JPH04212475A - Manufacture of photovoltaic device - Google Patents

Manufacture of photovoltaic device

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JPH04212475A
JPH04212475A JP3061867A JP6186791A JPH04212475A JP H04212475 A JPH04212475 A JP H04212475A JP 3061867 A JP3061867 A JP 3061867A JP 6186791 A JP6186791 A JP 6186791A JP H04212475 A JPH04212475 A JP H04212475A
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support substrate
photovoltaic device
resin layer
peeled
manufacturing
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JP3061867A
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Hiroyuki Tanaka
博之 田中
Kenji Murata
健治 邑田
Shinichi Kamitsuma
信一 上妻
Hiroshi Inoue
浩 井上
Yasuo Kishi
靖雄 岸
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the manufacturing method of a photovoltaic device by a method wherein a first resin layer is reliably stuck on a support substrate during a process for forming the device on the substrate and after the device is completed, the layer can be easily peeled from the substrate and the peeling of both of the layer and the substrate can be performed in a short time. CONSTITUTION:In the manufacturing method of a photovoltaic device manufactured by a method wherein a first resin layer 3 having an insulation property and a flexibility and a photoelectric conversion element 7 are at least laminated and formed in order on the upper surface of a support substrate 1 and thereafter, the layer 3 is peeled from the substrate 1, the adhesion of the layer 3 at least one part of a position surrounding the part of the photovoltaic device 10, which is peeled from the substrate 1, to the substrate 1 is increased more than that of other part.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、可撓性を有する光起電
力装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a flexible photovoltaic device.

【0002】0002

【従来の技術】従来からこの種可撓性を有する光起電力
装置として、ステンレス等の可撓性を有する基板上に、
絶縁膜、金属背面電極、光活性層を含む薄膜半導体層及
び透明電極を順次形成したものが存在している。
[Prior Art] Conventionally, this type of flexible photovoltaic device has been constructed on a flexible substrate such as stainless steel.
There are devices in which an insulating film, a metal back electrode, a thin film semiconductor layer including a photoactive layer, and a transparent electrode are sequentially formed.

【0003】しかしながら、この構造の光起電力装置で
は、可撓性を有すると言えども、十分ではなかった。
However, although the photovoltaic device having this structure has flexibility, it is not sufficient.

【0004】そこで、支持基板の上面に、絶縁性、透光
性かつ可撓性を有する第1樹脂層と、第1電極、薄膜半
導体層及び第2電極の積層体からなる光電変換素子と、
絶縁性かつ可撓性を有する第2樹脂層と、を順次積層形
成した後、上記第1樹脂層を上記支持基板から剥離する
光起電力装置の製造方法が、特開平1−105581号
公報に提案されている。
[0004] Therefore, a photoelectric conversion element consisting of a laminate of a first resin layer having insulating, translucent, and flexible properties, a first electrode, a thin film semiconductor layer, and a second electrode is provided on the upper surface of a support substrate.
JP-A-1-105581 discloses a method for manufacturing a photovoltaic device in which a second insulating and flexible resin layer is sequentially laminated and then the first resin layer is peeled from the support substrate. Proposed.

【0005】上述した第1樹脂層としては、耐熱性に優
れているポリイミド樹脂が用いられており、また、その
膜厚を非常に薄くすることができるため、非常に可撓性
に富んだ光起電力装置を製造することができる。
[0005] As the first resin layer described above, a polyimide resin having excellent heat resistance is used, and since the film thickness can be made very thin, it is possible to make the first resin layer extremely flexible. An electromotive force device can be manufactured.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の方法
においては、光起電力装置の形成途中で支持基板と第1
樹脂層とが剥離しないようにしなければならない。この
ために、第1樹脂層と支持基板との密着性を、支持基板
全面にわたって強くすることが考えられるが、その場合
、光起電力装置の形成後、支持基板から第1樹脂層を剥
離する工程において、基板全体を水に浸漬し、光起電力
装置の内部応力によって第1樹脂層が支持基板から剥離
するのに、非常に時間が掛かってしまう。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above method, the support substrate and the first
It must be ensured that the resin layer does not peel off. For this purpose, it is possible to strengthen the adhesion between the first resin layer and the support substrate over the entire surface of the support substrate, but in that case, the first resin layer is peeled off from the support substrate after the photovoltaic device is formed. In the process, the entire substrate is immersed in water, and it takes a very long time for the first resin layer to peel off from the supporting substrate due to the internal stress of the photovoltaic device.

【0007】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
ものであって、支持基板上に光起電力装置を形成する工
程中は、支持基板と第1樹脂層とが確実に接着しており
、また光起電力装置の完成後は、支持基板と第1樹脂層
とが容易に剥離可能で、短時間で両者の剥離が行える光
起電力装置の製造方法を提供することをその課題とする
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and is designed to ensure that the support substrate and the first resin layer are reliably bonded to each other during the process of forming a photovoltaic device on the support substrate. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a photovoltaic device in which the support substrate and the first resin layer can be easily peeled off after the photovoltaic device is completed, and in which both can be peeled off in a short time. do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、支持基板の上
面に、絶縁性かつ可撓性を有する第1樹脂層と、第1電
極、薄膜半導体層及び第2電極の積層体からなる光電変
換素子と、を少なくとも順次積層形成した後、上記第1
樹脂層を上記支持基板から剥離する光起電力装置の製造
方法において、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
1樹脂層と上記支持基板との密着力を、その他の部分よ
り強くしたことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a photovoltaic device comprising a laminate of an insulating and flexible first resin layer, a first electrode, a thin film semiconductor layer, and a second electrode on the upper surface of a support substrate. After at least sequentially stacking the conversion element, the first
In the method for manufacturing a photovoltaic device in which a resin layer is peeled off from the support substrate, adhesion between the first resin layer and the support substrate at at least a portion of a position surrounding a portion of the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate. It is characterized by having been made stronger than other parts.

【0009】[0009]

【作用】本発明によれば、光起電力装置の形成途中にお
いて、第1樹脂層は、その周囲支持基板に強固に接着さ
れているので、支持基板から剥離せず、一方、光起電力
装置の完成後は、支持基板から容易に剥離することがで
きる。
[Function] According to the present invention, during the formation of the photovoltaic device, the first resin layer is firmly adhered to the supporting substrate surrounding it, so that it does not peel off from the supporting substrate; After completion, it can be easily peeled off from the supporting substrate.

【0010】0010

【実施例】図1乃至図4は、本発明の第1実施例を示し
ている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 1 to 4 show a first embodiment of the present invention.

【0011】まず、図1に示すように、ガラス、セラミ
ックスなどからなる支持基板1の一方の主面周縁におけ
る支持基板1と後工程で積層する第1樹脂層3との密着
力を、その他の部分より強くするべく、支持基板1の上
面周縁に、両者に対して接着力が強い材料から成る接着
層2を形成している。この接着層2は、図2に示すよう
に、支持基板1の外周に沿って、即ち、後工程を経て形
成される光起電力装置10の支持基板1から剥離される
部分を囲繞すべく設けられる。より具体的に説明すると
、支持基板1として、約100mm角のガラスの表面を
きれいに研摩した後、支持基板1の周縁から1〜5mm
の余白を置いて、0.1〜3mmのライン幅の接着層2
を、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などの金属膜を
厚さ2000Å〜1μm程度に蒸着、スパッタなどの方
法を用いて形成している。また、Agペースト、Alペ
ーストなどの金属ペーストを5〜30μm程度に印刷法
により塗布した後、300〜600℃の温度にて焼結し
て接着層2としてもよい。
First, as shown in FIG. 1, the adhesion between the support substrate 1 and the first resin layer 3 to be laminated in a subsequent process at the periphery of one main surface of the support substrate 1 made of glass, ceramics, etc. In order to make the supporting substrate 1 stronger than other parts, an adhesive layer 2 made of a material having a strong adhesive force for both is formed on the periphery of the upper surface of the supporting substrate 1. As shown in FIG. 2, this adhesive layer 2 is provided along the outer periphery of the support substrate 1, that is, to surround the portion of the photovoltaic device 10 that will be peeled off from the support substrate 1, which will be formed through a post-process. It will be done. To explain more specifically, after polishing the surface of a glass of approximately 100 mm square as the supporting substrate 1, a distance of 1 to 5 mm from the periphery of the supporting substrate 1 is formed.
Adhesive layer 2 with a line width of 0.1 to 3 mm, leaving a margin of
A metal film such as silver (Ag) or aluminum (Al) is formed to a thickness of about 2000 Å to 1 μm using a method such as vapor deposition or sputtering. Alternatively, the adhesive layer 2 may be formed by applying a metal paste such as Ag paste or Al paste to a thickness of about 5 to 30 μm by a printing method, and then sintering it at a temperature of 300 to 600° C.

【0012】次に、図3に示すように、接着層2を含ん
で支持基板1の一方の主面上に、少なくとも絶縁性かつ
可撓性を有する有機高分子からなる第1樹脂層3が5〜
100μmの厚さで形成される。具体的には、第1樹脂
層3に透光性を持たせる場合、透明ポリイミドのワニス
をスピンコータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布
し、100℃から300℃間で段階的に昇温しながら処
理する。ここで膜厚が5μm以下では、後述の工程で第
1樹脂層3を支持基板1から剥離したときに機械的強度
が不十分であり、また膜厚が100μmでは十分な光透
過性が得られないことから、第1樹脂層3は上述のよう
に膜厚5〜100μmが好ましい。
Next, as shown in FIG. 3, a first resin layer 3 made of an organic polymer having at least insulation and flexibility is formed on one main surface of the support substrate 1 including the adhesive layer 2. 5~
It is formed with a thickness of 100 μm. Specifically, when imparting translucency to the first resin layer 3, a transparent polyimide varnish is uniformly applied using a spin coater or a roll coater, and the temperature is gradually increased between 100°C and 300°C. Process. If the film thickness is 5 μm or less, the mechanical strength will be insufficient when the first resin layer 3 is peeled off from the support substrate 1 in the process described later, and if the film thickness is 100 μm, sufficient light transmittance will not be obtained. Therefore, the first resin layer 3 preferably has a thickness of 5 to 100 μm as described above.

【0013】一方、第1樹脂層3に透光性を要求しない
場合、通常の透明でないポリイミドのワニスをスピンコ
ータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布し、100
℃から300℃間で段階的に昇温しながら処理する。
On the other hand, when the first resin layer 3 is not required to have translucency, an ordinary non-transparent polyimide varnish is uniformly applied with a spin coater or a roll coater, and
The treatment is carried out while increasing the temperature stepwise between 300°C and 300°C.

【0014】その後、この第1樹脂層3の上面に、第1
樹脂層3が透光性を有する場合、膜厚2000〜500
0Åの酸化錫(SnO2)、酸化インジウム錫(ITO
)等 からなる透明な電極層が、または第1樹脂層3が
非透光性である場合、膜厚2000Å〜1μm程度のA
l単層構造、またはAl、チタン(Ti)、Ag、Ti
Ag合金等のいずれかを2層に、更には多層に積層した
積層構造の金属からなる電極層が、第1電極4として形
成される。
[0014] Thereafter, a first
When the resin layer 3 has translucency, the film thickness is 2000 to 500
0 Å tin oxide (SnO2), indium tin oxide (ITO)
) etc., or when the first resin layer 3 is non-transparent, A with a film thickness of about 2000 Å to 1 μm is used.
lSingle layer structure or Al, titanium (Ti), Ag, Ti
The first electrode 4 is formed of an electrode layer made of a metal having a laminated structure in which Ag alloy or the like is laminated in two layers or in multiple layers.

【0015】続いて、この第1電極4の上面に、内部に
膜面に平行なpin、pn接合等の半導体光活性層を含
む半導体接合を備えた膜厚3000〜7000Åのアモ
ルファスシリコン(a−Si)、アモルファスシリコン
カーバイド(a−SiC)、アモルファスシリコンゲル
マニウム(a−SiGe)等のアモルファスシリコン系
の半導体層5が、プラズマCVD法や光CVD法により
形成される。
Next, on the upper surface of the first electrode 4, amorphous silicon (a- An amorphous silicon-based semiconductor layer 5 such as Si), amorphous silicon carbide (a-SiC), or amorphous silicon germanium (a-SiGe) is formed by a plasma CVD method or a photoCVD method.

【0016】更に、この半導体層5の上面に、第1電極
4が透明電極である場合、4000Å〜2μm程度の厚
さのAl単層構造、またはAl、Ti、Ag、TiAg
合金等のいずれかを2層に、更には多層に積層した積層
構造の金属からなる電極層が、または第1電極4が金属
電極である場合、200〜2000Å程度の膜厚のSn
O2、ITO等からなる透明な電極層が、第2電極6と
して形成され、よって 、第1電極4、半導体層5及び
第2電極6の積層体からなる光電変換素子7が完成する
Furthermore, when the first electrode 4 is a transparent electrode, an Al single layer structure with a thickness of about 4000 Å to 2 μm or Al, Ti, Ag, TiAg, etc. is formed on the upper surface of the semiconductor layer 5.
If the electrode layer is made of a metal with a laminated structure in which alloys or the like are laminated in two layers or even in multiple layers, or if the first electrode 4 is a metal electrode, Sn with a film thickness of about 200 to 2000 Å is used.
A transparent electrode layer made of O2, ITO, etc. is formed as the second electrode 6, and thus the photoelectric conversion element 7 made of the laminate of the first electrode 4, the semiconductor layer 5, and the second electrode 6 is completed.

【0017】然る後、第2電極6の上面に、これが金属
電極である場合には、20〜100μm程度の厚さのエ
チレンビニルアセテート(EVA)、ポリエチレンテレ
フタレート(PET)等の熱可塑性樹脂シートからなり
、一方、第2電極6が透明電極である場合には、20〜
100μm程度の厚さの透明なPET、フッ素樹脂等の
熱可塑性樹脂シートからなる第2樹脂層8が形成される
After that, if the second electrode 6 is a metal electrode, a thermoplastic resin sheet of ethylene vinyl acetate (EVA), polyethylene terephthalate (PET), etc. with a thickness of about 20 to 100 μm is placed on the upper surface of the second electrode 6. On the other hand, when the second electrode 6 is a transparent electrode, 20 to
A second resin layer 8 made of a transparent thermoplastic resin sheet such as PET or fluororesin having a thickness of about 100 μm is formed.

【0018】尚、第2樹脂層8は、後述の工程である支
持基板1から第1樹脂層3を剥離する工程の後に、第2
電極6上に形成してもよい。
The second resin layer 8 is formed after the step of peeling off the first resin layer 3 from the supporting substrate 1, which will be described later.
It may also be formed on the electrode 6.

【0019】最後に、図4に示す如く、接着層2の内側
に沿ってレーザビームを照射することにより、または機
械的にカッティングすることにより、切断ライン9を描
く。尚、レーザビームを用いる場合、その強度は、照射
部分の全ての層、即ち第1樹脂層3、光電変換素子7の
各層4、5、6及び第2樹脂層8を溶融する強度である
必要がある。この切断ライン9を描くことによってその
内側の部分は、支持基板1と第1樹脂層3との間で強い
接着力を示す接着層2を有する個所から切断される。そ
の後、水中に浸漬するか、または機械的外力を付与する
ことにより、切断ライン9の内側部分の第1樹脂層3は
、支持基板1から容易に剥離され、可撓性を有する光起
電力装置10が得られる。
Finally, as shown in FIG. 4, a cutting line 9 is drawn along the inside of the adhesive layer 2 by irradiating a laser beam or mechanically cutting. In addition, when using a laser beam, its intensity needs to be strong enough to melt all the layers in the irradiated area, that is, the first resin layer 3, each layer 4, 5, 6 of the photoelectric conversion element 7, and the second resin layer 8. There is. By drawing this cutting line 9, the inner part thereof is cut from the part where the adhesive layer 2 exhibiting strong adhesive force between the support substrate 1 and the first resin layer 3 is located. Thereafter, by immersing it in water or applying an external mechanical force, the first resin layer 3 on the inner side of the cutting line 9 is easily peeled off from the support substrate 1, and the photovoltaic device has flexibility. 10 is obtained.

【0020】ところで、本発明の特徴は、支持基板1か
ら剥離する光起電力装置10部分を囲繞する位置の少な
くとも一部分における第1樹脂層3と支持基板1との密
着力を、その他の部分より強くしたことにあり、以下、
第2実施例乃至第8実施例を示す。尚、これらの実施例
において、第1樹脂層3と支持基板1との密着力を強く
する方法以外は、上述の第1実施例と何ら変わるところ
はないので、以下では、第1樹脂層3と支持基板1との
接着力を強くする方法だけを説明し、それ以外の説明は
省略している。
By the way, a feature of the present invention is that the adhesion between the first resin layer 3 and the support substrate 1 in at least a portion surrounding the portion of the photovoltaic device 10 to be peeled off from the support substrate 1 is made stronger than in other portions. The reason is that we have strengthened it, and the following is as follows.
A second embodiment to an eighth embodiment will be shown. In addition, in these examples, there is no difference from the above-mentioned first example except for the method of strengthening the adhesion between the first resin layer 3 and the supporting substrate 1. Only the method of increasing the adhesive force between the support substrate 1 and the supporting substrate 1 will be explained, and other explanations will be omitted.

【0021】図5は、本発明の第2実施例を示しており
、支持基板1の一方の主面の外周に沿って、粗面20を
形成している。粗面20は、サンドブラスト処理等の機
械的処理、ウェットあるいはドライによるエッチング処
理等により形成される。そして、第1樹脂層(図示して
いない)が、粗面20を含んで支持基板1の一方の主面
上に形成される。
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention, in which a rough surface 20 is formed along the outer periphery of one main surface of the support substrate 1. As shown in FIG. The rough surface 20 is formed by mechanical processing such as sandblasting, wet or dry etching, or the like. Then, a first resin layer (not shown) is formed on one main surface of the support substrate 1 including the rough surface 20.

【0022】図6は、本発明の第3実施例を示しており
、第1樹脂層3が支持基板1の一方の主面から側面を経
て、支持基板1の他方の主面に回り込むように形成され
る。
FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention, in which the first resin layer 3 extends from one main surface of the support substrate 1 to the other main surface of the support substrate 1 via the side surface. It is formed.

【0023】図7は、本発明の第4実施例を示しており
、支持基板1の側面に、粗面30を形成している。この
粗面30は、ガラス等の支持基板1を大きな基板から切
り出した後、端面に何ら処理を施さないままの状態とす
ることにより形成される。そして、第1樹脂層3が、第
3実施例と同様に、支持基板1の一方の主面から側面の
粗面30を経て支持基板1の他方の主面に若干回り込む
ように形成される。
FIG. 7 shows a fourth embodiment of the present invention, in which a rough surface 30 is formed on the side surface of the support substrate 1. The rough surface 30 is formed by cutting out the support substrate 1 made of glass or the like from a large substrate, and then leaving the end surface untreated. Similarly to the third embodiment, the first resin layer 3 is formed so as to extend slightly from one main surface of the support substrate 1 to the other main surface of the support substrate 1 via the rough side surface 30.

【0024】図8は、本発明の第5実施例を示しており
、支持基板1の一方の主面の外周に沿って枠状に溝40
を形成し、この溝40を含んで支持基板1上に第1樹脂
層3を形成する。
FIG. 8 shows a fifth embodiment of the present invention, in which a frame-shaped groove 40 is formed along the outer periphery of one main surface of the support substrate 1.
, and the first resin layer 3 is formed on the supporting substrate 1 including the groove 40.

【0025】図9は、本発明の第6実施例を示しており
、支持基板1の一方の主面上に第1樹脂層3を形成した
後、第1樹脂層3に対し、その外周に沿って加熱処理ラ
イン50を描いている。この加熱処理ライン50は、第
1樹脂層3上にこれが溶融して除去されない程度に、レ
ーザビームを照射するか、またはホットプレス機を当て
ることにより形成される。
FIG. 9 shows a sixth embodiment of the present invention, in which the first resin layer 3 is formed on one main surface of the support substrate 1, and then the outer periphery of the first resin layer 3 is A heat treatment line 50 is drawn along the line. The heat treatment line 50 is formed by irradiating the first resin layer 3 with a laser beam or applying a hot press to an extent that the first resin layer 3 is not melted and removed.

【0026】図10は、本発明の第7実施例を示してお
り、支持基板1の一方の主面上に第1樹脂層3を形成し
た後、第1樹脂層3に対し、その外周に沿って紫外線を
照射し、その照射ライン60を描いている。
FIG. 10 shows a seventh embodiment of the present invention, in which after forming the first resin layer 3 on one main surface of the support substrate 1, the outer periphery of the first resin layer 3 is coated. The irradiation line 60 is drawn by irradiating ultraviolet rays along the line.

【0027】図11は、本発明の第8実施例を示してお
り、支持基板1の一方の主面上に第1樹脂層3を形成し
た後、第1樹脂層3の外周を、支持基板1の外周と共に
挾持固定する枠状の固定具70により固定している。
FIG. 11 shows an eighth embodiment of the present invention, in which the first resin layer 3 is formed on one main surface of the support substrate 1, and then the outer periphery of the first resin layer 3 is It is fixed by a frame-shaped fixture 70 that clamps and fixes it together with the outer periphery of 1.

【0028】以上の第2実施例乃至第8実施例における
粗面20、第1樹脂層3の回り込み形成、粗面30、溝
40、加熱処理ライン50、紫外線照射ライン60及び
固定具70により、支持基板1とこの上面に形成される
第1樹脂層3との密着力は、支持基板1から剥離される
光起電力装置10を囲繞する位置において、その他の部
分より強くなる。
With the rough surface 20, the wrap-around formation of the first resin layer 3, the rough surface 30, the groove 40, the heat treatment line 50, the ultraviolet irradiation line 60, and the fixture 70 in the second to eighth embodiments described above, The adhesion between the support substrate 1 and the first resin layer 3 formed on the upper surface thereof is stronger at a position surrounding the photovoltaic device 10 to be peeled off from the support substrate 1 than at other parts.

【0029】尚、上記第1実施例乃至第8実施例の各々
は、それらを単独で実施するだけでなく、適宜組み合わ
せてもよい。
Each of the first to eighth embodiments described above may not only be implemented alone, but may also be combined as appropriate.

【0030】また、上述の各実施例における接着層2、
粗面20、第1樹脂層3の回り込み形成、粗面30、溝
40、加熱処理ライン50、紫外線処理ライン60及び
固定具70は、支持基板1から剥離する光起電力装置1
0部分を完全に囲繞するように、連続的に設けられる必
要はなく、光起電力装置10を囲繞する位置に、部分的
に設けられてもよい。要するに、これらは、光起電力装
置10部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における
第1樹脂層3と支持基板1との密着力が、その他の部分
より強くなるように設けられればよい。
[0030] Furthermore, the adhesive layer 2 in each of the above embodiments,
The rough surface 20 , the wrap-around formation of the first resin layer 3 , the rough surface 30 , the groove 40 , the heat treatment line 50 , the ultraviolet treatment line 60 , and the fixture 70 are the photovoltaic device 1 to be peeled off from the support substrate 1 .
It does not need to be provided continuously so as to completely surround the 0 portion, but may be provided partially at a position surrounding the photovoltaic device 10. In short, these may be provided so that the adhesion between the first resin layer 3 and the support substrate 1 is stronger in at least a portion of the position surrounding the photovoltaic device 10 than in other portions.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明は、支持基板の上面に、絶縁性か
つ可撓性を有する第1樹脂層と、第1電極、薄膜半導体
層及び第2電極の積層体からなる光電変換素子と、を少
なくとも順次積層形成した後、上記第1樹脂層を上記支
持基板から剥離する光起電力装置の製造方法において、
上記支持基板から剥離する光起電力装置を囲繞する位置
の少なくとも一部分における上記第1樹脂層と上記支持
基板との密着力を、その他の部分より強くしているので
、光電変換素子の形成途中においては、その光電変換素
子周囲の第1樹脂層が強固に支持基板に密着しているた
め、支持基板から第1樹脂層が剥離せず、光電変換素子
の形成は何ら支障なく行われると共に、光起電力装置完
成後は、その光起電力装置は支持基板から容易に剥離す
ることができ、可撓性を有する光起電力装置の製造工程
の簡略化が図れる。
Effects of the Invention The present invention provides a photoelectric conversion element comprising a laminate of an insulating and flexible first resin layer, a first electrode, a thin film semiconductor layer, and a second electrode on the upper surface of a support substrate; In a method for manufacturing a photovoltaic device, the first resin layer is peeled from the supporting substrate after at least sequentially laminating the following:
Since the adhesion between the first resin layer and the support substrate is made stronger in at least a portion of the position surrounding the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate than in other portions, it is possible to Since the first resin layer around the photoelectric conversion element is tightly adhered to the support substrate, the first resin layer does not peel off from the support substrate, and the formation of the photoelectric conversion element is performed without any problem, and the photoelectric conversion element is After the photovoltaic device is completed, the photovoltaic device can be easily peeled off from the support substrate, thereby simplifying the manufacturing process of a flexible photovoltaic device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の第1実施例の製造方法の第1工程を示
す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a first step of a manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の上面図である。FIG. 2 is a top view of FIG. 1;

【図3】本発明の第1実施例の製造方法の第2工程を示
す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing the second step of the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施例の製造方法の第3工程を示
す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing the third step of the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施例を示す上面図である。FIG. 5 is a top view showing a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3実施例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第4実施例を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5実施例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第6実施例を示す上面図である。FIG. 9 is a top view showing a sixth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第7実施例を示す上面図である。FIG. 10 is a top view showing a seventh embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第8実施例を示す断面図である。FIG. 11 is a sectional view showing an eighth embodiment of the present invention.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  支持基板の上面に、絶縁性かつ可撓性
を有する第1樹脂層と、第1電極、薄膜半導体層及び第
2電極の積層体からなる光電変換素子と、を少なくとも
順次積層形成した後、上記第1樹脂層を上記支持基板か
ら剥離する光起電力装置の製造方法において、上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分における上記第1樹脂層と上記支持基板
との密着力を、その他の部分より強くしたことを特徴と
する光起電力装置の製造方法。
1. A first insulating and flexible resin layer, a photoelectric conversion element made of a laminate of a first electrode, a thin film semiconductor layer, and a second electrode are laminated, at least in sequence, on the upper surface of a support substrate. In the method for manufacturing a photovoltaic device, the first resin layer is peeled off from the support substrate after forming the first resin layer in at least a portion of a position surrounding a portion of the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate. A method for manufacturing a photovoltaic device, characterized in that the adhesion to the support substrate is made stronger than other parts.
【請求項2】  上記支持基板の上面における上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分に、この支持基板と上記第1樹脂層との
両者に対して強い接着力を示す接着層を形成したことに
より、上記密着力を強くしたことを特徴とする請求項1
記載の光起電力装置の製造方法。
2. A strong adhesive force is applied to both the support substrate and the first resin layer on at least a portion of the upper surface of the support substrate at a position surrounding the portion of the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate. Claim 1 characterized in that the adhesion is strengthened by forming an adhesive layer shown in the figure.
A method of manufacturing the photovoltaic device described.
【請求項3】  上記支持基板の上面における上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分に、粗面を形成することにより、上記密
着力を強くしたことを特徴とする請求項1記載の光起電
力装置の製造方法。
3. The adhesion force is strengthened by forming a rough surface on at least a portion of the upper surface of the support substrate at a position surrounding the portion of the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate. A method for manufacturing a photovoltaic device according to claim 1.
【請求項4】  上記第1樹脂層を上記支持基板の上面
から側面にわたって形成することにより、上記密着力を
強くしたことを特徴とする請求項1記載の光起電力装置
の製造方法。
4. The method of manufacturing a photovoltaic device according to claim 1, wherein the adhesion is strengthened by forming the first resin layer from the upper surface to the side surface of the support substrate.
【請求項5】  上記支持基板の側面の少なくとも一部
分に粗面を形成し、上記第1樹脂層を上記支持基板の上
面から側面にわたって形成することにより、上記密着力
を強くしたことを特徴とする請求項4記載の光起電力装
置の製造方法。
5. The adhesion is strengthened by forming a rough surface on at least a portion of the side surface of the support substrate, and forming the first resin layer from the top surface to the side surface of the support substrate. A method for manufacturing a photovoltaic device according to claim 4.
【請求項6】  上記支持基板の上面における上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分に、溝を形成することにより、上記密着
力を強くしたことを特徴とする請求項1記載の光起電力
装置の製造方法。
6. A claim characterized in that the adhesion is strengthened by forming a groove in at least a portion of the upper surface of the support substrate at a position surrounding the portion of the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate. Item 1. A method for manufacturing a photovoltaic device according to item 1.
【請求項7】  上記支持基板の上面に上記第1樹脂層
を形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
1樹脂層を加熱処理することにより、上記密着力を強く
したことを特徴とする請求項1記載の光起電力装置の製
造方法。
7. After forming the first resin layer on the upper surface of the support substrate, heat-treating the first resin layer in at least a portion of a position surrounding a portion of the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate. 2. The method of manufacturing a photovoltaic device according to claim 1, wherein the adhesion is strengthened by:
【請求項8】  上記支持基板の上面に上記第1樹脂層
を形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
1樹脂層に紫外線を照射することにより、上記密着力を
強くしたことを特徴とする請求項1記載の光起電力装置
の製造方法。
8. After forming the first resin layer on the upper surface of the support substrate, ultraviolet rays are irradiated to the first resin layer in at least a portion of a position surrounding a portion of the photovoltaic device to be peeled off from the support substrate. 2. The method of manufacturing a photovoltaic device according to claim 1, wherein the adhesion is strengthened by:
【請求項9】  上記支持基板の上面に上記第1樹脂層
を形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
1樹脂層を固定具にて固定することにより、上記密着力
を強くしたことを特徴とする請求項1記載の光起電力装
置の製造方法。
9. After forming the first resin layer on the upper surface of the support substrate, use a fixture to remove the first resin layer in at least a portion of the position surrounding the photovoltaic device portion to be peeled off from the support substrate. 2. The method of manufacturing a photovoltaic device according to claim 1, wherein the adhesion is strengthened by fixing.
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