JPH04163917A - Semiconductor producing equipment - Google Patents

Semiconductor producing equipment

Info

Publication number
JPH04163917A
JPH04163917A JP29109090A JP29109090A JPH04163917A JP H04163917 A JPH04163917 A JP H04163917A JP 29109090 A JP29109090 A JP 29109090A JP 29109090 A JP29109090 A JP 29109090A JP H04163917 A JPH04163917 A JP H04163917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction tube
semiconductor manufacturing
pipe
manufacturing apparatus
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP29109090A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2637843B2 (en
Inventor
Toru Tsurumi
徹 鶴見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2291090A priority Critical patent/JP2637843B2/en
Publication of JPH04163917A publication Critical patent/JPH04163917A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2637843B2 publication Critical patent/JP2637843B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To make it possible to replace a reaction pipe faster and safer by providing a replacing equipment for replacing by opening a heating member and separating the reaction pipe from a sealing member and also attaching a jig to the reaction pipe thereby realizing the replacement in one united body. CONSTITUTION:End portions of a reaction pipe 1 and seal adopter 2 have the sections capable of being connected each other and are bonded under a pressure through an O-ring 5. When the pipe 1 is replaced, a cylinder 6 absorbs a flange 7 at the moving side by the command from a controller, and the flange 7 is separated from the adopter 2 through a bellow 9. When the fixation between movable flange 10 and pipe 1 is released, the flange 10 is separated from the pipe 1 and then a heater 11 is opened in the longitudinal direction of the pipe 1. By doing this, the pipe 1 can be now automatically replaced by a machine through an arm 14, the inside of the pipe 1 can be kept clean, positioning accuracy can be enhanced, and the pipe 1 can be replaced quickly and safely.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体の製造装置に係り、特に反応管内で化学蒸着によ
りウェハにに薄膜を成長させたり、熱拡散処理を行う半
導体の製造装置に関し、反応管の交換を迅速かつ安全に
行うことを目的として、 反応管と、該反応管の両端に設けられた該反応管を密閉
する一対の封止部材と、該一対の封止部材の間で前記反
応管の周囲に配設され、該長手方向に沿って開閉可能な
加熱部材とよりなる半導体の製造装置において、該加熱
部材を開口し、前記反応管と前記封止部材を離間させ、
前記反応管を交換する交換装置を有してなる構成とした
。また、前記反応管に治具を取り付けて一体として交換
されるようにした。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to semiconductor manufacturing equipment, particularly semiconductor manufacturing equipment that grows a thin film on a wafer by chemical vapor deposition in a reaction tube or performs a thermal diffusion process, to quickly replace a reaction tube. In addition, for the purpose of performing the reaction safely, a reaction tube, a pair of sealing members provided at both ends of the reaction tube to seal the reaction tube, and a sealing member around the reaction tube between the pair of sealing members. In a semiconductor manufacturing apparatus comprising a heating member arranged and openable and closable along the longitudinal direction, the heating member is opened and the reaction tube and the sealing member are separated,
The structure includes an exchange device for exchanging the reaction tube. Furthermore, a jig was attached to the reaction tube so that it could be replaced as a whole.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

半導体の製造装置に係り、特に反応管内で化学蒸着によ
りウェハにに薄膜を成長させたり、熱拡散処理を行う半
導体の製造装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and particularly to a semiconductor manufacturing apparatus that grows a thin film on a wafer by chemical vapor deposition in a reaction tube or performs thermal diffusion treatment.

CVD(Chemical Vapor Deposi
tion System)装置や拡散装置において、反
応管は洗浄周期をもって交換されるものである。また、
近年のウェハの大口径化、クリーン化、自動化が進行し
ていくに伴い、装置が大型化が顕著である。そのため、
付帯作業の安全性、修理時間の短縮、容易化が必要とさ
れる。
CVD (Chemical Vapor Deposit)
tion system) and diffusion devices, the reaction tubes are replaced at cleaning intervals. Also,
In recent years, as wafers have become larger in diameter, cleaner, and more automated, equipment has become noticeably larger. Therefore,
It is necessary to improve safety, shorten repair time, and simplify incidental work.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、反応管、反応管の両端に設けられ反応管を密閉す
るマニホルド、反応管の周囲に配置されたヒータからな
る半導体の製造装置において反応管の長手方向に開閉可
能なヒータは本出願人により特開昭59−182294
に開示されている。ところか、反応管は一定の洗浄周期
で交換される。しかして、その場合はヒータを開口し、
マニホルドを反応管から離間させ、反応管を交換する作
業を手動で行っていた。
Conventionally, in semiconductor manufacturing equipment consisting of a reaction tube, a manifold provided at both ends of the reaction tube to seal the reaction tube, and a heater placed around the reaction tube, a heater that can be opened and closed in the longitudinal direction of the reaction tube was developed by the present applicant. Japanese Patent Publication No. 59-182294
has been disclosed. In fact, the reaction tubes are replaced at regular cleaning intervals. However, in that case, open the heater,
The work of separating the manifold from the reaction tube and replacing the reaction tube was done manually.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかし、手動で処理するのは煩雑であるという課題があ
った。更に、手動で交換すると、交換された反応管を所
定位置に位置決めする精度が低いためにリークがないよ
うに何度も繰り返し位置決め作業を行う必要があり時間
がかかるという課題があった。
However, there is a problem in that manual processing is complicated. Furthermore, when replacing the reaction tube manually, there is a problem that the accuracy of positioning the replaced reaction tube at a predetermined position is low, so that it is necessary to repeat the positioning operation many times to prevent leakage, which takes time.

また、気相成長は多段化工程で行われる傾向にあり、手
動で処理すると、反応管内に塵埃等の進入を招きその後
の処理に支障をきたすという課題かあった。
In addition, vapor phase growth tends to be performed in a multi-stage process, and if the process is performed manually, there is a problem in that dust and the like can enter the reaction tube and interfere with the subsequent process.

加えて、反応管の両端のマニホルドを離間させる際にマ
ニホルドが劣化していれば交換が困難であり、また危険
であるという安全上の課題もあった。
In addition, when separating the manifolds at both ends of the reaction tube, if the manifolds have deteriorated, it is difficult and dangerous to replace them, which poses a safety problem.

そこで、反応管の交換を迅速かつ安全に行うことを目的
として、以下の手段を設けた。
Therefore, the following means were provided for the purpose of exchanging reaction tubes quickly and safely.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記課題に鑑み、本発明を、反応管と、該反応管の両端
に設けられた該反応管を密閉する一対の封止部材と、該
一対の封止部材の間で前記反応管の周囲に配設され、該
長手方向に沿って開閉可能な加熱部材とよりなる半導体
の製造装置において、該加熱部材を開口し、前記反応管
と前記封止部材を離間させ、前記反応管を交換する交換
装置を有してなる構成とした。また、前記反応管に治具
を取り付けて一体として交換されるようにした。
In view of the above-mentioned problems, the present invention includes a reaction tube, a pair of sealing members provided at both ends of the reaction tube for sealing the reaction tube, and a sealing member provided around the reaction tube between the pair of sealing members. In a semiconductor manufacturing apparatus comprising a heating member that is arranged and can be opened and closed along the longitudinal direction, the heating member is opened, the reaction tube and the sealing member are separated, and the reaction tube is replaced. The configuration includes a device. Furthermore, a jig was attached to the reaction tube so that it could be replaced as a whole.

〔作用〕[Effect]

交換装置により、加熱部材が開口し、反応管から封止部
材が離間されて、交換装置が反応管を新しい反応管と交
換する。また、交換装置は反応管と治具を一体に交換す
る。
The exchange device opens the heating member and separates the sealing member from the reaction tube, and the exchange device exchanges the reaction tube with a new reaction tube. Moreover, the exchange device exchanges the reaction tube and the jig together.

〔実施例〕〔Example〕

第1図乃至第3図を参照して本発明による半導体の製造
装置の一実施例を説明する。本実施例では本発明をCV
D装置に適用する。
An embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. In this example, the present invention is
Applies to D device.

第1図は本発明で使用する反応管を示す。反応管1はそ
の両端にシールアダプタ2を有する。シールアダプタ2
は反応管1と後述する可動フランジ10とが接合する部
分に配設される反応管1を保護する金属製の治具であり
、例えばステンレス製で形成される。反応管lは後述す
るように可動フランジlOと接触・離脱を繰り返される
。そのため、治具により直接反応管1を可動フランジl
Oと接合させて反応管1が破損するの防いでいる。
FIG. 1 shows a reaction tube used in the present invention. The reaction tube 1 has seal adapters 2 at both ends thereof. Seal adapter 2
is a metal jig that protects the reaction tube 1 and is disposed at a joint between the reaction tube 1 and a movable flange 10, which will be described later, and is made of stainless steel, for example. The reaction tube 1 is repeatedly brought into contact with and separated from the movable flange 10, as will be described later. Therefore, the reaction tube 1 is directly connected to the movable flange l using a jig.
This prevents the reaction tube 1 from being damaged.

シールアダプタ2は第4図(A)に示すようにクランプ
2aとリング2bとよりなる。リング2bはシール面3
で反応管1と同心円の断面を有し、所定幅で切除され、
所定半径の同心円断面の開口部4を有する。かかる開口
部4を介して反応管l内にCVD用の反応ガスを導入す
る。リング2bは略対称にリング2bの円周上に配置さ
れた4つのクランプ2aにより反応管lに固定される。
The seal adapter 2 consists of a clamp 2a and a ring 2b, as shown in FIG. 4(A). Ring 2b is sealing surface 3
It has a cross section concentric with the reaction tube 1 and is cut with a predetermined width,
It has an opening 4 with a concentric cross section of a predetermined radius. A reaction gas for CVD is introduced into the reaction tube 1 through the opening 4. The ring 2b is fixed to the reaction tube 1 by four clamps 2a arranged approximately symmetrically on the circumference of the ring 2b.

但し、クランプ2aの数は4つに限定されない。また、
シールアダプタ2は図に表れない切り欠きを有し、保持
部12と係合して、後述するように交換された反応管1
を所定の位置へ位置決めする役割も果たす。反応管lは
真空にして使用されるため、適正に可動フランジ10に
位置決めされなければならないからである。
However, the number of clamps 2a is not limited to four. Also,
The seal adapter 2 has a notch not shown in the figure, and engages with the holding part 12 to attach the replaced reaction tube 1 as described below.
It also plays the role of positioning the device to a predetermined position. This is because the reaction tube 1 is used under vacuum and must be properly positioned on the movable flange 10.

本発明では図示しない制御装置により反応管1の交換が
制御される。反応管lは可動フランジIOを離間させ、
ヒーター11を開口し、アーム14により交換される。
In the present invention, exchange of the reaction tube 1 is controlled by a control device (not shown). The reaction tube l has a movable flange IO spaced apart,
The heater 11 is opened and replaced by the arm 14.

逆の順序により所定位置に位置決めされる。以下、第6
図及び第7図を参照して制御装置による反応管lの交換
機構を説明する。
It is positioned in place by the reverse order. Below, the 6th
The exchange mechanism of the reaction tube 1 by the control device will be explained with reference to the drawings and FIG. 7.

第6図は反応管lを取り出す時の制御装置の動作シーケ
ンスを示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing the operation sequence of the control device when taking out the reaction tube 1.

反応管lの取り出しが命令されると工程601において
図示しないカーテンが開けられる。ここで、カーテンと
は、半導体の製造装置において反応管1が収納されるC
VD装置を他の反応装置と温度その他で隔離する部材を
いう。
When the reaction tube 1 is ordered to be taken out, a curtain (not shown) is opened in step 601. Here, the curtain refers to the curtain in which the reaction tube 1 is housed in semiconductor manufacturing equipment.
A member that isolates the VD equipment from other reaction equipment in terms of temperature and other factors.

工程601によりカーテンが開けられると、工程602
においてクランプ2aと可動フランジIOとの固矩が解
除される。具体的にはシール部脱着機構の一部としてシ
ールアダプタ2は可動フランジlOの可動側フランジ7
より離間される。以下に第2図(A)及び(B)を参照
してシール部脱着機構を説明する。
When the curtain is opened in step 601, step 602
At this point, the rigidity between the clamp 2a and the movable flange IO is released. Specifically, the seal adapter 2 is attached to the movable side flange 7 of the movable flange lO as part of the seal part detachment mechanism.
more spaced apart. The seal portion attachment/detachment mechanism will be described below with reference to FIGS. 2(A) and 2(B).

第2図(A)及び第2図(B)に示すように、反応管l
及びシールアダプタ2の端部は夫々が係合するよう図示
するような断面を有する。但し、両者が係合すればその
形状は問わず、例えば互いに係合する凹凸状に各断面が
形成されていてもよい。シールアダプタ2はオーリング
5を介して反応管lと圧着される。尚、反応管1を密封
できればオーリング3の配置位置は問わない。
As shown in FIG. 2(A) and FIG. 2(B), the reaction tube l
and the ends of the seal adapter 2 each have a cross-section as shown for engagement. However, as long as the two are engaged, their shapes are not limited; for example, each cross section may be formed in a concave and convex shape that engage with each other. The seal adapter 2 is press-fitted to the reaction tube 1 via an O-ring 5. Note that the position of the O-ring 3 does not matter as long as the reaction tube 1 can be sealed.

可動フランジ10は、シリンダ6、可動側フランジ7、
固定側フランジ8及びベロー9よりなる。
The movable flange 10 includes a cylinder 6, a movable flange 7,
It consists of a fixed side flange 8 and a bellows 9.

可動側フランジ7と固定側フランジ8との間にはシリン
ダ6及びベロー9が設けられている。可動側フランジ7
はシールアダプタ2とオーリング5を介して圧着し、反
応管1と同心円の断面を有する。また、可動側フランジ
7はシールアダプタ2と同様、所定半径で除去された開
口部4を有する。
A cylinder 6 and a bellows 9 are provided between the movable flange 7 and the fixed flange 8. Movable side flange 7
is crimped through a seal adapter 2 and an O-ring 5, and has a cross section concentric with the reaction tube 1. Furthermore, like the seal adapter 2, the movable flange 7 has an opening 4 that is removed at a predetermined radius.

固定側フランジ8は第3図(A)に示すようにマニホル
ド15に固定されている。かかるマニホルド15により
CVD用の反応ガスが可動フランジIOを介して反応管
1内に導入される。固定側フランジ8も可動側フランジ
7に対応した開口部を有し、ベロー9により両開口部が
接続される。
The fixed side flange 8 is fixed to the manifold 15 as shown in FIG. 3(A). A reaction gas for CVD is introduced into the reaction tube 1 through the manifold 15 via the movable flange IO. The fixed side flange 8 also has an opening corresponding to the movable side flange 7, and both openings are connected by a bellows 9.

ベロー9は、前記反応ガスを反応管1に導入するととも
に可動側フランジ7を固定側フランジ8に近接させ、可
動側フランジ7をシールアダプタ2から離間させる役割
も担う。
The bellows 9 also plays the role of introducing the reaction gas into the reaction tube 1, bringing the movable flange 7 close to the fixed flange 8, and separating the movable flange 7 from the seal adapter 2.

一方、シリンダ6は可動側フランジ7と固定側フランジ
8との間に配置される。シリンダ6は例えば汎用のエア
シリンダからなり、エアの圧力(空圧)によりピストン
を伸縮させる構成である。
On the other hand, the cylinder 6 is arranged between the movable flange 7 and the fixed flange 8. The cylinder 6 is, for example, a general-purpose air cylinder, and is configured to expand and contract a piston using air pressure (pneumatic pressure).

前記制御装置により空圧か制御される。本実施例ではエ
アシリンダは5〜6 kg/am”にて駆動し、駆動ガ
スのN、は図示しないレギュレータを介して供給される
。これにより、シリンダ6は可動側フランジ7のシール
アダプタ2への圧着・離間を調節する。以下にシール部
脱着機構を説明する。
The air pressure is controlled by the control device. In this embodiment, the air cylinder is driven at 5 to 6 kg/am'', and the driving gas N is supplied via a regulator (not shown).Thereby, the cylinder 6 is connected to the seal adapter 2 of the movable flange 7. The seal attachment/detachment mechanism will be explained below.

第2図(A)は可動側フランジ7がシールアダプタ2に
圧着している状態を示す。可動側フランジ7をシールア
ダプタ2に圧着する時は、シリンダ6は図示しない制純
装置の命令により可動側フランジ7を押圧する。それに
より、ベロー9か可動側フランジ7を固定側フランジ8
からシールアダプタ2へ移動させ、オーリング5を介し
て可動側フランジ7をシールアダプタ2に圧着する。シ
リンダ6の押圧力は前記制御装置により制御される。可
動側フランジ7がシールアダプタ2に圧着すると、固定
側フランジ8の開口部よりウェハが反応管l内に導入さ
れる。ウェハ導入後はマニホルド15の他端が図示しな
いキャップにより密閉されて反応ガスと反応しCVDが
行われる。なお、拡散装置においてもウェハが反応管内
に導入されて常圧状態で熱雰囲気にウェハをさらすこと
により熱拡散される。
FIG. 2(A) shows a state in which the movable flange 7 is press-fitted to the seal adapter 2. When the movable flange 7 is crimped onto the seal adapter 2, the cylinder 6 presses the movable flange 7 in response to a command from a control device (not shown). As a result, the bellows 9 or the movable flange 7 can be connected to the fixed flange 8.
from there to the seal adapter 2, and press the movable flange 7 to the seal adapter 2 via the O-ring 5. The pressing force of the cylinder 6 is controlled by the control device. When the movable flange 7 is pressed against the seal adapter 2, the wafer is introduced into the reaction tube l through the opening of the fixed flange 8. After the wafer is introduced, the other end of the manifold 15 is sealed with a cap (not shown) and reacts with a reaction gas to perform CVD. Note that in the diffusion device as well, the wafer is introduced into the reaction tube and exposed to a hot atmosphere under normal pressure, thereby causing thermal diffusion.

第2図(B)は可動側フランジ7がシールアダプタ2よ
り離間している状態を示す。反応管lを交換する時は図
示しない制御装置の命令によりシリンダ6が可動側フラ
ンジ7を吸引する。そして、オーリング5の圧着を解除
し、ベロー9が可動側フランジ7をシールアダプタ2か
ら固定側フランジ8に反応管lの長手方向に移動させる
。その結果、可動側フランジ7がシールアダプタ2から
離間する。シリンダ6の吸引力も前記制御装置により制
御される。なお、可動フランジlOは反応管1の両端に
設けられている。
FIG. 2(B) shows a state in which the movable flange 7 is spaced apart from the seal adapter 2. When replacing the reaction tube 1, the cylinder 6 sucks the movable flange 7 according to a command from a control device (not shown). Then, the pressure on the O-ring 5 is released, and the bellows 9 moves the movable flange 7 from the seal adapter 2 to the fixed flange 8 in the longitudinal direction of the reaction tube 1. As a result, the movable flange 7 separates from the seal adapter 2. The suction force of the cylinder 6 is also controlled by the control device. Note that movable flanges lO are provided at both ends of the reaction tube 1.

可動フランジ10と反応管lとの固定が解除されると、
工程603において可動フランジ10が反応管lより離
間される。続いて、工程604がヒーター11は反応管
1の長手方向に開口される。第3図(B)に示すように
、ヒータ11は上下に2分割できる。第5図(a)及び
第5図(b)に示すように、ヒーターの上部はワイヤ2
0、プーリー21を介してモーター22に接続される。
When the movable flange 10 and the reaction tube l are released,
In step 603, the movable flange 10 is separated from the reaction tube l. Subsequently, in step 604, the heater 11 is opened in the longitudinal direction of the reaction tube 1. As shown in FIG. 3(B), the heater 11 can be divided into upper and lower halves. As shown in FIG. 5(a) and FIG. 5(b), the upper part of the heater is connected to the wire 2.
0, connected to a motor 22 via a pulley 21.

これによりモーター22がワイヤ20を巻き取る動作に
応答してヒーター11の上部が開口する。プーリー21
及びモーター22は装置の架台に固定されている。なお
、ワイヤ20、プーリー21及びモーター22の数は限
定されない。第3図(B)はヒーター11が反応管lの
長手方向に分割されるときの断面を示す。ヒーター11
は例えば特開昭59−182294に示すような分割ヒ
ーターを用いる。
As a result, the upper part of the heater 11 opens in response to the action of the motor 22 winding up the wire 20. pulley 21
The motor 22 is fixed to the frame of the device. Note that the number of wires 20, pulleys 21, and motors 22 is not limited. FIG. 3(B) shows a cross section when the heater 11 is divided in the longitudinal direction of the reaction tube l. Heater 11
For example, a divided heater as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-182294 is used.

本実施例ではヒーター11は通常60度程度分割する。In this embodiment, the heater 11 is normally divided by about 60 degrees.

工程601から工程604に平行して工程605の処理
が実行され、エレベータが移動される。エレベータは反
応管を床より一定高さ移動させる部材である。なお、こ
れについては後述する。
Processing in step 605 is executed in parallel with steps 601 to 604, and the elevator is moved. The elevator is a member that moves the reaction tube a certain height above the floor. Note that this will be described later.

工程601乃至604及び工程605終了後に工程60
6が実施され、反応管1を保持するアーム14が反応管
lに当接する。第3図(C)に示すように、アーム14
が反応管lの両側から反応管lの端部と係合する。第3
図(A)で示すように反応管1はヒーター11よりも長
い。本実施例では、ヒーター11の長さは約1400m
mで反応管lの長さは約1500mmである。そのため
、アーム14はヒーター11の端部から反応管1の端部
までの間にあるアーム保持位置13で反応管1と係合す
る。アーム14はアーム保持位置13の下方まで図示し
ない移動手段により移動され、その後工程607により
上方に移動されて反応管lと係合する。アーム14に設
けられた反応管1との係合部はテフロン系樹脂の凹形と
されており、反応管lが嵌合できる形に形成されている
。もっとも、反応管lを損傷しないように保持できるも
のであればその形状は問わない。
After steps 601 to 604 and step 605 are completed, step 60
6 is carried out, and the arm 14 holding the reaction tube 1 comes into contact with the reaction tube 1. As shown in FIG. 3(C), the arm 14
engage the ends of the reaction tube l from both sides of the reaction tube l. Third
As shown in Figure (A), the reaction tube 1 is longer than the heater 11. In this embodiment, the length of the heater 11 is approximately 1400 m.
m and the length of the reaction tube l is about 1500 mm. Therefore, the arm 14 engages with the reaction tube 1 at an arm holding position 13 located between the end of the heater 11 and the end of the reaction tube 1. The arm 14 is moved by a moving means (not shown) below the arm holding position 13, and then moved upward in step 607 to engage with the reaction tube 1. The engagement part with the reaction tube 1 provided on the arm 14 is made of Teflon resin and has a concave shape, and is formed in a shape into which the reaction tube 1 can be fitted. However, any shape is acceptable as long as it can hold the reaction tube 1 without damaging it.

また、前記移動手段はアーム14が反応管lを保持でき
れば、本実施例のようにアーム14を伸縮させながら移
動させなくてもよい。最後に、第3図(D)に示すよう
に、工程607において、反応管1を保持したアーム1
4かヒーター11から離脱できる位置まで上昇する。そ
して、工程608において、反応管1が離脱される。離
脱後はアーム14は移動手段により反応管の交換位置ま
で移動する。ヒーター11から取り出された反応管1は
工程612によりエレベータで床より約1300mmの
高さに移動され、そこでオペレータが洗浄室へ運搬する
。尚、工程612と平行して実行される工程609にお
いてヒーター11は閉じられ、工程610においてクラ
ンプ2bが固定され、工程611においてカーテンが閉
じられる。これにより、反応管1は装置内から取り出さ
れる。
Further, as long as the arm 14 can hold the reaction tube 1, the moving means does not need to be moved while extending and contracting the arm 14 as in this embodiment. Finally, as shown in FIG. 3(D), in step 607, the arm 1 holding the reaction tube 1
4 or rises to a position where it can be detached from the heater 11. Then, in step 608, the reaction tube 1 is removed. After detachment, the arm 14 is moved by the moving means to the reaction tube exchange position. The reaction tube 1 taken out from the heater 11 is moved by an elevator to a height of about 1300 mm above the floor in step 612, and there, the operator transports it to a cleaning room. Note that in step 609, which is executed in parallel with step 612, the heater 11 is closed, in step 610 the clamp 2b is fixed, and in step 611 the curtain is closed. Thereby, the reaction tube 1 is taken out from inside the apparatus.

一方、交換された反応管1を装置内に組み込む時は第7
図に示すようなフローチャートに基づいて制御される。
On the other hand, when installing the replaced reaction tube 1 into the apparatus, the seventh
Control is performed based on a flowchart as shown in the figure.

なお、同一工程は原則として同一内容を意味するため重
複説明は省略する。
Note that since the same process basically means the same content, repeated explanation will be omitted.

交換された反応管lの組み込み開始が命令されると工程
613において、あらかじめ洗浄されてリセットされた
反応管lがエレベータで移動される。
When a command is given to start installing the replaced reaction tube 1, in step 613, the reaction tube 1, which has been previously cleaned and reset, is moved in an elevator.

また、これに平行して工程601においてカーテンが開
けられ、工程602においてクランプが固定され、工程
603において可動フランジが脱離され、工程604に
おいてヒーター11が開口される。続いて、工程614
において反応管1を保持したアーム14かヒーター11
の開口部まで移動され、工程615においてアーム14
が降下して反応管lかヒーター11上に載置され、工程
616においてアーム14が退避される。その後、工程
612においてエレベータか所定位置まで戻り、それと
平行して工程609においてヒーター11が閉口し、工
程610においてクランプ2bが固定される。工程61
7において可動フランジIOの可動側フランジ7が上述
したシール部脱着機構に基づきシールアダプタ2に接合
され、最後に工程611においてカーテンが閉じられて
終了する。なお、本実施例ではオペレータが反応管の交
換を行うが、機械により自動で行ってもよい。これより
、反応管lは機械により自動的に交換され、所定位置に
配置される。
In parallel to this, the curtain is opened in step 601, the clamp is fixed in step 602, the movable flange is removed in step 603, and the heater 11 is opened in step 604. Subsequently, step 614
The arm 14 holding the reaction tube 1 or the heater 11
The arm 14 is moved to the opening of the arm 14 in step 615.
is lowered and the reaction tube 1 is placed on the heater 11, and in step 616 the arm 14 is retracted. Thereafter, in step 612, the elevator returns to a predetermined position, and in parallel thereto, in step 609, the heater 11 is closed, and in step 610, the clamp 2b is fixed. Step 61
In step 7, the movable side flange 7 of the movable flange IO is joined to the seal adapter 2 based on the above-described seal part attachment/detachment mechanism, and finally in step 611, the curtain is closed and the process is completed. In this example, the operator replaces the reaction tube, but it may also be done automatically by a machine. From this, the reaction tube 1 is automatically exchanged by the machine and placed in a predetermined position.

人手を介さずに交換されるのでウェハかCVDを施され
る反応管1内を清潔に保つことができる。
Since the wafers can be replaced without manual intervention, the inside of the reaction tube 1 in which the wafers are subjected to CVD can be kept clean.

最後に本発明の位置決め機構を説明する。第4図に示す
ように、反応管lの位置決めはシールアダプタ2の切り
欠きと保持部12が係合してなされる。反応管lは狭い
スペースでの脱着のため左右と円周上のズレによりうま
くセットされない。
Finally, the positioning mechanism of the present invention will be explained. As shown in FIG. 4, the reaction tube 1 is positioned by engaging the notch of the seal adapter 2 with the holding portion 12. Because the reaction tube 1 is attached and detached in a narrow space, it cannot be set properly due to misalignment on the left and right sides and on the circumference.

このため、上記切り欠きの位置を反応管1のセット位置
を目印としている。これにより、可動側フラン°シフは
所定位置に両側から反応管lをクランプするため、シー
ル面とオーリングが略平行となり、反応管1内部の真空
が保てる。これにより、従来よりも交換された反応管の
位置決め精度が向上するため、従来のように繰り返し位
置決め作業を行う必要がなく迅速処理が図れる。
For this reason, the position of the above-mentioned notch is used as a mark of the setting position of the reaction tube 1. As a result, the movable flange clamps the reaction tube 1 at a predetermined position from both sides, so that the sealing surface and the O-ring become approximately parallel, and the vacuum inside the reaction tube 1 can be maintained. As a result, the positioning accuracy of the replaced reaction tube is improved compared to the conventional method, so that it is not necessary to repeatedly perform positioning work as in the conventional method, and rapid processing can be achieved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、本発明によれば、反応管の交換が機械により行わ
れるので、処理の画一性・迅速性・安全性を高められる
。また、反応管内のクリーン化が図れ、ウェハの反応の
ための清潔な環境が確保される。
As described above, according to the present invention, since the reaction tubes are replaced by a machine, the uniformity, speed, and safety of the process can be improved. Furthermore, the inside of the reaction tube can be kept clean, and a clean environment for wafer reaction can be ensured.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明による反応管の構成図、第2図はシール
部脱着機構を説明する図、第3図は反応管の交換機構を
説明するための図、第4図は反応管の位置決め機構を説
明するための図、 第5図はヒーターの分割を説明するための図、第6図は
反応管を取り出す時の動作シーケンスを表すフローチャ
ート、 第7図は反応管を組み込む時の動作シーケンスを表すフ
ローチャートである。 図において、 ■は反応管、 2はシールアダプタ、 3はシール面、 4はシールアダプタの開口部、 5はオーリング、 6はシリンダ、 7はシール部、 8は接続部、 9はベロー、 10は可動フランジ、 11はヒーター、 12は保持部、 13はアーム保持位置、 14はアーム、 15はマニホルド、 20はワイヤ、 2Iはプーリー、 22はモーター を示す。 本宅用はうy6:1購べ図 第1図 第2図 叉爽管の交遅−1年1紀哨Tるための聞13図 第6図
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] Fig. 1 is a configuration diagram of a reaction tube according to the present invention, Fig. 2 is a diagram illustrating a seal part detachment mechanism, Fig. 3 is a diagram illustrating a reaction tube exchange mechanism, and Fig. 3 is a diagram illustrating a reaction tube exchange mechanism. Figure 4 is a diagram to explain the positioning mechanism of the reaction tube, Figure 5 is a diagram to explain the division of the heater, Figure 6 is a flowchart showing the operation sequence when taking out the reaction tube, and Figure 7 is a diagram to explain the reaction tube positioning mechanism. It is a flowchart showing the operation sequence when installing a tube. In the figure, ■ is the reaction tube, 2 is the seal adapter, 3 is the seal surface, 4 is the opening of the seal adapter, 5 is the O-ring, 6 is the cylinder, 7 is the seal part, 8 is the connection part, 9 is the bellows, 10 11 is a movable flange, 11 is a heater, 12 is a holding part, 13 is an arm holding position, 14 is an arm, 15 is a manifold, 20 is a wire, 2I is a pulley, and 22 is a motor. Fig. 1 Fig. 2 Fig. 2 Cross-over pipe shift - 1st year 1st century Slot for the 1st year Fig. 13 Fig. 6

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)反応管(1)と、該反応管(1)の両端に設けら
れた該反応管(1)を密閉する一対の封止部材(7)と
、該一対の封止部材(7)の間で前記反応管(1)の周
囲に配設され、該反応管(1)の長手方向に沿って開閉
可能な加熱部材(11)とよりなる半導体の製造装置に
おいて、 該加熱部材(11)を開口し、前記反応管(1)と前記
封止部材(7)を離間させ、前記反応管(1)を交換す
る交換装置を有してなることを特徴とする半導体の製造
装置。
(1) A reaction tube (1), a pair of sealing members (7) provided at both ends of the reaction tube (1), and sealing the reaction tube (1); and a pair of sealing members (7). A semiconductor manufacturing apparatus comprising a heating member (11) disposed around the reaction tube (1) between the reaction tubes (1) and capable of opening and closing along the longitudinal direction of the reaction tube (1). ), the reaction tube (1) and the sealing member (7) are separated from each other, and the reaction tube (1) is exchanged.
(2)前記反応管(1)は、前記封止部材(7)との接
合部に反応管(1)を保護する治具(2)を有してなり
、前記交換装置は、前記反応管(1)と前記治具(2)
とを一体として交換することを特徴とする請求項1記載
の半導体の製造装置。
(2) The reaction tube (1) has a jig (2) for protecting the reaction tube (1) at the joint with the sealing member (7), and the exchange device includes a jig (2) for protecting the reaction tube (1). (1) and the jig (2)
2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is replaced as one unit.
(3)前記交換装置は前記加熱部材(11)を開閉する
開閉手段(22)と、前記封止部材(7)を前記反応管
(1)に接合又は前記反応管(1)より離間する封止部
材移動手段(6)と、前記開閉手段(22)、封止部材
移動手段(6)の動作を制御する制御手段を設けてなる
請求項1記載の半導体の製造装置。
(3) The exchange device includes an opening/closing means (22) for opening and closing the heating member (11), and a sealing member for joining the sealing member (7) to the reaction tube (1) or separating it from the reaction tube (1). 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a sealing member moving means (6), a control means for controlling operations of the opening/closing means (22) and the sealing member moving means (6).
(4)前記交換手段は、開口した前記加熱部材(11)
から前記反応管(1)を離間する手段(14)を有する
請求項3記載の半導体の製造装置。
(4) The exchanging means includes the opened heating member (11)
4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, further comprising means (14) for separating said reaction tube (1) from said reaction tube (1).
(5)前記交換装置は、交換された前記反応管を所定位
置に位置決めする位置決め手段(12)を有する請求項
4記載の半導体の製造装置。
(5) The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the exchanger includes a positioning means (12) for positioning the exchanged reaction tube at a predetermined position.
(6)前記位置決め手段は、前記治具(2)上に形成さ
れた第1の係合部と、基板に固定されて前記第1の係合
部と係合する第2の係合部(12)とよりなる請求項5
記載の半導体の製造装置。
(6) The positioning means includes a first engaging part formed on the jig (2) and a second engaging part (fixed to the substrate and engaged with the first engaging part). 12) Claim 5 consisting of
The semiconductor manufacturing apparatus described above.
(7)前記半導体の製造装置は化学蒸着により薄膜成長
処理を行うための反応ガス導入装置を更に有する請求項
1乃至6のうちいずれか1項記載の半導体の製造装置。
(7) The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a reactive gas introducing device for performing thin film growth processing by chemical vapor deposition.
(8)前記半導体の製造装置は熱拡散処理を行うための
熱拡散処理装置を更に有する請求項1乃至6のうちいず
れか1項記載の半導体の製造装置。
(8) The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a thermal diffusion treatment apparatus for performing thermal diffusion treatment.
JP2291090A 1990-10-29 1990-10-29 Semiconductor manufacturing equipment Expired - Lifetime JP2637843B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2291090A JP2637843B2 (en) 1990-10-29 1990-10-29 Semiconductor manufacturing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2291090A JP2637843B2 (en) 1990-10-29 1990-10-29 Semiconductor manufacturing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04163917A true JPH04163917A (en) 1992-06-09
JP2637843B2 JP2637843B2 (en) 1997-08-06

Family

ID=17764318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2291090A Expired - Lifetime JP2637843B2 (en) 1990-10-29 1990-10-29 Semiconductor manufacturing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2637843B2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59182294A (en) * 1983-03-31 1984-10-17 Fujitsu Ltd Equipment for chemical vapor phase growth
JPH01100093U (en) * 1987-12-24 1989-07-05

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59182294A (en) * 1983-03-31 1984-10-17 Fujitsu Ltd Equipment for chemical vapor phase growth
JPH01100093U (en) * 1987-12-24 1989-07-05

Also Published As

Publication number Publication date
JP2637843B2 (en) 1997-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5613821A (en) Cluster tool batchloader of substrate carrier
US5607276A (en) Batchloader for substrate carrier on load lock
US5609459A (en) Door drive mechanisms for substrate carrier and load lock
US5664925A (en) Batchloader for load lock
US20090205783A1 (en) Substrate processing apparatus
TWI376004B (en) Single substrate cleaning apparatus and method for cleaning backside of substrate
JP2001514439A (en) Wafer handling equipment for multi-station machines
CN107512581A (en) Head and method are picked and placeed for picking up work piece
US5855679A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JP3069575B2 (en) Vertical heat treatment equipment
JPH04163917A (en) Semiconductor producing equipment
WO1997002199A1 (en) Door drive mechanisms for substrate carrier and load lock
JPH0225573A (en) Treating equipment
WO1998019335A1 (en) Vertical type heat treatment apparatus
KR100310563B1 (en) Welding apparatus and method
JPH10151592A (en) Hand automatic exchange system and device for carrier robot
JPH07211763A (en) Multichamber device and its control
JP3256037B2 (en) Heat treatment equipment
JPH0236030A (en) Manufacture of plate fan heat exchanger unit in dual station and tube flaring device
IL97926A (en) Automated apparatus and process for tacking small plates on turbo jet engine blades
WO2024087105A1 (en) Automated sheet operating device, method of using same, and spatial omics analysis system
JPS63177426A (en) Vapor growth method and apparatus
JPH04125948A (en) Heat treatment method
KR102161527B1 (en) Stage unit and die bonding apparatus including the same
JP3101132B2 (en) Heat treatment equipment