JPH04184847A - Partial pressure resistance element for installation in electron tube - Google Patents

Partial pressure resistance element for installation in electron tube

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JPH04184847A
JPH04184847A JP31476590A JP31476590A JPH04184847A JP H04184847 A JPH04184847 A JP H04184847A JP 31476590 A JP31476590 A JP 31476590A JP 31476590 A JP31476590 A JP 31476590A JP H04184847 A JPH04184847 A JP H04184847A
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JP
Japan
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layer
resistance
electrode
insulating coating
resistance value
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Application number
JP31476590A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Hayakawa
義則 早川
Toshiharu Higuchi
敏春 樋口
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent variation in the resistance value of a resistance layer by forming a barrier layer of metal oxide through hydrolysis of an organic metal compound layer including metal alkoxide, and locating this barrier layer between the resistance layer and an insulative covering layer. CONSTITUTION:Terminal parts 7, etc., are provided on an insulated base board 15 made of ceramic, and each terminal part 7 is composed of an electrode layer 16 and an extraction electrode 17. Between these terminal parts a resistance layer 19 is formed, which is obtained by printing, drying, and baking a resistance material consisting of glass yarn and RuO2 having a certain specified resistance value. In such a way as enclosing this resistance layer 19 an insulative covering layer 20 is formed, and a barrier layer 21 is provided between these layers 19, 20. This barrier layer 21 is to prevent the Pb contained in the layer 20 from eluding into the layer 19 and consists of metal oxide which is formed through hydrolysis of an organic metal compound layer such as metal alkoxide. Thereby change in the resistance value due to elusion of Pb component can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、カラーブラウン管等の電子管内に組み込ま
れる電子管内蔵用分圧抵抗素子に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a voltage dividing resistor element built into an electron tube such as a color cathode ray tube.

(従来の技術) 従来、電子管例えばカラーテレビジョン受像機に用いら
れるカラーブラウン管において、陽極電圧以外にコンバ
ージェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧
が必要とされるものがある。
(Prior Art) Conventionally, some electron tubes, such as color cathode ray tubes used in color television receivers, require a high voltage to be supplied to convergence electrodes, focus electrodes, etc. in addition to the anode voltage.

このような場合、カラーブラウン管のステム部より高電
圧を供給すると、耐電圧の面から問題が生じるので、カ
ラーブラウン管内に電子銃と共に分圧用の抵抗器を電子
管内蔵用分圧抵抗素子として組み込み、これによって陽
極電圧を分圧して、それぞれの電極に高電圧を供給しよ
うとする方式が提案されている。
In such a case, if a high voltage is supplied from the stem of the color cathode ray tube, a problem will arise in terms of withstand voltage, so a voltage dividing resistor is built into the color cathode ray tube together with the electron gun as a voltage dividing resistor element for the built-in electron tube. A method has been proposed in which the anode voltage is divided into parts to supply a high voltage to each electrode.

この種の分圧抵抗素子が組み込まれたカラーブラウン管
(但し電子銃付近)の−例を第2図に示す。図中の符号
1は管本体であり、この管本体1のネック部りa内に電
子銃構体2が配置されており、この電子銃構体2には3
個のカソードKに対し、共通に第1グリツド電極G1、
第2グリツド電極G2、第3グリツド電極G3、第4グ
リツド電極G4、第5グリツド電極G5、第6グリツド
電極G6、第7グリツド電極G7、第8グリツド電極G
8が順次同軸上に配置され、第8グリッド電極G8の後
段にはコンバージェンス電極3が配置されている。各グ
リッド電極G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7
及びG8は、相互に所定の位置関係を維持して、ビード
ガラス4によって機械的に保持されている。又、第3グ
リツド電極G3と第5グリツド電極G5とは、導線5に
より電気的に接続されており、更に、コンバージェンス
電極3は、第8グリツド電極G8と溶接により電気的に
接続されている。
An example of a color cathode ray tube (near the electron gun) incorporating this type of voltage dividing resistor element is shown in FIG. Reference numeral 1 in the figure is a tube body, and an electron gun structure 2 is disposed within the neck portion a of this tube body 1.
For each cathode K, the first grid electrode G1,
Second grid electrode G2, third grid electrode G3, fourth grid electrode G4, fifth grid electrode G5, sixth grid electrode G6, seventh grid electrode G7, eighth grid electrode G
8 are sequentially arranged on the same axis, and the convergence electrode 3 is arranged after the eighth grid electrode G8. Each grid electrode G1, G2, G3, G4, G5, G6, G7
and G8 are mechanically held by the bead glass 4 while maintaining a predetermined positional relationship with each other. Further, the third grid electrode G3 and the fifth grid electrode G5 are electrically connected by a conducting wire 5, and furthermore, the convergence electrode 3 is electrically connected to the eighth grid electrode G8 by welding.

このような電子銃構体2に対して、分圧抵抗素子6が取
り付けられており、この分圧抵抗素子6には複数の端子
部7.8.9.10.11が設けられている。そして、
端子部8.9.10の各高圧の引き出し電極が第5グリ
ツド電極G5、第6グリツド電極G6、第7グリツド電
極G7に接続されている。又、端子部11の引き出し電
極がコンバージェンス電極3と接続され、更にアース側
の端子部7の引き出し電極がステム部ICに埋設された
アース電極ピン12に接続されている。
A voltage dividing resistor element 6 is attached to such an electron gun assembly 2, and the voltage dividing resistor element 6 is provided with a plurality of terminal portions 7,8,9,10,11. and,
Each high-voltage lead-out electrode of the terminal section 8.9.10 is connected to the fifth grid electrode G5, the sixth grid electrode G6, and the seventh grid electrode G7. Further, the lead electrode of the terminal portion 11 is connected to the convergence electrode 3, and the lead electrode of the terminal portion 7 on the ground side is connected to the ground electrode pin 12 embedded in the stem portion IC.

一方、管本体1のファンネル部1bの内壁には、ネック
部1aの内壁まで延びるグラファイト導電膜13が被着
されており、ファンネル部1bに設けられた高電圧供給
ボタン(陽極ボタンで図中では示していない)を通じて
陽極電圧が供給される。
On the other hand, a graphite conductive film 13 is attached to the inner wall of the funnel part 1b of the tube body 1, and extends to the inner wall of the neck part 1a. (not shown).

そして、コンバージェンス電極3には、導電スプリング
14が設けられており、この導電スプリング14がグラ
ファイト導電膜13と接触することにより、コンバージ
ェンス電極3、第8グリツド電極G8及び分圧抵抗素子
6の端子部11に陽極電圧が供給され、高圧の端子部8
.9.10に発生する分圧電圧が第7グリ・ソド電極G
7、第6グリツド電極G6、第5グリツド電極G5に供
給される。
The convergence electrode 3 is provided with a conductive spring 14, and when the conductive spring 14 comes into contact with the graphite conductive film 13, the terminal portions of the convergence electrode 3, the eighth grid electrode G8, and the voltage dividing resistor element 6 are connected. 11 is supplied with an anode voltage, and the high voltage terminal section 8
.. 9. The divided voltage generated at 10 is the seventh grid electrode G.
7, supplied to the sixth grid electrode G6 and the fifth grid electrode G5.

このようなカラーブラウン管に内蔵される分圧抵抗素子
6は、例えば第3図(a)、(b)、(c)に示すよう
に構成され、(a)は外表部を形成する絶縁被覆層上か
ら透視した状態の分圧抵抗素子6を示し、(b)はB−
B’線に沿って切断された断面図、(c)は部分拡大図
である。
The voltage dividing resistance element 6 built into such a color cathode ray tube is constructed as shown in FIGS. The voltage dividing resistor element 6 is shown as seen from above, and (b) is B-
A sectional view taken along line B', and (c) a partially enlarged view.

即ち、酸化アルミニウム等のセラミック製の絶縁基板1
5上には、既述のように複数の端子部7.8.9.10
.11が設けられている。そして、同図(c)に示すよ
うに、端子部7、は例えばRuO2とガラス系よりなる
電極材料を印刷、乾燥、焼成した電極層16と引き出し
電極17からなり、引き出し電極17は絶縁基板15を
貫通しているスルーホール18の上下からかしめられて
いる。尚、他の端子部8.9.10.11も同様に構成
されている。このような各端子部7.8.9.10.1
1間には、所定の抵抗値を有するRuO2とガラス系よ
りなる抵抗材料をジグザグパターンに印刷、乾燥、焼成
した抵抗層19が形成されている。更に、この抵抗層1
9を覆うように絶縁被覆層20が形成されている。
That is, an insulating substrate 1 made of ceramic such as aluminum oxide
5 has a plurality of terminal sections 7.8.9.10 as described above.
.. 11 are provided. As shown in FIG. 7(c), the terminal portion 7 consists of an electrode layer 16 and an extraction electrode 17, which are formed by printing, drying, and firing an electrode material made of, for example, RuO2 and glass, and the extraction electrode 17 is formed on an insulating substrate 15. The through hole 18 passing through is caulked from above and below. Note that the other terminal portions 8.9.10.11 are similarly configured. Each such terminal section 7.8.9.10.1
1, a resistive layer 19 is formed by printing, drying, and baking a resistive material made of RuO2 and glass having a predetermined resistance value in a zigzag pattern. Furthermore, this resistance layer 1
An insulating coating layer 20 is formed to cover 9.

このような電子管内蔵用分圧抵抗素子6に要求される条
件としては、 ■ カラーブラウン管の製造工程中の加熱工程や耐圧処
理工程で安定であること、 ■ 動作中に発生するジュール熱による抵抗値変化やガ
ス放出が少ないこと、 ■ 散乱電子が当たった時、2次電子放出源にならない
こと、 ■ 電子銃の電界分布を乱し、放電したり、電子の軌道
をずらしたりしないこと、等が挙げられる。
The conditions required for such a voltage dividing resistor element 6 for built-in electron tubes are: ■ It must be stable during the heating process and pressure resistance treatment process during the manufacturing process of color cathode ray tubes; ■ It must have a resistance value due to Joule heat generated during operation. ■ It does not become a secondary electron emission source when it is hit by scattered electrons; ■ It does not disturb the electric field distribution of the electron gun, causing discharge or shifting the trajectory of the electrons. Can be mentioned.

(発明が解決しようとする課題) ところで、従来の分圧抵抗素子6をカラーブラウン管に
内蔵し、高電圧下で長時間に亘り使用すると、絶縁被覆
層20中の鉛成分が抵抗層19中へ溶出し、抵抗層19
の抵抗値の変化が起こり、分圧抵抗素子の特性として重
要な分割比の変動が発生するという欠点がある。
(Problem to be Solved by the Invention) By the way, when the conventional voltage dividing resistor element 6 is built into a color cathode ray tube and used under high voltage for a long time, the lead component in the insulating coating layer 20 enters the resistive layer 19. Elution, resistance layer 19
This has the disadvantage that a change in resistance value occurs, and a change in the division ratio, which is an important characteristic of a voltage dividing resistor element, occurs.

この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、絶縁被覆
層中の鉛成分の抵抗層中への溶出を防止し、高電圧下に
おける長時間の使用に対しても、分割比の変動が極めて
少ない電子管内蔵用分圧抵抗素子を提供することを目的
とする。
This invention was made in view of the above circumstances, and prevents the lead component in the insulating coating layer from leaching into the resistance layer, and prevents fluctuations in the division ratio even when used for long periods of time under high voltage. It is an object of the present invention to provide a voltage dividing resistor element for incorporating a small number of electron tubes.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明は、セラミックス製の絶縁基板上にルテニウム
酸鉛を含み、硼硅酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層が形
成され、この抵抗層上に絶縁被覆層が形成されてなる電
子管内蔵用分圧抵抗素子1こおいて、抵抗層と絶縁被覆
層との間に、この絶縁被覆層中に含まれる鉛成分が抵抗
層中に溶出するのを防止するバリアー層が設けられ、且
つこのIくリアー層は金属アルコキシドを含む有機金属
化合物層の加水分解により形成された金属酸化物層であ
る電子管内蔵用分圧抵抗素子である。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention includes forming a resistance layer containing lead ruthenate and having lead borosilicate glass as a main component on an insulating substrate made of ceramics. In the partial voltage resistor element 1 for built-in electron tube, which has an insulating coating layer formed thereon, between the resistive layer and the insulating coating layer, the lead component contained in the insulating coating layer is eluted into the resistive layer. A barrier layer is provided to prevent this, and this rear layer is a metal oxide layer formed by hydrolysis of an organometallic compound layer containing a metal alkoxide, and is a partial voltage resistance element for use in an electron tube.

そして、金属アルコキシドは、 一般式:M(OR)x (式中、Mは金属を表わし、0は酸素を表わし、Rは1
価の炭化水素を表わし、XはMの価数を表わす)で示さ
れるものであり、MとしてはS t sAl、Su、T
a5Ti等が例示されるが、特にMがS 1SAlの場
合、バリアー層として効果が大きい。
The metal alkoxide has the general formula: M(OR)x (where M represents a metal, 0 represents oxygen, and R represents 1
X represents the valence of M), where M is S t sAl, Su, T
Examples include a5Ti, and particularly when M is S1SAl, it is highly effective as a barrier layer.

このような金属アルコキシドとしては、例えばトリエト
キシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、
テトラエトキシ硅素、テトラエトキシタンタル、テトラ
イソブロキチタン、テトラn−プロポキシチタン等やこ
れらの重合体又はこれらの混合物が挙げられる。
Examples of such metal alkoxides include triethoxyaluminum, triisopropoxyaluminum,
Examples include tetraethoxy silicon, tetraethoxy tantalum, tetraisobroquititanium, tetra-n-propoxytitanium, polymers thereof, and mixtures thereof.

(作用) この発明によれば、セラミックス製の絶縁基板上に形成
された抵抗層と、この抵抗層上に形成された絶縁被覆層
との間に、金属アルコキシドの加水分解で得られた、金
属酸化物層からなる鉛成分の溶出に対するバリアー層が
形成されているので、高電圧下における長期の使用にお
いても、絶縁被覆層中の鉛成分が抵抗層中へ溶出するこ
とがなく、この鉛成分の溶出による抵抗値の変化を防止
することが出来る。
(Function) According to the present invention, between the resistance layer formed on the ceramic insulating substrate and the insulating coating layer formed on this resistance layer, the metal Since a barrier layer consisting of an oxide layer is formed against the elution of lead components, the lead components in the insulating coating layer will not elute into the resistance layer even during long-term use under high voltage. It is possible to prevent changes in resistance value due to elution of .

この結果、信頼性の高い電子管内蔵用分圧抵抗素子を得
ることが出来る。
As a result, a highly reliable voltage dividing resistor element for built-in electron tube can be obtained.

(実施例) 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

この発明による電子管内蔵用分圧抵抗素子は、第1図(
a)、(b)、(c)に示すように構成され、(a)は
外表部を形成する絶縁被覆層上から透視した状態を示す
平面図、(b)はA−A’線に沿って切断された断面図
、(c)は部分拡大図である。
The voltage dividing resistor element for built-in electron tube according to the present invention is shown in FIG.
It is configured as shown in a), (b), and (c), where (a) is a plan view showing the state seen through from above the insulating coating layer forming the outer surface, and (b) is a plan view taken along the line A-A'. (c) is a partially enlarged view.

即ち、従来例(第3図)と同一箇所は同一符号を付すこ
とにすると、図中の符号15は酸化アルミニウム等のセ
ラミック製の絶縁基板であり、この絶縁基板15上には
、所定間隔で複数の端子部7.8.9.10.11が設
けられている。そして、同図(C)に示すように、端子
部7は例えばRuO2とガラス系よりなる電極材料を印
刷、乾燥、焼成した電極層16と引き出し電極17から
なり、引き出し電極17は絶縁基板15を貫通している
スルーホール18の上下からかしめられている。尚、他
の端子部8.9.10.11も同様に構成されている。
That is, the same parts as in the conventional example (Fig. 3) are designated by the same reference numerals. The reference numeral 15 in the figure is an insulating substrate made of ceramic such as aluminum oxide, and on this insulating substrate 15, there are A plurality of terminal portions 7.8.9.10.11 are provided. As shown in FIG. 2C, the terminal portion 7 is made up of an electrode layer 16 and an extraction electrode 17 made of printed, dried, and fired electrode materials made of, for example, RuO2 and glass. The penetrating through hole 18 is caulked from above and below. Note that the other terminal portions 8.9.10.11 are similarly configured.

このような各端子部7.8.9.10.11間には、所
定の抵抗値を有するRuO2とガラス系よりなる抵抗材
料をジグザグパターンに印刷、乾燥、焼成した抵抗層1
9が形成されている。更に、この抵抗層19を覆うよう
に絶縁被覆層20が形成されているが、この発明では、
抵抗層19と絶縁被覆層20との間にバリアー層21が
設けられている。このバリアー層21は絶縁被覆層20
中に含まれる鉛成分が抵抗層19中に溶出するのを防止
するために設けたもので、金属アルコキシド等の有機金
属化合物層の加水分解により形成された金属酸化物層か
らなっている。
Between each terminal part 7.8.9.10.11, there is a resistive layer 1 in which a resistive material made of RuO2 and glass having a predetermined resistance value is printed in a zigzag pattern, dried, and fired.
9 is formed. Furthermore, an insulating coating layer 20 is formed to cover this resistance layer 19, but in this invention,
A barrier layer 21 is provided between the resistance layer 19 and the insulating coating layer 20. This barrier layer 21 is an insulating coating layer 20
This layer is provided to prevent the lead component contained therein from eluting into the resistance layer 19, and is made of a metal oxide layer formed by hydrolysis of an organic metal compound layer such as a metal alkoxide.

さて次に、この発明による電子管内蔵用分圧抵抗素子の
製造方法について、説明することにする。
Next, a method of manufacturing a voltage dividing resistor element for use in an electron tube according to the present invention will be explained.

先ず、絶縁基板15は純度96%以上の酸化アルミニウ
ムを主成分に他に酸化硅素、酸化マグネシウムを含み、
不純物として酸化ナトリウム、酸化カリウムを含んでい
るが、この絶縁基板15上にルテニウム酸鉛を含み硼硅
酸鉛ガラスを主成分とする電極層16を形成する。この
電極層16は、この後に取り付けられる金属製の引き出
し電極17との接触抵抗を低減させるために、硼硅酸鉛
ガラス中のルテニウム酸鉛の比率を大きくして抵抗値を
IOKΩ/口程度に調整された抵抗ペースト材料を使用
している。
First, the insulating substrate 15 mainly contains aluminum oxide with a purity of 96% or more, and also contains silicon oxide and magnesium oxide.
An electrode layer 16 containing lead ruthenate and having lead borosilicate glass as a main component is formed on the insulating substrate 15, which contains sodium oxide and potassium oxide as impurities. In order to reduce the contact resistance with the metal extraction electrode 17 that will be attached later, this electrode layer 16 is made by increasing the ratio of lead ruthenate in the lead borosilicate glass so that the resistance value is about IOKΩ/mouth. Using adjusted resistance paste material.

この抵抗ペースト材料を、スクリーン印刷法を用いて所
定のパターン形状に印刷する。その後、100〜120
℃の温度にて乾燥し、ペースト中に含まれている溶剤成
分を除去する。
This resistance paste material is printed in a predetermined pattern shape using a screen printing method. After that, 100-120
The paste is dried at a temperature of °C to remove the solvent components contained in the paste.

次いで、絶縁基板15上に、ルテニウム酸鉛を含み硼硅
酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層19を形成する。この
抵抗層19は、抵抗器として約2〜3GΩの抵抗値を得
るために、硼硅酸鉛ガラス中のルテニウム酸鉛の比率を
小さくして、1〜10MΩ/口程度に調整された抵抗ペ
ースト材料を使用している。
Next, a resistance layer 19 containing lead ruthenate and having lead borosilicate glass as a main component is formed on the insulating substrate 15. This resistive layer 19 is made of a resistive paste made of a resistive paste adjusted to about 1 to 10 MΩ/hole by reducing the ratio of lead ruthenate in lead borosilicate glass to obtain a resistance value of about 2 to 3 GΩ as a resistor. materials used.

この抵抗ペースト材料を、スクリーン印刷法を用いて所
定のパターン形状に印刷する。その後、100〜120
℃の温度にて乾燥し、ペースト中に含まれている溶剤成
分を除去する。
This resistance paste material is printed in a predetermined pattern shape using a screen printing method. After that, 100-120
The paste is dried at a temperature of °C to remove the solvent components contained in the paste.

次いで、上記のの電極層16、抵抗層19を800〜9
00℃、より好ましい温度範囲としては840〜860
℃にて、大気中で約5〜15分間、より好ましい時間範
囲としては8〜10分間加熱し、焼成する。
Next, the above electrode layer 16 and resistance layer 19 were
00℃, a more preferable temperature range is 840-860℃
C. in the air for about 5 to 15 minutes, more preferably 8 to 10 minutes.

次いで、形成された抵抗層19の抵抗値を測定し、分割
比率が所定の範囲内に入っていないときは、トリミング
工程により所定の分割比率となるように調整する。
Next, the resistance value of the formed resistance layer 19 is measured, and if the division ratio is not within a predetermined range, the division ratio is adjusted to a predetermined division ratio by a trimming process.

次いで、この抵抗層19を覆うように、抵抗層19上に
金属アルコキシドの加水分解により得られた5in2や
AI! 20.からなるバリアー層21を形成する。
Next, 5in2 or AI! obtained by hydrolysis of metal alkoxide is placed on the resistance layer 19 so as to cover the resistance layer 19. 20. A barrier layer 21 consisting of the following is formed.

このバリアー層21の形成方法として、例えば金属アル
コキシドとして、 Al (0−isociHs)4や S l  (OC2H5) a     ・・・(1)
を含有する溶液(この金属アルコキシド溶液はモノマー
だけでなく重合度の異なるポリマーを含有していても良
い)に、絶縁基板15を浸漬し、−定速度で引上げ、大
気中で100〜6oo℃、例えば150℃×10分+4
00@CX30分間、加熱処理し、焼成する。
As a method for forming this barrier layer 21, for example, as a metal alkoxide, Al (0-isociHs)4 or S l (OC2H5) a ... (1)
The insulating substrate 15 is immersed in a solution containing (this metal alkoxide solution may contain not only monomers but also polymers with different degrees of polymerization), pulled up at a constant speed, and heated at 100 to 60°C in the atmosphere. For example, 150℃ x 10 minutes + 4
00@CX Heat treatment and baking for 30 minutes.

この際の、金属酸化物層形成の反応は、次のように考え
られる。
The reaction for forming the metal oxide layer at this time is considered as follows.

金属アルコキシドを含有するコーティング溶液中に、絶
縁基板15を浸漬し、引上げる際に雰囲気中のH2Oに
より下記の(2)式で示されるような加水分解反応並び
に(3)式で示されるような重合反応が複合して絡み合
って進行し、引上げ終了時には一〇H基を有する被膜が
基体表面に形成され、同時にアルコールが生成される。
The insulating substrate 15 is immersed in a coating solution containing a metal alkoxide, and when pulled up, H2O in the atmosphere causes a hydrolysis reaction as shown in equation (2) below and as shown in equation (3). The polymerization reactions proceed in a complex and intertwined manner, and at the end of the pulling process, a film containing 10H groups is formed on the surface of the substrate, and at the same time, alcohol is produced.

これを100〜600℃に加熱することにより、生成し
たアルコール及び−OH基を分解揮散させ、強固な金属
酸化物層が形成される。
By heating this to 100 to 600°C, the generated alcohol and -OH groups are decomposed and volatilized, forming a strong metal oxide layer.

尚、形成する金属酸化物層の厚さは、金属アルコキシド
溶液の粘度、モノマーとポリマーの混合比、添加剤の有
無、引上げ速度等を調整することにより、コントロール
することが可能である。
The thickness of the metal oxide layer to be formed can be controlled by adjusting the viscosity of the metal alkoxide solution, the mixing ratio of monomer and polymer, the presence or absence of additives, the pulling rate, etc.

次いで、金属酸化物層つまりバリアー層21上に、硼硅
酸鉛ガラスを主成分とする絶縁被覆層20を形成する。
Next, an insulating coating layer 20 containing lead borosilicate glass as a main component is formed on the metal oxide layer, that is, the barrier layer 21 .

この絶縁被覆層20は、カラーブラウン管内で高電圧下
で使用されるため、耐電圧性に優れたものでなければな
らない。又、絶縁被覆層20の耐電圧性を増すために、
焼成後の膜厚を200〜400μm程度としている。
Since this insulating coating layer 20 is used under high voltage in a color cathode ray tube, it must have excellent voltage resistance. Moreover, in order to increase the voltage resistance of the insulating coating layer 20,
The film thickness after firing is approximately 200 to 400 μm.

上記の絶縁被覆材料はペースト状に調整されており、こ
れをスクリーン印刷法にて所定のパターン形状に印刷す
る。その後、100〜200℃の温度にて乾燥し、ペー
スト中に含まれている溶剤成分を除去する。
The above-mentioned insulating coating material is prepared in the form of a paste, which is printed in a predetermined pattern shape using a screen printing method. Thereafter, the paste is dried at a temperature of 100 to 200°C to remove the solvent component contained in the paste.

次いで、この絶縁被覆層20を500〜700℃、より
好ましい温度範囲としては570〜630℃にて、大気
中で約5〜15分間、より好ましい時間範囲としては8
〜10分間加熱し′、焼成する。
Next, this insulating coating layer 20 is heated in the air at a temperature of 500 to 700°C, more preferably 570 to 630°C, for about 5 to 15 minutes, more preferably 80 minutes.
Heat for ~10 minutes and bake.

次いで、電極層16の中心に位置する、絶縁基板15の
スルーホール18に金属製の引き出し電極17をかしめ
により固着し、電極層16と電気的な導通を図っている
。この際、十分なかしめを行なうことにより、引き出し
電極17はバリアー層21を貫通し、電極層16に固着
され、十分な導通が得られている。尚、これらは、各端
子部7.8.9.10.11について、行なわれる。
Next, a metal extraction electrode 17 is fixed by caulking to the through hole 18 of the insulating substrate 15 located at the center of the electrode layer 16 to establish electrical continuity with the electrode layer 16. At this time, by sufficiently caulking, the extraction electrode 17 penetrates the barrier layer 21 and is fixed to the electrode layer 16, thereby obtaining sufficient conduction. Note that these steps are performed for each terminal portion 7.8.9.10.11.

さて、こうして得られたこの発明の分圧抵抗素子と従来
の分圧抵抗素子を全抵抗値が約30Ω程度となるように
し、lX10−’〜lX10−’Torrの真空中で、
コンバーゼンス電極3に接続する抵抗部へ(分割比率は
40%)とアース端子に接続する抵抗部間へDC50K
Vの電圧を印加し、10〜30時間動作させた。
Now, the voltage dividing resistor element of the present invention and the conventional voltage dividing resistor element obtained in this way are made to have a total resistance value of about 30Ω, and in a vacuum of lX10-' to lX10-' Torr,
DC50K to the resistor connected to convergence electrode 3 (split ratio is 40%) and between the resistor connected to the ground terminal
A voltage of V was applied and the device was operated for 10 to 30 hours.

従来の分圧抵抗素子においては、早いもので10時間か
ら抵抗値が変化し、20時間以上では、急激に抵抗値が
減少した。しかし、この発明の分圧抵抗素子においては
、30時間印加後も抵抗値の変化は殆どない。
In the conventional voltage dividing resistor element, the resistance value changed as early as 10 hours, and the resistance value rapidly decreased after 20 hours. However, in the voltage dividing resistive element of the present invention, there is almost no change in resistance value even after 30 hours of application.

又、終了後、この発明の分圧抵抗素子の断面をEPMA
により調査したところ、絶縁被覆層20から抵抗層19
への鉛成分の移動は認められなかった。
Also, after finishing, the cross section of the voltage dividing resistor element of this invention was subjected to EPMA
As a result of investigation, it was found that from the insulating coating layer 20 to the resistive layer 19
No migration of lead components was observed.

[発明の効果] この発明によれば、バリアー層により絶縁被覆層中の鉛
成分が抵抗層へ溶出することが防止されるので、抵抗層
の抵抗値の変動を未然に防止することが出来る。このた
め、抵抗値の変化による分割比率の変動の少ない、寿命
特性に優れた電子管内蔵用分圧抵抗素子を提供すること
が出来る。
[Effects of the Invention] According to the present invention, since the barrier layer prevents the lead component in the insulating coating layer from leaching into the resistance layer, it is possible to prevent fluctuations in the resistance value of the resistance layer. Therefore, it is possible to provide a voltage dividing resistor element for use in an electron tube with excellent lifetime characteristics and less variation in division ratio due to changes in resistance value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、(b)、(c)はこの発明の一実施例に
係る電子管内蔵用分圧抵抗素子を示し、(a)は外表部
を形成する絶縁被覆層上から透視した状態を示す平面図
、(b)はA−A’線に沿って切断された断面図、(c
)は部分拡大図、第2図は一般的なカラーブラウン管の
要部(電子銃構体付近)を示・す断面図、第3図(a)
、(b)、(C)は従来の電子管内蔵用分圧抵抗素子を
示し、(a)は外表部を形成する絶縁被覆層上から透視
した状態を示す平面図、(b)はB−B’線に沿って切
断された断面図、(c)は部分拡大図である。 15・・・絶縁基板、19・・・抵抗層、20・・・絶
縁被覆層、21・・・バリアー層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
FIGS. 1(a), (b), and (c) show a partial voltage resistance element for built-in electron tube according to an embodiment of the present invention, and (a) shows a state seen through from above the insulating coating layer forming the outer surface. (b) is a cross-sectional view taken along the line A-A', (c
) is a partially enlarged view, Figure 2 is a sectional view showing the main parts of a general color cathode ray tube (near the electron gun structure), and Figure 3 (a)
, (b), and (C) show a conventional voltage dividing resistor element for built-in electron tubes, (a) is a plan view showing a state seen through from above the insulating coating layer forming the outer surface, and (b) is a plan view showing the state seen through from above the insulating coating layer forming the outer surface. A cross-sectional view taken along the line ', and (c) a partially enlarged view. 15... Insulating substrate, 19... Resistance layer, 20... Insulating coating layer, 21... Barrier layer. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] セラミックス製の絶縁基板上にルテニウム酸鉛を含み、
硼硅酸鉛ガラスを主成分とする抵抗層が形成され、この
抵抗層上に絶縁被覆層が形成されてなる電子管内蔵用分
圧抵抗素子において、上記抵抗層と上記絶縁被覆層との
間にバリアー層が設けられ、且つこのバリアー層は金属
アルコキシドを含む有機金属化合物層の加水分解により
形成された金属酸化物層であることを特徴とする電子管
内蔵用分圧抵抗素子。
Contains lead ruthenate on a ceramic insulating substrate,
In a partial voltage resistance element for built-in electron tubes, in which a resistance layer mainly composed of lead borosilicate glass is formed, and an insulating coating layer is formed on this resistance layer, there is a resistance layer between the resistance layer and the insulating coating layer. 1. A partial voltage resistance element for incorporating an electron tube, characterized in that a barrier layer is provided, and the barrier layer is a metal oxide layer formed by hydrolysis of an organometallic compound layer containing a metal alkoxide.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2004057641A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistor for electron gun structure, electron gun structure and cathode ray tube

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004057641A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistor for electron gun structure, electron gun structure and cathode ray tube
US6917151B2 (en) 2002-12-20 2005-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistor for electron gun assembly, electron gun assembly, and cathode-ray tube

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