JPH04209566A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04209566A
JPH04209566A JP40067290A JP40067290A JPH04209566A JP H04209566 A JPH04209566 A JP H04209566A JP 40067290 A JP40067290 A JP 40067290A JP 40067290 A JP40067290 A JP 40067290A JP H04209566 A JPH04209566 A JP H04209566A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
comparator
set value
semiconductor device
detected
Prior art date
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Pending
Application number
JP40067290A
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English (en)
Inventor
Koji Ariki
有木 康志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[00011
【産業上の利用分野]本発明は温度管理機能を備えた半
導体装置に関する。 [0002] 【従来の技術】図4は従来の半導体装置の温度管理シス
テムを示すブロック図であり、図中21は割り込み回路
INTを内蔵する半導体装置、22は温度制御装置を示
している。温度制御装置22内には温度検出部23、温
度設定部24が設けられており、温度検出部23にて半
導体装置21近傍の温度を検出し、これを比較器25の
一方の入力端へ入力し、また比較器25の他方の入力端
には温度設定部24から設定値を入力する。比較器25
は両者を比較し、検出値が設定値より大きいときは制御
信号を半導体装置21の割り込み回路INTへ出力し、
半導体装置21を待機状態とする。なお、温度補正信号
は設置条件、使用条件等に応じて設定値を補正するため
のものである。 [0003]
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような従
来装置にあっては、半導体装置21のチップの他に温度
制御装置22のチップが必要となり、取扱の面或いは設
置スペースの面からも不利となる外、温度検出部23は
半導体装置21の近傍に配置されることとなるから正確
な温度測定が難しく温度管理の信頼性が低いという問題
があった。本発明はかかる事情に鑑みなされたものであ
って、その目的とするところは温度管理を正確に行い得
、しかも取扱いが容易で設置スペースも狭くて済むよう
にした半導体装置を提供するにある。 [0004]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、装置基板上に温度検出部と、該温度検出部の検出値
と設定値とを比較する比較器と、該比較器からの出力に
基づき温度制御を行う手段とを含む温度管理部を一体的
に設けている。 [0005]
【作用】本発明にあってはこれによって、温度管理部が
半導体装置基板に密着し、半導体装置基板の温度を正確
に検知し得て、温度測定精度が向上し、温度制御のため
の必要な制御を迅速に行うことが可能となる。 [0006]
〔実施例1〕
図1は本発明に係る半導体装置の模式図、図2は図1に
示す半導体装置の温度管理部の詳細を示すブロック図で
あり、図中1は半導体装置基板、2は温度管理部である
。温度管理部2は図2に示す如く、ダイオード等で構成
された温度検出部4及び温度設定部5を備え、温度検出
部4又は温度設定部5の信号はAD(アナログ/ディジ
タル)変換器6にてディジタル信号に変換され、半導体
スイッチ等で構成された切替スイッチ7を経て、不揮発
性メモリ8又は直接比較器11へ選択的に出力されるよ
うになっている。不揮発性メモリ8に入力された設定値
はここに記憶されると共に、読み出し回路9にて読み出
され、レジスタ10へ出力され、ここに−時保持された
後、比較器11へ出力されるようになっている。 [0007]切替スイツチ7は、温度管理開始の初期に
にいては接点7aと接触するようにセットされており、
その後は設定値を変更する場合等を除いて接点7bと接
触するよう切替えられるようになっている。 [00081温度管理開始の初期には温度設定部5に設
定値を入力し、半導体装置を動作させると半導体装置基
板1の温度が上昇し、その温度は逐次温度検出部4にて
検出されるが、この検出値が設定値に達すると切替スイ
ッチ7を接点7aに接触させて設定値を不揮発性メモリ
8へ書込む。書込みが終了すると切替スイッチ7を接点
7b側に切替え、その後は温度検出部4の検出値を比較
器11の一方の入力端へ入力する。比較器11の他方の
入力端には不揮発性メモリ8から読み出し回路9にて読
み出され、レジスタ10に一時記憶されている設定値が
入力される。 [0009]温度設定部5に対する設定値としては半導
体装置が安定して継続的に動作し得る適正な温度が用い
られ、半導体装置事態の使用対象、使用条件、使用環境
等に応じて適宜補正信号により補正される。 (00101比較器11は設定値〉検出値のときは制御
信号を出力しないが、設定値〈検出値のときはモード切
換回路12へ制御信号を出力する。モード切換回路12
は比較器11からの出力の変化に応じて割り込み信号1
3、又は同じ半導体装置基板上に設けられているLSI
に対するストップ信号14のいずれかの信号を出力する
ようになっている。割り込み信号は割り込み回路INT
に入力され、現在実行中のプログラムの進行を停止して
割り込みルーチンに切替え、プログラム制御によってセ
キュリティ動作が実行されることとなる。 [00111一方、LSI ストップ信号14が出力さ
れると、LSIの動作が停止せしめられ、LSIが待機
状態となり、ハード制御によりセキュリティ動作が実行
されることとなる。なお、不使用時に電源スィッチをオ
フとするとレジスタ10における記憶内容は消えるが、
不揮発性メモリ8に記憶されている設定値は消えること
がなく、次回の使用時にはそのまま読み出し回路9を介
してレジスタ10に読み出され比較器11へ入力される
こととなる。 [0012]  (実施例2〕 図3は本発明のf也の実施例を示すブロック図であり、
この実施例では切替スイッチ7を温度検出部4とA’D
変換器6との開(こ介装すると共に、比較器11とレジ
スタ10との間にもDA(ディジタル/アナログ)変換
器15を介装し、比較器】1においてアナログ信号同士
を比較する構成としである。 他の構成及び動作は図1
に示す実施例1と実質的に同じであり、対応する部位に
は同じ番号を付して説明を省略する。このような実施例
2にあっても図]に示す実施例1と同様の効果が得られ
る。 (0013]
【発明の効果】以上の如く本発明装置にあっては半導体
装置基板上に温度管理部を一体的に設けるから、全体を
1チツプで構成することが可能となって構成が簡略化さ
れ、取扱いが容易となると共に設置スペースも狭くて済
み、また温度検出部を温度測定対象である半導体装置基
板と密着させることが出来て、温度の検出精度が高く温
度管理の信頼性が向上するなど本発明は優れた効果を奏
するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明装置の模式図。
【図2】本発明装置における温度管理部のブロック図。
【図3】本発明の他の実施例における温度管理部のブロ
ック図。
【図4】従来における温度管理システムを示すブロック
図。
【符号の説明】
1  半導体装置基板 2  温度管理部 4  温度検出部 5  温度設定部 6   A、’D変換器 7  切替スイッチ 8  不揮発性メモリ 9  読み出し回路 10   レジスタ 11   比較器 12   モード切換回路
【手続補正書】
【提出日】平成3年6月28日
【手続補正1】
【補正対象項目名】明細書
【補正対象項目名] 0007 【補正方法】変更
【補正内容】
[0007]切替スイツチ7は、温度管理開始の初期に
おいては接点7aと接触するようにセットされており、
その後は設定値を変更する場合等を除いて接点7bと接
触するよう切替えられるようになっている。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体装置本体の温度を検出する温度検出
    部と、該温度検出部の検出温度と設定温度とを比較し、
    検出温度が設定温度を越えると信号を出力する比較器と
    、該比較器の出力により半導体装置基板温度を制御する
    手段とを有する温度管理部を半導体装置基板に一体的に
    設けたことを特徴とする半導体装置。
JP40067290A 1990-12-06 1990-12-06 半導体装置 Pending JPH04209566A (ja)

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JP40067290A JPH04209566A (ja) 1990-12-06 1990-12-06 半導体装置

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JP40067290A JPH04209566A (ja) 1990-12-06 1990-12-06 半導体装置

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JPH04209566A true JPH04209566A (ja) 1992-07-30

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JP40067290A Pending JPH04209566A (ja) 1990-12-06 1990-12-06 半導体装置

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