JPH04167516A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04167516A JPH04167516A JP29470990A JP29470990A JPH04167516A JP H04167516 A JPH04167516 A JP H04167516A JP 29470990 A JP29470990 A JP 29470990A JP 29470990 A JP29470990 A JP 29470990A JP H04167516 A JPH04167516 A JP H04167516A
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- JP
- Japan
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- wafer
- cooling
- cold air
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- air
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体製造装置、特に加熱したウェーハを強制冷却する
装置の構造に関し、 高温のウェーハを短時間で均一に冷却することが可能な
冷却装置を提供することを目的とし、ウェーハを保持す
るウェーハチャックと、該ウェーハチャックを回転する
回転手段と、冷風供給手段と、該冷風供給手段に連通し
該ウェーハチャックに保持された該ウェーハに向けて冷
風を噴出する冷風ノズルとを存するように構成する。
装置の構造に関し、 高温のウェーハを短時間で均一に冷却することが可能な
冷却装置を提供することを目的とし、ウェーハを保持す
るウェーハチャックと、該ウェーハチャックを回転する
回転手段と、冷風供給手段と、該冷風供給手段に連通し
該ウェーハチャックに保持された該ウェーハに向けて冷
風を噴出する冷風ノズルとを存するように構成する。
本発明は、半導体製造装置、特に加熱したウェーハを強
制冷却する装置の構造に関する。
制冷却する装置の構造に関する。
半導体装置の製造工程においては、ウェーハ上にレジス
トを被着した後これを露光、現像してレジストパターン
を得る処理か繰り返されるか、その都度、露光前と現像
後には必ずウェーハの加熱（レジストのベーキング）を
要する。加熱後はつ工−ハか所定の温度に降下するまで
は次工程の処理を行うことが出来ないから、冷却に要す
る時間の短縮が望まれている。
トを被着した後これを露光、現像してレジストパターン
を得る処理か繰り返されるか、その都度、露光前と現像
後には必ずウェーハの加熱（レジストのベーキング）を
要する。加熱後はつ工−ハか所定の温度に降下するまで
は次工程の処理を行うことが出来ないから、冷却に要す
る時間の短縮が望まれている。
従来はウェーハをベーキング装置から取り出した後、そ
のまま放置して冷却するか、又は第３図に示すようなウ
ェーハ冷却装置を用いて冷却時間の短縮を図っていた。
のまま放置して冷却するか、又は第３図に示すようなウ
ェーハ冷却装置を用いて冷却時間の短縮を図っていた。
以下、この従来のウェーハ冷却装置を説明する。第３図
は従来の装置の一例を示す概略構成図である。図中、ｌ
は被冷却物のウェーハである。３１はクールプレートで
あり、内部に温調された冷却水を流してその上面の温度
を調節する。３２は冷却水供給手段であり、温調器、循
環ポンプ等からなり、温調された冷却水をクールプレー
ト３１に供給する。ベーキングを終えた直後の高温のウ
ェーハ１をこのクールプレー）３１上に載置して冷却す
る。但しウエーノＸｌ裏面への微粒子付着を避けるため
、クールプレート３１上面には数個の小突起（図示は省
略）が設けられており１、これがウェーハ１の裏面に接
触する。
は従来の装置の一例を示す概略構成図である。図中、ｌ
は被冷却物のウェーハである。３１はクールプレートで
あり、内部に温調された冷却水を流してその上面の温度
を調節する。３２は冷却水供給手段であり、温調器、循
環ポンプ等からなり、温調された冷却水をクールプレー
ト３１に供給する。ベーキングを終えた直後の高温のウ
ェーハ１をこのクールプレー）３１上に載置して冷却す
る。但しウエーノＸｌ裏面への微粒子付着を避けるため
、クールプレート３１上面には数個の小突起（図示は省
略）が設けられており１、これがウェーハ１の裏面に接
触する。
ところが、このような装置では、ウエーノ１を所望の温
度に冷却するのに要する時間を充分に短縮することが出
来ず、又、ウェーハ温度に不均一を生ずる、という問題
があった。
度に冷却するのに要する時間を充分に短縮することが出
来ず、又、ウェーハ温度に不均一を生ずる、という問題
があった。
本発明は、このような問題を解決して、高温のウェーハ
を短時間で均一に冷却することが可能な冷却装置を提供
することを目的とする。
を短時間で均一に冷却することが可能な冷却装置を提供
することを目的とする。
この目的は、本発明によれば、ウエーノ１を保持するウ
ェーハチャックと、該ウェーハチャックを回転する回転
手段と、冷風供給手段と、該冷風供給手段に連通し該ウ
ェーハチャックに保持された該ウェーハに向けて冷風を
噴出する冷風ノズルとを有することを特徴とする半導体
製造装置とすることて、達成される。
ェーハチャックと、該ウェーハチャックを回転する回転
手段と、冷風供給手段と、該冷風供給手段に連通し該ウ
ェーハチャックに保持された該ウェーハに向けて冷風を
噴出する冷風ノズルとを有することを特徴とする半導体
製造装置とすることて、達成される。
高温のウエーノ）に温調された冷風を直接吹き付けるか
ら冷却効率か良く、ウエーノ１は短時間で所望の温度に
降下する。又、ウエーノ＼を回転させながら冷風を吹き
付けるから、ウェーハ温度は均一に降下して行く。
ら冷却効率か良く、ウエーノ１は短時間で所望の温度に
降下する。又、ウエーノ＼を回転させながら冷風を吹き
付けるから、ウェーハ温度は均一に降下して行く。
本発明に基づくウェーハ冷却装置の実施例を、第１図及
び第２図を参照しなから説明する。
び第２図を参照しなから説明する。
第１図は本発明の実施例の装置の概略構成図である。図
中、■は被冷却物のウェーハであり、表面にはレジスト
が被着されている。１１はウェーハチャックであり、ウ
ェーハｌをその中央部で真空吸着する。１２はモータ等
からなる回転手段であり、ウェーハチャック１１を回転
させる。１３は冷風ノズルであり、次に述べる冷風供給
手段１４に連通し、ウェーハｌの下面に向けて冷風を送
風する。この冷風ノズル１３は、冷却の効率を高めるた
めに複数個（例えば４個）設けられている。１４は冷風
供給手段であり、清浄化した空気等を所望の温度（例え
ば２３°Ｃ）に調節して冷風ノズル１３に送る。１５は
外囲器であり、排気口１５ａを備えている。
中、■は被冷却物のウェーハであり、表面にはレジスト
が被着されている。１１はウェーハチャックであり、ウ
ェーハｌをその中央部で真空吸着する。１２はモータ等
からなる回転手段であり、ウェーハチャック１１を回転
させる。１３は冷風ノズルであり、次に述べる冷風供給
手段１４に連通し、ウェーハｌの下面に向けて冷風を送
風する。この冷風ノズル１３は、冷却の効率を高めるた
めに複数個（例えば４個）設けられている。１４は冷風
供給手段であり、清浄化した空気等を所望の温度（例え
ば２３°Ｃ）に調節して冷風ノズル１３に送る。１５は
外囲器であり、排気口１５ａを備えている。
高温のウェーハｌをこのウェーハ冷却装置により冷却す
るには、先ずそのウェーハｌをウェーハチャック１１に
固着し、次に回転手段１２を起動してウェーハ１を回転
させる。この状態で複数の冷風ノズル１３からウェーハ
１の下面に向けて温調された冷風を送風し続ける。これ
によりウェーハｌの温度は降下し、やがて冷風の温度に
略等しくなる。
るには、先ずそのウェーハｌをウェーハチャック１１に
固着し、次に回転手段１２を起動してウェーハ１を回転
させる。この状態で複数の冷風ノズル１３からウェーハ
１の下面に向けて温調された冷風を送風し続ける。これ
によりウェーハｌの温度は降下し、やがて冷風の温度に
略等しくなる。
本発明者はこの装置により１００°Ｃに加熱した１５０
ｍｍ径のシリコンウェーハを２３°Ｃの冷風で冷却した
結果、約３０秒で２３°Ｃまで降下させることが出来、
その時のウェーハ内の温度分布は０．５〜０．６°Ｃで
あった。従来の装置（前述のクールプレート）の場合の
この所要時間は約２分であり、又、温度分布は０．８〜
１．０℃あった。従って、冷却所要時間は大幅に短縮さ
れ、温度分布も改善されたことになる。
ｍｍ径のシリコンウェーハを２３°Ｃの冷風で冷却した
結果、約３０秒で２３°Ｃまで降下させることが出来、
その時のウェーハ内の温度分布は０．５〜０．６°Ｃで
あった。従来の装置（前述のクールプレート）の場合の
この所要時間は約２分であり、又、温度分布は０．８〜
１．０℃あった。従って、冷却所要時間は大幅に短縮さ
れ、温度分布も改善されたことになる。
第２図は本発明の他の実施例の装置の概略構成図である
。図中、１は被冷却物のウェーハであり、表面にはレジ
ストが被着されている。２１はウェーハチャックであり
、上部は三本のアーム２１ａに分岐している。１２は回
転手段、１３は冷風ノズル、１４は冷風供給手段、１５
は外囲器、１５ａは排気口である。この装置では、ウェ
ーハチャック２１は各アーム２１ａの上端付近でウェー
ハｌをその周縁部て固着する。その他の部分は上述の実
施例の装置（第１図）と同じである。この装置ではウェ
ーハ１の下面の略全域に冷風が当たることになる。
。図中、１は被冷却物のウェーハであり、表面にはレジ
ストが被着されている。２１はウェーハチャックであり
、上部は三本のアーム２１ａに分岐している。１２は回
転手段、１３は冷風ノズル、１４は冷風供給手段、１５
は外囲器、１５ａは排気口である。この装置では、ウェ
ーハチャック２１は各アーム２１ａの上端付近でウェー
ハｌをその周縁部て固着する。その他の部分は上述の実
施例の装置（第１図）と同じである。この装置ではウェ
ーハ１の下面の略全域に冷風が当たることになる。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば、ノズル１３に揺動手段を
付加し、ノズル１３を揺動しながら送風するように構成
してもよい。この場合はノズル１３をウェーハｌに近接
させてもウェーハ１の温度の均一性を保つことが出来る
。又、冷風の代わりに温風を供給するように構成し、ウ
ェーハｌを室温より高い温度とすることが出来る。
変形して実施出来る。例えば、ノズル１３に揺動手段を
付加し、ノズル１３を揺動しながら送風するように構成
してもよい。この場合はノズル１３をウェーハｌに近接
させてもウェーハ１の温度の均一性を保つことが出来る
。又、冷風の代わりに温風を供給するように構成し、ウ
ェーハｌを室温より高い温度とすることが出来る。
以上説明したように、本発明によれば、高温のウェーハ
を短時間で均一に冷却することが可能な冷却装置を提供
することが出来、半導体装置製造の効率化に寄与すると
ころが大きい。
を短時間で均一に冷却することが可能な冷却装置を提供
することが出来、半導体装置製造の効率化に寄与すると
ころが大きい。
第１図は本発明の実施例の装置の概略構成図、第２図は
本発明の他の実施例の装置の概略構成図、 第３図は従来の装置の一例を示す概略構成図、である。 図中、１はウェーハ、 １１、２１はウェーハチャック、 １２は回転手段、 第 １ 図 １ノ ＡづｊＢ月巧イ一り？＆介１／）又盾ｉｌとイ既田ｈフ
リ（ｐにρり第２図 を 従来の装置の−９・１１汀、イ榎呵冒奪仄図第３図
本発明の他の実施例の装置の概略構成図、 第３図は従来の装置の一例を示す概略構成図、である。 図中、１はウェーハ、 １１、２１はウェーハチャック、 １２は回転手段、 第 １ 図 １ノ ＡづｊＢ月巧イ一り？＆介１／）又盾ｉｌとイ既田ｈフ
リ（ｐにρり第２図 を 従来の装置の−９・１１汀、イ榎呵冒奪仄図第３図
Claims (1)
- ウェーハを保持するウェーハチャックと、該ウェーハチ
ャックを回転する回転手段と、冷風供給手段と、該冷風
供給手段に連通し該ウェーハチャックに保持された該ウ
ェーハに向けて冷風を噴出する冷風ノズルとを有するこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29470990A JPH04167516A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29470990A JPH04167516A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167516A true JPH04167516A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17811295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29470990A Pending JPH04167516A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090250202A1 (en) * | 2005-10-17 | 2009-10-08 | Markus Eibl | Hybrid Chuck |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29470990A patent/JPH04167516A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090250202A1 (en) * | 2005-10-17 | 2009-10-08 | Markus Eibl | Hybrid Chuck |
| US9202729B2 (en) * | 2005-10-17 | 2015-12-01 | Att Systems Gmbh | Hybrid chuck |
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