JPH042004B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
＜産業上の利用分野＞
この発明は、ガラスを基材として使用する表面
波デバイスの製造方法に関するものである。
＜従来の技術＞
一般にガラスを基材として使用する表面波デバ
イスは第３図ａに示すように無アルカリガラス等
のガラス基板１の主表面に櫛歯状の入力側インタ
デイジタル電極２と出力側インタデイジタル電極
３を中心間距離Ｄをおいて形成すると共に、その
上にZnOの圧電膜４を形成し、入力側インタデイ
ジタル電極２に印加された電気信号により、この
入力側インタデイジタル電極２上の圧電膜４で発
生され、この圧電膜４およびガラス基板１を媒質
として伝播する表面波V0を出力側インタデイジ
タル電極３によつて再び電気信号に変換して取り
出す構造になつている。
従来より、上記のような構造を有する表面波デ
バイスを製造するには、第４図に示すように50mm
×50mm程度の大きさを有する一枚のガラス板５の
主表面に点線で示す区画６に第３図ａの入力側イ
ンタデイジタル電極２および出力側インタデイジ
タル電極３を形成する。
この後、これら入力側インタデイジタル電極２
および出力側インタデイジタル電極３が形成され
たガラス板５の主表面全体もしくは部分的に、ス
パツタリングの手法により、ZnOからなる圧電材
料膜（図示せず）を形成する。
このガラス板５をそのいま一つの主表面側から
第４図において一点鎖線ｌで示すように、ダイヤ
モンド刃もしくは超硬ロール刃（いずれも図示せ
ず）を使用して切断し、第３図ａに示す表面波デ
バイスに分離している。
ところで上記のような表面波デバイスの製造方
法では、スパツタリングにより圧電材料膜を形成
する際、スパツタリング中にガラス板５に熱ひず
みが加わり、この熱ひずみのため、ガラス板５の
ダイヤモンド刃や超硬ロール刃等による切断（ス
クライブ）時にこのガラス板５のクラツク等が生
じ、表面波デバイスの製造時の良品率が低くなる
という問題がある。
上記のような問題を解決し、切断時におけるガ
ラス板のクラツク等の発生を抑え、良品率を高め
るため第３図ｂに示すように、ガラス板５の裏面
にニツケル等の金属膜７を設け、この金属膜７の
上からCO2レーザを照射してガラス板５に切断溝
を形成し、切断溝を利用してガラス板の上に設け
られた表面波デバイスを分離する製造方法が提案
されている。
この製造方法は、レーザがガラス板に照射され
た際、このガラス板に加えられる熱衝撃が金属膜
により拡散されガラス板にクラツク等が発生する
のを少なくするものである。
ところで、上記表面波デバイスのガラス板に
は、硼珪酸ガラスが使用されている。
この硼珪酸ガラスには、BLCガラスとパイレ
ツクス（コーニング社の商標）とよばれるガラス
の二種類があり、前者のBLCガラスの場合、金
属膜を設けてレーザカツトを行なえば、クラツク
の発生がない切断が得られる。
これに対し、パイレツクガラスでは、同様に金
属膜を設けてレーザカツトを行なうとクラツクが
発生し、カツト不良率が50％にも達するという問
題がある。
その理由としては、表１に示すように、BLC
ガラスとパイレツクスガラスの組成物である
SiO2の量の違いが影響している。
<Industrial Application Field> The present invention relates to a method of manufacturing a surface wave device using glass as a base material. <Prior Art> In general, a surface wave device using glass as a base material has a comb-shaped interdigital electrode 2 on the input side and an output side on the main surface of a glass substrate 1 made of alkali-free glass, etc., as shown in FIG. 3a. Interdigital electrodes 3 are formed with a center-to-center distance D, and a ZnO piezoelectric film 4 is formed thereon, and an electrical signal applied to the input-side interdigital electrode 2 causes the input-side interdigital electrode 2 to be The structure is such that the surface wave V 0 generated by the piezoelectric film 4 and propagating through the piezoelectric film 4 and the glass substrate 1 as a medium is converted back into an electric signal by the output side interdigital electrode 3 and extracted. Conventionally, in order to manufacture a surface wave device with the above structure, a diameter of 50mm is required as shown in Figure 4.
Input side interdigital electrodes 2 and output side interdigital electrodes 3 shown in FIG. 3a are formed in sections 6 shown by dotted lines on the main surface of one glass plate 5 having a size of about 50 mm. After this, these input side interdigital electrodes 2
Then, a piezoelectric material film (not shown) made of ZnO is formed on the entire or partial main surface of the glass plate 5 on which the output-side interdigital electrode 3 is formed by sputtering. This glass plate 5 is cut from the other main surface side as shown by the dashed line l in FIG. 4 using a diamond blade or a carbide roll blade (neither of which is shown). It is separated into the surface wave devices shown in the figure. By the way, in the method for manufacturing a surface wave device as described above, when forming a piezoelectric material film by sputtering, thermal strain is applied to the glass plate 5 during sputtering. When cutting (scribing) with a roll blade or the like, cracks or the like occur in the glass plate 5, resulting in a problem that the yield rate during the manufacture of surface wave devices is low. In order to solve the above problems, suppress the occurrence of cracks in the glass plate during cutting, and increase the rate of non-defective products, a metal film 7 made of nickel or the like is provided on the back surface of the glass plate 5, as shown in FIG. 3b. , a manufacturing method has been proposed in which a CO 2 laser is irradiated from above the metal film 7 to form a cutting groove in the glass plate 5, and the surface wave device provided on the glass plate is separated using the cutting groove. ing. In this manufacturing method, when the glass plate is irradiated with a laser, the thermal shock applied to the glass plate is diffused by the metal film, thereby reducing the occurrence of cracks or the like in the glass plate. By the way, borosilicate glass is used for the glass plate of the surface wave device. There are two types of borosilicate glass: BLC glass and glass called Pyrex (a trademark of Corning Inc.).In the case of the former BLC glass, if a metal film is provided and laser cutting is performed, the cutting will be free of cracks. is obtained. On the other hand, with pirate glass, if a metal film is similarly provided and laser cutting is performed, cracks occur and the cut failure rate reaches as high as 50%. The reason for this is that, as shown in Table 1, BLC
It is a composition of glass and Pyrex glass.
This is due to the difference in the amount of SiO 2 .
【表】
すなわち、ガラス中のSiO2が増えることでCO2
レーザ光線の吸収率がアツプし、このためガラス
に不規則なひずみが増え、これが原因で割れ不良
が発生することになる。
この発明は、パイレツクスガラスの切断時に生
じた上記のような問題を解決するためになされた
ものであり、パイレツクスガラスの切断時におけ
る割れ不良の発生を大幅に減少させることができ
る表面波デバイスの製造方法を提供することを目
的とする。
＜問題点を解決するための手段＞
上記のような問題点を解決するため、この発明
は、一方の主表面に複数対の入力側インタデイジ
タル電極と出力側インタデイジタル電極および圧
電材料膜が形成された一枚のガラス板を、入力側
インタデイジタル電極および出力側インタデイジ
タル電極の対を含んで切断することにより表面波
デバイスを製造する製造方法であつて、上記ガラ
ス板の他方の主表面に金属膜とこの金属膜上にレ
ジストインク膜の二層を形成し、このレジストイ
ンク膜の上からレーザを照射して切断溝を形成
し、上記ガラス板を切断するものである。
＜作用＞
表面に入力および出力電極が形成されたガラス
板の裏面に金属膜とその上にレジストインク膜の
二層を設け、このレジストインク膜を通してガラ
ス板にレーザを照射することにより、ガラス板を
切断する。
レーザがガラス板に照射された際CO2レーザ光
の一部がレジストインクに吸収され、この結果ガ
ラス板への不規則なひずみを減らし、ガラス板に
クラツク等が発生するのが少なくなる。
＜実施例＞
以下、この発明の実施例を添付図面にもとづい
て説明する。
先づ、第１図ａに示すように、一片が50mmで厚
さが0.7mmの硼珪酸ガラス、特にパイレツクスガ
ラスからなるガラス板１１を用意する。
このガラス板１１には第１図ｂに示すように、
その一つの主表面１１ａに第３図と全く同様に複
数対の入力側インタデイジタル電極１２および出
力側インタデイジタル電極１３を形成する。
これら入力側インタデイジタル電極１２および
出力側インタデイジタル電極１３は、たとえばア
ルミニウム（Al）の蒸着およびフオトエツチン
グの手法により形成することができる。
その後、上記ガラス板１１の主表面１１ａの上
に第１図ｃに示すように、スパツタリングにより
ZnO等の圧電材料膜１４を形成する。
次に上記ガラス板１１のいま一つの主表面１１
ｂ上には、第１図ｄに示すように、ニツケル
（Ni）等の金属膜１５と、この金属膜１５の上に
レジストインク膜１６の二層を形成する。
この金属膜１５は、印刷もしくは蒸着等の手法
で形成することができ、その厚さは印刷で形成し
た場合3μｍ程度であり、蒸着で形成した場合は
0.6μｍ程度である。
また、レジストインク膜１６は、印刷等の手段
により数μｍから数10μｍの厚さに形成される。
なお、この金属膜１５とレジストインク膜１６
は、入力側インタデイジタル電極１２、出力側イ
ンタデイジタル電極１３の形成前に形成してもよ
く、さらに、これら入力側インタデイジタル電極
１２、出力側インタデイジタル電極１３の形成工
程と、圧電材料膜１４の形成工程との間で形成し
てもよい。
このように、主表面１１ｂ上に金属膜１５とレ
ジストインク膜１６を形成したガラス板１１には
このレジストインク膜１６上から第１図ｄに矢印
Ａで示すように、例えばCO2レーザを照射し、深
さｄが例えば0.18mmの切断溝１７を形成する。
この切断溝１７にて上記ガラス板１１を割つて
表面波デバイスを分離する。
このようにして分離された表面波デバイスは第
２図ａおよび第２図ｂに示すように、入力側イン
タデイジタル電極１２の引出電極１２ａ，１２ｂ
には引出電極２１ａ，２１ｂが出力側インタデイ
ジタル電極１３の引出電極１３ａ，１３ｂには端
子電極２２ａ，２２ｂが、また金属膜１５にはア
ース端子２３が夫々半田付された後、外装樹脂２
４で被覆される。
なお、金属膜１５上に施したレジストインク膜
１６はCO2レーザによる切断溝１７の形成後、シ
ンナーで洗浄すれば簡単におとすことができるた
め、金属膜１５に対するアース端子２３の半田付
前にレジストインク膜１６を上記の手段で除去す
れば、アース端子２３の半田付は問題なく行なえ
る。
上記のように、予め形成した金属膜１５とその
上のレジストインク膜１６を通してガラス板１１
にCO2レーザを照射すれば既に述べたようにガラ
ス板１１に照射されたCO2レーザ光の一部がレジ
ストインク膜１６に吸収され、しかも金属膜１５
がレーザ光の照射時における熱衝撃を拡散させ、
この結果ガラス板１１への不規則なひずみを減ら
し、スクライブ時にこのガラス板１１にクラツク
が発生することは少なくなり、特にレジストイン
ク膜１６によるレーザ光の一部を吸収することに
より、パイレツクスガラスのレーザ光の吸収率を
おさえ、パイレツクスガラス板を用いた表面波デ
バイスの場合でもクラツクスの発生を少なくする
ことができる。
また、金属膜１５はアース端子２３を取り付
け、シールド用の電極として利用することがで
き、この金属膜１５はニツケル以外の金属材料を
使用することができる。
＜発明の効果＞
以上のように、この発明によるとガラス板上に
金属膜とレジストインク膜の二層を設け、このレ
ジストインク膜上からレーザを照射してガラス板
を切断するようにしたので、レーザ光の一部をレ
ジストインク膜で吸収することによりガラス板の
レーザ光吸収率をおさえることができ、従つてレ
ーザの照射による切断においてSiO2成分の多い
ガラスでも不規則ひずみを減らし、表面波デバイ
スのカツト不良率を50％から0.3％以下に減少さ
せることができた。[Table] In other words, as SiO 2 in the glass increases, CO 2
The absorption rate of the laser beam increases, which increases irregular distortions in the glass, which causes cracks to occur. This invention was made to solve the above-mentioned problems that occurred when cutting Pyrex glass, and provides a surface wave device that can significantly reduce the occurrence of cracking defects when cutting Pyrex glass. The purpose is to provide a manufacturing method for. <Means for Solving the Problems> In order to solve the above problems, the present invention provides a method in which a plurality of pairs of input-side interdigital electrodes, output-side interdigital electrodes, and a piezoelectric material film are formed on one main surface. A manufacturing method for manufacturing a surface wave device by cutting a single glass plate including a pair of input-side interdigital electrodes and output-side interdigital electrodes, the method comprising: Two layers are formed: a metal film and a resist ink film on the metal film, and a laser is irradiated onto the resist ink film to form a cutting groove to cut the glass plate. <Operation> A metal film and a resist ink film are provided on the back side of a glass plate on which input and output electrodes are formed, and the glass plate is irradiated with a laser through this resist ink film. cut. When a glass plate is irradiated with a laser, a portion of the CO 2 laser light is absorbed by the resist ink, which reduces irregular distortions to the glass plate and reduces the occurrence of cracks on the glass plate. <Example> Hereinafter, an example of the present invention will be described based on the accompanying drawings. First, as shown in FIG. 1a, a glass plate 11 made of borosilicate glass, particularly Pyrex glass, having a piece of 50 mm and a thickness of 0.7 mm is prepared. As shown in FIG. 1b, this glass plate 11 has
A plurality of pairs of input-side interdigital electrodes 12 and output-side interdigital electrodes 13 are formed on one main surface 11a in exactly the same manner as in FIG. 3. These input-side interdigital electrodes 12 and output-side interdigital electrodes 13 can be formed, for example, by vapor deposition and photoetching of aluminum (Al). Thereafter, as shown in FIG. 1c, the main surface 11a of the glass plate 11 is sputtered.
A piezoelectric material film 14 such as ZnO is formed. Next, another main surface 11 of the glass plate 11
As shown in FIG. 1d, two layers are formed on b, a metal film 15 such as nickel (Ni), and a resist ink film 16 on this metal film 15. This metal film 15 can be formed by a method such as printing or vapor deposition, and its thickness is about 3 μm when formed by printing, and when formed by vapor deposition.
It is about 0.6 μm. Further, the resist ink film 16 is formed to a thickness of several μm to several tens of μm by means such as printing. Note that this metal film 15 and resist ink film 16
may be formed before forming the input-side interdigital electrode 12 and the output-side interdigital electrode 13, and further includes the formation process of the input-side interdigital electrode 12 and the output-side interdigital electrode 13, and the piezoelectric material film 14. It may be formed between the formation step of. In this way, the glass plate 11 on which the metal film 15 and the resist ink film 16 are formed on the main surface 11b is irradiated with, for example, a CO 2 laser from above the resist ink film 16 as shown by the arrow A in FIG. 1d. Then, a cutting groove 17 having a depth d of, for example, 0.18 mm is formed. The glass plate 11 is broken at the cutting groove 17 to separate the surface wave devices. As shown in FIGS. 2a and 2b, the surface wave device separated in this way is connected to the extraction electrodes 12a and 12b of the input interdigital electrode 12
After soldering the lead electrodes 21a and 21b to the lead electrodes 13a and 13b of the output side interdigital electrode 13, and the ground terminal 23 to the metal film 15, the outer resin 2
4. Note that the resist ink film 16 applied on the metal film 15 can be easily removed by cleaning with thinner after the cutting grooves 17 are formed using a CO 2 laser. If the resist ink film 16 is removed by the above method, the ground terminal 23 can be soldered without any problem. As described above, the glass plate 11 is passed through the pre-formed metal film 15 and the resist ink film 16 thereon.
If a CO 2 laser beam is irradiated onto the glass plate 11, a portion of the CO 2 laser beam irradiated onto the glass plate 11 will be absorbed by the resist ink film 16, and the metal film 15 will also be absorbed by the resist ink film 16.
diffuses the thermal shock during laser beam irradiation,
As a result, irregular strain on the glass plate 11 is reduced, and cracks are less likely to occur on the glass plate 11 during scribing.In particular, by absorbing a portion of the laser beam by the resist ink film 16, By suppressing the absorption rate of laser light, it is possible to reduce the occurrence of cracks even in surface wave devices using Pyrex glass plates. Further, the metal film 15 can be used as a shielding electrode by attaching a ground terminal 23, and this metal film 15 can be made of a metal material other than nickel. <Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, two layers, a metal film and a resist ink film, are provided on a glass plate, and the glass plate is cut by irradiating a laser beam from above the resist ink film. By absorbing part of the laser beam with the resist ink film, the laser beam absorption rate of the glass plate can be suppressed. Therefore, even when glass with a high SiO2 content is cut by laser irradiation, irregular distortions can be reduced and the surface We were able to reduce the cut failure rate of wave devices from 50% to less than 0.3%.
第１図ａないしｄの夫々はこの発明に係る表面
波デバイスの製造方法の説明図、第２図ａはこの
発明の方法により製造された表面波デバイスの平
面図、第２図ｂは第２図ａの表面波デバイスの
−線に沿う断面図、第３図ａは従来の製造方法
により製造された表面波デバイスの平面図、第３
図ｂは第３図ａの表面波デバイスの−線に沿
う断面図、第４図は従来の表面波デバイスの製造
方法の説明図である。
１１……ガラス板、１１ａ，１１ｂ……主表
面、１２……入力側インタデイジタル電極、１３
……出力側インタデイジタル電極、１４……圧電
材料膜、１５……金属膜、１６……レジストイン
ク膜、１７……切断溝。
Each of FIGS. 1a to d is an explanatory diagram of the method for manufacturing a surface wave device according to the present invention, FIG. 2a is a plan view of the surface wave device manufactured by the method of the present invention, and FIG. 3. A is a cross-sectional view taken along the - line of the surface wave device in FIG.
FIG. 3B is a cross-sectional view of the surface wave device shown in FIG. 3A taken along the - line, and FIG. 11... Glass plate, 11a, 11b... Main surface, 12... Input side interdigital electrode, 13
... Output side interdigital electrode, 14 ... Piezoelectric material film, 15 ... Metal film, 16 ... Resist ink film, 17 ... Cutting groove.
Claims (1)
ル電極と出力側インタデイジタル電極および圧電
材料膜が形成された一枚のガラス板を入力側イン
タデイジタル電極および出力側インタデイジタル
電極の対を含んで切断することにより表面波デバ
イスを製造する表面波デバイスの製造方法であつ
て、上記ガラス板の他方の主表面に金属膜とこの
金属膜上にレジストインク膜の二層を形成し、こ
のレジストインク膜の上からレーザを照射して切
断溝を形成し、上記ガラス板を切断することを特
徴とする表面波デバイスの製造方法。1. Cut a glass plate on which multiple pairs of input interdigital electrodes, output interdigital electrodes, and piezoelectric material films are formed on one main surface, including the pairs of input interdigital electrodes and output interdigital electrodes. A surface wave device manufacturing method for manufacturing a surface wave device by forming two layers of a metal film on the other main surface of the glass plate and a resist ink film on the metal film, and forming a resist ink film on the other main surface of the glass plate. A method of manufacturing a surface wave device, comprising: irradiating a laser beam from above to form a cutting groove to cut the glass plate.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9512085A JPS61253908A (en) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | Production of surface wave device |
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| JP9512085A JPS61253908A (en) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | Production of surface wave device |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS61253908A JPS61253908A (en) | 1986-11-11 |
| JPH042004B2 true JPH042004B2 (en) | 1992-01-16 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9512085A Granted JPS61253908A (en) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | Production of surface wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS61253908A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8976441B2 (en) | 1996-02-07 | 2015-03-10 | Production Resource Group, Llc | Programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH07135441A (en) * | 1994-06-02 | 1995-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of surface acoustic wave element |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9512085A patent/JPS61253908A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8976441B2 (en) | 1996-02-07 | 2015-03-10 | Production Resource Group, Llc | Programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS61253908A (en) | 1986-11-11 |
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