JPH0419810A - Magneto-resistance effect type head - Google Patents

Magneto-resistance effect type head

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JPH0419810A
JPH0419810A JP12249890A JP12249890A JPH0419810A JP H0419810 A JPH0419810 A JP H0419810A JP 12249890 A JP12249890 A JP 12249890A JP 12249890 A JP12249890 A JP 12249890A JP H0419810 A JPH0419810 A JP H0419810A
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Japan
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current
magnetic
magnetic field
conductor layer
head
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JP12249890A
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Inventor
Hitoshi Kanai
均 金井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To suppress the generation of Barkhausen noises and to prevent the fluctuation in output level by impressing the magnetic field similar to the diamagnetic field generated in the magneto-resistance effect type head (MR element) as current magnetic field. CONSTITUTION:The current magnetic field H generated by the current J 19 flowing in a current conductor layer 18 near the MR element 11 is impressed in the easy axis direction of the MR element 11 so as to negate the diamagnetic field. The current magnetic field to be impressed suffices, insofar as this current is larger than the current to negative the diamagnetic field generated in the MR element 11. The magnitude of the current J is adjustable by a power source. The MR head detects the signal magnetic field from a magnetic recording medium 17 moving right thereunder when the MR acts linearly. The MR element 11 has the monodomain structure in this way and does not generate the Barkhausen noises. The fluctuation in the output level of the MR element is averted.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 磁気抵抗効果型ヘットに関し、 磁気抵抗効果型ヘッドの再生波形に生じるバルクハウゼ
ン雑音を防止し、磁気抵抗効果素子の出力レベルの変動
を回避することを目的とし、2つの磁気シールド体の間
に非磁性絶縁層を介して配設される磁気抵抗効果素子の
抵抗値の変化により磁界を検出する磁気抵抗効果型ヘッ
トにおいて、該磁気シールド体の一方を絶縁性磁性体と
し、該絶縁性磁性体と該非磁性絶縁層との間に設けられ
、一端か前記絶縁性磁性体の外部へ露出する導体層と、
該導体層により前記磁気抵抗効果素子の容易軸方向に電
流磁界を印加するために前記導体層に電流を供給する部
材とを有する構成とする。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding magnetoresistive heads, the present invention aims to prevent Barkhausen noise that occurs in the reproduced waveform of the magnetoresistive head and to avoid variations in the output level of the magnetoresistive element. In a magnetoresistive head that detects a magnetic field by a change in the resistance value of a magnetoresistive element disposed between two magnetic shields with a nonmagnetic insulating layer interposed therebetween, one of the magnetic shields is insulated. a conductor layer made of a magnetic material and provided between the insulating magnetic material and the non-magnetic insulating layer, one end of which is exposed to the outside of the insulating magnetic material;
and a member that supplies current to the conductor layer in order to apply a current magnetic field in the easy axis direction of the magnetoresistive element through the conductor layer.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、磁気抵抗効果型ヘット(以下、MRヘッドと
いう。)に関する。
The present invention relates to a magnetoresistive head (hereinafter referred to as MR head).

近年、コンピューターの外部記憶装置である磁気ディス
ク装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドか要求され
ている。この要求を満足するものとして記録媒体の速度
に依存せず高出力か得られるMRヘッドか注目されてい
る。
In recent years, with the increase in the capacity of magnetic disk drives, which are external storage devices for computers, there has been a demand for high-performance magnetic heads. An MR head that can obtain high output regardless of the speed of the recording medium is attracting attention as one that satisfies this requirement.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

MRヘッドは強磁性薄膜(MR膜)で構成された再生専
用の磁気ヘッドてあり、パーマロイ等によって形成され
る強磁性薄膜の電気抵抗が外部磁界によって変化すると
いう磁気抵抗効果を利用して信号磁界の変化を電気抵抗
の変化として検出するものである。そして、上記強磁性
薄膜によって構成される素子は磁気抵抗効果素子(以下
、MR素子という。)といわれている。
The MR head is a read-only magnetic head made of a ferromagnetic thin film (MR film), and uses the magnetoresistance effect, in which the electrical resistance of a ferromagnetic thin film made of permalloy or the like changes depending on an external magnetic field, to generate a signal magnetic field. This detects changes in electrical resistance as changes in electrical resistance. The element constituted by the ferromagnetic thin film is called a magnetoresistive element (hereinafter referred to as an MR element).

従来のMRヘッドは、第2図(a)、(b)に示すよう
な構造となっていた。21は矩形のMR素子、22は引
き出し導体層、23a、23bは磁気シールドである。
A conventional MR head has a structure as shown in FIGS. 2(a) and 2(b). 21 is a rectangular MR element, 22 is an extraction conductor layer, and 23a and 23b are magnetic shields.

MR素子21は、その長手方向(y軸方向)にMR膜の
磁化容易軸(以下、容易軸という。)方向か一致するよ
うにパターン形成されている。引き出し導体層22は、
MR素子21の長手方向に対して所定幅て切除されてM
R素子21の両端で素子に接合している。MR素子21
及び引き出し導体層22は、2つの磁気シールド23a
、23bの間(再生キャップに相当)に配置されるが、
非磁性絶縁層24を介して磁気シールド23a、23b
と電気的に絶縁されている。センス電流25は引き出し
導体層22を通して素子に流れ、MR素子21及び引き
出し導体層22によって画定される長方形の信号検出領
域26に流れる。そして、磁気記録媒体27はヘッドの
下をX軸方向に移動し、MRヘッドは、媒体からの信号
磁界を該信号検出領域26で抵抗変化として検知する。
The MR element 21 is patterned so that its longitudinal direction (y-axis direction) coincides with the direction of the easy axis of magnetization (hereinafter referred to as easy axis) of the MR film. The lead-out conductor layer 22 is
The MR element 21 is cut by a predetermined width in the longitudinal direction.
Both ends of the R element 21 are connected to the element. MR element 21
And the lead-out conductor layer 22 has two magnetic shields 23a.
, 23b (corresponding to the regeneration cap),
Magnetic shields 23a, 23b via nonmagnetic insulating layer 24
electrically insulated. Sense current 25 flows through the element through extraction conductor layer 22 and into a rectangular signal detection area 26 defined by MR element 21 and extraction conductor layer 22 . Then, the magnetic recording medium 27 moves under the head in the X-axis direction, and the MR head detects the signal magnetic field from the medium as a resistance change in the signal detection area 26.

またこの場合、センス電流25は、信号磁界に対してM
Rヘットの再生を線型化するためにも利用されていた。
Further, in this case, the sense current 25 is M
It was also used to linearize the reproduction of R-heads.

即ち、MR素子21は、一方の磁気シールド23aに近
接させて配置され、センス電流によって磁化した磁気シ
ールド23a表面からの漏洩磁界によって素子高さ方向
にバイアス磁界か印加されていた(この)\イアス方式
をセルフバイアス法という。)〔発明か解決しようとす
る課題〕 従来のMR素子21の形状ては、容易軸(y軸方向)の
磁化方向に対してMR素子21か有限長であるため素子
端部に磁極(N、S極)が生し、素子内部には磁化方向
とは反対向きの磁界(反磁界)か発生していた。このた
めMR素子21は、反磁界によって誘起された静磁エネ
ルギーを下げるために、第2図(C)に示すようないく
つかの磁区に分割した磁区構造を示し、磁区の境界には
磁壁か生じていた。
That is, the MR element 21 is placed close to one of the magnetic shields 23a, and a bias magnetic field is applied in the element height direction by the leakage magnetic field from the surface of the magnetic shield 23a magnetized by the sense current. This method is called the self-bias method. ) [Problem to be solved by the invention] In the shape of the conventional MR element 21, since the length of the MR element 21 is finite with respect to the magnetization direction of the easy axis (y-axis direction), a magnetic pole (N, A magnetic field (demagnetizing field) in the opposite direction to the magnetization direction was generated inside the element. For this reason, the MR element 21 has a magnetic domain structure divided into several magnetic domains as shown in FIG. was occurring.

一方、一般にはMR膜においては、成膜の不完全さから
結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性かある。
On the other hand, in general, MR films have non-uniformities such as crystal grain boundaries, lattice defects, impurity inclusions, etc. due to incomplete film formation.

このため従来のMRヘッドては、記録媒体からの信号磁
界に対して磁壁は引っ掛かりながら移動し、磁化回転か
不連続となって再生波形にはバルクハウゼン雑音か生じ
たり、MR素子の出力レベルか変動するという課題かあ
った。
For this reason, in conventional MR heads, the domain wall moves while being caught in the signal magnetic field from the recording medium, causing magnetization rotation to become discontinuous, causing Barkhausen noise in the reproduced waveform, and causing the output level of the MR element to change. There was an issue with fluctuations.

〔課題を解決するだめの手段〕[Failure to solve the problem]

上記課題を解決するために、本発明では、2つの磁気シ
ールド体の間に非磁性絶縁層を介して配設されるMR素
子の抵抗値の変化により磁界を検出するMRヘットにお
いて、 該磁気シールド体の一方を絶縁性磁性体とし、該絶縁性
磁性体と該非磁性絶縁層との間に設けられ一端か前記絶
縁性磁性体の外部へ露出する導体層と、 該導体層により前記MR素子の容易軸方向に電流磁界か
印加されるために前記導体層に電流を供給する部材とを
有する構成とした。
In order to solve the above problems, the present invention provides an MR head that detects a magnetic field by a change in the resistance value of an MR element disposed between two magnetic shields with a nonmagnetic insulating layer interposed between the magnetic shields. one side of the body is an insulating magnetic material, a conductive layer is provided between the insulating magnetic material and the non-magnetic insulating layer, and one end thereof is exposed to the outside of the insulating magnetic material; A member for supplying current to the conductive layer so that a current magnetic field is applied in the easy axis direction was adopted.

〔作用〕[Effect]

MR素子か導体層からの電流磁界によって、素子内の反
磁界をなくすことによって、素子を磁壁の無い単一軸構
造とすることかできる。
By eliminating the demagnetizing field within the element using a current magnetic field from the MR element or the conductor layer, the element can be made into a single-axis structure without domain walls.

〔実施例〕〔Example〕

第1図(a)に本発明の実施例によるMRヘッドの要部
断面図を示す。
FIG. 1(a) shows a sectional view of essential parts of an MR head according to an embodiment of the present invention.

MRヘッドは同図に示すように、2つの磁気シールド1
3a13bの間に、非磁性絶縁層14を介して引き出し
導体層12の内部にMR素子11か配置される構造とな
る。
As shown in the figure, the MR head has two magnetic shields 1
3a13b, the MR element 11 is arranged inside the lead-out conductor layer 12 via the nonmagnetic insulating layer 14.

ここに、MR素子11は、例えば、NiFe膜等の強磁
性体から成り、厚さtlは400〜500人の薄膜で、
幅t2は3μm、長手方向の長さt3は、50〜100
μm程度に設定されている。ここで、MR素子の形状は
同図(b)に示すように従来のMR素子同様長方形とな
っているか、本実施例のように導体層118aを設けた
場合は容易軸方向か導体層118aと直角方向てあれば
形状は問わない。そして、所定幅t4て切除され、MR
素子の輻t、に合わせた幅を有する引き出し導体層12
と同図(C)に示すように信号検出領域16の両端で接
続している。
Here, the MR element 11 is made of a ferromagnetic material such as a NiFe film, and the thickness tl is a thin film of 400 to 500 mm.
The width t2 is 3 μm, and the length t3 in the longitudinal direction is 50 to 100 μm.
It is set to about μm. Here, the shape of the MR element is either rectangular like the conventional MR element as shown in FIG. The shape does not matter as long as it is perpendicular. Then, it is excised with a predetermined width t4, and the MR
A lead-out conductor layer 12 having a width that matches the radiation t of the element.
and are connected at both ends of the signal detection area 16, as shown in FIG.

かかるMR素子の形状異方性からMR素子11の容易軸
方向は長手方向となる。即ち、容易軸の方向は形状によ
って異なり、容易軸の方向は一般に長さの長い方向、こ
の場合長手方向と一致するということである。ここて、
MR素子11かその磁化方向に対して、その長さか育限
長に形成されているために素子内部に磁壁か生じ、第2
図(C)に示すような反磁界か生じることとなる。
Due to the shape anisotropy of the MR element, the easy axis direction of the MR element 11 is the longitudinal direction. That is, the direction of the easy axis varies depending on the shape, and the direction of the easy axis generally coincides with the longer length direction, in this case the longitudinal direction. Here,
Since the MR element 11 is formed at its length or growth limit length with respect to its magnetization direction, a domain wall is generated inside the element, and a second
A demagnetizing field as shown in Figure (C) will be generated.

引き出し導体層12はAu膜等からなる。本実施例では
、第1図のようにMR素子と同一の輻t2を有し、直角
り型に形成されているか、かかる形状に限定されること
はない。信号検出領域16にセンス電流15が流れれば
十分だからである。信号検出領域の輻t4は2〜3μm
程度である。
The lead-out conductor layer 12 is made of an Au film or the like. In this embodiment, it has the same radius t2 as the MR element as shown in FIG. 1, and is formed in a right-angled shape, but is not limited to such a shape. This is because it is sufficient that the sense current 15 flows through the signal detection region 16. Radiation t4 of signal detection area is 2 to 3 μm
That's about it.

磁気シールドは13aか絶縁性磁性のNiZnフェライ
ト材からなり、13bはNiFeあるいはフェライト材
からなる。これらは、記録媒体17からの信号磁界に対
しMR素子11の再生分解能を高める働きをするもので
ある。
The magnetic shield 13a is made of insulating magnetic NiZn ferrite material, and 13b is made of NiFe or ferrite material. These serve to enhance the reproduction resolution of the MR element 11 with respect to the signal magnetic field from the recording medium 17.

MR素子11及び引き出し導体層12は2つの磁気シー
ルド13a・+3bの間に配置され、両者はSiO2膜
あるいはAI、O,膜の非磁性絶縁層14を介して磁気
シールドと電気的に絶縁される構成となっている。MR
素子11は非磁性絶縁層14の内部に配置されている。
The MR element 11 and the extraction conductor layer 12 are arranged between two magnetic shields 13a and +3b, and both are electrically insulated from the magnetic shield via a nonmagnetic insulating layer 14 of SiO2 film or AI, O, film. The structure is as follows. M.R.
Element 11 is arranged inside nonmagnetic insulating layer 14 .

電流導体層118a以外の外部磁界あるいは外部電流を
遮断するためである。
This is to block external magnetic fields or external currents other than the current conductor layer 118a.

非磁性絶縁層14と磁気シールド13aの間には電流導
体層118aか設けられている。電流導体層118aは
引き出し導体層12と同様なAu膜等からなる。この電
流導体層118aはMR素子11の近傍に設けられる。
A current conductor layer 118a is provided between the nonmagnetic insulating layer 14 and the magnetic shield 13a. The current conductor layer 118a is made of an Au film or the like similar to the lead-out conductor layer 12. This current conductor layer 118a is provided near the MR element 11.

具体的には第1図(a)におけるMR素子11と電流導
体層118aとの距離t、は数μm程度である。ここで
、近傍としたのはMR素子11に接触してMR素子に電
流か流れてしまうのを防ぐためである。このように、本
発明は磁気シールドを有するシールド型のMRヘットの
素子近傍に電流導体層を置く構造で、例えば1、ヨーク
型のMRヘッドを対象としていない。また、素子そのも
のにコイル等を巻く構造とも相違する。
Specifically, the distance t between the MR element 11 and the current conductor layer 118a in FIG. 1(a) is approximately several μm. Here, the reason why it is placed near the MR element 11 is to prevent current from flowing into the MR element due to contact with the MR element 11. As described above, the present invention has a structure in which a current conductor layer is placed in the vicinity of the element of a shield type MR head having a magnetic shield, and is not intended for, for example, a yoke type MR head. It is also different from the structure in which a coil or the like is wound around the element itself.

本実施例では、電流供給機構として電流導体層118a
の一端か磁気シールド13aと共に絶縁性基板へに埋め
込まれて形成され、該磁気ノール’r” l 3 aの
記録媒体17と対向する側の外部へ露出する構成となっ
ている。そして、かかる露出する一端は電流導体層l1
18bと接合し、電流導体層l118bの他端はスライ
ダ加工される際に露出されて電流供給用端子となる。こ
こに、電流導体層■は本実施例のように磁気記録媒体に
対して垂直方向に延びなくてもよく、第1図(d)、第
1図(e)のような方向でもよい。後述するように、電
流導体層1)8aによりMR素子11の容易軸方向に電
流磁界Hか印加されれば本発明の目的は達成されるから
゛である。ここに、第1図(d)は電流導体層n18b
を斜め上方に延はしたものであり、第1図(e)は電流
導体層II+8bを水平横向きに延ばしたものである。
In this embodiment, the current conductor layer 118a serves as the current supply mechanism.
One end of the magnetic node 'r''l 3a is embedded in an insulating substrate together with the magnetic shield 13a, and the magnetic node 'r''l 3a is exposed to the outside on the side facing the recording medium 17. One end is the current conductor layer l1
18b, and the other end of the current conductor layer 118b is exposed during slider processing and becomes a current supply terminal. Here, the current conductor layer (2) does not have to extend in a direction perpendicular to the magnetic recording medium as in this embodiment, but may extend in a direction as shown in FIGS. 1(d) and 1(e). As will be described later, the object of the present invention can be achieved if the current magnetic field H is applied in the easy axis direction of the MR element 11 through the current conductor layer 1) 8a. Here, FIG. 1(d) shows the current conductor layer n18b.
Figure 1(e) shows the current conductor layer II+8b extended horizontally.

また、基板Aか導体(例えば、Al2O,やTi C等
)であれば、電流導体層T18aと接合する部分さえ設
けられていれば、電流導体層II+8bを独立して設け
る必要はない。そして、この場合は基板Aに電源供給端
子が設けられる。電流導体層118により電流磁界Hが
MR素子11に印加される点は同様である。
Further, if the substrate A is a conductor (for example, Al2O, TiC, etc.), there is no need to provide the current conductor layer II+8b independently as long as a portion to be connected to the current conductor layer T18a is provided. In this case, the substrate A is provided with a power supply terminal. Similarly, the current magnetic field H is applied to the MR element 11 by the current conductor layer 118.

第1図(b)に、本発明のMRヘッドの原理図を示す。FIG. 1(b) shows a principle diagram of the MR head of the present invention.

MR素子11の近傍の電流導体層18に流れる電流J1
9が作る電流磁界HをMR素子11の容易軸方向に印加
して反磁界を打ち消そうとするものである。もっとも、
印加される電流磁界はMR素子11に生じる反磁界を打
ち消す以上のものであればよい。電流Jの大きさは図示
しない電源により調節可能である。
Current J1 flowing through current conductor layer 18 near MR element 11
The current magnetic field H generated by 9 is applied in the easy axis direction of the MR element 11 in an attempt to cancel the demagnetizing field. However,
The applied current magnetic field only needs to be strong enough to cancel out the demagnetizing field generated in the MR element 11. The magnitude of the current J can be adjusted by a power source (not shown).

このように、本発明は電流導体層118aの一端は磁気
シールド13aの外部に出ることを特徴とする。電源を
電流導体層Iと■に接続する上で磁気シールド13a・
13bの間にない方か望ましいからである。
As described above, the present invention is characterized in that one end of the current conductor layer 118a is exposed to the outside of the magnetic shield 13a. When connecting the power supply to the current conductor layers I and ■, the magnetic shield 13a
This is because it is preferable that it not be between 13b and 13b.

センス電流15は、引き出し導体層12を通してMR素
子11の信号検出領域16に流れる。この様子は第1図
(C)のMRヘッドの要部斜視図に明示されている。そ
して、前述のセルフバイアス方式によりMRか線形動作
することによってMRヘッドは、直下を移動する磁気記
録媒体17からの信号磁界を検知する。この際、前述し
た発明原理に従いMR素子11は単一磁区構造となって
バルクハウゼン雑音は発生しない。また、MR素子の出
力レベルの変動を回避できる。
The sense current 15 flows into the signal detection region 16 of the MR element 11 through the extraction conductor layer 12. This state is clearly shown in the main part perspective view of the MR head in FIG. 1(C). Then, the MR head detects a signal magnetic field from the magnetic recording medium 17 moving directly below by linearly operating the MR head using the above-described self-bias method. At this time, the MR element 11 has a single magnetic domain structure according to the above-mentioned inventive principle, and no Barkhausen noise is generated. Furthermore, fluctuations in the output level of the MR element can be avoided.

本発明の実施例のMRヘットの作成工程の第−例として
第1図(f)のように基板Ai:電流導体層l118b
(例えば、Au膜等をスパッタ法により作成)を、その
上に片面に電流導体層I[+8b(Au膜等)を付着さ
せたブロック型の磁気シールド13a(例えば、NiZ
n等)を、というように次々に積層し、その後加工面で
切断するという方法かある。
As a first example of the manufacturing process of the MR head according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG.
A block-shaped magnetic shield 13a (for example, NiZ
There is a method of stacking layers one after another, such as n, etc., and then cutting them at the machined surface.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によればMR素子に生じる
反磁界と同様の磁界を電流磁界として印加することによ
りMR素子を磁壁の無い単一磁区構造とし、バルクハウ
ゼン雑音の発生を抑えるとともに、MR素子の出力レベ
ルの変動を防止する。
As explained above, according to the present invention, by applying a magnetic field similar to the demagnetizing field generated in the MR element as a current magnetic field, the MR element is made into a single magnetic domain structure without domain walls, suppressing the occurrence of Barkhausen noise, and Prevents fluctuations in the output level of the MR element.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)は本発明の実施例によるMRヘッドの要部
断面図、 第1図(b)は本発明のMRヘッドの原理図、第1図(
c)は本発明の実施例によるMRヘットの要部斜視図、 第1図(d)は電流導体層■の配置を変えた本発明の実
施例の図、 第1図(e)は電流導体層■の配置を変えた本発明の実
施例の図、 第1図(f)は本発明の実施例のMRヘッドを作成する
工程を説明する図、 第2図(a)は従来のMRヘッドを示す要部断面図、 第2図(b)は従来のMRヘッドを示す要部斜視図、 第2図(C)は従来のMRヘットにおけるMR素子磁区
構造である。 図において、 1はMR素子、 2は引き出し導体層、 3aは磁気シールド、 3bは磁気シールド、 4は非磁性絶縁層、 5はセンス電流、 6は信号検出領域、 7は磁気記録媒体、 8は電流導体層、 8aは電流導体r@I、 8bは電流導体層■、 9は電流J、 1はMR素子、 2は引き出し導体層、 3aは磁気シールド、 3bは磁気シールド、 4は非磁性絶縁層、 25はセンス電流、 26は信号検出領域 を示す。
FIG. 1(a) is a sectional view of essential parts of an MR head according to an embodiment of the present invention, FIG. 1(b) is a principle diagram of the MR head of the present invention, and FIG.
c) is a perspective view of the main parts of an MR head according to an embodiment of the present invention, FIG. 1(d) is a diagram of an embodiment of the present invention in which the arrangement of the current conductor layer 2 is changed, and FIG. 1(e) is a diagram of the current conductor layer. Figure 1(f) is a diagram illustrating the process of creating an MR head according to an embodiment of the present invention; Figure 2(a) is a diagram of a conventional MR head. 2(b) is a perspective view of essential parts showing a conventional MR head. FIG. 2(C) is a MR element magnetic domain structure in the conventional MR head. In the figure, 1 is an MR element, 2 is an extraction conductor layer, 3a is a magnetic shield, 3b is a magnetic shield, 4 is a non-magnetic insulating layer, 5 is a sense current, 6 is a signal detection area, 7 is a magnetic recording medium, 8 is a magnetic recording medium Current conductor layer, 8a is a current conductor r@I, 8b is a current conductor layer ■, 9 is a current J, 1 is an MR element, 2 is an extraction conductor layer, 3a is a magnetic shield, 3b is a magnetic shield, 4 is a non-magnetic insulation 25 is a sense current, and 26 is a signal detection region.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 2つの磁気シールド体(13a・13b)の間に非磁性
絶縁層(14)を介して配設される磁気抵抗効果素子(
11)の抵抗値の変化により磁界を検出する磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、該磁気シールド体の一方(13a
)を絶縁性磁性体とし、該絶縁性磁性体(13a)と該
非磁性絶縁層(14)との間に設けられ、一端が前記絶
縁性磁性体(13a)の外部へ露出する導体層(18a
)と、 該導体層(18a)により前記磁気抵抗効果素子(11
)の容易軸方向に電流磁界を印加するために前記導体層
(18a)に電流を供給する部材とを有することを特徴
する磁気抵抗効果型ヘッド。
[Claims] A magnetoresistive element (
11) In a magnetoresistive head that detects a magnetic field by a change in resistance value, one of the magnetic shields (13a
) is an insulating magnetic material, and a conductive layer (18a) is provided between the insulating magnetic material (13a) and the non-magnetic insulating layer (14), and one end thereof is exposed to the outside of the insulating magnetic material (13a).
), and the magnetoresistive element (11) by the conductor layer (18a).
) for applying a current magnetic field in the easy axis direction of the conductor layer (18a).
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