JPH04206789A - 単一波長量子井戸半導体レーザ素子 - Google Patents
単一波長量子井戸半導体レーザ素子Info
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- JPH04206789A JPH04206789A JP33654690A JP33654690A JPH04206789A JP H04206789 A JPH04206789 A JP H04206789A JP 33654690 A JP33654690 A JP 33654690A JP 33654690 A JP33654690 A JP 33654690A JP H04206789 A JPH04206789 A JP H04206789A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、長波長帯（λ＝１．３〜１．６ｍ）で発振し
、単一縦モード動作をする量子井戸半導体レーザ素子に
関する。
、単一縦モード動作をする量子井戸半導体レーザ素子に
関する。
量子井戸半導体レーザ素子は、バルクの活性層を有する
半導体レーザ素子に比べて、しきい値電流密度が低く、
量子井戸層数を減らしていくことにより、内部損失の低
減、遠視野角（ビームの広がり）の狭小化などの特性改
善を期待することができる。
半導体レーザ素子に比べて、しきい値電流密度が低く、
量子井戸層数を減らしていくことにより、内部損失の低
減、遠視野角（ビームの広がり）の狭小化などの特性改
善を期待することができる。
第４図は、従来の単一波長量子井戸半導体レーザ素子の
構造とバンドギャップを示す図である。
構造とバンドギャップを示す図である。
ここでは、単一縦モード動作を実現する構造として分布
帰還型を用いている。図中、 ｌはｎ−ＩｎＰ基板、２
はｎ−１ｎＰクラッド層、３はノンドープＧａ１ｎＡｓ
Ｐ閉じ込め層（バンドギャップ波長１．３−１厚さ１２
００Ａ） 、４はノンドープＧａ ＩｎＡｓ量子井戸層
５（バンドギャップ波長１．６７１Ｍ；厚さ１００Ａ）
とノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層６（バンドギャップ
波長１−３ ｔｎｎ ；厚さ１５０Ａ）からなる多重量
子井戸層、７は１次回折格子８ （ピッチ２４００ Ａ
、高さ５００Ａ）が刻まれているノンドープＧａ１ｎＡ
ｓＰ閉じ込め層（パンドギャノブ波長１．３ｍ；厚さ１
２００Ａ） 、９はｐ−１ｎＰクラッド層、１０はｐ−
Ｇａ１ｎＡｓＰコンタクト層、１１はｐ−１ｎＰ層１１
ａとｎ−１ｎＰ層１１ｂからなる埋め込み層、１２はｎ
！Ｊ電極、１３はｐ側電極である。本構造では、量子
井戸活性層の上下に閉し込め層を設けた光電子分離開し
込め（ＳＣＨ）構造となっており、量子井戸層は３層以
上の多重量子井戸層が用いられる。
帰還型を用いている。図中、 ｌはｎ−ＩｎＰ基板、２
はｎ−１ｎＰクラッド層、３はノンドープＧａ１ｎＡｓ
Ｐ閉じ込め層（バンドギャップ波長１．３−１厚さ１２
００Ａ） 、４はノンドープＧａ ＩｎＡｓ量子井戸層
５（バンドギャップ波長１．６７１Ｍ；厚さ１００Ａ）
とノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層６（バンドギャップ
波長１−３ ｔｎｎ ；厚さ１５０Ａ）からなる多重量
子井戸層、７は１次回折格子８ （ピッチ２４００ Ａ
、高さ５００Ａ）が刻まれているノンドープＧａ１ｎＡ
ｓＰ閉じ込め層（パンドギャノブ波長１．３ｍ；厚さ１
２００Ａ） 、９はｐ−１ｎＰクラッド層、１０はｐ−
Ｇａ１ｎＡｓＰコンタクト層、１１はｐ−１ｎＰ層１１
ａとｎ−１ｎＰ層１１ｂからなる埋め込み層、１２はｎ
！Ｊ電極、１３はｐ側電極である。本構造では、量子
井戸活性層の上下に閉し込め層を設けた光電子分離開し
込め（ＳＣＨ）構造となっており、量子井戸層は３層以
上の多重量子井戸層が用いられる。
このような構造において、活性層の量子井戸数を減らす
ことによりスペクトル純度が改善されることが期待でき
る（ＩＥＥＥ、 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＱυＡＮＴＵ
？ＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５，ＶＯＬ、ＱＥ−２１，Ｎ
ｏ、１０．ＯＣＴ、、１９８５．Ｐ、１６６６−１６７
４参照）。
ことによりスペクトル純度が改善されることが期待でき
る（ＩＥＥＥ、 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＱυＡＮＴＵ
？ＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５，ＶＯＬ、ＱＥ−２１，Ｎ
ｏ、１０．ＯＣＴ、、１９８５．Ｐ、１６６６−１６７
４参照）。
〔発明が解決しようとする課Ｒ］
しかしながら、量子井戸層数を１あるいは２と少なくす
ると、光閉じ込め係数が小さくなるため利得が小さくな
り、発振に必要なしきい値キャリア密度が高くなる。と
ころで、長波長帯では、発振しきい値キャリア密度が高
い場合、オージヱ効果あるいは価電子帯間吸収等の非発
光メカニズムにより発光効率が悪くなり、発振しきい値
電流が大幅に上昇したり、あるいは、高キヤリア注入に
よる第２量子準位あるいは閉し込め層からの発振しか得
られなくなる（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、
５３． ｐｉ（１９８９）参照）。この結果、量子井戸
数を減らして ゛も、スペクトル純度が改善されないと
いう問題があった・ 〔課題を解決するための手段と作用〕 本発明は上記問題点を解決した単一波長量子井戸半導体
レーザ素子を提供するもので、ＩｎＰ基板上に、量子井
戸層と障壁層とからなる活性層および該活性層の上下そ
れぞれに配置された光閉し込め層を含むＱ ａ Ｘ Ｉ
ｎ １−ｘＡ Ｓ ｙＰ ＋−ｙ （０≦Ｘ、ｙ≦
１）半導体層を設けた単一波長量子井戸半導体レーザ素
子において、量子井戸層数は１または２であり、量子井
戸層の厚さは３ｎｍ以上、８ｎｍ以下であることを第１
発明とし、量子井戸層は、光閉し込め層に対して０〜２
％の格子不整合率を有することを第２発明とするもので
ある。
ると、光閉じ込め係数が小さくなるため利得が小さくな
り、発振に必要なしきい値キャリア密度が高くなる。と
ころで、長波長帯では、発振しきい値キャリア密度が高
い場合、オージヱ効果あるいは価電子帯間吸収等の非発
光メカニズムにより発光効率が悪くなり、発振しきい値
電流が大幅に上昇したり、あるいは、高キヤリア注入に
よる第２量子準位あるいは閉し込め層からの発振しか得
られなくなる（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、
５３． ｐｉ（１９８９）参照）。この結果、量子井戸
数を減らして ゛も、スペクトル純度が改善されないと
いう問題があった・ 〔課題を解決するための手段と作用〕 本発明は上記問題点を解決した単一波長量子井戸半導体
レーザ素子を提供するもので、ＩｎＰ基板上に、量子井
戸層と障壁層とからなる活性層および該活性層の上下そ
れぞれに配置された光閉し込め層を含むＱ ａ Ｘ Ｉ
ｎ １−ｘＡ Ｓ ｙＰ ＋−ｙ （０≦Ｘ、ｙ≦
１）半導体層を設けた単一波長量子井戸半導体レーザ素
子において、量子井戸層数は１または２であり、量子井
戸層の厚さは３ｎｍ以上、８ｎｍ以下であることを第１
発明とし、量子井戸層は、光閉し込め層に対して０〜２
％の格子不整合率を有することを第２発明とするもので
ある。
上述のように本発明は、単一量子波長量子井戸半導体レ
ーザ素子の設計パラメータを定め、スペクトル純度の向
上を図ったものである。即ち、量子井戸層数を１または
２とし、かつ、量子井戸層の厚さを３ｎｍ以上、８ｎｎ
以下とするものである。
ーザ素子の設計パラメータを定め、スペクトル純度の向
上を図ったものである。即ち、量子井戸層数を１または
２とし、かつ、量子井戸層の厚さを３ｎｍ以上、８ｎｎ
以下とするものである。
量子井戸の効果を引き出すには、第１量子準位でレーザ
発振が起こっていることが重要である。
発振が起こっていることが重要である。
量子井戸層が８ｎ＋ｗ以下の場合は、第１量子準位のみ
存在が許されるが、８ｎｍを越えると第２量子準位も存
在する。そのため、レーザ発振が第２量子準位の遷移に
ともなう発光レベルで起きてしまい、期待される効果を
引き出すことが出来ない。
存在が許されるが、８ｎｍを越えると第２量子準位も存
在する。そのため、レーザ発振が第２量子準位の遷移に
ともなう発光レベルで起きてしまい、期待される効果を
引き出すことが出来ない。
量子井戸層が３ｎ−以下の場合は、井戸層から障壁層に
溢れたキャリアによる遷移（障壁層からの発光）が支配
的となり、このレベルでレーザ発振が起こる。同様に期
待される効果を引き出すことが出来なくなる。
溢れたキャリアによる遷移（障壁層からの発光）が支配
的となり、このレベルでレーザ発振が起こる。同様に期
待される効果を引き出すことが出来なくなる。
なお、上記内容は、量子井戸層が光閉じ込め層に対して
格子整合している状態でなりたつが、量子井戸層が光閉
し込め層に対して０〜２％の範囲の格子不整合率であれ
ば、同様の効果を得ることができる。
格子整合している状態でなりたつが、量子井戸層が光閉
し込め層に対して０〜２％の範囲の格子不整合率であれ
ば、同様の効果を得ることができる。
［実施例］
以下５図面に示した実施例に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図は、本発明に係る単一波長量子井戸半導体レーザ
素子の一実施例の部分断面斜視図とバンドギャップ図で
ある。
素子の一実施例の部分断面斜視図とバンドギャップ図で
ある。
図中、２１はｎ−１ｎＰ基板、２２はｎ−ＴｎＰクラッ
ド層、２３は禁制帯幅が階段状に変化するノンドープＧ
ａ１ｎＡｓＰ閉し込め層（バンドギヤ・ノブ波長に換算
し１．３．１．２．１．１．１．０５ａｓ ；厚さはそ
れぞれ３００Ａ） 、２４はノンドープＧａ１ｎＡｓ量
子井戸層２５（バンドギャップ波長１．６７−；厚さ７
０Ａ）とノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層２６（バンド
ギャップ波長１．３ＩｎＡ；厚さ１５０Ａ）からなる多
重量子井戸層、２７は禁制帯幅が階段状に変化するノン
ドープＧａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層（バンドギャップ波長
に換算し１．３ １．２ １．Ｌ １．０５ｕ ；厚
さはそれぞれ３００Ａ） 、２８は禁制帯幅が階段状に
変化するノンドープＧａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層２７上に
作製された１次回折格子（ピッチ〜２４００ Ａ、高さ
〜５００Ａ）、２９はｐ−１ｎＰクラツド層、３０はｐ
−Ｇａ１ｎＡｓＰコンタクト層、３１はｐ−１ｎＰ層３
１ａとｎ−１ｎＰ層３１ｂとからなる埋め込み層、３２
はｎ側電極、３３ばｐ（Ｉｌｉｉ極である。本構造はＭ
ＯＣＶＤ法を用いて以下のようにして作製される。
ド層、２３は禁制帯幅が階段状に変化するノンドープＧ
ａ１ｎＡｓＰ閉し込め層（バンドギヤ・ノブ波長に換算
し１．３．１．２．１．１．１．０５ａｓ ；厚さはそ
れぞれ３００Ａ） 、２４はノンドープＧａ１ｎＡｓ量
子井戸層２５（バンドギャップ波長１．６７−；厚さ７
０Ａ）とノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層２６（バンド
ギャップ波長１．３ＩｎＡ；厚さ１５０Ａ）からなる多
重量子井戸層、２７は禁制帯幅が階段状に変化するノン
ドープＧａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層（バンドギャップ波長
に換算し１．３ １．２ １．Ｌ １．０５ｕ ；厚
さはそれぞれ３００Ａ） 、２８は禁制帯幅が階段状に
変化するノンドープＧａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層２７上に
作製された１次回折格子（ピッチ〜２４００ Ａ、高さ
〜５００Ａ）、２９はｐ−１ｎＰクラツド層、３０はｐ
−Ｇａ１ｎＡｓＰコンタクト層、３１はｐ−１ｎＰ層３
１ａとｎ−１ｎＰ層３１ｂとからなる埋め込み層、３２
はｎ側電極、３３ばｐ（Ｉｌｉｉ極である。本構造はＭ
ＯＣＶＤ法を用いて以下のようにして作製される。
（１）ＭＯＣＶＤ法を用いｎ−１ｎＰ基板２１上にｎ−
ＩｎＰクラッド層２２、禁制帯幅が階段状に変化するノ
ンドープＧａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層（バンドギャップ波
長に換算し１，３、■。２．１．１．１．０５−；厚さ
はそれぞれ３００Ａ）２３、ノンドープＧａＩ ｎＡｓ
量子井戸層２５（バンドギヤ、プ波長１．６７−；厚さ
７０Ａ）とノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層２６（バン
ドギャップ波長１．３μ；厚さ１５０Ａ）からなる量子
井戸層２４、禁制帯幅が階段状に変化するノンドープＧ
ａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層（バンドギャップ波長に換算し
１．３．１．２．１．１．１．０５−；厚さはそれぞれ
３００Ａ） ２７を連続成長する。
ＩｎＰクラッド層２２、禁制帯幅が階段状に変化するノ
ンドープＧａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層（バンドギャップ波
長に換算し１，３、■。２．１．１．１．０５−；厚さ
はそれぞれ３００Ａ）２３、ノンドープＧａＩ ｎＡｓ
量子井戸層２５（バンドギヤ、プ波長１．６７−；厚さ
７０Ａ）とノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層２６（バン
ドギャップ波長１．３μ；厚さ１５０Ａ）からなる量子
井戸層２４、禁制帯幅が階段状に変化するノンドープＧ
ａ１ｎＡｓＰ閉じ込め層（バンドギャップ波長に換算し
１．３．１．２．１．１．１．０５−；厚さはそれぞれ
３００Ａ） ２７を連続成長する。
（２）禁制帯幅が階段状に変化するノンドープＧａ１ｎ
ＡｓＰ閉し込め層２７上に、三光束干渉露光法により作
製した１次回折格子パターンを化学工・ンチングによっ
て転写する。
ＡｓＰ閉し込め層２７上に、三光束干渉露光法により作
製した１次回折格子パターンを化学工・ンチングによっ
て転写する。
（３）２回目のＭＯＣＶＤ法によってｐ−１ｎＰクラツ
ド［２９、プロセス用のＧａｌｎＡｓＰ層を成長する。
ド［２９、プロセス用のＧａｌｎＡｓＰ層を成長する。
（４）通常のホトリソグラフィと化学工・ノチングの手
法を用いて活性層幅的２ｐｖａの垂直メサを形成する。
法を用いて活性層幅的２ｐｖａの垂直メサを形成する。
（５）３回［）ＭＯＣＶＤ法によ＃） Ｓ ｉＯｚ膜を
用いて埋め込み層３１を選択成長する。
用いて埋め込み層３１を選択成長する。
（６）Ｓ ｉ Ｏ□膜、プロセス用のＧａ１ｎＡｓＰ層
を除去した後、平坦化のため４回目のＭＯＣＶＤでｐ−
１ｎＰクラツド層２９、ｐ−Ｇａ１ｎＡｓＰコンタクト
層３０を成長する。
を除去した後、平坦化のため４回目のＭＯＣＶＤでｐ−
１ｎＰクラツド層２９、ｐ−Ｇａ１ｎＡｓＰコンタクト
層３０を成長する。
（５）ｎ側電極３２、ｐ側電極３３を形成した後レーザ
チップにへきかいする。
チップにへきかいする。
本実施例では、量子井戸の数を２とじ層厚を７ｎ謡とし
である。本実施例の井戸層は、 Ｇａ１ｎＡｓＰ（バン
ドギャップ波長１．３ａ＋ａ）を障壁層に用いたＧａ１
ｎＡｓ（バンドギャップ波長１．６７ｍ）量子井戸にお
いて第２量子準位がカットオフとなる井戸層の厚さ（お
よそ８ｎｓ）より薄く、７ｎｍであり、第２量子準位は
存在していない。このような井戸層厚を用いることによ
って、低しきい値キャリア密度、第１量子準位からの発
振を実現できる。本構造を用いた井戸数２およびｌの素
子について、低しきい値電流、第１量子準位よりの単一
モード発振を実現した。
である。本実施例の井戸層は、 Ｇａ１ｎＡｓＰ（バン
ドギャップ波長１．３ａ＋ａ）を障壁層に用いたＧａ１
ｎＡｓ（バンドギャップ波長１．６７ｍ）量子井戸にお
いて第２量子準位がカットオフとなる井戸層の厚さ（お
よそ８ｎｓ）より薄く、７ｎｍであり、第２量子準位は
存在していない。このような井戸層厚を用いることによ
って、低しきい値キャリア密度、第１量子準位からの発
振を実現できる。本構造を用いた井戸数２およびｌの素
子について、低しきい値電流、第１量子準位よりの単一
モード発振を実現した。
第２図は、量子井戸数２、共振器長４５０−における発
振スペクトル図である。また、第３図は、量子井戸数と
線幅出力積の関係を示す図である。
振スペクトル図である。また、第３図は、量子井戸数と
線幅出力積の関係を示す図である。
この結果から、井戸数２共振器長４５０−で３．５ＭＨ
ｚ−ａ＋Ｗ、井戸数１共振器長６００／１ｍｌで４５０
ｋＨ２−ｍＷであり、井戸数５共振器長３００μのＩＯ
Ｍ）ｌｘ −ｍ−よりスペクトル純度が高いことを確
認した。
ｚ−ａ＋Ｗ、井戸数１共振器長６００／１ｍｌで４５０
ｋＨ２−ｍＷであり、井戸数５共振器長３００μのＩＯ
Ｍ）ｌｘ −ｍ−よりスペクトル純度が高いことを確
認した。
なお、上記実施例では、各層が格子不整合した状態であ
ったが、量子井戸層Ｇ ａ ｘ Ｉ ｎ １−ＸＡ Ｓ
ｙＰ、−、（０≦ｘ、ｙ≦１）に対して０〜２％の格
子不整合率をもった層をもちいても、スペクトル純度は
向上した。但しこの場合、量子井戸活性層の厚さは臨界
膜厚以下であることは言うまでもない。
ったが、量子井戸層Ｇ ａ ｘ Ｉ ｎ １−ＸＡ Ｓ
ｙＰ、−、（０≦ｘ、ｙ≦１）に対して０〜２％の格
子不整合率をもった層をもちいても、スペクトル純度は
向上した。但しこの場合、量子井戸活性層の厚さは臨界
膜厚以下であることは言うまでもない。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、ＩｎＰ基板上に、
量子井戸層と障壁層とからなる活性層および該活性層の
上下それぞれに配置された光閉じ込め層を含むＧａ＊Ｔ
ｎｌ−＋＋ＡＳｙ Ｐ Ｉ−Ｆ （０≦Ｘ、ｙ≦１
）半導体層を設けた量子井戸半導体レーザ素子において
、量子井戸層数は１または２であり、量子井戸層の厚さ
は３−以上、８ｎｍ以下であるため、スペクトル純度が
向上するという優れた効果がある。
量子井戸層と障壁層とからなる活性層および該活性層の
上下それぞれに配置された光閉じ込め層を含むＧａ＊Ｔ
ｎｌ−＋＋ＡＳｙ Ｐ Ｉ−Ｆ （０≦Ｘ、ｙ≦１
）半導体層を設けた量子井戸半導体レーザ素子において
、量子井戸層数は１または２であり、量子井戸層の厚さ
は３−以上、８ｎｍ以下であるため、スペクトル純度が
向上するという優れた効果がある。
第１図は本発明に係る単一波長量子井戸半導体レーザ素
子の一実施例の部分断面斜視図とバンドギャップ図、第
２図は本実施例の発振スペクトル図、第３図は本実施例
の量子井戸数と線幅出力積の関係を示す図、第４図は従
来の単一波長量子井戸半導体レーザ素子の部分断面斜視
図とパンドギ十ツブ図である。 １．２ｌ−ｎ−１ｎＰ基板 ２、２２・・・ｎ −１ｎ Ｐクラッド層３、７．２３
．２７−・・ノンドープＧａ１ｎＡｓＰ閉し込め層 ４．２４・・・多重量子井戸層 ５．２５・・・ノンドープＣａＩｎＡｓ量子井戸層６．
２６・・・ノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層８．２８・
・・−次回折格子 ９．２９−ｐ−１ｎＰクラッド層 １０、３Ｏ−＝ｐ−Ｇａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ’＋ンタクト
層１１、３１・・・埋め込み層 １１ａ、 ３１ａ−ｐ −１ｎ Ｐ層 １１ｂ、 ３１ｂ−ｎ −Ｉ ｎ Ｐ層１２、３２・・
・ｎ側電極 １３、３３・・・ｐ＃１を極 特許出願人 古河電気工業株式会社ｎｍ ＋−
１＋ＩＰ 早戻頼轄 第３図
子の一実施例の部分断面斜視図とバンドギャップ図、第
２図は本実施例の発振スペクトル図、第３図は本実施例
の量子井戸数と線幅出力積の関係を示す図、第４図は従
来の単一波長量子井戸半導体レーザ素子の部分断面斜視
図とパンドギ十ツブ図である。 １．２ｌ−ｎ−１ｎＰ基板 ２、２２・・・ｎ −１ｎ Ｐクラッド層３、７．２３
．２７−・・ノンドープＧａ１ｎＡｓＰ閉し込め層 ４．２４・・・多重量子井戸層 ５．２５・・・ノンドープＣａＩｎＡｓ量子井戸層６．
２６・・・ノンドープＧａ１ｎＡｓＰ障壁層８．２８・
・・−次回折格子 ９．２９−ｐ−１ｎＰクラッド層 １０、３Ｏ−＝ｐ−Ｇａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ’＋ンタクト
層１１、３１・・・埋め込み層 １１ａ、 ３１ａ−ｐ −１ｎ Ｐ層 １１ｂ、 ３１ｂ−ｎ −Ｉ ｎ Ｐ層１２、３２・・
・ｎ側電極 １３、３３・・・ｐ＃１を極 特許出願人 古河電気工業株式会社ｎｍ ＋−
１＋ＩＰ 早戻頼轄 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＩｎＰ基板上に、量子井戸層と障壁層とからなる活
性層および該活性層の上下それぞれに配置された光閉じ
込め層を含むＧａ＿ｘＩｎ＿１＿−＿ｘＡｓ＿ｙＰ＿１
＿−＿ｙ（０≦ｘ、ｙ≦１）半導体層を設けた単一波長
量子井戸半導体レーザ素子において、量子井戸層数は１
または２であり、量子井戸層の厚さは３ｎｍ以上、８ｎ
ｍ以下であることを特徴とする単一波長量子井戸半導体
レーザ素子。 ２）量子井戸層は、光閉じ込め層に対して０〜２％の格
子不整合率を有することを特徴とする請求項１記載の単
一波長量子井戸半導体レーザ素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33654690A JPH04206789A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 単一波長量子井戸半導体レーザ素子 |
| CA002068339A CA2068339C (en) | 1990-09-12 | 1991-09-12 | Quantum well semiconductor laser device |
| US07/854,646 US5327445A (en) | 1990-09-12 | 1991-09-12 | Quantum-well type semiconductor laser device |
| PCT/JP1991/001213 WO1992004753A1 (en) | 1990-09-12 | 1991-09-12 | Quantum-well-type semiconductor laser element |
| EP19910915987 EP0500962A4 (en) | 1990-09-12 | 1991-09-12 | Quantum-well-type semiconductor laser element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33654690A JPH04206789A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 単一波長量子井戸半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206789A true JPH04206789A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18300252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33654690A Pending JPH04206789A (ja) | 1990-09-12 | 1990-11-30 | 単一波長量子井戸半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621747A (en) * | 1993-03-12 | 1997-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi quantum well semiconductor laser and optical communication system using the same |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33654690A patent/JPH04206789A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621747A (en) * | 1993-03-12 | 1997-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi quantum well semiconductor laser and optical communication system using the same |
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