JPH04211171A - 受光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［０００１１

【産業上の利用分野］本発明は基板上に形成された下部
電極とシリコンを主体として水素を含有する非晶質材料
よりなる光導電膜とスパッタリングにより形成した透明
電極とよりなる受光素子に関する。 ［０００２］ 【従来技術】従来の受光素子としては、たとえば、走査
用５ｔ−ＩＣ基板上にシリコンを主体とし水素を含有す
る非晶質材料（以後非晶質水素化シリコンと呼ぶ）より
なる光導電体層および透明電極を積層した固体撮像素子
がある。勿論、他の受光素子もある。 ［０００３］前述の固体撮像装置の例は光電変換機能及
び信号蓄積機能を有する固体要素を複数個配置し、各固
体要素を一絵素に対応させて撮像面を形成し、この撮像
面を順次走査することにより外部映像情報を電気信号に
変換する固体撮像装置であり、特に撮像面を形成する光
導電体層がスイッチ、走査回路等が形成された走査用Ｉ
Ｃ基板を覆うように形成されて成る。 ［０００４］　この様な撮像面を形成する光導電体層が
スイッチ、走査回路などが形成された半導体基板を覆う
ように形成された固体撮像装置はたとえば、特開昭５１
１０７１５号公報などに報告されている。以下、この技
術を簡単に説明する。図１に示すようにＳｉ基板１上に
走査回路とスイッチ回路等を集積化し、光電変換の役割
を果す光導電膜８を該５ｉ−ＩＣ基板上に堆積したもの
である。図１に即して動作原理を説明すると、入射光１
０が透明電極９を通して光導電膜８に達する。ここで光
は吸収されて電子正孔対を生じ、これらのキャリアはバ
イアス電圧ＶＴにより金属電極７に蓄積される。蓄積さ
れたキャリアは半導体基板１上に形成されたソース２、
トレイン３、ゲート４からなる絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）によりスイッチされ信号線
５を通して外部にとり出される。６は絶縁膜である。本
構造では走査回路と光電変換部が分離されているため、
解像度や光感度の低下をもたらさないばかりでなく、光
がＳｉ基板に達しないためブルーミングも起りにくいと
いう特徴を有する。 ［０００５］また、光導電膜として光導電特性の優れた
非晶質水素化シリコンを用いた図１に示す固体撮像素子
も提案されている。 ［０００６］

【発明が解決しようとする課題】しかし、走査用５ｉＩ
Ｃ基板上に非晶質水素化シリコンよりなる光導電膜を形
成した後、その上部に酸化インジウム−酸化錫系の透明
電極または白金などの半透明電極をスパッタリング法に
より形成すると光導電膜の光応答特性が劣化するという
欠点が生じた。 ［０００７］光導電膜上にたとえば酸化インジウム−酸
化錫系金属酸化物の透明電極または金および白金などの
半透明金属電極をスパッタリング法により形成するのは
、非晶質水素化シリコンよりなる光導電膜との接着性を
高めるためである。この問題は特にカラー用固体撮像装
置において特に要求される点である。真空蒸着法で酸化
物の透明電極または金属の半透明電極を形成することも
可能であるが、一般に蒸着法で形成した膜はスパッタリ
ング法で形成した膜よりも下地膜との接着性が劣ってい
る。図１にその絵素部の断面図を示した固体撮像素子は
カラー用の固体撮像素子として用いる場合、透明電極の
上部に所定の波長範囲の光のみを透過する色フィルター
層を形成する必要がある。この色フィルター層を形成す
る工程を行う際、上記の光導電膜８と透明電極９との接
着性が弱いと透明電極９が剥離するという問題がしばし
ば発生する。この点で真空蒸着法で透明電極９を形成す
るよりはスパッタリング法で透明電極９を形成すること
が望ましい。また、酸化インジウム−酸化錫系の透明電
極をインジウム−錫系のハロゲン化物あるいは有機金属
塩を用いたＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により作成する方法も知られ
ている。しかし、この方法では比抵抗が低く、抵抗の経
時変化などもなく、かつ、下地膜との接着性の良い膜を
得るためには基板温度を３００℃以上にしなければなら
ない。一方、非晶質水素化シリコンよりなる光導電膜は
３００℃以上に加熱すると可視光領域での光感度が著し
く低下する。従って、非晶質水素化シリコンを光導電膜
として用いた固体撮像素子用の透明電極はＣＶＤ法によ
り作成することはできない。 ［０００８］図１に示した固体撮像素子では光信号電荷
を一定の蓄積時開（例えば、１／３０ｓｅｃ）蓄積した
後、極めて短い時間内に内蔵されたＭＯ８ＦＥＴスイッ
チにより信号線５を通して読み出す方式（蓄積動作方式
と呼ぶ）をとっている。図２の受光素子は光応答特性を
測定するためのテスト用受光素子である。基板１１上に
設けられた下部電極１２と非晶質水素化シリコンよりな
る光導電膜１３と透明電極１４で構成されており、光導
電膜には常に一定の電圧ＶＴが印加されていて、光パル
ス１５により光導電層１３に発生した光電荷を電流計１
６で直接読みとることができる。スパッタリング法で透
明電極を形成した受光素子の光応答特性は一例を示すと
図３のようになる。図３において、特性ａは入射の光パ
ルス、曲線す、　ｃは各々透明電極側を正にバイアス（
−般にＶＴ＝Ｏ〜２１Ｖ程度を使用する）した場合の光
応答特性、透明電極側を負にバイアス（一般にＶＴ　＝
　０〜２１Ｖ程度を使用する。）した場合の光応答特性
を示す。図３の特性曲線より特に透明電極側に負のバイ
アスを印加した時の光応答特性が著しく劣っている。す
なわち、図３では透明電極側を負にして光パルスを照射
すると透明電極から負電荷が注入される現象（二次光電
流とも呼ぶ）が起って、光をＯＦＦにした後も、減衰電
流が長い時間にわたって多く流れ、なかなか暗電流のレ
ベルまでもどらないことを示している。この現象は固体
撮像素子において、−旦映した画像が光を遮断しても残
像として残ったり、さらには焼付いたままとれなくなる
現象としてあられれる。固体撮像素子におけるこのよう
な現象は実用上極めて大きな欠点である。 ［０００９］本発明の目的は、残像の少い受光素子を提
供することにある。 ［００１０１

【課題を解決するための手段］上記目的は、スパッタリ
ング法で形成された透明導電膜を非晶質水素化シリコン
膜上に備えた受光素子において、光入射停止後５０ｍ５
ｅｃ時の残像が１％以下である受光素子により達成され
る。 ［００１１１ 【作用］本発明に係る受光素子を得るために、走査用５
ｉ−ＩＣ基板上に水素を含有するシリコンを主体とした
非晶質光導電膜を反応性スパッタリング法またはグロー
放電ＣＶＤ法により形成した後、上記光導電膜上に透明
電極をスパッタリング法にて形成する。しかる後に、本
固体撮像素子を１７０℃から２５０℃の温度範囲で熱処
理し、透明電極をスパッタリング法にて光導電膜上に形
成したために生じた本固体撮像素子の光応答特性の劣化
を改良するものである。本発明によって本固体撮像素子
の長所である解像度や可視光領域の分光感度が優れ、ブ
ルーミング現象の起りにくい素子を得ることが出来る。 前記光導電膜の反応性スパッタリング法としては、一般
のスパッタ装置を用いてもよいし、マグネトロン型の高
速スパッタ装置も用いることもできる。スパッタ装置内
の対向電極の一方の陰極（ターゲット側電極）多結晶シ
リコンをスパッタ用ターゲットとして設置し、他方の陽
極（基板側電極）には走査用５ｉ−ＩＣ基板を設置する
。スパッタ室内Ｉ　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ以下の高真空
に保ちながら２５０〜３００℃に加熱して、スパッタ室
内の脱ガスを行った後、放電ガスとして水素とアルゴン
の如き希ガス混合とのガスをスパッタ室内に導入し、１
３．５６ＭＨｚの高周波スパッタリングを行って、走査
用５ｉＩＣ基板上に水素を含有したシリコンを主体とす
る非晶質光導電膜を堆積せしめる。膜形成中の基板温度
は１００〜３５０℃、放電ガスの圧力は２　Ｘ　１０−
”Ｔｏｒｒ　〜５　Ｘ１Ｏ−２ＴＯｒｒ、放電ガス中の
水素ガスの組成は１０〜６０ｍｏ１％の範囲内である。 ［００１２］また、前記のグロー放電ＣＶＤ　（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法として
は、ｒｆココイル法二極放電法の二種類がある。いずれ
も、放電ガスとしてＳｉＨ４などのシラン系ガスとアル
ゴンの如き希ガスとの混合ガスを用い、グロー放電を行
ってシラン系ガスの分解反応により走査用ＩＣ基板上に
水素を含有したシリコンを主体とする非晶質光導電膜を
堆積せしめる方法であり、シリコンに水素を添加する反
応を利用する反応性スパッタリング法と区別される。ｒ
ｆココイル法反応室をｒｆココイル中おき、ｒｆコイル
に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加して、反応室内に導
入したＳｉＨ４およびアルゴンの混合ガスのグロー放電
を起こさせ、反応室内に設置した走査用ＩＣ基板上に水
素を含有したシリコンを主体とする非晶質光導電膜を堆
積せしめる方法である。また、二極放電法は通常のスパ
ッタリング装置を用い、対向電極間に１３．５６ＭＨｚ
の高周波を印加して反応室内に導入したＳｉＨ４および
アルゴンの混合ガスのグロー放電を起こさせ、反応室内
に設置した走査用ＩＣ基板上に水素を含有したシリコン
を主体とする非晶質光導電膜を堆積せしめる方法である
。膜形成中の基板温度は１００〜３００℃、放電ガスの
圧力は反応性スパッタリング法より高＜　５　Ｘ　１０
−２Ｔｏｒｒから２Ｔｏｒｒ、放電ガス中のＳｉＨ４ガ
スの組成は５〜４０ｍｏ１％の範囲内である。 ［００１３］上記の方法で走査用５ｉ−ＩＣ上に非晶質
水素化シリコンより光導電膜を形成した後、その上部に
透明電極をスパッタリング法により形成する。この透明
電極としては（１）酸化インジウム、酸化錫およびそれ
らの混合物から選ばれた一つを主成分とする透明電極が
用いられる。また、　（２）金、白金、タンタル、モリ
ブデン、アルミニウム、クロム、ニッケルおよびそれら
の混合物からなる群から選ばれた一つを主成分とする半
透明状の金属電極を用いることもできる。 ［００１４］　（１）の透明電極を形成するには、イン
ジウム−錫系の金属をターゲットとして、酸素ガスを含
有したアルゴンガス中で反応性ＲＦスパツタリングを行
なう方法もあるが、通常は、酸化インジウム−酸化錫系
の焼結体ターゲットを用いて、アルゴンガスなどの希ガ
ス中で、ＲＦスパッタリングを行なう方法がとられる。 この場合、スパッタ装置内の対向電極の一方の陰極（タ
ーゲット側電極）に酸化インジウム−酸化錫系の焼結体
をスパッタ用ターゲットとして設置し、他方の陽極（基
板側電極）には非晶質水素化シリコンよりなる光導電膜
を堆積した走査用５ｉ−ＩＣ基板を設置する。スパッタ
室内を５×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下の高真空にまで排気し
た後、放電ガスとしてアルゴンの如き希ガスをスパッタ
室内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波スパッタリン
グを行って、上記光導電膜上に所定のパターンの酸化イ
ンジウム酸化錫系の透明電極を堆積せしめる。膜形成中
の基板温度は８０℃〜２２０℃、放電ガスの圧力は３×
１Ｏ−３Ｔｏｒｒから５×１Ｏ−２Ｔｏｒｒである。こ
のようにして、図４にその絵素部の断面を示すような固
体撮像素子が得られる。 ［００１５］図において、２０は半導体基板、２６，２
７はこの中に形成された拡散領域でソースもしくはドレ
インを形成する。２５はゲート電極、２９，３１０は各
々トレイン電極およびソース電極、２１，２２．３０は
絶縁層である。なお、ソース電極はソース領域２６上に
設けられた金属層３１と更にこの上部に設けた金属層３
１の二層によって形成されている。層３２は前述のスパ
ッター法もしくはグロー放電法等によって形成された光
導電膜である。３３は前述のスパッタ法により形成され
た透明電極である。また、　（２）の透明電極に関して
も、スパッタ装置内の陰極（ターゲット側電極）に、金
、白金、タンタル、モリブデン、アルミニウム、クロム
、ニッケルおよびそれらの混合物からなる群から選ばれ
た一つを主成分とする金属をスパッタ用ターゲットとし
て設置すれば上記（１）の透明電極と同様のスパッタリ
ング法により半透明状の金属電極を堆積することができ
る。この場合、半透明金属電極は光透過性を良くするた
めに固体撮像素子の各絵素間の断線がない範囲内ででき
るだけ膜厚を薄くする必要がある。通常、その膜厚は４
００八以下である。 ［００１６］以上述べた方法で得られた固体撮像素子は
図３で説明した如く、光応答特性の劣化した素子である
。特に、図４において透明電極３３に負のバイアス電圧
ＶＴを印加した場合、残像および焼付が大きくなってい
る。しかし、この素子を１７０℃〜２５０℃の間で約１
５分程度から数時間熱処理すると、撮像および焼付特性
は全く問題とならない程度にまで改善される。この改善
のされ方は図３に示した受光素子の光応答特性で表わす
と、図５にその一例を示す如くとなる。図５において、
特性ａは入射の光パルス、曲線ｄ、　ｅは各々透明電極
側を正にバイアス（一般にＶＴ　＝　Ｏ〜２１Ｖ程度を
用いる）した場合の光応答特性、透明電極側を負にバイ
アス（一般にＶＴ＝Ｏ〜−２１Ｖ）した場合の光応答特
性を示す。図５から明らかなように、透明電極側を負に
バイアスした時の光応答特性が著しく改善されているこ
とがわかる。すなわち透明電極側から負電荷が注入され
る二次光電流が抑制され、光ＯＦＦ後の減衰電流は短時
間に暗電流と同レベルまで下がる。また、透明電極側に
印加するバイアスが正でも負でも、熱処理前の特性と比
較して、比較的低電圧のＶＴ値で光感度が出せるように
なるのも大きな改善の一つである。この現象は図４に示
した固体撮像素子でも全く同様の観測される。 ［００１７］図４に示した固体撮像素子において、熱処
理温度と、光ＯＦＦ後５０ｍ５経過した時の残像との関
係は図６に示す如くとなった。但し、熱処理時間は２０
分間とした。図６から明らかなように、熱処理温度を室
温から次第に上げていくと、残像は次第に大きくなり、
１００〜１２０℃の間で最大値を示した後、１５０℃前
後から急速に小さくなり１７０℃〜２５０℃で最小値を
示して、また反対に増加する傾向を持つ。熱処理時間は
各温度２０〜４０分でほぼその温度における残像の飽和
値に達する。従って必要以上長時間熱処理をしても具体
的に余り意味はない。熱処理は通常大気中で行うがアル
ゴンガスなどの希ガスあるいは窒素などの不活性ガス中
で行っても同様の効果が確認できた。一般の撮像デバイ
スでは５０ｍ５後の残像が１％以下であれ十分に使用可
能である。図６から少なくとも１４０℃以上でその効果
を奏しはじめるが１７０℃〜２５０℃の範囲で熱処理を
行なえば、図４に示し固体撮像素子は５０ｍ５後の残像
が１％以下となり、撮像デバイスとして極めて好都合に
使用できる。 ［００１８］図５および図６で示した本発明の効果はあ
くまで、非晶質水素化シリコンよりなる光導電膜上にス
パッタリング法により透明電極を堆積することによって
発生した光導電膜と透明電極間の電気的接触の問題点を
改善するものである。非晶質水素化シリコンを前述の反
応性スパッタリング法もしくはグロー放電法に堆積直後
に光感度を大巾に向上する目的で光導電膜堆積装置内に
入れたまま真空中で２２０〜２７０℃に保持して熱処理
する技術とは別異の技術である。 ［００１９］また、本発明は図４に一例として示した固
体撮像装置のみならず、原理的に図２に示した如くの構
成を持つ受光素子全般に対しても有効である。例えば、
−次元の密着形のラインセンサあるいは、太陽電池など
にも適用できる。また、固体撮像装置の走査回路として
ＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ
）転送領域を用いるものでも本発明を適用できることは
勿論である。 ［００２０１以下本発明を実施例により詳しく説明する
。 ［００２１］ 【実施例】 〈実施例１〉 図７は固体撮像装置の動作原理を説明するための図であ
る。各絵素４４はマトリクス状に配置され一点ずつＸＹ
アドレス方式により読み出される。各絵素の選択は水平
走査信号発生器４１と垂直走査信号発生器４２により行
なわれる。４３は各絵素に接続されたスイッチ部、年４
５は出力端である。 ［００２２１図８から図１２までは本発明の固体撮像装
置の製造方法を示す絵素部の断面図である。半導体基板
に形成されるスイッチ回路をはじめ走査回路部等は通常
の半導体装置の工程を用いて製造される。ｐ型シリコン
基板２０上に８００Ａ程度の薄いＳｉＯ２膜を形成し、
この５ＩＯ２膜上の所定の位置に１４００八程度のＳｉ
Ｎ４膜を形成する。ＳｉＯ２膜は通常のＣＶＤ法、およ
びＳｉ３Ｎ４膜はＳ　ｉ　Ｈ４，ＮＨ４，Ｎ２を流した
ＣＶＤ法によった。シリコン基板上部よりイオン・イン
プランテーションによってｐ拡散領域を形成する。この
拡散領域２１は各素子の分離をよりよくするために設け
た。次いで、Ｈ２：　０２＝　１　：　８雰囲気中でシ
リコン局所酸化し、８１０２層２２を形成する（図８）
。この方法は一般にＬＯＧＯ８と呼ばれている素子分離
のためのシリコンの局所酸化法である。−旦、前述の５
１３Ｎ４膜を除去し、ＭＯＳ）ランジスタのゲート絶縁
膜を５ｉ０２膜で形成する。対いてポリシリコンによる
ゲート部２５、およびｎ型の拡散領域２６．２７を形成
し、更にこの上部５１０２膜２８を形成する。そしてこ
の膜中にソース２６およびトレイン２７の電極取り出し
口をエツチングで開孔する（図９）。ドレイン電極２９
およびソース電極３１０としてＡＩを６００ＯＡ蒸着す
る。更に５１０２膜３０を７５０　ＯＡに形成し、続い
てソース電極３１としてＡＩを２５０　ＯＡ蒸着する。 図１０がこの状態を示す断面図である。なお、電極３１
は領域２６．２７およびゲート部を覆う如く広く形成し
た。これは素子間分離用拡散層２１の間の信号処理領域
に光が入射するとブルーミングの原因となり望ましくな
いためである。 ［００２３］　この様に準備された半導体ＩＣ基板上に
水素を含有するシリコンを主体とした非晶質光導電膜３
２を反応性スパッタリング法により３μｍの膜厚に堆積
する。この時、スパッタ用ターゲットとしては、多結晶
シリコンを陰極（カソード）に設置して用いる。放電ガ
スとして水素とアルゴン混合ガス（Ｈ２：Ａｒ＝２０　
：　８０を用い、３×１Ｏ−３Ｔｏｒｒの放電ガス圧で
１３．５６ＭＨｚの高周波スパッタリングを行った。光
導電膜形成後の状態は図１１に示すようになる。この光
導電膜の上部にＩ　ｎ２０３　　Ｓ　ｎ　０２系の透明
電極をスパッタリング法で１００　ＯＡの膜厚に堆積す
る。この時、スパッタ用ターゲットとしては、ＳｎＯ２
を５ｍｏ１％含有した■ｎ２０３焼結体を電極（カソー
ド）に設置して用いる。放電ガスとしてＡｒガスを８×
１Ｏ−３Ｔｏｒｒのガス圧で１３．５６ＭＨｚの高周波
スパッタリングを用いた。透明電極形成後、図１２に示
すよう非晶質固体撮像素子が得られる。 上記の素子の光応答特性は残像が１０％以上になり、画
像の焼付も大きい。次に、この素子を空気中で、２４０
℃、２０分間熱処理すると残像が１％以下と小さく、焼
付現象のない非晶質固体撮像素子が得られる。なお、通
常半導体基板２０は裏面に第２電極が設けられて一般に
接地される。この素子上の各絵素電極と対応するように
、所定の分光透過特性を持つ色フィルタ層を形成して、
単板カラー非晶質固体撮像素子としても、光導電膜と透
明電極の接合界面で剥離現象は起らなかった。 ［００２４］ 〈実施例２〉 実施例１と同様に、所定の半導体基板にスイッチ回路を
はじめ走査回路等が形成される。図１０がこの状態を示
す基板断面図である。但し、金属電極３１はスパッタリ
ング法により３０００Ａの膜厚に形成したＴａ電極であ
る。 （００２５］　この様に準備され半導体ＩＣ基板上に水
素を含有するシリコンを主体とした非晶質光導電膜３２
をグロー放電ＣＶＤ法により３μｍの膜厚に堆積する。 この時、放電ガスとして（Ｓ　ｉ　Ｈ４１０ｍｏ１％＋
Ａｒ９０ｍ。 １％）混合ガスを用い、６　Ｘ　１０−２Ｔｏｒｒの放
電ガス圧で、対向電極間に１３．５６ＭＨｚの高周波放
電を発生させ、ＳｉＨ４ガスの分解反応により、カソー
ド側に設置し２５０℃に加熱したＩＣＣ上上水素を含有
する非晶質シリコンを堆積せしめた。光導電膜形成後の
状態は前記実施例と同様に、図１１に示す如くになる。 この光導電膜の上部にｐｔの半透明電極をスパッタリン
グ法により２００への膜厚に堆積する。この時、ｐｔの
板を陰極に設置し、Ａｒガスを５　Ｘ　１０−３Ｔｏｒ
ｒのガス圧で１３゜５６ＭＨｚの高周波スパッタリング
を行い、図１２に示すような非晶質固体撮像素子を得た
。上記の素子の光応答特性は残像が１５％以上になり、
画像の焼付も大きい。次にこの素子をＡｒガス雰囲気中
で、２２５℃、３０分間熱処理すると残像が０．５％程
度で、焼付現象のない素子が得られる。 ［００２６］以上の実施例を用いて説明した如く本発明
の固体撮像装置の製造方法を用いれば、光導電膜の上部
にスパッタリング法で透明電極を堆積したことにより発
生した非晶質固体撮像素子の光応答特性の劣化を改善す
ることができ、残像、焼付がともに極めて小さく、光導
電特性は良好である。 ［００２７］また、透明電極として前述した各種金属を
用いても同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】固体撮像装置の原理的な構造を示した断面図で
ある。

【図２】−殻内な受光素子の断面図である。

【図３】スパッタリング法で透明電極を形成した時の受
光素子の光応答特性の一例を示した図である。

【図４】本発明に係る非晶質固体撮像素子の一絵素の断
面図である。

【図５】スパッタリング法で透明電極を形成した後、熱
処理を行なった時の受光素子の光応答特性の一例を示し
た図である。

【図６】本発明に係る受光素子の５０ｍ５後の残像特性
を示す図である。

【図７】固体撮像装置の動作原理を説明するための図で
ある。

【図８】本発明に係る固体撮像装置の製造工程を示す主
要部断面図である。

【図９】本発明に係る固体撮像装置の製造工程を示す主
要部断面図である。

【図１０】本発明に係る固体撮像装置の製造工程を示す
主要部断面図である。

【図１１】本発明に係る固体撮像装置の製造工程を示す
主要部断面図である。

【図１２】本発明に係る固体撮像装置の製造工程を示す
主要部断面図である。

【符号の説明】

１０・・・入射光、１，２０・・・半導体基板、２．　
３．　２６゜２７・・・拡散領域、４，２５・・・ゲー
ト電極、６．　２２．　２８．３０・・・絶縁層、７，
３１，３１０・・・ソース電極、５．２９・・・ドレイ
ン電極、８，３２・・・光導電薄膜、９゜３３・・・透
明電極、３７・・・陽極酸化膜、２１・・・拡樹領域、
１１・・・基板、１２・・・下部電極、１３・・・光導
電膜、１４・・・透明電極、１５・・・光パルス、１６
・・・電流計、４１・・・水平走査信号発生器、４２・
・・垂直走査信号発生器、４３・・・スイッチ部、４４
・・・絵素、４５・・・出力端。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、該基板上に形成された下部電極と
   、該下部電極上に形成されたシリコンを主体として水素
   を含有する非晶質材料よりなる光導電膜と、該光導電膜
   上にスパッタリング法を用いて形成された透明電極とを
   有する受光素子において、該透明電極に一１０Ｖのバイ
   アスを印加した状態で光パルスを入射し、該光パルス遮
   断後５０ｍ５時の残像が１％以下であることを特徴する
   受光素子。
2. 【請求項２】上記受光素子は、固体撮像素子であること
   を特徴とする請求項１に記載の受光素子。
3. 【請求項３】上記受光素子は、密着形のラインセンサで
   あることを特徴とする請求項１に記載の受光素子。
4. 【請求項４】上記透明電極は、酸化インジウムや酸化錫
   を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１
   乃至３のいずれかに記載の受光素子。