JPH04181730A - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェハの処理技術、特に、ウェハのワックスレ
ス鏡面研磨に伴うエツチングむらを防止するために用い
て効果のある技術に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer processing technology, and particularly to a technology that is effective for preventing etching unevenness associated with waxless mirror polishing of wafers.
シリコンウェハの鏡面研磨におけるウェハ保持技術には
、大別すると三方式がある。すなわち、■研磨プレート
に直接ウェハをワックスによって貼り付けるワックス方
式、及び■プレートとウェハの間に保持パッド（例えば
、ポリウレタン樹脂の発泡体を板状にしたもの）の表面
張力によってウェハを保持するワックスレス方式がある
。Wafer holding techniques for mirror polishing silicon wafers can be broadly classified into three methods. These are: (1) a wax method in which the wafer is directly attached to the polishing plate with wax, and (2) a wax method in which the wafer is held by the surface tension of a holding pad (for example, a plate-shaped polyurethane resin foam) between the plate and the wafer. There is a response method.
上記２方式の内、ワックス方式は、直接プレートに貼り
付けるため、裏面がエツチングされず、保持精度が高い
ため、ウェハ平坦度の精度が優れている。Of the above two methods, the wax method is directly attached to the plate, so the back surface is not etched, and the holding accuracy is high, so the wafer flatness accuracy is excellent.
ところで、本発明者は、ワックスレス方式でウェハを保
持した場合のエツチングむらについて検討した。By the way, the present inventor studied etching unevenness when a wafer is held in a waxless manner.
以下は、本発明者によって検討された技術であり、その
概要は次の通りである。The following are the techniques studied by the present inventor, and the outline thereof is as follows.
すなわち、第４図に示すように、ウェハｌを底面に保持
するプレート２は、中心に軸を有し、この軸はトルカ−
アーム３及び軸受４に支持され、かつ上端には加圧シリ
ンダ５が取り付けられている。また、第５図に示すよう
に、ウェハ１はプレート２に貼着された保持パット６に
保持され、この保持バット６を囲繞するようにしてテン
プレート７かプレート２の底面に取り付けられている。That is, as shown in FIG.
It is supported by an arm 3 and a bearing 4, and a pressurizing cylinder 5 is attached to the upper end. Further, as shown in FIG. 5, the wafer 1 is held by a holding pad 6 attached to the plate 2, and a template 7 is attached to the bottom surface of the plate 2 so as to surround the holding pad 6.
保持パット６は、ウェハの平坦度を維持するために、ウ
ェハ１の外径より小さい値にされている。The holding pad 6 has a diameter smaller than the outer diameter of the wafer 1 in order to maintain the flatness of the wafer.
このテンプレート７は、第６図に示すように、ウェハの
外径相当の開口かバランスを考量して複数個か設けられ
、ウェハｌが研磨中にプレート２外へ飛び出すの防止し
ており、プレート２の底面に両面接着テープを用いて貼
着される。As shown in FIG. 6, this template 7 is provided with an opening corresponding to the outer diameter of the wafer, or with a plurality of openings in consideration of balance, to prevent the wafer l from jumping out of the plate 2 during polishing, and to prevent the wafer l from flying out of the plate 2 during polishing. It is attached to the bottom of 2 using double-sided adhesive tape.
また、ウェハＩを研磨するために、研磨クロス８が定盤
９上に貼り付けられている。定盤９上には、液状の研磨
材ＩＯか注がれる。Further, in order to polish the wafer I, a polishing cloth 8 is attached on a surface plate 9. A liquid abrasive material IO is poured onto the surface plate 9.
このような研磨装置にあって、ワックスレス研磨を行う
には、ウェハｌをセットしたプレート２をトルカ−アー
ム３によって定盤９上に位置決めし、さらに加圧シリン
ダ５によって定ｕ９方向へ加圧を行う。この操作に連動
して定盤９を回転させると共に、研磨材１０を供給する
。これにより、ウェハ１は研磨クロス８との摩擦および
アルカリ性の研磨材ｌＯのエツチング作用により、ウェ
ハ１の表面は鏡面状態に仕上げられる。In such a polishing apparatus, in order to perform waxless polishing, the plate 2 on which the wafer l is set is positioned on the surface plate 9 by the torquer arm 3, and then the pressure cylinder 5 applies pressure in the constant u9 direction. I do. In conjunction with this operation, the surface plate 9 is rotated and the abrasive material 10 is supplied. As a result, the surface of the wafer 1 is finished in a mirror-like state due to the friction between the wafer 1 and the polishing cloth 8 and the etching action of the alkaline abrasive lO.
この方式は、前記ワックス方式に比へ、量産性に優れる
特長かある。This method has the advantage of being superior in mass production compared to the wax method.
ところが、前記の如くワックスレス方式でウェハを保持
すると、第５図のように、保持バット６かウェハ用の開
口穴より小径で、かつウェハの保持が接着剤を用いずに
発泡ポリウレタンパッドの表面張力のみで保持している
ため、保持材とウェハの裏面の間に研磨材１１か侵入し
、裏面かエツチングされ、しかもウェハごとに異なる状
態で成されることが本発明者によって見出された。この
ため、顧客ニーズか裏面の外観状態を同一にすることを
要求している場合には、不良品扱いのウェハが増え、歩
留りを低下させることになる。However, when holding the wafer in the waxless method as described above, as shown in Fig. 5, the holding bat 6 has a smaller diameter than the opening hole for the wafer, and the wafer is held on the surface of the foamed polyurethane pad without using adhesive. The present inventor discovered that because the wafer is held only by tension, the abrasive material 11 enters between the holding material and the back surface of the wafer, and the back surface is etched, and the etching occurs in different conditions for each wafer. . Therefore, if the customer demands that the appearance state of the back side be the same, the number of wafers that are treated as defective increases and the yield decreases.
また、ウェハ平坦度を向上させようとして保持精度を上
げると、保持力か低下し、ウェハ裏面へ研磨剤か容易に
浸入し、上記の問題か更に促進される。Furthermore, if the holding accuracy is increased in an attempt to improve the wafer flatness, the holding force will decrease and the abrasive will easily penetrate into the back surface of the wafer, further exacerbating the above problem.
そこで、本発明の目的は、ワックスレスにしなからウェ
ハ裏面の外観不良の発生を防止することのできる技術を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a technique that can prevent appearance defects on the back surface of a wafer without using wax.
本発明の他の目的は、ウェハの保持精度を高め、ウェハ
の平坦度を向上させることのできる技術を提供すること
にある。Another object of the present invention is to provide a technique that can improve wafer holding accuracy and improve wafer flatness.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、プレートにウェハを保持して回転させながら
、ウェハ研磨面を研磨クロス及び研磨材を用いて研磨す
るウェハ処理方法であって、前記ウェハの裏面にホトレ
ジスト膜を施しておくことにより研磨処理を行うもので
ある。That is, this is a wafer processing method in which the wafer is held on a plate and rotated while the wafer polishing surface is polished using a polishing cloth and an abrasive material, and the polishing process is performed by applying a photoresist film to the back surface of the wafer. It is something to do.
上記した手段によれば、ウェハの裏面に予め施されたホ
トレジスト膜は、ウェハ裏側に研磨材か浸入しても、ウ
ェハ裏面をエツチングすることかない。したかって、裏
面エツチングむらに起因する製品の歩留り低下の改善か
可能になる。According to the above-mentioned means, the photoresist film previously applied to the back side of the wafer will not be etched even if an abrasive material penetrates into the back side of the wafer. Therefore, it becomes possible to improve the reduction in product yield caused by uneven etching on the back surface.
以下、本発明によるウェハ処理方法を図面に基づいて説
明する。Hereinafter, a wafer processing method according to the present invention will be explained based on the drawings.
〔実施例１〕
第１図は本発明方法を適用するに好適な研磨装置を示す
断面図である。[Example 1] FIG. 1 is a sectional view showing a polishing apparatus suitable for applying the method of the present invention.
ウェハｌの裏面（保持バッド６に装着される面）には、
ホトレジスト膜１２が形成されている。On the back side of the wafer l (the side attached to the holding pad 6),
A photoresist film 12 is formed.
このホトレジストＲＩ２は、研磨材１０にアルカリ性の
ものを用いた場合、これに合わせて耐アルカリ性の材料
を用いる。For this photoresist RI2, when an alkaline material is used as the abrasive material 10, an alkali-resistant material is used accordingly.
ホトレジスト膜１２は、ウェハ１の裏面のエツチング面
を、研磨材１０から保護することかでき、ウェハ裏面は
研磨材１０によってエツチングされることが無い。した
がって、エツチングむらを生しさせることがない。The photoresist film 12 can protect the etched surface of the back surface of the wafer 1 from the abrasive material 10, so that the back surface of the wafer is not etched by the abrasive material 10. Therefore, uneven etching will not occur.
〔実施例２〕 第２図は本発明の第２実施例を示す断面図である。[Example 2] FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.
本実施例は、保持パッド６に代えて、硬質ポリエチレン
シート１３を保持部材として用いるようにしたものであ
る。なお、この実施例においては、ホトレジスト膜１２
の図示を省略しているが、実際には第１図と同様に設け
られる。In this embodiment, instead of the holding pad 6, a hard polyethylene sheet 13 is used as a holding member. Note that in this embodiment, the photoresist film 12
Although not shown, it is actually provided in the same way as in FIG.
この構成によれば、ホトレジスト膜１２を設けたことに
よってウェハ裏面のエツチングが防止される。したがっ
て、従来、裏面のエツチングを防止するために、ウェハ
の保持力を強くする必要があったが、本実施例によれば
ウェハ裏面のエツチングが解決されるため、保持力を小
さくすることができる。これにより、保持力は小さいも
のの保持精度が高い硬質ポリエチレンシート１３を用い
ることが可能になり、ウェハの平坦度を向上させること
かできる。According to this configuration, the provision of the photoresist film 12 prevents etching of the back surface of the wafer. Therefore, in the past, it was necessary to strengthen the holding force of the wafer in order to prevent etching on the back side, but according to this embodiment, since etching on the back side of the wafer is resolved, the holding force can be reduced. . This makes it possible to use a hard polyethylene sheet 13 that has a small holding force but high holding precision, and can improve the flatness of the wafer.
〔実施例３〕 第３図は本発明の第３実施例を示す断面図である。[Example 3] FIG. 3 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.
本実施例は、保持パット６及びテンプレート７を用いず
、ウェハ１を直接プレート２に保持させるようにしたも
のである。この実施例においても、図示を省略している
が、ホトレジスト膜１２かプレート２側に形成される。In this embodiment, the wafer 1 is directly held on the plate 2 without using the holding pad 6 and the template 7. In this embodiment as well, although not shown, the photoresist film 12 is formed on the plate 2 side.
本実施例によれば、保持パッド６が介在しないため、保
持パッド６に起因する平坦度不良骨が除外され、ウェハ
平坦度を向上させることができる。According to this embodiment, since the holding pad 6 is not interposed, bones with poor flatness caused by the holding pad 6 are excluded, and the wafer flatness can be improved.
以上、本発明によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。Although the invention made by the present invention has been specifically explained based on Examples above, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. .
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである
。Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by typical ones are as follows.
すなわち、プレートにウェハを保持して回転させなから
、ウェハ研磨面を研磨クロス及び研磨材を用いて研磨す
るウェハ処理方法であって、前記ウェハの裏面にホトレ
ジスト膜を施しておくようにしたので、裏面エツチング
むらに起因する製品の歩留り低下の改善が可能になる。That is, this is a wafer processing method in which the wafer is held on a plate and not rotated, and the polished surface of the wafer is polished using a polishing cloth and an abrasive material, and the back surface of the wafer is coated with a photoresist film. , it becomes possible to improve the reduction in product yield caused by uneven etching on the back surface.
また、保持部材を介することなく或いは硬質の保持部材
を介してウェハを保持させることにより、裏面に施した
ホトレジスト膜による効果に加え、ウェハ平坦度の向上
が可能になる。Furthermore, by holding the wafer without using a holding member or through a hard holding member, it is possible to improve the flatness of the wafer in addition to the effect of the photoresist film applied to the back surface.
第１図は本発明方法を適用するに好適な研磨装置を示す
断面図、
第２図は本発明の第２実施例を示す断面図、第３図は本
発明の第３実施例を示す断面図、第４図は従来の研磨装
置を示す正面図、第５図は従来の研磨装置のウェハ保持
部の詳細を示す断面図、
第６図は従来技術においてテンプレートにウェハを保持
した状態を示す底面図である。
ｌ・・・ウェハ、２・・・プレート、３・・・トルカ−
アーム、４・・・軸受、５・・・加圧シリンダ、６・・
・保持パッド、７・・・テンプレート、８・・・研磨ク
ロス、９・・・定盤、１０゜１１・・・研磨材、１２・
・・ホトレジスト膜、１３・・・硬質ポリエチレンシー
ト。
代理人 弁理士 筒 井 大 和
第１図
６：保持パッド
第２図
を
第３図
＼
第４図Fig. 1 is a sectional view showing a polishing apparatus suitable for applying the method of the present invention, Fig. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the invention, and Fig. 3 is a sectional view showing a third embodiment of the invention. 4 is a front view showing a conventional polishing device, FIG. 5 is a sectional view showing details of the wafer holding part of the conventional polishing device, and FIG. 6 is a diagram showing a state in which a wafer is held on a template in the conventional technique. It is a bottom view. l... wafer, 2... plate, 3... torquer
Arm, 4... Bearing, 5... Pressure cylinder, 6...
・Holding pad, 7... Template, 8... Polishing cloth, 9... Surface plate, 10° 11... Abrasive material, 12.
... Photoresist film, 13... Hard polyethylene sheet. Agent Patent Attorney Daiwa Tsutsui Figure 1 6: Holding pad Figure 2 Figure 3\ Figure 4
Claims (1)
ハ研磨面を研磨クロス及び研磨材を用いて研磨するウェ
ハ処理方法であって、前記ウェハの裏面にホトレジスト
膜を施しておくことを特徴とするウェハ処理方法。 ２、前記ホトレジスト膜の形成されたウェハの裏面に、
硬質ポリエチレンシートを保持材として配設したことを
特徴とする請求項１記載のウェハ処理方法。 ３、前記ホトレジスト膜の形成されたウェハを、前記プ
レートに直接保持することを特徴とする請求項１記載の
ウェハ処理方法。[Claims] 1. A wafer processing method in which the wafer is held on a plate and rotated, and the polished surface of the wafer is polished using a polishing cloth and an abrasive material, the method comprising applying a photoresist film to the back surface of the wafer. A wafer processing method characterized by: 2. On the back side of the wafer on which the photoresist film was formed,
2. The wafer processing method according to claim 1, wherein a hard polyethylene sheet is provided as a holding material. 3. The wafer processing method according to claim 1, wherein the wafer on which the photoresist film is formed is directly held on the plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31058690A JPH04181730A (en) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31058690A JPH04181730A (en) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | Wafer processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181730A true JPH04181730A (en) | 1992-06-29 |
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ID=18007029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31058690A Pending JPH04181730A (en) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | Wafer processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04181730A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000067305A1 (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer polishing method and cleaning method, and protection film |
| JP2011257744A (en) * | 2010-05-12 | 2011-12-22 | Konica Minolta Business Technologies Inc | Toner for electrostatic charge image development |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31058690A patent/JPH04181730A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000067305A1 (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer polishing method and cleaning method, and protection film |
| JP2011257744A (en) * | 2010-05-12 | 2011-12-22 | Konica Minolta Business Technologies Inc | Toner for electrostatic charge image development |
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