JPH04196211A - Ｘ線転写用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線転写用マスクの製造方法Info
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- JPH04196211A JPH04196211A JP2326880A JP32688090A JPH04196211A JP H04196211 A JPH04196211 A JP H04196211A JP 2326880 A JP2326880 A JP 2326880A JP 32688090 A JP32688090 A JP 32688090A JP H04196211 A JPH04196211 A JP H04196211A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｘ線転写用マスクの製造方法に関するもの
である。
である。
現在、Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｉｏｎ （以下、ＶＬＳ Ｉと称す）の製造のた
めのりソグラフィ技術としては、光学転写技術か主流で
あるか、ＶＬＳＩの高集積化をさらに進めるために、よ
り微細な解像度か必要であり、その実現か期待されるＸ
線転写技術か注目されている。
ｒａｔｉｏｎ （以下、ＶＬＳ Ｉと称す）の製造のた
めのりソグラフィ技術としては、光学転写技術か主流で
あるか、ＶＬＳＩの高集積化をさらに進めるために、よ
り微細な解像度か必要であり、その実現か期待されるＸ
線転写技術か注目されている。
Ｘ線転写技術では、マスク製作かキー技術となるもので
あり、いかに高精度なマスクを製作するかが上記を実現
する上で重要なポイントとなる。
あり、いかに高精度なマスクを製作するかが上記を実現
する上で重要なポイントとなる。
第６図（ａ）〜（ｄ）は、従来のＸ線転写用マスクの主
要製造工程を示す断面図である。
要製造工程を示す断面図である。
以下、これを説明する。
まず、シリコン基板（１）を準備し、このノリコン基板
（１＋を化学的気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖｅｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓ−ｓｉｔｉｏｎ：以下、ＣＶＤと称す）
法により処理し、その全表面にソリコン窒化膜（２）を
堆積させる（第６図（ａ））。
（１＋を化学的気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖｅｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓ−ｓｉｔｉｏｎ：以下、ＣＶＤと称す）
法により処理し、その全表面にソリコン窒化膜（２）を
堆積させる（第６図（ａ））。
次に、シリコン基板（１）の裏面の全面にホトレジスト
膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパタ
ーン化する。このレジストパターンをマスクにして、下
地のシリコン窒化膜（２）を、例えば、ＣＦ、ガスを用
いた反応性イオンエツチング（以下、ＲＩＥと称す）に
よりエツチングして除去する。その後、ホトレジスト膜
を除去すると、シリコン窒化膜（２）にエツチング窓（
４）か形成される。
膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパタ
ーン化する。このレジストパターンをマスクにして、下
地のシリコン窒化膜（２）を、例えば、ＣＦ、ガスを用
いた反応性イオンエツチング（以下、ＲＩＥと称す）に
よりエツチングして除去する。その後、ホトレジスト膜
を除去すると、シリコン窒化膜（２）にエツチング窓（
４）か形成される。
なお、残存したノリコン窒化膜（２）は、マスク基体（
３）となるものである（第６図（ｂ））。
３）となるものである（第６図（ｂ））。
次に、シリコン基板＋１）上面のマスク基体（３）上の
全面に、スパッタ法によりタングステン膜を形成する。
全面に、スパッタ法によりタングステン膜を形成する。
さらに、タングステン膜上の全面にホＩ・レジスト膜を
形成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパターン
化する。このレンストパターンをマスクにして下地のタ
ングステン膜を、例えば、ＲＩＥにより除去する。その
後、ホトレジスト膜を除去するとＸ線転写用パターン（
５）か形成される（第６図（Ｃ））。
形成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパターン
化する。このレンストパターンをマスクにして下地のタ
ングステン膜を、例えば、ＲＩＥにより除去する。その
後、ホトレジスト膜を除去するとＸ線転写用パターン（
５）か形成される（第６図（Ｃ））。
次に、シリコン基板（１）裏面のシリコン窒化膜（２）
をマスクにして、エツチング窓（４）よりシリコン基板
（１）を水酸化カリウムによりエツチング除去すると、
裏面、側面、表面にわたりシリコン窒化膜（２）に覆わ
れたシリコン基板（１）の外周部か残存してマスク枠（
６）か形成される（第６図（ｄ））。
をマスクにして、エツチング窓（４）よりシリコン基板
（１）を水酸化カリウムによりエツチング除去すると、
裏面、側面、表面にわたりシリコン窒化膜（２）に覆わ
れたシリコン基板（１）の外周部か残存してマスク枠（
６）か形成される（第６図（ｄ））。
このように製造される従来のＸ線転写用マスつては、残
しパターン（５ａ）の持つ引っ張り応力により、残しパ
ターン（５ａ）かマスク基体（３）とともに変形してし
まうものであった。
しパターン（５ａ）の持つ引っ張り応力により、残しパ
ターン（５ａ）かマスク基体（３）とともに変形してし
まうものであった。
第７図（ａ）、（ｂｌは、従来のＸ線転写用マスクの変
形の状態を模式的に示す断面図である。
形の状態を模式的に示す断面図である。
第７図（ａ）に示すように、タングステン膜かパターン
化されることにより、残しパター−ン（５ａ）に引っ張
り応力か生し、その引っ張り応力により、矢印方向の収
縮力０１）か加わる。そのため、第７図（ｂ）に示すよ
うに、パターン（５）ばかりてなく、下地のマスク基体
（３）とともに歪みを生して変形する。特に、残しパタ
ーン（５ａ）では、変形前の形成されるべき寸法りに対
し、変形による減少寸法ΔＬのため、得られた寸法Ｌ−
ΔＬとなり、所望寸法とならない。また−二の現象は、
パターン（５）の粗密の状態によっても歪みの程度か異
なり、所望状態に制御てきないものである。このように
、パターン精度か悪くなるという問題点かあった。
化されることにより、残しパター−ン（５ａ）に引っ張
り応力か生し、その引っ張り応力により、矢印方向の収
縮力０１）か加わる。そのため、第７図（ｂ）に示すよ
うに、パターン（５）ばかりてなく、下地のマスク基体
（３）とともに歪みを生して変形する。特に、残しパタ
ーン（５ａ）では、変形前の形成されるべき寸法りに対
し、変形による減少寸法ΔＬのため、得られた寸法Ｌ−
ΔＬとなり、所望寸法とならない。また−二の現象は、
パターン（５）の粗密の状態によっても歪みの程度か異
なり、所望状態に制御てきないものである。このように
、パターン精度か悪くなるという問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、その目的とするところは、Ｘ線転写用パター
ンおよびマスク基体か歪みて変形することを抑止させ、
パターン精度か向上したＸ線転写用マスクの製造方法を
提供することである。
たもので、その目的とするところは、Ｘ線転写用パター
ンおよびマスク基体か歪みて変形することを抑止させ、
パターン精度か向上したＸ線転写用マスクの製造方法を
提供することである。
この発明に係るＸ線転写用マスクの製造方法は、マスク
基体上に所望のＸ線転写用ノ々ターンを形成し、このパ
ターンの形成された側から、上記マスク基体に発生する
応力を相殺すべきイオン種（こよるイオン注入を行い、
上記パターンの内の残しｔＺターンの直下のマスク基体
にイオン注入領域を汁ユ成するようにしたものである。
基体上に所望のＸ線転写用ノ々ターンを形成し、このパ
ターンの形成された側から、上記マスク基体に発生する
応力を相殺すべきイオン種（こよるイオン注入を行い、
上記パターンの内の残しｔＺターンの直下のマスク基体
にイオン注入領域を汁ユ成するようにしたものである。
この発明におけるイオン注入は、残しノ々ターンの直下
のマスク基体にイオン注入領域を形成する。
のマスク基体にイオン注入領域を形成する。
注入されたイオンの原子は、マスク基体の結晶中に入り
込み格子間隔を広げる方向に働く。この格子間隔を広げ
る力は、マスク基体中における注入されたイオン濃度の
違いにより、マスク基体の上部の方か下部に比へ強い。
込み格子間隔を広げる方向に働く。この格子間隔を広げ
る力は、マスク基体中における注入されたイオン濃度の
違いにより、マスク基体の上部の方か下部に比へ強い。
そのため、残しｌくターン直下のマスク基体では、マス
ク基体を上に凸形状に曲げる応力を生しる。この応力は
、パターン形成によって残しパターンに生じる収縮方向
の応力とは反対方向であるため、双方のストレスは相殺
され、歪みを抑止する。
ク基体を上に凸形状に曲げる応力を生しる。この応力は
、パターン形成によって残しパターンに生じる収縮方向
の応力とは反対方向であるため、双方のストレスは相殺
され、歪みを抑止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。なお
、従来の技術の説明と重複する部分は、適宜その説明を
省略する。
、従来の技術の説明と重複する部分は、適宜その説明を
省略する。
第１図（ａｌ〜（ｅ）はこの発明の一実施例によるＸ線
転写用マスクの主要製造工程を示す断面図である。
転写用マスクの主要製造工程を示す断面図である。
以下、これを説明する。
まず、シリコン基板（１）を準備し、このシリコン基板
（１）をＣＶＤ法により処理し、その全表面にシリコン
窒化膜（２）を堆積させる。シリコン基板（１）として
は、直径か７５〜１２５ ｍｍ、膜厚か０．５〜３厩の
ものを用い、これにシリコン窒化膜（２）の形成条件と
して、例えば反応ガス、流量はそれぞれ、水素（Ｈ２）
か１００Ａ／ｍｉｎ、シラン（ＳｉＨ，）かＩｆ／ｍｉ
ｎ、アンモニア（ＮＨ３）か０．３〜０．６ Ｒ／ ｍ
ｉｎて、温度か１、０００℃で処理し、１〜５μｍ程度
の膜厚に形成させる（第１図（ａ））。
（１）をＣＶＤ法により処理し、その全表面にシリコン
窒化膜（２）を堆積させる。シリコン基板（１）として
は、直径か７５〜１２５ ｍｍ、膜厚か０．５〜３厩の
ものを用い、これにシリコン窒化膜（２）の形成条件と
して、例えば反応ガス、流量はそれぞれ、水素（Ｈ２）
か１００Ａ／ｍｉｎ、シラン（ＳｉＨ，）かＩｆ／ｍｉ
ｎ、アンモニア（ＮＨ３）か０．３〜０．６ Ｒ／ ｍ
ｉｎて、温度か１、０００℃で処理し、１〜５μｍ程度
の膜厚に形成させる（第１図（ａ））。
次に、シリコン基板（１）の裏面の全面にホトレジスト
膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパタ
ーン化する。このレジストパターンをマスクにして下地
のシリコン窒化膜（２）を、例えはＣＦ、ガスを用いた
ＲＩＥによりエツチングして除去する。その後、ホトレ
ジスト膜を除去すると、シリコン窒化膜（２）にエツチ
ング窓（４）か形成される。
膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術によりパタ
ーン化する。このレジストパターンをマスクにして下地
のシリコン窒化膜（２）を、例えはＣＦ、ガスを用いた
ＲＩＥによりエツチングして除去する。その後、ホトレ
ジスト膜を除去すると、シリコン窒化膜（２）にエツチ
ング窓（４）か形成される。
残存したシリコン窒化膜（２）はマスク基体（３）とな
る（第１図（ｂ））。
る（第１図（ｂ））。
次に、シリコン基板（１）Ｌ面のマスク基体（３）との
全面に、スパッタ法によりタングステン膜を０．３〜１
μｍの膜厚に堆積する。さらに、このタングステン膜上
の全面にホトレジスト膜を形成し、これをフォトリソグ
ラフィ技術によりパターン化する。このレジストパター
ンをマスクにして下地のタングステン膜を、例えば、Ｓ
Ｆ＠ガスを用いたＲＩＥによりエツチングし７て除去す
る。その後、ホトレジスト膜を除去すると、パターン（
５）か形成される（第１図（Ｃ））。
全面に、スパッタ法によりタングステン膜を０．３〜１
μｍの膜厚に堆積する。さらに、このタングステン膜上
の全面にホトレジスト膜を形成し、これをフォトリソグ
ラフィ技術によりパターン化する。このレジストパター
ンをマスクにして下地のタングステン膜を、例えば、Ｓ
Ｆ＠ガスを用いたＲＩＥによりエツチングし７て除去す
る。その後、ホトレジスト膜を除去すると、パターン（
５）か形成される（第１図（Ｃ））。
次に、シリコン基板（１）裏面のシリコン窒化膜（２）
をマスクにして、エツチング窓（４）よりシリコン基板
＋１１を水酸化カリウムによりエツチング除去し、裏面
、側面、表面にわたりシリコン窒化膜（２）に覆われた
シリコン基板（１）の外周部を残存させる。この残存部
かマスク枠（６）となるか、その幅か２０〜５０口とな
るようにする（第１図（ｄ））。
をマスクにして、エツチング窓（４）よりシリコン基板
＋１１を水酸化カリウムによりエツチング除去し、裏面
、側面、表面にわたりシリコン窒化膜（２）に覆われた
シリコン基板（１）の外周部を残存させる。この残存部
かマスク枠（６）となるか、その幅か２０〜５０口とな
るようにする（第１図（ｄ））。
次に、マスク基体（３）のパターンか形成されている側
から、例えは、砒素（Ａｓ）イオンを注入量１０１５〜
１０”、／ａｎ ２．注入エネルギー数百ＫｅＶ−ＩＱ
ＭｅＶてイオン注入（８）する。これによりＡｓイオン
は残しパターン（５ａ）の直下のマスク基体（３）中に
のみ注入され、イオン注入イオン注入領域（７）か形成
される（第１図（ｅ））。
から、例えは、砒素（Ａｓ）イオンを注入量１０１５〜
１０”、／ａｎ ２．注入エネルギー数百ＫｅＶ−ＩＱ
ＭｅＶてイオン注入（８）する。これによりＡｓイオン
は残しパターン（５ａ）の直下のマスク基体（３）中に
のみ注入され、イオン注入イオン注入領域（７）か形成
される（第１図（ｅ））。
このようにしてＸ線転写用マスクは完成するか、Ａｓイ
オンの注入において、注入エネルギーが充分高いため、
Ａｓイオンは、シリコン窒化膜（２）のような原子番号
の小さな元素によって構成される膜では、エネルギーの
損失かはとんとないので透過する。そのため、抜きパタ
ーン（５ｂ）の部分のマスク基体（３）では、Ａｓイオ
ンは透過して注入されない。
オンの注入において、注入エネルギーが充分高いため、
Ａｓイオンは、シリコン窒化膜（２）のような原子番号
の小さな元素によって構成される膜では、エネルギーの
損失かはとんとないので透過する。そのため、抜きパタ
ーン（５ｂ）の部分のマスク基体（３）では、Ａｓイオ
ンは透過して注入されない。
しかし、残しパターン（５ａ）であるタングステンのよ
うな原子番号の大きな元素による膜では、嶋イオン注入
（８）時にエネルギー損失を生し、残しパターン（５ａ
）の直下のマスク基体（３）中でＡｓイオンは停止し、
イオン注入領域（７）か形成される。このイオン注入領
域（７）の形成によっ、パターン（５）およびマスク基
体（３）の歪みか防止されることになる。これを第２図
を用いて説明する。
うな原子番号の大きな元素による膜では、嶋イオン注入
（８）時にエネルギー損失を生し、残しパターン（５ａ
）の直下のマスク基体（３）中でＡｓイオンは停止し、
イオン注入領域（７）か形成される。このイオン注入領
域（７）の形成によっ、パターン（５）およびマスク基
体（３）の歪みか防止されることになる。これを第２図
を用いて説明する。
第２図（ａ）はイオン注入前のマスク基体（３）の結晶
構造を模式的に示した図、第２図（ｂ）はイオン注入後
のマスク基体（３）の結晶構造を模式的に示した図であ
る。
構造を模式的に示した図、第２図（ｂ）はイオン注入後
のマスク基体（３）の結晶構造を模式的に示した図であ
る。
イオン注入前、マスク基体（３）の結晶構造は、第２図
（ａ）に示す様に、シリコンまたは窒素原子（２１）か
整然と並ぶ格子構造である。イオン注入後、第２図（ｂ
）に示す様に、注入された不純物である原子（２２）は
結晶中に入り込み、格子間隔を拡げる方向に働く。この
とき形成されるべき寸法Ｘに対し、格子間隔の変化によ
る増加寸法をΔＸとすると得られる寸法はＸ十ΔＸとな
る。イオン注入されたマスク基体（３）のイオンの濃度
分布は第３図に示す様に、表面近傍の濃度か高くなって
いる。その結果、イオン注入されたマスク基体（３）で
は、注入量の多い上部の方か下部に比へ格子間隔が拡が
るため、マスク基体（３）は第４図に示す様に、上に凸
形状に曲がるような外側に向く応力（２３）が生しる。
（ａ）に示す様に、シリコンまたは窒素原子（２１）か
整然と並ぶ格子構造である。イオン注入後、第２図（ｂ
）に示す様に、注入された不純物である原子（２２）は
結晶中に入り込み、格子間隔を拡げる方向に働く。この
とき形成されるべき寸法Ｘに対し、格子間隔の変化によ
る増加寸法をΔＸとすると得られる寸法はＸ十ΔＸとな
る。イオン注入されたマスク基体（３）のイオンの濃度
分布は第３図に示す様に、表面近傍の濃度か高くなって
いる。その結果、イオン注入されたマスク基体（３）で
は、注入量の多い上部の方か下部に比へ格子間隔が拡が
るため、マスク基体（３）は第４図に示す様に、上に凸
形状に曲がるような外側に向く応力（２３）が生しる。
このように、イオン注入前には、パターン（５）形成に
よる応力によって残しパターン（５ａ）に収縮方向に力
か加わっている。この残しパターン（５ａ）の持つ引っ
張り応力と、イオン注入によって残しパターン（５ａ）
の直下のマスク基体（３）に生しる、上に凸形状に曲か
ろうとする応力とは、反対方向である。そのため、これ
ら双方の応力（ＩＩ）（２３）は相殺され、残しパター
ン（５ａ）およびマスク基体（３）の歪みか抑止され、
本来形成されるへき寸法りのものか得られる。
よる応力によって残しパターン（５ａ）に収縮方向に力
か加わっている。この残しパターン（５ａ）の持つ引っ
張り応力と、イオン注入によって残しパターン（５ａ）
の直下のマスク基体（３）に生しる、上に凸形状に曲か
ろうとする応力とは、反対方向である。そのため、これ
ら双方の応力（ＩＩ）（２３）は相殺され、残しパター
ン（５ａ）およびマスク基体（３）の歪みか抑止され、
本来形成されるへき寸法りのものか得られる。
このようにして製作されたＸ線転写用マスクを用いるこ
とによって、高精度なパターン転写が可能となる。
とによって、高精度なパターン転写が可能となる。
第５図に示す様に、Ｘ線レジスト（３２）、例えば、ネ
ガレジストである塩素化ポリメチルスチレンを塗布した
半導体基板（３１）上に、Ｘ線転写用マスク（３０）を
通してＸ線（３４）を照射して所望のノくターンを転写
する（第５図（ａ））。
ガレジストである塩素化ポリメチルスチレンを塗布した
半導体基板（３１）上に、Ｘ線転写用マスク（３０）を
通してＸ線（３４）を照射して所望のノくターンを転写
する（第５図（ａ））。
次に、Ｘ線レジスト（３２）を現像処理すると、レジス
トパターンか得られる。このレジストノくターンをマス
クにして、ＲＩＥによるエツチングを行うと、下地の被
加工膜（３３）にパターンか形成される（第５図（ｂ）
）。
トパターンか得られる。このレジストノくターンをマス
クにして、ＲＩＥによるエツチングを行うと、下地の被
加工膜（３３）にパターンか形成される（第５図（ｂ）
）。
以下、所定の処理を施すことによって、半導体装置か形
成される。
成される。
なお、この実施例ではイオン注入を行うのにＡｓイオン
を用いたか、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）などのイ
オンを注入しても同様の効果かある。
を用いたか、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）などのイ
オンを注入しても同様の効果かある。
また、この実施例ではＸ線転写用１＜ターン（５）形成
時にフォトリソグラフィ技術を用いたか、電子ビーム描
画法によってパターン（５）を形成すると、より微細な
パターンか形成てきる。
時にフォトリソグラフィ技術を用いたか、電子ビーム描
画法によってパターン（５）を形成すると、より微細な
パターンか形成てきる。
以上詳述したように、この発明によれば、残しパターン
の直下のマスク基体にイオンを注入するため、パターン
およびマスク基体の歪みや変形が抑止され、パターン精
度を向上させることかできる。
の直下のマスク基体にイオンを注入するため、パターン
およびマスク基体の歪みや変形が抑止され、パターン精
度を向上させることかできる。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例によるＸ線
転写用マスクの主要製造工程を示す断面図、第２図（ａ
ｌはイオン注入前のマスク基体の結晶構造を模式的に示
した図、第２図（ｂ）はイオン注入後のマスク基体の結
晶構造を模式的に示した図、第３図はイオン注入したマ
スク基体のイオンの濃度分布図、第４図はイオン注入に
よってマスク基体に生しる応力および歪みを示す図、第
５図（ａ）、ｔｂ＋はこの発明によるＸ線転写用マスク
を用いてＸ線転写してパターンを形成する工程の断面図
、第６図（ａ）〜ｆｄ］は従来のＸ線転写用マスクの主
要製造工程を示す断面図、第７図（ａ） （ｂ）は従来
のＸ線転写用マスクの変形の様子を示す断面図である。 図において、（３）はマスク基体、（５）はＸ線転″用
パターン、（５ａ）は残しパターン、（７）はイオン注
入領域、（８）はイオン注入である。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
転写用マスクの主要製造工程を示す断面図、第２図（ａ
ｌはイオン注入前のマスク基体の結晶構造を模式的に示
した図、第２図（ｂ）はイオン注入後のマスク基体の結
晶構造を模式的に示した図、第３図はイオン注入したマ
スク基体のイオンの濃度分布図、第４図はイオン注入に
よってマスク基体に生しる応力および歪みを示す図、第
５図（ａ）、ｔｂ＋はこの発明によるＸ線転写用マスク
を用いてＸ線転写してパターンを形成する工程の断面図
、第６図（ａ）〜ｆｄ］は従来のＸ線転写用マスクの主
要製造工程を示す断面図、第７図（ａ） （ｂ）は従来
のＸ線転写用マスクの変形の様子を示す断面図である。 図において、（３）はマスク基体、（５）はＸ線転″用
パターン、（５ａ）は残しパターン、（７）はイオン注
入領域、（８）はイオン注入である。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
Claims (1)
- マスク基体上に所望のＸ線転写用パターンを形成し、こ
のパターンが形成された側から、上記マスク基体に発生
する応力を相殺すべきイオン種によるイオン注入を行い
、上記パターンの内の残しパターンの直下のマスク基体
にイオン注入領域を形成することを特徴とするＸ線転写
用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326880A JPH04196211A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｘ線転写用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326880A JPH04196211A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｘ線転写用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196211A true JPH04196211A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18192774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2326880A Pending JPH04196211A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｘ線転写用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196211A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6381300B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask, exposure mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method using exposure mask |
| KR100791338B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 레지스트레이션이 보정된 포토마스크 및 포토마스크의레지스트레이션 보정 방법 |
| US8643723B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-02-04 | Denso Corporation | Lane-marker recognition system with improved recognition-performance |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2326880A patent/JPH04196211A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6381300B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask, exposure mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method using exposure mask |
| KR100791338B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 레지스트레이션이 보정된 포토마스크 및 포토마스크의레지스트레이션 보정 방법 |
| US7763397B2 (en) | 2006-08-07 | 2010-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomask registration errors of which have been corrected and method of correcting registration errors of photomask |
| US8643723B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-02-04 | Denso Corporation | Lane-marker recognition system with improved recognition-performance |
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