JPH04216657A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH04216657A JPH04216657A JP2402648A JP40264890A JPH04216657A JP H04216657 A JPH04216657 A JP H04216657A JP 2402648 A JP2402648 A JP 2402648A JP 40264890 A JP40264890 A JP 40264890A JP H04216657 A JPH04216657 A JP H04216657A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、半導体ペレットの外部端子と、インナーリードとを
電気的に接続し、前記半導体ペレット及びインナーリー
ドを樹脂で封止した半導体装置に適用して有効な技術に
関するものである。[Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor device, and is particularly applicable to a semiconductor device in which an external terminal of a semiconductor pellet and an inner lead are electrically connected, and the semiconductor pellet and the inner lead are sealed with a resin. It is related to effective technology.
【０００２】0002
【従来の技術】ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａ
ｃｋｇｅ）型のパッケージを採用する半導体装置が使用
されている。[Prior Art] QFP (Quad Flat Pa
Semiconductor devices employing ckge) type packages are currently in use.
【０００３】前記半導体装置は、半導体ペレットの外部
端子とインナーリードとを電気的に接続し、前記半導体
ペレット及びインナーリードを樹脂で封止することによ
り構成されている。The semiconductor device is constructed by electrically connecting an external terminal of a semiconductor pellet to an inner lead, and sealing the semiconductor pellet and the inner lead with a resin.
【０００４】前記半導体ペレットは、方形状に構成され
ている。前記外部端子は、前記方形状の半導体ペレット
の４辺に沿って複数設けられている。[0004] The semiconductor pellet has a rectangular shape. A plurality of the external terminals are provided along four sides of the rectangular semiconductor pellet.
【０００５】前記インナーリードは、前記外部端子に対
応して、前記半導体ペレットの４辺の周囲から延在して
設けられている。このインナーリードと前記外部端子と
の間は、ボンディングワイヤにより電気的に接続されて
いる。[0005] The inner leads are provided extending from around four sides of the semiconductor pellet, corresponding to the external terminals. This inner lead and the external terminal are electrically connected by a bonding wire.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前記従来技術を検討した結果、以下のような問題
点を見出した。[Problems to be Solved by the Invention] However, as a result of studying the above-mentioned prior art, the present inventor found the following problems.
【０００７】半導体装置の入出力数の増加に伴って、半
導体ペレットの外部端子数が増加してきている。従って
、インナーリードの数も増加してきている。このため、
前記インナーリードと樹脂部止部との界面も増加してき
ている。この界面部分は、半導体装置外部からの主要な
水分の侵入経路となるため、半導体装置内部に侵入する
水分量が増加するという問題があった。[0007] As the number of inputs and outputs of semiconductor devices increases, the number of external terminals of semiconductor pellets is increasing. Therefore, the number of inner leads is also increasing. For this reason,
The interface between the inner lead and the resin stopper is also increasing. Since this interface portion becomes a main route for moisture to enter from outside the semiconductor device, there is a problem in that the amount of moisture that enters the inside of the semiconductor device increases.
【０００８】また、インナーリードの平面的なレイアウ
トを屈曲させ、インナーリードの長さすなわち界面の長
さを長くすることにより、水分の侵入経路を長くし、半
導体装置内部に侵入する水分量を低減することが行なわ
れている。しかし、半導体装置の小型化に伴い、前記樹
脂封止部の外形寸法が縮少されてきているため、インナ
ーリードの配置領域が縮少されてきているので、インナ
ーリードの長さが短かくなる。更に、インナーリードの
配置の制約がきつくなるので、インナーリードを屈曲さ
せることができなくなり、インナーリードを直線的に配
置する必要がある。このため、インナーリードの長さは
、更に、短かくなる。この結果、水分の侵入経路が短か
くなるので、半導体装置内部へ侵入する水分量が増加す
るという問題があった。In addition, by bending the planar layout of the inner leads and increasing the length of the inner leads, that is, the length of the interface, the path for moisture to enter is lengthened, and the amount of moisture entering the inside of the semiconductor device is reduced. things are being done. However, with the miniaturization of semiconductor devices, the outer dimensions of the resin sealing portion have been reduced, and the area for placing the inner leads has been reduced, resulting in the length of the inner leads becoming shorter. . Furthermore, since restrictions on the arrangement of the inner leads become stricter, it becomes impossible to bend the inner leads, and it is necessary to arrange the inner leads in a straight line. Therefore, the length of the inner lead becomes even shorter. As a result, the path for moisture to enter is shortened, resulting in a problem in that the amount of moisture entering the inside of the semiconductor device increases.
【０００９】本発明の目的は、半導体ペレットの外部端
子とインナーリードとを電気的に接続し、前記半導体ペ
レット及びインナーリードを樹脂で封止した半導体装置
において、信頼性を向上することが可能な技術を提供す
ることにある。An object of the present invention is to improve the reliability of a semiconductor device in which an external terminal of a semiconductor pellet and an inner lead are electrically connected, and the semiconductor pellet and the inner lead are sealed with resin. The goal is to provide technology.
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。[Means for Solving the Problems] Among the inventions disclosed in this application, a brief overview of typical inventions will be as follows.
It is as follows.
【００１２】
（１）半導体ペレットの外部端子と、インナーリードと
を電気的に接続し、前記半導体ペレット及びインナーリ
ードを樹脂で封止した半導体装置において、前記インナ
ーリードの表面に凹凸を設ける。(1) In a semiconductor device in which an external terminal of a semiconductor pellet and an inner lead are electrically connected and the semiconductor pellet and the inner lead are sealed with a resin, irregularities are provided on the surface of the inner lead.
【００１３】
（２）前記インナーリードの凹部の断面積は、半導体装
置の電気的特性を確保する断面積である。(2) The cross-sectional area of the recessed portion of the inner lead is a cross-sectional area that ensures electrical characteristics of the semiconductor device.
【００１４】[0014]
【作用】前述した手段（１）または（２）によれば、前
記凹凸を設けた分、インナーリードと樹脂封止部との界
面の長さ、すなわち水分の侵入経路が長くなるので、半
導体装置外部から侵入する水分量を低減することができ
る。これにより、半導体装置の信頼性を向上することが
できる。[Operation] According to the above-mentioned means (1) or (2), the length of the interface between the inner lead and the resin sealing portion, that is, the path of moisture intrusion becomes longer due to the provision of the unevenness, so that the semiconductor device The amount of moisture entering from the outside can be reduced. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００１５】また、半導体装置を実装基板上にはんだ付
けで実装する際には、高温での処理が行なわるため、半
導体装置内部に侵入している水分が気化してクラック（
亀裂）が発生することがある。前述した手段（１）また
は（２）によれば、半導体装置内部に侵入している水分
量は低減されているので、水分の気化によるクラック（
亀裂）の発生を低減することできる。これにより、半導
体装置の信頼性を向上することができる。[0015] Furthermore, when a semiconductor device is mounted on a mounting board by soldering, the process is carried out at high temperatures, so moisture that has entered the inside of the semiconductor device evaporates, causing cracks (
Cracks) may occur. According to the above-mentioned means (1) or (2), since the amount of moisture invading the inside of the semiconductor device is reduced, cracks (
This can reduce the occurrence of cracks. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００１６】また、前記インナーリードと樹脂封止部と
の界面は、前記凹凸を設けた分大きくなるので、インナ
ーリードと樹脂封止部との接着力を大きくすることがで
きる。これにより、半導体装置の信頼性を向上すること
ができる。[0016] Furthermore, since the interface between the inner lead and the resin sealing portion becomes larger due to the provision of the unevenness, the adhesive force between the inner lead and the resin sealing portion can be increased. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体
的に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００１８】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。In all the drawings for explaining the embodiment, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanations thereof will be omitted.
【００１９】本発明の実施例の半導体装置の構成を、図
２（平面図）及び図３（図２のＡ−Ａ線で切った断面図
）を用いて説明する。なお、図２では、樹脂封止部を二
点鎖線で示す。The structure of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. 2 (plan view) and FIG. 3 (cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2). In addition, in FIG. 2, the resin sealing portion is indicated by a two-dot chain line.
【００２０】図２及び図３に示すように、本実施例の半
導体装置は、ＱＦＰ型のパッケージを採用し、半導体ペ
レット１の図示しない外部端子とインナーリード５とを
、ボンディングワイヤ９により電気的に接続し、これら
の半導体ペレット１及びインナーリード５の夫々を、樹
脂封止部１０で封止したものである。As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor device of this embodiment employs a QFP type package, and an external terminal (not shown) of a semiconductor pellet 1 and an inner lead 5 are electrically connected by a bonding wire 9. The semiconductor pellet 1 and the inner lead 5 are each sealed with a resin sealing part 10.
【００２１】前記半導体ペレット１は、方形状に構成さ
れている。この半導体ペレット１の４辺に沿って、図示
しない複数の外部端子が設けられている。この外部端子
は、前記ボンディングワイヤ９を介してインナーリード
５と電気的に接続されている。The semiconductor pellet 1 has a rectangular shape. A plurality of external terminals (not shown) are provided along the four sides of this semiconductor pellet 1. This external terminal is electrically connected to the inner lead 5 via the bonding wire 9.
【００２２】前記半導体ペレット１は、タブ２上に搭載
されている。このタブ２は、タブ吊りリード４で、その
４隅を支持されている。また、このタブ２には、樹脂封
止部１０との接着性を向上する目的で、スリット３が設
けられている。The semiconductor pellet 1 is mounted on the tab 2. This tab 2 is supported at its four corners by tab hanging leads 4. Further, this tab 2 is provided with a slit 3 for the purpose of improving adhesiveness with the resin sealing part 10.
【００２３】前記インナーリード５は、前記外部端子の
配置に対応して、前記半導体ペレット１の４辺から周囲
へ延在している。また、前記半導体ペレット１の周囲に
おいて、これらのインナーリード５上には、インナーリ
ード５を補強するための樹脂フィルム７が設けられてい
る。また、このインナーリード５は、アウターリード６
に接続されている。The inner leads 5 extend from the four sides of the semiconductor pellet 1 to the periphery in accordance with the arrangement of the external terminals. Further, a resin film 7 for reinforcing the inner leads 5 is provided around the semiconductor pellet 1 and on these inner leads 5. Further, this inner lead 5 is connected to an outer lead 6.
It is connected to the.
【００２４】次に、前記インナーリード５の詳細な構成
を、図１（要部斜視図）を用いて説明する。Next, the detailed structure of the inner lead 5 will be explained using FIG. 1 (a perspective view of the main part).
【００２５】図１に示すように、前記インナーリード５
の表面には、凹凸が形成されている。この凹凸は、前記
インナーリード５の表面に凹部８を設けることにより形
成されている。この凹部８は、前記インナーリード５の
対向する位置に設けられている。これは、インナーリー
ド５の曲げ、引っ張りに対する強度を確保するためであ
る。つまり、例えば、この凹部８を、千鳥状或いははす
向かいの位置に設けた場合には、インナーリード５の強
度が低下してしまう。なお、前記タブ吊りリード４にも
、この凹部８は、インナーリード５と同様に設けられて
いる。As shown in FIG. 1, the inner lead 5
Irregularities are formed on the surface. This unevenness is formed by providing a recess 8 on the surface of the inner lead 5. This recess 8 is provided at a position facing the inner lead 5. This is to ensure the strength of the inner lead 5 against bending and tension. In other words, for example, if the recesses 8 are provided in a staggered manner or in opposite positions, the strength of the inner lead 5 will be reduced. Note that the tab suspension lead 4 is also provided with this recess 8 in the same manner as the inner lead 5.
【００２６】図４（図１の矢印Ｂから見た要部側面図）
に示すように、前記凹部８の深さをＣ、元々のインナー
リード５の表面の長さをＤとし、凹部８をｎ個設けたと
すると、インナーリード５の表面の長さ、すなわち、イ
ンナーリード５と樹脂封止部１０との界面の長さは、FIG. 4 (Side view of main parts seen from arrow B in FIG. 1)
As shown in , if the depth of the recess 8 is C, the original length of the surface of the inner lead 5 is D, and n recesses 8 are provided, then the length of the surface of the inner lead 5, that is, the inner lead The length of the interface between 5 and the resin sealing part 10 is
【
００２７】[
0027
【数１】[Math 1]
【００２８】だけ長くなる。It becomes longer by [0028].
【００２９】また、同図４に示すように、前記インナー
リード５の厚い部分の厚みＥから、前記凹部８の深さＣ
を引いた残りの厚さＦは、従来の半導体装置のインナー
リードの厚みと同じである。これは、インナーリード５
の断面積のうち、一番小さい断面積を確保し、インナー
リード５の抵抗値を一定以下にし、半導体装置の電気的
特性を確保するためである。Further, as shown in FIG. 4, the depth C of the recess 8 is determined from the thickness E of the thick portion of the inner lead 5.
The remaining thickness F after subtracting is the same as the thickness of the inner lead of a conventional semiconductor device. This is inner lead 5
This is to secure the smallest cross-sectional area among the cross-sectional areas of , to keep the resistance value of the inner lead 5 below a certain level, and to secure the electrical characteristics of the semiconductor device.
【００３０】また、前記タブ吊りリード４は、このイン
ナーリード５と同様の構成になっている。一方、前記タ
ブ２、アウターリード６の夫々の厚みは、従来の半導体
装置と同様、つまり、前記Ｆと同じである。Further, the tab suspension lead 4 has the same structure as the inner lead 5. On the other hand, the thicknesses of the tab 2 and the outer lead 6 are the same as those of the conventional semiconductor device, that is, the same as those of the thickness F.
【００３１】以上、説明したように、本実施例の構成に
よれば、前記凹部８を設けた分、インナーリード５と樹
脂封止部１０との界面の長さ、すなわち水分の侵入経路
が長くなるので、半導体装置の外部から侵入する水分量
を低減することができる。これにより、半導体装置の信
頼性を向上することができる。As explained above, according to the configuration of this embodiment, the length of the interface between the inner lead 5 and the resin sealing part 10, that is, the path for moisture to enter is longer, due to the provision of the recess 8. Therefore, the amount of moisture entering the semiconductor device from the outside can be reduced. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００３２】また、半導体装置を実装基板上にはんだ付
けで実装する際には、高温での処理が行なわるため、半
導体装置内部に侵入している水分が気化してクラック（
亀裂）が発生することがある。本実施例の構成によれば
、半導体装置内部に侵入している水分量は低減されてい
るので、水分の気化によるクラック（亀裂）の発生を低
減することができる。これにより、半導体装置の信頼性
を向上することができる。[0032] Furthermore, when a semiconductor device is mounted on a mounting board by soldering, the process is carried out at high temperatures, so moisture that has entered the inside of the semiconductor device evaporates and cracks (
Cracks) may occur. According to the configuration of this embodiment, since the amount of moisture that has entered the inside of the semiconductor device is reduced, it is possible to reduce the occurrence of cracks due to vaporization of moisture. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００３３】また、前記インナーリード５と樹脂封止部
１０との界面は、前記凹部８を設けた分大きくなるので
、インナーリード５と樹脂封止部１０との接着力を大き
くすることができる。これにより、半導体装置の信頼性
を向上することができる。Furthermore, since the interface between the inner lead 5 and the resin sealing part 10 becomes larger due to the provision of the recess 8, the adhesive force between the inner lead 5 and the resin sealing part 10 can be increased. . Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００３４】次に、本実施例の半導体装置の製造方法の
一部を、図５（要部側面図）を用いて説明する。Next, a part of the method for manufacturing the semiconductor device of this embodiment will be explained with reference to FIG. 5 (side view of main parts).
【００３５】図５に示すように、本実施例の半導体装置
を製造する場合には、インナーリード５の表面を、金型
１２Ａ，１２Ｂを用いて整形し、前記凹部８を形成する
。この際、インナーリード５から飛散する金属屑を除去
するために、ホース１５をインナーリード５に近接させ
、このホース１５に接続されたポンプ１６で金属屑を吸
引する。As shown in FIG. 5, when manufacturing the semiconductor device of this embodiment, the surface of the inner lead 5 is shaped using molds 12A and 12B to form the recess 8. At this time, in order to remove metal debris scattered from the inner lead 5, a hose 15 is brought close to the inner lead 5, and a pump 16 connected to the hose 15 sucks the metal debris.
【００３６】なお、本実施例の半導体装置の場合には、
この半導体装置内に侵入している水分量は低減されてい
るが、水分の侵入経路はあるので、水分の侵入を完全に
防止することできない。そこで、半導体装置のはんだ付
けの際に、侵入している水分の気化によるクラックの発
生を低減する方法を、図６（要部側面図）を用いて説明
する。Note that in the case of the semiconductor device of this example,
Although the amount of moisture infiltrating into this semiconductor device has been reduced, since there are paths for moisture intrusion, it is not possible to completely prevent moisture intrusion. Therefore, a method for reducing the occurrence of cracks due to vaporization of moisture that has entered the semiconductor device during soldering will be described with reference to FIG. 6 (side view of main parts).
【００３７】図６に示すように、本実施例の半導体装置
１１をはんだごて１９を用いて実装基板２０上に実装す
る場合には、この半導体装置１１に、管１８から矢印Ｇ
で示すように、冷風を吹きつけながらはんだ付けを行な
う。この方法によれば、前記半導体装置１１中に侵入し
ている水分が気化されることは低減されるので、水分の
気化によるクラック（亀裂）の発生を低減することがで
きる。これにより、半導体装置の信頼性を向上すること
ができる。As shown in FIG. 6, when the semiconductor device 11 of this embodiment is mounted on the mounting board 20 using the soldering iron 19, the arrow G is inserted from the tube 18 into the semiconductor device 11.
Solder while blowing cold air as shown. According to this method, since the moisture that has entered the semiconductor device 11 is less likely to be vaporized, the occurrence of cracks due to the vaporization of moisture can be reduced. Thereby, the reliability of the semiconductor device can be improved.
【００３８】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。Although the present invention has been specifically explained above based on examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. .
【００３９】例えば、本発明は、他の樹脂封止型の半導
体装置、例えばＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ
Ｐａｃｋｇｅ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）等に適用することができる。For example, the present invention can be applied to other resin-sealed semiconductor devices, such as DIP (Dual Inline
Package), TAB (Tape Auto
ed Bonding), etc.
【００４０】[0040]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである半導体ペレットの外部端子とインナー
リードとを電気的に接続し、前記半導体ペレット及びイ
ンナーリードを樹脂で封止した半導体装置において、信
頼性を向上することができる。Effects of the Invention To briefly explain the effects obtained by a typical invention disclosed in this application, an external terminal and an inner lead of a semiconductor pellet as described below are electrically connected, Reliability can be improved in a semiconductor device in which a semiconductor pellet and an inner lead are sealed with resin.
【図１】本発明の実施例の半導体装置の要部斜視図FIG. 1 is a perspective view of essential parts of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図
２】本発明の実施例の半導体装置の平面図FIG. 2 is a plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図３】図２
のＡ−Ａ線で切った断面図[Figure 3] Figure 2
Cross-sectional view taken along line A-A of
【図４】図１の矢印Ｂから見
た要部側面図[Figure 4] Side view of main parts seen from arrow B in Figure 1
【図５】本発明の実施例の半導体装置の製
造方法の一部を示す要部側面図FIG. 5 is a side view of a main part showing a part of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例の半導体装置を実装基板上に実
装する方法を示す要部側面図FIG. 6 is a side view of main parts showing a method for mounting the semiconductor device according to the embodiment of the present invention on a mounting board.
５ インナーリード ８ 凹部 5 Inner lead 8 Recessed part
Claims (2)
ードとを電気的に接続し、前記半導体ペレット及びイン
ナーリードを樹脂で封止した半導体装置において、前記
インナーリードの表面に凹凸を設けたことを特徴とする
半導体装置。1. A semiconductor device in which an external terminal of a semiconductor pellet and an inner lead are electrically connected, and the semiconductor pellet and the inner lead are sealed with a resin, wherein the surface of the inner lead is provided with irregularities. Characteristic semiconductor devices.
導体装置の電気的特性を確保する断面積であることを特
徴とする前記請求項１に記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the cross-sectional area of the recessed portion of the inner lead is a cross-sectional area that ensures electrical characteristics of the semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402648A JPH04216657A (en) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402648A JPH04216657A (en) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216657A true JPH04216657A (en) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402648A Pending JPH04216657A (en) | 1990-12-17 | 1990-12-17 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04216657A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19836753A1 (en) * | 1998-08-13 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Integrated semiconductor chip with leads to one or more external connections |
-
1990
- 1990-12-17 JP JP2402648A patent/JPH04216657A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19836753A1 (en) * | 1998-08-13 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Integrated semiconductor chip with leads to one or more external connections |
| EP0981160A3 (en) * | 1998-08-13 | 2002-03-27 | Infineon Technologies AG | Integrated semiconductor chip with leads having a defined resistance |
| US6376913B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-04-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated semiconductor chip having leads to one or more external terminals |
| DE19836753B4 (en) * | 1998-08-13 | 2004-04-15 | Infineon Technologies Ag | Integrated semiconductor chip with leads to one or more external connections |
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