JPH04177690A - ブロッホラインメモリ素子およびストライプドメイン初期化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は不揮発性の超高密度磁気記憶素子、ブロッホラ
インメモリ素子およびドメイン初期化方法に関するもの
である。

（従来の技術） 磁気バブルメモリ素子に代わる超高密度個体磁気記憶素
子として、膜面垂直方向を磁化容易方向とする強磁性体
（フェリ磁性体を含む）膜に存在するストライプ磁区の
境界を形成するブロッホ磁壁の中に、安定に存在する垂
直ブロッホライン２個からなるブロッホライン対（以下
、ＶＢＬ対と称する）を記憶単位として用いるブロッホ
ラインメモリ素子が発明された（特願昭５７−１８２３
４６）。

ブロッホラインメモリ素子においては、情報の人品力を
行うメジャーライン、マイナーループを構成する安定化
されたストライプドメイン周辺のブロッホ磁壁に沿って
情報をＶＢＬ対の形で書き込み、またＶＢＬ対という微
小領域で表わされる情報単位を読み呂す手段、およびマ
イナーループ上でＶＢＬ対をビット毎に転送保持する手
段が不可欠である。

ストライプドメインにはリング状ストライプドメインが
、またメジャーラインには２層の蛇行状導体または１層
の蛇行状導体と１層の磁性体パタンを利用するのが一般
的である。第６図にその具体例を示す。

第６図において、１０はストライプ磁区保持層であるガ
ーネット層、２０はメジャーライン、３０はマイナール
ープである。メジャーライン２０は２層の蛇行状導体２
１．２２およびガーネット層に掘込んだ浅い溝２３で構
成されている。マイナーループ３０はガーネット層に掘
り込んだ浅い溝３１とその内側に安定化されたリング状
ストライプドメイン３２で構成されている。メジャーラ
イン２０とマイナーループ３０は、ガーネット層に掘込
んだ補助溝２４を介して接合されている。

第６図を用いて従来のブロッホラインメモリ素子の動作
を説明すると、メジャーライン上左方にあるバブル発生
器で発生されたバブル磁区１は、２層の蛇行状導体２１
．２２によりメジャーライン２０上を左から右へと転送
されマイナーループ接合部２４の位置に止まる。ここで
書き込みｌ読み出しゲートを動作させて情報をＶＢＬ対
の形でマイナーループ３０に書き込む。書き込まれてい
る情報を読み出すには、書き込みｌ読み出しゲートを動
作させＶＢＬ対の有無をバブル磁区の有無に変換してメ
ジャーライン上に取り出し、バブル磁区ｌを２層の蛇行
状導体により転送して、メジャーライン上右方にあるバ
ブル検出器で検出する。

（発明が解決しようとする課題） ガーネット中に自発的に存在するドメインはひも状のス
トライプドメインであり、リング状ドメインではない。

第６図の構成では、長大なリング状ストライプドメイン
を多数本、ガーネットに掘り込んだ溝の内側に安定化す
るのは困難である。

本発明の目的は、この問題点を解決したブロッホライン
メモリ素子およびドメイン初期化方法を提供することに
ある。

（課題を解決するための手段９ 本発明の要旨とするところは、情報書き込み手段、情報
読み出し手段および情報蓄積手段を有し、かつ膜面に垂
直な方向を磁化容易方向とする強磁性体（フェリ磁性体
を含む）膜に存在するストライプドメインの境界を形成
するブロッホ磁壁中に作った相隣る２つの垂直ブロッホ
ラインからなるブロッホライン対を情報の担体とし、前
記ストライプドメインとしてリング状ストライプドメイ
ンを用いたブロッホラインメモリ素子において、前記リ
ング状ストライプドメインの一端近傍に形成された複数
の導体パタンと、前記リング状ストライプドメインの他
端近傍に形成された折れ曲がり導体パタンとを備えるこ
とである。

また、本発明の要旨とするところは、膜面に垂直な方向
を磁化容易方向とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）
膜に複数個のドメイン固定手段を設け、前記強磁性体に
存在するリング状ストライプドメインを前記ドメイン固
定手段に固定するドメイン初期化方法において、一本の
ストライプドメインを前記ドメイン固定手段の一端から
、個々のドメイン固定手段の間に進入させ、他端で切断
、接合することである。

（作用） ひも状のストライプドメインをリング状ストライプドメ
インにするためには、ストライプドメインをガーネット
に掘り込んだ溝の内側で巻き付かせ、ストライプドメイ
ンの両端を接合する必要がある。リング状ストライプド
メインが配置されるべき溝の両端に導体パタンを配置す
ることにより、リングドメインの固定を容易に行うこと
ができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例を示すパタン図である。本発
明を第１図を用いて説明すれば、ストライプドメイン保
持層であるガーネット１０に掘り込んだ浅い溝３１に安
定化されたリング状ストライプドメイン３２の外側の磁
壁をＶＢＬ対の転送路となし、リング状ストライプドメ
イン３２の右側に複数の導体パタン２５が配置され、リ
ング状ストライプドメイン３２の左側に折れ曲がり導体
パタン２６が配置されている。

第２図（ａ）、　（ｂ）、　（ｃ）はドメイン初期化過
程で用いるパルスの波形図である。第３図、第４図、第
５図はドメイン初期化過程を示すパタン図である。第３
図において、導体パタン２６に第２図（ａ）の上向きの
パルスを印加すると、導体パタン２６の左側にストライ
プドメイン３３が発生する。導体パタン２６に第２図（
ａ）に示すような逆極性のパルスを印加し、これと連動
して第２図（Ｃ）で示すようにバイアス磁界を下げると
、ストライプドメイン３３は第４図に示すように導体パ
タン２６の右側に移動し、ドメイン固定用の溝３１の内
側のエツジにジグザグ状にからみつく。さらにバイアス
磁界を下げると、ストライプドメイン３３はドメイン固
定用の溝３１の側壁にドメインを押し付けながら進行し
ていき、第５図に示すように導体パタン２５を横切って
ドメイン固定用溝３１に蛇行状に巻き付けられる。

第５図は本発明の一実施例を示すパタン図であり、スト
ライプドメイン保持層であるガーネット１０に形成した
複数個のドメイン固定手段である溝３１に、１本のスト
ライプドメイン３３を左端から進入させ、右端で接合す
る方法である。

第５図の導体パタン２５に第２図（ｂ）で示すパルス電
流を流すと、導体パタン２５より右側のドメインが切断
されると同時に、導体パタン２５で挾まれた部分でドメ
インが接合され、リング状のドメインが形成される。第
２図（ｅ）で示すようにバイアス磁界を上げ、第５図の
導体パタン２５の右側の余分なドメインを消去すると第
１図に示すリング状ストライプドメイン３２が再現性よ
く形成される。

（発明の効果） このように本発明は、ストライプドメインの曲り易い性
質に基づき、１本のストライプドメインをガーネット膜
表面に掘り込んだ溝に巻き付かせ、他端を接合すること
によりリング状ドメインの初期化を容易に行うことがで
きる。また、リング状ストライプドメインが配置される
べき溝の両端に導体パタンを配置することにより、リン
グ状ストライプドメインの固定を容易に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すパタン図、第２図（ａ
）、　（ｂ）、　（ｃ）は本発明の一実施例を示すパル
ス波形図、第３図、第４図はリング状ストライプドメイ
ンの初期化過程を示すパタン図、第５図は本発明の一実
施例を示すパタン図、第６図は従来のブロッホラインメ
モリ素子の一例を示すパタン図である。 図において、１・・・バブル磁区、１０・・・ストライ
プドメイン保持層であるガーネット膜、２０・・・メジ
ャーライン、２１．２２・・・蛇行状導体、２３・・・
メジャーライン溝、２４１０．メジャーｌマイナー接合
部、２５．２６・・・導体パタン、３０・・・マイナー
ループ、３１・１．マイナーループ溝、３２・・・リン
グ状ストライプドメイン、３３・・・ストライプドメイ
ンである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報書き込み手段、情報読み出し手段および情報
   蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易方向
   とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するス
   トライプドメインの境界を形成するブロッホ磁壁中に作
   った相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直ブロ
   ッホライン対を情報の担体とし、前記ストライプドメイ
   ンとしてリング状ストライプドメインを用いたブロッホ
   ラインメモリ素子において、前記リング状ストライプド
   メインの一端近傍に形成された複数の導体パタンと、前
   記リング状ストライプドメインの他端近傍に形成された
   折れ曲がり導体パタンとを備えたことを特徴とするブロ
   ッホラインメモリ素子。
2. （２）膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする強磁性体
   （フェリ磁性体を含む）膜に複数個のドメイン固定手段
   を設け、前記強磁性体に存在するリング状ストライプド
   メインを前記ドメイン固定手段に固定するドメイン初期
   化方法において、一本のストライプドメインを前記ドメ
   イン固定手段の一端から、個々のドメイン固定手段の間
   に進入させ、他端で切断、接合することを特徴とするス
   トライプドメイン初期化方法。