JPH04196351A - Multichip semiconductor device - Google Patents

Multichip semiconductor device

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Publication number
JPH04196351A
JPH04196351A JP2322731A JP32273190A JPH04196351A JP H04196351 A JPH04196351 A JP H04196351A JP 2322731 A JP2322731 A JP 2322731A JP 32273190 A JP32273190 A JP 32273190A JP H04196351 A JPH04196351 A JP H04196351A
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JP
Japan
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semiconductor device
printed wiring
wiring board
chip
stacked
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Application number
JP2322731A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Tanaka
大之 田中
Masaru Sakaguchi
勝 坂口
Koji Serizawa
弘二 芹沢
Toshiharu Ishida
石田 寿治
Ichiro Miyano
一郎 宮野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable a logic circuit element provided with a large number of terminals and a large number of memories to be easily superposed and to enlarge a multilayer type multichip semiconductor device in scope of application by a method wherein semiconductor elements connected through a tape carrier method are connected to a multilayer printed wiring board provided with through-holes, and the printed wiring board is made to serve as a spacer. CONSTITUTION:Semiconductor chips are electrically connected to a film carrier tape, and two or more semiconductors are superposed interposing a multilayer printed wiring board 9 as a spacer between them to constitute a multilayer type semiconductor module. That is, a logic circuit element provided with a large number of non-common terminals and a large number of memories are using a multilayer printed wiring board as a spacer 9. By this setup, semiconductor elements can be freely superposed independent of their kinds, and these elements can be mixedly mounted, so that the superposed semiconductor elements can be used as a multilayer type multichip semiconductor device wide in a scope of application, and moreover a process where outer leads are formed and cut off can be dispensed of, in result a multilayer type multichip semiconductor device can be manufactured at a low cost.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はテープキャリア方式の半導体素子を積層したマ
ルチチップ半導体装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a multi-chip semiconductor device in which tape carrier type semiconductor elements are stacked.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の積層タイプのマルチチップ半導体装置は、例えば
メモリの一種であるSRAMをテープキャリア方式で接
続し、各メモリの共通端子のアウタリード部分を各層の
高さに応じてフォーミングし、リード同士を重ねて基板
上の電極に接続する。また非共通端子のチップセレクト
は、積層するメモリ数に応してテープ上にアウタリード
を用意し、各層毎に順次具なるアウタリードを残して後
は総て切断する。これによって、層ごとにメモリを独立
させて基板上の電極に各々接続する方法がとられていた
。以上の方法によって、実装密度が2倍以上向上したコ
ンピュータ用拡張メモリボードを実現していた。なお、
この種の装置としては、社団法人ハイブリッドマイクロ
エレクトロニクス協会、エム・イー・ニス“89第3回
マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集(198
9年)第86頁から第88頁(社団法人ハイブリッドマ
イクロエレクトロニクス協会、MES’89第3回マイ
第3エマイクロエレクトロニクスシンポジウム論89)
 pp。
Conventional stacked type multi-chip semiconductor devices, for example, connect SRAM, which is a type of memory, using a tape carrier method, form the outer lead portion of the common terminal of each memory according to the height of each layer, and overlap the leads. Connect to the electrode on the board. For chip selection of non-common terminals, outer leads are prepared on the tape according to the number of memories to be stacked, and all the outer leads are cut off one by one for each layer, leaving only one outer lead. As a result, a method has been adopted in which memories are made independent for each layer and connected to electrodes on the substrate. By the above method, an expansion memory board for a computer with a mounting density more than doubled has been realized. In addition,
As a device of this kind, the Hybrid Microelectronics Association, M.E.N.S.
9th year) Pages 86 to 88 (Hybrid Microelectronics Association, MES'89 3rd My 3rd Microelectronics Symposium Theory 89)
pp.

86−88 )において論じられている。86-88).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記従来技術では、例えば論理回路素子のように端子数
が多くかつ共通化できる端子数の少ない半導体を積層す
る場合、あるいは積層するメモリ数を多くする場合、非
共通端子をフォーミングし切断する処理が膨大になる点
について配慮がされておらず、積層できる半導体素子の
種類や数に制約があり、積層型マルチチップ半導体装置
としての応用範囲が限られていた。また、アウタリート
のフォーミングや切断工程に必要な金型数が増加し、コ
スト上昇を招く問題もあった。
In the above conventional technology, when stacking semiconductors that have a large number of terminals and a small number of terminals that can be shared, such as logic circuit elements, or when stacking a large number of memories, it is necessary to form and cut non-common terminals. No consideration was given to the large number of semiconductor devices, and there were restrictions on the type and number of semiconductor elements that could be stacked, limiting the range of applications as a stacked multi-chip semiconductor device. In addition, the number of molds required for the forming and cutting process of the outer sheet increases, resulting in an increase in cost.

本発明の目的は、前記従来技術の問題を解決し、端子数
の多い論理回路素子や多数のメモリを容易に積層する方
法を提供し積層型マルチチップ半導体装置の応用範囲を
広げる二とにある。
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art described above, and to provide a method for easily stacking logic circuit elements with a large number of terminals and a large number of memories, thereby expanding the scope of application of stacked multi-chip semiconductor devices. .

〔課題を解決するための手段二 上記目的は、テープキャリア方式で接続した半導体素子
をスルーホールを有する多層プリント配線基板上に接続
し、この基板をスペーサに用いたことにより達成される
[Means for Solving the Problems 2] The above object is achieved by connecting semiconductor elements connected by a tape carrier method onto a multilayer printed wiring board having through holes, and using this board as a spacer.

〔作用〕[Effect]

本発明では、多数のメモリの非共通端子を多層プリント
配線基板の各スルーホールにより基板内の導体層で引き
回し、非共通端子間を独立させ下層と接続する。これに
より、積層時の非共通端子の処理、即ちアウタリードの
フォーミング及び切断工程が不要となる。また非共通端
子数に応じて導体層数とスルーホール数をふやして、論
理回路素子の各端子間を各導体層に分岐し独立させる。
In the present invention, the non-common terminals of a large number of memories are routed through the through holes of the multilayer printed wiring board on a conductor layer within the board, and the non-common terminals are made independent and connected to the lower layer. This eliminates the need for processing non-common terminals during stacking, that is, forming and cutting the outer leads. Further, the number of conductor layers and the number of through holes are increased according to the number of non-common terminals, and the terminals of the logic circuit element are separated into conductor layers and made independent.

これにより、非共通端子数の多い論理回路素子の積層も
可能となる。
This makes it possible to stack logic circuit elements with a large number of non-common terminals.

〔実施例C 以下本発明の第1の実施例を図を用いて説明する。第1
図は積層したマルチチップ半導体装置の第1の実施例の
詳細を示す斜視図である。また第2図は第1図の積層型
マルチチップ半導体装置の平面図及び縦断面図である。
[Embodiment C] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure is a perspective view showing details of a first embodiment of a stacked multi-chip semiconductor device. 2 is a plan view and a vertical sectional view of the stacked multi-chip semiconductor device shown in FIG. 1.

第3図は積層型マルチチップ半導体装置を含んだ電子計
算機のハードウェア全体の構成図である。第1図及び第
2囚において、最上層から順に論理回路素子のメインプ
ロセッサー1、記憶素子のメインメモリ2、論理回路素
子の浮動小数点プロセッサー3から成っている。各半導
体素子はテープキャリア方式により各半導体素子上に形
成されているバンプ4と、テープキャリア5上のインナ
リード6が各々電気的に接続されている。また、半導体
素子の表面及びインナリード部を含む半導体素子の側面
部には保護コート用としてレジン材7が塗布しである。
FIG. 3 is a diagram showing the entire hardware configuration of an electronic computer including a stacked multi-chip semiconductor device. In FIGS. 1 and 2, the top layer consists of a main processor 1 as a logic circuit element, a main memory 2 as a storage element, and a floating point processor 3 as a logic circuit element. Each semiconductor element is electrically connected to bumps 4 formed on each semiconductor element by a tape carrier method and inner leads 6 on a tape carrier 5, respectively. Further, a resin material 7 is applied as a protective coating to the surface of the semiconductor element and the side surfaces of the semiconductor element including the inner lead portion.

キャリアテープ上の各アウタリード8は、多層プリント
配線基板製のスペーサ9上の電極パターンに電気的に接
続され基板内の各導体層で引き回される。各スペーサ間
はスルーホール10で電気的に接続されており、積層型
マルチチップ半導体装置を構成している。スペーサに用
いられている多層プリント配線基板内は、信号層、電源
層、アース層、スルーホールから成っており、入出力ピ
ン数に応じて各導体層とスルーホール数が増え、各素子
間のデータ交換のためのデータバスラインを構成してい
る。第3図において、電子計算機はメインプロセッサと
メインメモリを積層した積層型マルチチップ半導体装置
、通信制御プロセッサ、入出力制御プロセッサ、デイス
プレィ・コントローラ、システムバス等から成っている
Each outer lead 8 on the carrier tape is electrically connected to an electrode pattern on a spacer 9 made of a multilayer printed wiring board and routed through each conductor layer within the board. The spacers are electrically connected by through holes 10, forming a stacked multi-chip semiconductor device. The multilayer printed wiring board used for spacers consists of a signal layer, a power supply layer, a ground layer, and through holes.The number of conductor layers and through holes increases according to the number of input/output pins, and It constitutes a data bus line for data exchange. In FIG. 3, the electronic computer is comprised of a stacked multi-chip semiconductor device in which a main processor and a main memory are stacked, a communication control processor, an input/output control processor, a display controller, a system bus, and the like.

上記積層型マルチチップ半導体装置において、メインプ
ロセッサが実行すべき命令をスペーサである多層プリン
ト配線基板内のデータバスラインを介して下層部のメイ
ンメモリから読み出す。メインメモリ側はメインプロセ
ッサ側から読み出し命令を受けると、必要な命令を転送
する。メインプロセッサ側は読み出した命令を解読し、
実行する。その際メインメモリのデータを必要とするな
ら、更にメインメモリから読み出す。最後に実行結果を
メインプロセッサはメインメモリに書き込み、以上のル
ーチンを繰り返す。また、浮動小数点計算を行う場合メ
インプロセッサは最下層部の浮動小数点プロセッサーに
データバスラインを介して必要な命令とデータを送り、
演算処理を行う。
In the above-described stacked multi-chip semiconductor device, instructions to be executed by the main processor are read from the main memory in the lower layer via the data bus line in the multilayer printed wiring board, which is a spacer. When the main memory side receives a read instruction from the main processor side, it transfers the necessary instructions. The main processor side decodes the read instructions and
Execute. At that time, if data in the main memory is required, it is further read from the main memory. Finally, the main processor writes the execution result to the main memory and repeats the above routine. Also, when performing floating-point calculations, the main processor sends the necessary instructions and data to the lowest-level floating-point processor via the data bus line.
Performs calculation processing.

その際各素子間のデータ交換の全体の管理はメインプロ
セッサが行っている。以上のような積層型マルチチップ
半導体装置からシステムバスを介して通信制御プロセッ
サに命令を出し他の電子計算機とのデータ交換を行った
り、入出力制御プロセッサに命令を出して入力装置や出
力装置とのデータ交換を行う。以上本実施例によれば、
多数の入出力端子を持つ論理回路素子と記憶素子を混在
して積層でき、平面的な実装密度を1/4以下に縮小す
ることができる。また、アウタリートのフォーミング及
び切断工程が不要となる。
At this time, the main processor is in charge of overall management of data exchange between each element. The stacked multi-chip semiconductor device as described above issues instructions to the communication control processor via the system bus to exchange data with other electronic computers, and issues instructions to the input/output control processor to communicate with input and output devices. exchange data. According to this embodiment,
Logic circuit elements and memory elements having a large number of input/output terminals can be stacked together, and the planar packaging density can be reduced to 1/4 or less. Further, forming and cutting processes for the outer lead are not required.

次に本発明の第2の実施例を第4図及び第5図を用いて
説明する。第4図は積層型マルチチップ半導体装置の第
2の実施例の詳細を示す斜視図である。また第5図は第
4図の積層型マルチチップ半導体装置の縦断面図である
。第4図において、制御モジュールは中央演算処理用半
導体装置11、内部記憶用半導体装置12、入出力制御
半導体装置13から成っており、内部記憶用半導体装置
は積層型マルチチップ半導体装置の構造を採っている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described using FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a perspective view showing details of a second embodiment of the stacked multi-chip semiconductor device. Further, FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the stacked multi-chip semiconductor device of FIG. 4. In FIG. 4, the control module consists of a central processing semiconductor device 11, an internal storage semiconductor device 12, and an input/output control semiconductor device 13, and the internal storage semiconductor device has a structure of a stacked multi-chip semiconductor device. ing.

第5図において、各半導体記憶素子は上記第1の実施例
と同様にテープキャリア方式により素子上のバンプと、
テープキャリア上のインナリードが各々電気的に接続さ
れている。また、半導体素子の表面にはレジン材が塗布
しである。キャリアテープ上の各アウタリードは、多層
プリント配線基板製のスペーサ上の電極パターンに電気
的に接続されている。各スペーサ間はスルーホールで電
気的に接続されており、積層型メモリモジュールを構成
している。スペーサに用いられている多層プリント配線
基板は、半導体素子の積層数が増すと非共通端子のチッ
プセレクト端子数が増加するので、それに応じてスペー
サのスルーホールが増えるようになっている。この積層
型メモリモジュールを複数個プリント配線基板に搭載し
て、積層型マルチチップ半導体装置を構成している。
In FIG. 5, each semiconductor memory element is connected to bumps on the element by a tape carrier method, as in the first embodiment.
The inner leads on the tape carrier are electrically connected to each other. Further, a resin material is coated on the surface of the semiconductor element. Each outer lead on the carrier tape is electrically connected to an electrode pattern on a spacer made of a multilayer printed wiring board. The spacers are electrically connected through through holes to form a stacked memory module. In the multilayer printed wiring board used for the spacer, as the number of stacked semiconductor elements increases, the number of chip select terminals as non-common terminals increases, so the number of through holes in the spacer increases accordingly. A stacked multi-chip semiconductor device is constructed by mounting a plurality of these stacked memory modules on a printed wiring board.

上記積層型マルチチップ半導体装置の構造を持つ内部記
憶用半導体装置において、多層プリント配線基板内のス
ルーホールを介して中央演算処理用半導体装置からくる
チップセレクト命令で特定層の半導体記憶素子が選択さ
れ、入出力制御半導体装置を介して外部の入力装置から
データの書き込みが行われる。内部記憶用半導体装置は
中央演算処理用半導体装置から次の読み出し命令がある
までデータを保存し、読み出し命令を受けた後、先のデ
ータを入出力制御半導体装置を介して出力装置へ転送し
、以上のルーチンを繰り返す。以上本実施例によれば、
内部記憶用半導体装置に多数の半導体記憶素子を積層で
き、平面的な実装密度を1/4以下に縮小することがで
きる。また、内部記憶用半導体装置の容量を4倍以上に
増すことができるので、−度に多量のデータ処理が可能
となり、入出力制御半導体装置と内部記憶用半導体装置
の入出力回数が減少し、制御モジュール全体の効率が向
上する。更に、アウタリードのフォーミング及び切断工
程が不要となる。
In the internal storage semiconductor device having the structure of the stacked multi-chip semiconductor device described above, a semiconductor storage element in a specific layer is selected by a chip select command coming from the central processing semiconductor device via a through hole in the multilayer printed wiring board. , data is written from an external input device via the input/output control semiconductor device. The internal storage semiconductor device stores data until the next read command is received from the central processing semiconductor device, and after receiving the read command, transfers the previous data to the output device via the input/output control semiconductor device. Repeat the above routine. According to this embodiment,
A large number of semiconductor memory elements can be stacked on the internal memory semiconductor device, and the planar packaging density can be reduced to 1/4 or less. In addition, since the capacity of the internal storage semiconductor device can be increased by more than four times, it is possible to process a large amount of data at once, and the number of inputs and outputs between the input/output control semiconductor device and the internal storage semiconductor device is reduced. The overall efficiency of the control module is increased. Furthermore, the process of forming and cutting the outer lead becomes unnecessary.

次に本発明の第3の実施例を第6図を用いて説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described using FIG. 6.

第6図は積層型マルチチップ半導体装置の第3の実施例
の詳細を示す斜視図である。第6図において、並列型電
子計算機のプロセッサ・エレメント14は、プロセッサ
と大容量メモリから成っており、各々上記第1の実施例
と同様に積層型マルチチップ半導体装置の構造を採って
いる。即ち、プロセッサとメモリはテープキャリア方式
により素子上のバンプと、テープキャリア上のインナリ
ードが各々電気的に接続されている。また、半導体素子
の表面にはレジン材が塗布しである。
FIG. 6 is a perspective view showing details of a third embodiment of the stacked multi-chip semiconductor device. In FIG. 6, the processor element 14 of the parallel electronic computer consists of a processor and a large-capacity memory, each of which has the structure of a stacked multi-chip semiconductor device as in the first embodiment. That is, the processor and memory are electrically connected to bumps on the elements and inner leads on the tape carrier using a tape carrier method. Further, a resin material is coated on the surface of the semiconductor element.

キャリアテープ上の各アウタリードは、多層プリント配
線基板製のスペーサ上の電極パターンに電気的に接続さ
れ、基板内の各導体層で引き回される。各スペース間は
スルーホールで電気的に接続されており、積層型マルチ
チップ半導体装置を構成している。スペーサに用いられ
ている多層プリント配線基板内は、信号層、電源層、ア
ース層、スルーホールから成っており、入出力ビン数に
応じて各導体層とスルーホール数が増え、各素子間のデ
ータ交換のためのデータバスラインを構成している。並
列型電子計算機の全体は上記プロセッサ・エレメントを
複数個クロスバ・スイッチ15で連結した構成と成って
いる。
Each outer lead on the carrier tape is electrically connected to an electrode pattern on a spacer made of a multilayer printed wiring board, and is routed through each conductor layer within the board. Each space is electrically connected by a through hole, forming a stacked multi-chip semiconductor device. The multilayer printed wiring board used for spacers consists of a signal layer, a power supply layer, a ground layer, and through holes.The number of conductor layers and through holes increases according to the number of input/output bins, and It constitutes a data bus line for data exchange. The entire parallel electronic computer has a structure in which a plurality of the above-mentioned processor elements are connected by a crossbar switch 15.

上記積層型マルチチップ半導体装置の構造を持つプロセ
ッサ・エレメントにおいて、プロセッサがチップセレク
ト命令で、スペーサである多層プリント配線基板内のデ
ータバスラインを介して下層部の特定層の半導体記憶素
子が選択され、演算結果の入出力が行われる。演算処理
が一区切りつくと、各プロセッサ・エレメントが非同期
に他の総てのプロセッサ・エレメントにクロスバ・スイ
ッチを介して演算結果を転送する。その際、各プロセッ
サ・エレメントはデータを中継する機能を持つ。以上本
実施例によれば、多数の入出力端子を持つ論理回路素子
と記憶素子を混在して積層し、平面的な実装密度を1/
4以下に縮小することで、多数のプロセッサ・エレメン
トを実装でき、計算機全体の演算処理速度が向上する。
In the processor element having the structure of the above-mentioned stacked multi-chip semiconductor device, the processor uses a chip select command to select a semiconductor memory element in a specific lower layer via a data bus line in a multilayer printed wiring board, which is a spacer. , input/output of calculation results is performed. Once the arithmetic processing has finished, each processor element asynchronously transfers the arithmetic results to all other processor elements via the crossbar switch. At this time, each processor element has the function of relaying data. As described above, according to this embodiment, logic circuit elements and memory elements having a large number of input/output terminals are mixed and stacked, and the planar packaging density is reduced to 1/2.
By reducing the size to 4 or less, a large number of processor elements can be implemented, and the arithmetic processing speed of the entire computer improves.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、非共通端子の多い論理回路素子や多数
のメモリを多層プIJント配線基板のスペーサを用いて
積層できるので、積層可能な半導体素子の種類や制約が
なくなり、これらの素子を混在して積層することが可能
となり、積層型マルチチップ半導体装置として広い応用
範囲が得られる効果がある。またアウタリートのフォー
ミング及び切断工程が不要となり、低コストの積層型マ
ルチチップ半導体装置を提供できる効果もある。
According to the present invention, logic circuit elements with many non-common terminals and a large number of memories can be stacked using spacers of a multilayer printed wiring board, so there are no restrictions on the types of semiconductor elements that can be stacked, and these elements can be stacked. It becomes possible to stack them in a mixed manner, which has the effect of providing a wide range of applications as a stacked multi-chip semiconductor device. Further, the forming and cutting steps of the outer lead are not required, and there is an effect that a low-cost stacked multi-chip semiconductor device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は積層したマルチチップ半導体装置の応用方法の
第1の実施例の詳細を示す斜視図、第2図は第1図の積
層型マルチチップ半導体装置を示す図、第3図は積層型
マルチチップ半導体装置を含んだ電子計算機のハードウ
ェア全体の構成図、第4図は積層型マルチチップ半導体
装置の応用方法の第2の実施例の詳細を示す斜視図、第
5図は第4図の積層型マルチチップ半導体装置を示す図
、第6図は積層型マルチチップ半導体装置の応用方法の
第3の実施例の詳細を示す斜視図、である。 l・・・メインプロセッサ 2・・・メインメモリ3・
・・浮動小数点プロセッサ 4・・・バンプ      5・・・テープキャリア6
・・・インナリード   7・・・レジン材8・・・ア
ウタリード   9・・・スペーサ10・・・スルーホ
ール 11・・・中央演算処理用半導体装置 12・・・内部記憶用半導体装置 13・・・入出力制御半導体装置 14・・・プロセッサ・エレメント 15・・・クロスバ・スイッチ 究1図 42図 、j                  J  l(
Jチフ図 〒4閃 く; A♂―!シA゛
FIG. 1 is a perspective view showing details of the first embodiment of the application method of a stacked multi-chip semiconductor device, FIG. 2 is a diagram showing the stacked multi-chip semiconductor device of FIG. 1, and FIG. 3 is a stacked type multi-chip semiconductor device. A configuration diagram of the entire hardware of a computer including a multi-chip semiconductor device, FIG. 4 is a perspective view showing details of a second embodiment of the application method of the stacked multi-chip semiconductor device, and FIG. FIG. 6 is a perspective view showing details of a third embodiment of the application method of the stacked multi-chip semiconductor device. l...Main processor 2...Main memory 3.
...Floating point processor 4...Bump 5...Tape carrier 6
...Inner lead 7...Resin material 8...Outer lead 9...Spacer 10...Through hole 11...Semiconductor device for central processing 12...Semiconductor device for internal storage 13... Input/output control semiconductor device 14... Processor element 15... Crossbar switch study 1 Figure 42, j J l (
J chifu figure 〒4 flash; A♂―! Shea゛

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、メインプロセッサ、浮動小数点プロセッサ、メイン
メモリ等からなる電子計算機のメインモジュールにおい
て、フィルムキャリアテープに各半導体チップを電気的
に接続し多層プリント配線基板のスペーサを介在させて
2個以上積み重ねてなる積層型半導体モジュールの構造
を用いたことを特徴とするマルチチップ半導体装置。 2、中央処理用半導体装置、内部記憶用半導体装置、入
出力制御用半導体装置からなる制御用モジュールにおい
て内部記憶用半導体の部分に、多層プリント配線基板の
スペーサを介在させてメモリを垂直方向に2個以上積み
重ねてなることを特徴とする請求項第1項記載のマルチ
チップ半導体装置。 3、複数のプロセッサ、メモリ、クロスバ・スイッチ等
からなる並列型電子計算機において、データバスライン
を内蔵した多層プリント配線基板をスペーサとして用い
て垂直方向に2個以上積み重ねてなることを特徴とする
請求項第1項記載のマルチチップ半導体装置。
[Claims] 1. In a main module of an electronic computer consisting of a main processor, a floating point processor, a main memory, etc., each semiconductor chip is electrically connected to a film carrier tape and a spacer of a multilayer printed wiring board is interposed. A multi-chip semiconductor device characterized by using a stacked semiconductor module structure in which two or more semiconductor modules are stacked. 2. In a control module consisting of a semiconductor device for central processing, a semiconductor device for internal storage, and a semiconductor device for input/output control, a spacer of a multilayer printed wiring board is interposed in the semiconductor part for internal storage to vertically connect the memory. 2. The multi-chip semiconductor device according to claim 1, wherein the multi-chip semiconductor device is formed by stacking more than one chip. 3. A claim characterized in that, in a parallel electronic computer comprising a plurality of processors, memories, crossbar switches, etc., two or more multilayer printed wiring boards with built-in data bus lines are stacked vertically using them as spacers. The multi-chip semiconductor device according to item 1.
JP2322731A 1990-11-28 1990-11-28 Multichip semiconductor device Pending JPH04196351A (en)

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JP (1) JPH04196351A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134686A (en) * 2006-10-06 2007-05-31 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2011091409A (en) * 2010-10-29 2011-05-06 Renesas Electronics Corp Semiconductor integrated circuit device

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