JPH021105A

JPH021105A - イオンビーム露光用マスクの製造方法

Info

Publication number: JPH021105A
Application number: JP63139948A
Authority: JP
Inventors: Masaru Hori; 勝堀
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-06-07
Filing date: 1988-06-07
Publication date: 1990-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、微細なパターンを形成するためのイオンビー
ムリソグラフィ技術に関わり、特に−括イオンビーム露
光に用いられるイオンビーム露光用マスクの製造方法に
関する。

（従来の技術）近年、イオンビームリソグラフィは、Ｘ線すソグラフィ
と並んで将来の超微細露光技術として注目されている。

イオンビームリソグラフィには、電子ビームと同様に集
束イオンビームを走査し直接描画する走査方式と、光及
びＸ線リソグラフィと同様にマスクを用いて投影露光す
る露光方式とがあり、スループットの観点からは露光方
式の方が有利である。また、露光方式には、密着、近接
して露光する方式と、縮小投影して露光する方式とがあ
る。

近接露光の場合、イオンのドブロイ波長が極めて小さく
回折効果による転写パターンのボケは無視できるため、
適当なマスクを用いることにより、〜３００μｍ程度の
マスク・ウェハギャップの場合でも、０．５μｍ以下の
超微細パターンの転写ができる。縮小投影方式は、１：
１で転写する方式に比べてマスクの製作条件が緩和され
る。また、マスクのイオン照射により受ける損傷は縮小
率の２乗倍に減少する。従って、マスクの寿命が伸びる
ことになり、イオンビームリソグラフィのみでなく、高
濃度照射が必要なイオン注入や照射損傷効果、イオンミ
キシング効果等を利用した種々の加工も可能となる。

また、イオンビームリソグラフィの特長の１つは、Ｘ線
リソグラフィと同様に近接効果がなく、０．１μｍ以下
の超微細パターンの描画が可能であることである。即ち
、イオンビームは質量が大きいため、入射したターゲッ
ト中の電子及び原子との衝突によってエネルギーを失う
が、高エネルギーでは電子□との衝突によるエネルギー
損失が主であり、イオンは広角散乱を殆ど受けない。こ
のためミ直進性に優れ、エネルギーを失って原子との衝
突確率が増える飛程の終端で散乱が多少大きくなる程で
ある。従って、近接効果もなく、殆ど垂直な壁面を持つ
パターンが得られる。また、レジスト等に付与されるエ
ネルギー分布が横方向に急峻であり、現像を長くしても
現像されるパターンは横方向には殆ど広がらないことが
確認されている。

レジストパターンの解像度を低下させる要因として、２
次電子の影響が考えられる。しかし、２次電子の最大エ
ネルギーＥ　ＭＡＸは、電子の質量をＭｅ、イオンの質
量をＭｐ、　イオンのエネルギーをＶ。とじて、ＨＭＡＸ　＃　（４Ｍ　ｅ　／　Ｍ　ｐ　）　Ｖ　ｏ　
　　　　−■の式で表わされ、例えばＨ＋イオンビーム
を用いた場合、Ｖ、　−８０ＫｅＶのときＥ　ＭＡＸ　
′ｉ　１００ｅＶに過ぎない。このような低エネルギー
電子の飛程は約５ｎｍであり、あまり大きな影響はない
と考えられる。

さらに、イオンビームリソグラフィのもう一つの特長は
、高感度露光が可能であることである。

これは、電子に比べてイオンは、エネルギーロスレート
が大きく、レジストに付与されるエネルギー密度が大き
くなるためである。従って、露光感度は電子ビームを用
いた場合に比べて１００倍以上高感度である。

このようにイオンビームリッツグラフィには、（１）回
折効果がない。

（２）近接効果がない。

（３）露光感度が高い。

（４）レジスト露光のみでなく、直接エツチングやイオ
ン注入ができる。

等の多くの特長があり、高精度、高スループツトの露光
法としての潜在能力を持っている。しかし、−括イオン
ビーム露光では、Ｘ線リングラフィと同様に、マスクア
ライメント及びマスク製造プロセスが大きな問題となる
。イオンビーム露光用マスクとしては、 ■薄い支持膜上にマスクパターンを形成した薄膜マスク
。

■単結晶を用いるチャネリングマスク。

■穴空きマスク。

等が検討されている。薄膜マスクは、０．１〜１μｍ程
度の５ｉ０２．Ｓｔ、Ｎ４．Ａｇ２Ｏ３及びポリイミド
等の非晶質支持薄膜上にＡｕ等のイオン阻止能の大きい
金属パターンを形成したものである。支持膜の厚さは、
膜中のビームの散乱を少なくしてサブミクロンパターン
を転写するために、０．１−０．３μｍ程度の非常に薄
くしなければならない。従って、薄膜の強度の安定性等
に欠けるという問題が生じる。穴空きマスクは、１〜２
μｍのシリコン窒化膜を用いたものが検討されている。

このマスクでは、マスク支持膜中でのビームの散乱がな
く、近接露光法においてマスク・ウェハ間隔を数１００
μｍにしても数１０ｎｍの極微パターンの描画ができる
ことが示されている。しかし、該マスクでは、穴空きの
パターンにより複雑なパターンを形成することは不可能
である。例えば、周囲を孔で囲まれたパターンはマスク
支持体より抜は落ちてしまうので形成できない等の間通
が生じる。

この問題を解決するために、メツシュマスク。

相補形マスク、多ビームマスクの３種が考えられている
。しかし、メツシュマスクでは転写後消える程度の細か
い網目の上にパターンを乗せるもので広い面積に渡って
０．５μｍ以下の細い網目を作ることは困難である。相
補形マスクではチップ内のパターンを２つに分割し、２
枚のマスクで２回転写して１枚のチップの完全パターン
像を得る方法である。多ビームマスクでは小さな正方形
の孔の開いたマスクで多数回ビームをパターンの大きさ
だけ移動させて転写し、完全な転写像に変える方法であ
る。メツシュマスクと多ビームマスクの方式では、マス
クとウェハとの高精度なアライメントが必要であり、転
写方式が極めて複雑となる。

従って、前記■に示すようなチャネリングマスクが最も
有望視されている。このチャネリングマスクは、Ｓｉ等
の単結晶中で（１００）や＜１００＞軸等の結晶軸に平
行にイオンを入射した場合、チャネリングの効果が起こ
り、イオンは大きな散乱を受けずあまりエネルギーを失
うことなく透過できることを利用したもので、数千〜数
μｍの厚さの単結晶支持膜が使用される。

第３図に（１００）Ｓｉ単結晶マスク製作プロセスの例
を示す。この例では、第３図（ａ）に示す如＜　（１０
０）ＳＬ単結晶基板３０の表裏面に熱酸化膜３１を形成
した後、表面の熱酸化膜３１を除去する。次いで、第３
図（ｂ）に示す如く、表面から高濃度のボロン（Ｂ）を
拡散させる。このＢ濃度によりＳｉ基板の応力１強度の
制御を行う。実際には、このＢドープ層３２の応力は１
０９ｄｙｎ／ｃｍ２程度の引張り応力に制御される。

次いで、第３図（ｃ）に示す如く、通常のりソゲラフイ
エ程により、裏面にレジストを塗布し、開口したレジス
トパターン３３を形成する。次いで、第３図（ｄ）に示
す如く、レジストパターン３３をマスクとして熱酸化膜
３１を開口させる。次いで、第３図（ｅ）に示す如く、
Ｂドープ層３２上に５００人のＣｒ膜３４を堆積させ、
その後７０００人のＡｕ膜３５を堆積させる。次いで、
第３図（ｆ）に示す如く、Ａｕ膜３５及びＣｒ膜３４の
パターニングを行うことにより、イオン阻止能の大きい
マスクパターンの形成を行う。最後に、第３図（ｇ）に
示す如く裏面よりＳｉ基板３０の中央部をエツチング除
去することにより、イオンビーム露光用マスクが完成さ
れる。

ところで、上記イオンビーム露光用マスクのイオン透過
部にはＢをドープすることにより応力制御された単結晶
Ｓｉ基板が用いられている。単結晶Ｓｉ基板のヤング率
は１．６２Ｘ　１０”Ｎ７ｃｍ２であり、ヤング率は十
分大きな値ではなく機械的強度に乏しいという欠点があ
る。また、イオン阻止能を持つ微細パターンはＡｕ等の
重金属で形成される。

Ａｕ膜の熱膨脹係数は１４．ｌｘ　１０−６に一’であ
り、Ｓｉの熱膨脹係数２゜８Ｘ　１０−’に一’と大き
な差がある。さらに、Ａｕのヤング率は０．８ｘ　１０
”Ｎ／Ｃｎ２であり、Ｓｉ基板の　ｌ／２にしかならな
い。

上記事実は、次のような問題を生じる。イオンビーム露
光用マスクにおいて、イオンを透過させる支持膜上にイ
オン阻止能の大きい微細パターンを形成した場合に生じ
る微細パターンの位置ずれΔＸは次式によって表わされ
る。

ここで、σいはイオン阻止能の大きい重金属の応力、Ｅ
Ａはイオン阻止能の大きい重金属のヤング率、ＥＭはイ
オン透過膜のヤング率、ｄは膜厚（ｄａ：イオン透過膜
＋　　ｄＡ　’イオン阻止能の大きい重金属）　Ｘは重
金属膜の占有・している径、Ｄはイオン透過膜の直径で
ある。■式より、イオンビーム露光用マスクにおいての
パターン位１ｆｆｆれは、イオン阻止能の大きい重金属
パターン、イオン透過膜の両ヤング率が大きいものほど
小さく抑えられることが明らかである。

従って、重金属としてＡｕ（ヤング率０．８×１０”Ｎ
７ｃｍ２）　、イオン透過部支持膜としてＳｉ（ヤング
率１．８２８１０”Ｎ／Ｃ１１２）の場合のパターン位
置歪は、重金属としてＷ（ヤング率４．３Ｘ　ｔｏ”Ｎ
７ｃｍ２）　、イオン透過部支持膜としてＳｉＣ（ヤン
グ率４．７Ｘ　１０”Ｎ／Ｃｍ２）等と比較すれば大き
く、有望なイオンビーム露光用マスクとは言い難い。

また、ＡｕとＳｔ基板との熱膨張係数（Ａｕ：１４．３
Ｘ１０−６に一’、　　Ｓ　ｉ　：　　２．６ＸｌＯ−
’に−りの相違が大きく、マスク製造プロセス中に発生
する熱により高精度の微細な重金属パタτンを有したマ
スク形成が困難であるという問題がある。従って、高精
度のイオンビームチャネリング露光用マスクとしては、
イオン阻止能の大きい重金属膜とイオン透過膜は、ヤン
グ率が大きく機械的強度に優れ、さらに熱膨張係数等の
物性定数が略等しいものが望まれている。

（発明が解決しようとする課題）このように従来、チャネリング効果を利用したイオンビ
ーム露光用マスクでは単結晶シリコン膜が利用されてい
たが、単結晶シリコンのヤング率は大きな値ではなく、
機械的強度が劣るという欠点があった。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、ヤング率の大きな単結晶膜をイオン
ビームのチャネリング効果を利用したイオンビーム露光
用マスクに用いることができ、機械的強度及び照射損傷
耐性に優れたイオンビーム露光用マスクの製造方法を提
供することにある。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明の骨子は、イオンビーム透過支持膜として単結晶
炭化シリコン膜を用いることにより、イオンビーム露光
用マスクの機械的安定性を強化させることにある。

即ち本発明は、チャネリング効果を利用したイオンビー
ム露光用マスクの製造方法において、単結晶基板上にチ
ャネリング効果によりイオンビームを透過する単結晶炭
化珪素膜をエピタキシャル成長し、次いでこの炭化珪素
膜上にイオンビームを遮断する金属膜を選択的に形成す
るか、又は金属膜を全面に形成したのち該金属膜をパタ
ーニングして前記炭化珪素膜の一部を露出させ、しかる
のち前記単結晶基板をその周辺部をリング状に残して裏
面側からエツチング除去するようにした方法である。

（作　用）本発明によれば、Ｓｔ基板上にエピタキシャル成長した
単結晶炭化シリコン膜をイオンビームチャネリング効果
を利用したイオン透過支持膜として利用することにより
、炭化シリコン膜の大きなりレグ率から機械的強度に優
れたイオンビーム露光用マスクを形成することが可能と
なる。また、イオンビームを遮断する金属膜（イオン阻
止能の大きな重金属膜）として、タングステン等を用い
ることにより、炭化珪素膜と金属膜との物性定数（熱膨
張係数及びヤング率等）を略等しくすることができ、熱
的安定性の向上をはかることも可能となる。

（実施例）以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は本発明の一実施例に係わるイオンビーム露光用
マスクの製造工程を示す断面図である。

まず、第１図（ａ）に示す如く、面方位（１００）のＳ
ｉウェハ（単結晶基板）１０の表面及び裏面にＬＰＣＶ
Ｄ法により、炭化珪素膜（ＳｉＣ膜）のエピタキシャル
成長膜１１を厚さ１μｍ形成した。

ここで、ＳｉＣの形成には誘導加熱式の減圧ＣＶＤ装置
を用い、ウェハとしては２インチ径のＳｉウェハを用い
た。成長にはＳｉ原料にトリクロロシラン（Ｓ　１Ｈｃ
Ｎ　３　）、Ｃ原料にプロパンＣＣｓ　Ｈ，ａ　）　、
キャリアに水素（Ｈ２）の各ガスを用いた。また、応力
を制御するために、成長時のガス圧、ガス流量比の制御
が可能である。サセプタにはＳｉＣを２００μｍの厚さ
に被覆したグラファイトのサセプタを用い、誘導加熱さ
れたサセプタからの熱伝導で基板の加熱を行った。基板
の温度はパイロメータにて測定した。そして、以下のよ
うにしてＳｉＣの成長を行った。

まず、ＳｉＣの成長を行う前に、１０６０℃にてＨＣＩ
のガスによるＳｉウェハの洗浄を行い、Ｓｔウェハ上に
存在する自然酸化膜の除去を行った。その後、９００℃
にて薄い非晶質上の薄いＳｉＣ膜の形成を行い、さらに
１１００℃にて長時間の熱処理を行った。この薄い膜は
β−５ｔＣとＳｉ間に存在する２０％の格子定数不整合
を緩和することが可能である。その後、１３６０℃にて
ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長を行った。成長したＳｉ
Ｃ膜の応力は５ｉＨＣΩ３／Ｃ３Ｈ８のガス流量比及び
ガス圧によって大きく変化する。

成長したＳｉＣ膜の応力の最適化を行ったところ、１３
６０℃、　２００Ｐａで応力３　Ｘ　１０９ｄｙｎ／ｃ
ａ＋２の引張り応力を持つＳｉＣ膜の成長が可能であっ
た。

成長したＳｉＣ膜を、Ｘ線回折１及射型高速電子回折、
透過電子顕微鏡により結晶性の評価を行った。その結果
、上記引張り応力を示すＳｉＣ膜はβ−５ｉＣ単結晶膜
であることが判明した。このようにして、上記特性を持
つβ−３ｉＣ膜１１をＳｉウェハ１０の表裏面に１μｍ
堆積した。

次いで、第１図（ｂ）に示す如く、通常のりソゲラフイ
エ程により、裏面に堆積したＳＩＣ膜１１の上にレジス
トを塗布し、中心部を開口したレジストパターン１２を
形成した。その後、第１図（Ｃ）に示す如く、開口した
レジストパターン１２をマスクとして、ＳＦ６を用いた
反応性イオ゛ンエッチングによりＳｉＣ膜１１のパター
ニングを行った。

次いで、第１図（ｄ）に示す如く、スパッタリング法に
よりタングステン（Ｗ）膜１３（膜厚０．５μｍ）の形
成を行った。このスパッタリングには、マグネトロン式
直流スパッタリング装置を用い、ＷターゲットをＡ「ガ
スにてスパッタすることにより表面側のＳｉＣ膜１膜上
１上膜１３を堆積した。Ｗ膜１３の応力はスパッタリン
グパワー及びＡｒガス圧を変化させることにより変化し
た。本実験では、Ａｒガス圧５　ｎ＋Ｔｏｒｒ、パワー
３ｋＷにてＷ膜１３の応力が圧縮応力で２　Ｘ　１０８
ｄｙｎ／ｃｍ２以下になることが判明した。

次いで、第１図（ｅ）に示す如く、Ｗ膜１３の微細パタ
ーニングを行うために、５ｉｎ２膜１４（厚さ　０．５
ｐ　ｍ　）及びＰＭＭＡ膜１５膜厚５１μｍ）をＷ膜１
３上に形成した。ＳｉＯ２膜１４は高周波スパッタリン
グ装置にてＳｉＯ２ターゲットをＡｒガスによりスパッ
タして形成した。このときのＳｉＯ２膜１４の膜応力は
引張り応力でＩ　Ｘ　１０８ｄｙｎ／ｃｍ２以下であっ
た。ＰＭＭＡ膜１５膜厚５のスピンコード方式により塗
布し、１８０℃。

１ｈのベーキングを行った。

次いで、ＰＭＭＡ膜１５膜厚５線描画装置にて描画し、
最小線幅０．２μｍのラインアンドスペースの微細パタ
ーンの開口を行い、該微細なパターンのＰＭＭＡ膜１５
膜厚５クとしてＣＦ　ａ　／　Ｈ２ガスによる反応性イ
オンエツチングにより５ｉｎ２膜１４をエツチングし、
この５ｉｎ２膜１４をマスクとしてＳＦ６／Ｈ２ガスに
よる反応性イオンエツチングによりＷ膜１３の微細パタ
ーン開口を行った。その結果、第１図（ｆ’）に示す如
＜、０．２μｍのラインアンドスペースのパターンをＷ
膜１３に形成することができた。

最後に、第１図（ｆ）に示す如く、裏面よりＳｉウェハ
１０をエツチング除去し、ウェハ１０をリング状に残し
て支持枠とした。これにより、Ｗ膜１３をイオン阻止能
パターンとし、単結晶ＳｉＣ膜１１をイオン透過支持膜
として用いたイオンビーム露光用マスクが完成すること
になる。

かくして作成されたイオンビーム露光用マスクは、イオ
ンを透過する支持膜がヤング率の大きな単結晶ＳｉＣ膜
で形成されているため、チャネリング効果によりイオン
ビーム露光による効率の良い転写が可能である。また、
Ｓ、ｉＣのヤング率が大きいために機械的強度が大きく
安定性に優れている。さらに、イオンビーム阻止能の大
きい重金属として微細なＷパターンを用いている。Ｗと
ＳｉＣの物性係数（ヤング率、熱膨脹係数）は極めて近
く、これらの物性によりＷの微細パターン形成時に発生
する熱等によるプロセス工程上発生する変動に対して安
定であり、微細なＷパターンの形成が可能であった。実
際、プロセス工程を通じてのＷパターンの位置ずれは±
０．０２μｍ程度であった。

本発明者等の実験によれば、作成したマスクの透過物性
をＨ＋ビームを用いて調べたところ、Ｈ＋ビーム２５０
ＫｅＶに対してβ−３ｉＣ膜の結晶軸に入射方向が平行
の場合、ビームの広がり角は０．７°であった。また、
このマスクを用い、イオンビーム５０ＫｅＶ　、平行入
射にて、ＰＭＭＡ　（膜厚０．５μｍ）にマスクとウェ
ハとの間隔１５μｍでイオンビーム露光を行った。ドー
ズｉｎｋ　２　Ｘ　１Ｏ−６Ｃ／ｃｉ２の照射にてメチ
ルイソブチルケトン液により現像したところ、ＰＭＭＡ
に０，２μｍのラインアンドスペースが形成されたのを
確認した。また、該イオンビーム露光用マスクにＨ＋イ
オン５０ＫｅＶにて照射し、照射損傷の評価を行った。

この結果、ＰＭＭＡ露光回数２万回に相当する照射量に
対しても照射損傷は認められず、チャネリング効果も変
化しないことを確認した。

第２図は本発明の他の実施例方法を説明するための工程
断面図である。なお、第１図と同一部分には同一符号を
付して、その詳しい説明は省略する。この実施例が先に
説明した実施例と異なる点は、重金属膜としてのＷ膜の
形成方法にある。即ち、本実施例ではりフトオフ法によ
り、Ｗのパタニング形成を行った。

前記第１図（ｅ）に示す工程の後、第２図（ａ）に示す
如く、形成すべきＷパターンと逆パターンにレジストパ
ターン２５を形成する。次いで、第２図（ｂ）に示す如
く、Ｗ膜２３をスパッタリング法等により形成する。次
いで、第２図（ｃ）に示す如く、レジストパターン２５
を除去することによりレジストのない部分のみにＷ膜２
３が残ることになり、Ｗのパターンが形成される。また
、第２図（ｂ）に示す工程において、ＷＦ６ガス等を用
いたＷ（７）選択ＣＶＤ法を用い、Ｗ膜２３をＳｉＣ膜
１１の露出した部分のみに選択的に形成してもよい。こ
れ以降は、先の実施例と同様である。

このような方法であっても、イオン透過支持膜としての
単結晶ＳｉＣ膜１膜上１上オン阻止能の大きい重金属膜
とし、てのＷ膜２３のパターンを形成することができ、
先の実施例と同様の効果が得られる。また、Ｗ膜２３の
パターニングのためのエツチング工程が不要になる利点
もある。

なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記単結晶ＳｉＣを成長させる際に用い
るガスはトリクロロシラン及びプロパンに限るものでは
なく、Ｓｉ及びＣを含有するハロゲン化物或いは水素化
物であればよい。さらに、ＳｉＣ膜の引張り応力を制御
するために種々の不純物、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｂ、Ａ
ｌ１等をＳｉＣ中にドーピングすることも可能である。

また、イオン阻止能の大きな重金属膜としてＷ膜をスパ
ッタリング法により形成したが、熱的ＣＶＤ法及び光、
プラズマＣＶＤ法により形成することも可能である。さ
らに、Ｓｉウェハの代わりには、ＳｉＣがエピタキシャ
ル成長するものであればよく、サファイア、その他の単
結晶基板を用いることができる。

また、実施例ではＳｉウェハ上にＷのパターンを形成し
た後にＳｉウェハのバックエツチングする例を述べたが
、初めにバックエツチングしたＳｉリング上のＳｉＣ膜
上にＷ膜を形成するようにしてもよい。さらに、各部の
膜厚等の条件は、仕様に応じて適宜変更可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。

［発明の効果］以上詳述したように本発明によれば、イオンビーム透過
支持膜として単結晶炭化シリコン膜を用いることにより
、チャネリング効果を利用したイオンビーム露光用マス
クの機械的強度の増大及びイオンビーム照射損傷耐性を
著しく増大せしめることが可能である。また、このイオ
ンビーム透過支持膜とイオン阻止能の大きい重金属膜と
してＷ膜を選択することにより、両者の物性定数（熱膨
張係数、ヤング率）を略等しくしており、プロセス工程
中に発生する熱変動等により生じる微細パターンの位置
ずれ及び応力の変化等を極めて低減することが可能であ
る。従って、強度が大きく安定でしかも高精度のイオン
ビーム露光用マスクが製造可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係わるイオンビーム露光用
マスクの製造工程を示す断面図、第２図は本発明の他の
実施例を説明するための工程断面図、第３図は従来のイ
オンビーム露光用マスク製造工程を示す断面図である。１０・・・単結晶Ｓｉウェハ（単結晶基板）１１・・・
単結晶ＳｉＣ膜、１２，１５．２５・・・レジストパタ
ーン、１３．２３・・・Ｗ膜（重金属膜）、１４・・・
５ｉ０２膜。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims

【特許請求の範囲】

（１）単結晶基板上にチャネリング効果によりイオンビ
ームを透過する単結晶炭化珪素膜をエピタキシャル成長
する工程と、前記炭化珪素膜上にイオンビームを遮断す
る金属膜を形成する工程と、前記金属膜をパターニング
して前記炭化珪素膜の一部を露出させる工程と、前記単
結晶基板をその周辺部をリング状に残して裏面側からエ
ッチング除去する工程とを含むことを特徴とするイオン
ビーム露光用マスクの製造方法。
（２）単結晶基板上にチャネリング効果によりイオンビ
ームを透過する単結晶炭化珪素膜をエピタキシャル成長
する工程と、前記炭化珪素膜上にイオンビームを遮断す
る金属膜を選択的に形成する工程と、前記単結晶基板を
その周辺部をリング状に残して裏面側からエッチング除
去する工程とを含むことを特徴とするイオンビーム露光
用マスクの製造方法。
（３）前記単結晶基板として、シリコン又はサファイア
を用いたことを特徴とする請求項１又は２記載のイオン
ビーム露光用マスクの製造方法。
（４）前記炭化珪素膜に、不純物としてＮ、Ｐ、Ａｓ、
Ｂ又はＡｌをドーピングして該膜の引張り応力を制御し
たことを特徴とする請求項１又は２記載のイオンビーム
露光用マスクの製造方法。
（５）前記金属膜として、タングステンを用いたことを
特徴とする請求項１、２又は４記載のイオンビーム露光
用マスクの製造方法。