1 is molded, and is convenient because it makes it clear when stamping, for example, a stamp indicating the characteristics of the device on the back side, etc. There is.

【0033】また、固体撮像装置の主表面側の枠体1の
面(梨地加工された面)にインデックスマーク8が形成
されている。このインデックスマーク8としては、梨地
加工された面を背景として鏡面加工された面となってい
るものである。
Furthermore, an index mark 8 is formed on the surface of the frame 1 on the main surface side of the solid-state imaging device (the matte-finished surface). The index mark 8 has a mirror-finished surface with a satin-finished surface as the background.

【0034】このようなインデックスマーク8は、たと
えば枠体1の成形の際に同時に形成されるようになって
いる。
Such index marks 8 are formed, for example, at the same time as the frame 1 is molded.

【0035】以上説明した実施例から明らかなように、
枠体1に設けられるインデックス手段としてマーク8を
用いていることから、枠体1には、従来のような条溝3
8を形成する必要は全くなくなる。
As is clear from the embodiments described above,
Since the mark 8 is used as the indexing means provided on the frame 1, the frame 1 has no grooves 3 like the conventional one.
There is no need to form 8 at all.

【0036】したがって、前記枠体1は、その小型化を
図りつつ、固体撮像チップ3との間で耐湿性を充分確保
した厚さのものとして形成することができるようになる
Therefore, the frame 1 can be made compact and have a thickness that ensures sufficient moisture resistance between the frame 1 and the solid-state imaging chip 3.

【0037】そして、前記マーク8としては、梨地加工
された面の一部に境面加工されたものとして形成されて
いることから、それを見誤ることなく極めて明瞭に表示
できるものとなる。
Since the mark 8 is formed as a border-processed part of the satin-finished surface, it can be displayed very clearly without being mistaken.

【0038】なお、上述の固体撮像装置は、その固体撮
像チップ3の主表面に投影像を結像させなければならな
い必要上、該固体撮像チップ3の周囲には空間部を形成
するようになっている。このため、透湿がなされると筐
体の一部となっているガラス基板7の前記空間部側の面
に結露が生じてしまう。このような場合、該結露がたと
え少量であっても、該ガラス基板は光像を透過させる透
明板であることから、装置として致命的となるものであ
る。しかし、上述のように耐湿性が強化されることによ
り、このような弊害はなくなる。
The solid-state imaging device described above has a space formed around the solid-state imaging chip 3 because it is necessary to form a projected image on the main surface of the solid-state imaging chip 3. ing. Therefore, when moisture permeates, dew condensation occurs on the surface of the glass substrate 7, which is a part of the housing, on the space side. In such a case, even if the amount of dew condensation is small, it will be fatal to the device because the glass substrate is a transparent plate that transmits light images. However, by enhancing the moisture resistance as described above, such adverse effects are eliminated.

【0039】上述した実施例では、固体撮像装置につい
て説明したものであるが、必ずしも固体撮像装置に限定
されるものではない。半導体装置の全般に適用できるも
のである。
Although the above-described embodiments have been described with respect to solid-state imaging devices, the present invention is not necessarily limited to solid-state imaging devices. It can be applied to all semiconductor devices.

【0040】図2は、本発明による半導体装置の一実施
例を示した平面図であり、いわゆるIC素子を内包した
半導体装置を示すものである。
FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, and shows a semiconductor device incorporating a so-called IC element.

【0041】同図において、図1と同符号のものは同一
材料を示している。図2の場合、図1と異なる構成は、
図示しない半導体チップの周囲には空隙部は存在せず、
該半導体チップに当接した状態で枠体1の材料である樹
脂材が充填されていることにある。
In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same materials. In the case of FIG. 2, the configuration different from FIG. 1 is
There are no voids around the semiconductor chip (not shown),
The reason is that the resin material, which is the material of the frame body 1, is filled in a state in which it is in contact with the semiconductor chip.

【0042】本実施例では、インデックスマーク8とし
て、梨地加工された面を背景に鏡面加工された面で形成
したものであるが、この関係が逆になってもよいことは
いうまでもない。さらに、このようなものでなく、着色
された塗料等を付着させて形成するようにしても同様の
効果を有するものである。
In this embodiment, the index mark 8 is formed of a mirror-finished surface with a satin-finished surface as the background, but it goes without saying that this relationship may be reversed. Furthermore, the same effect can be obtained even if the material is formed by attaching a colored paint or the like instead of such a material.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による半導体装置によれば、耐湿性の優れた筐体
を備えるものが得られるようになる。
[Effect of the invention] As is clear from the above explanation,
According to the semiconductor device according to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor device including a housing having excellent moisture resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】(a)において本発明による半導体装置の一実
施例である固体撮像装置の平面図を示したものである。 また(b)は、(a)のIb−Ib線における断面図を
示したものである。
FIG. 1A shows a plan view of a solid-state imaging device which is an embodiment of a semiconductor device according to the present invention. Further, (b) shows a cross-sectional view taken along the line Ib-Ib in (a).

【図2】本発明による半導体装置の他の実施例である平
面図である。
FIG. 2 is a plan view of another embodiment of the semiconductor device according to the present invention.

【図3】従来の固体撮像装置の一例を示す平面図である
FIG. 3 is a plan view showing an example of a conventional solid-state imaging device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  枠体 2  凹陥部 3  固体撮像チップ 5  ボンディングワイヤ 6A  外部リード 7  ガラス基板 8  インデックスマーク 1 Frame 2 Recessed part 3. Solid-state imaging chip 5 Bonding wire 6A External lead 7 Glass substrate 8 Index mark

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体チップと、この半導体チップを
内包した樹脂材の筐体と、この筐体から突出して形成さ
れかつ前記半導体チップの電極と電気的接続がなされた
外部リードとからなる半導体装置であって、前記筐体の
表面に装置それ自体の方向を定める目安とするインデッ
クス手段が設けられているものにおいて、前記インデッ
クス手段はマークとしたことを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device comprising a semiconductor chip, a resin housing housing the semiconductor chip, and external leads protruding from the housing and electrically connected to electrodes of the semiconductor chip. A semiconductor device, wherein index means for determining the direction of the device itself is provided on the surface of the casing, wherein the index means is a mark.
【請求項2】  請求項1記載の発明において、筐体の
表面は梨地加工がされているとともに、マークは梨地加
工された面の一部に鏡面加工されたものとなっているこ
とを特徴とする半導体装置。
[Claim 2] The invention according to claim 1, wherein the surface of the casing has a matte finish, and the mark is formed by mirror finishing a part of the matte finish. semiconductor devices.
【請求項3】  請求項2記載の発明において、半導体
装置は固体撮像装置からなり、その筐体としては、固体
撮像チップの搭載する部分に凹陥部が形成された樹脂材
の枠体と、該固体撮像チップの主表面に対向して前記凹
陥部を閉塞する透明板とからなっていることを特徴とす
る半導体装置。
3. In the invention as set forth in claim 2, the semiconductor device comprises a solid-state imaging device, and its casing includes a frame made of a resin material in which a recess is formed in a portion where the solid-state imaging chip is mounted; 1. A semiconductor device comprising: a transparent plate facing the main surface of a solid-state imaging chip and closing the recessed portion.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06104352A (en) * 1992-09-22 1994-04-15 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and its direction inspecting device
JPWO2006090448A1 (en) * 2005-02-23 2008-07-17 Jsr株式会社 Method for producing transparent conductive laminate and touch panel
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