JPH04160915A - Hysteresis circuit - Google Patents

Hysteresis circuit

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JPH04160915A
JPH04160915A JP2289702A JP28970290A JPH04160915A JP H04160915 A JPH04160915 A JP H04160915A JP 2289702 A JP2289702 A JP 2289702A JP 28970290 A JP28970290 A JP 28970290A JP H04160915 A JPH04160915 A JP H04160915A
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JP
Japan
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signal
circuit
level
output
input
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JP2289702A
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Inventor
Masaru Ota
賢 太田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To reduce operating current and to considerably reduce current consumption without allowing through current to flow in the circuit in principle by using a logic circuit constitution for realizing a particular logical expression. CONSTITUTION:Letting an input signal be x, a delay signal for input signal x by a delay circuit be xD, the initial output of a relevant hysteresis circuit be y, and the next output of the relevant hysteresis circuit be Y, the relevant hysteresis is provided with a logic circuit that realizes a logical expression Y=(X+XD).Y+X.XD. For example, the present hysteresis circuit is constituted by a delay circuit 1, the first NAND circuit 2, an OR-NAND composite gate circuit 3, and the second NAND circuit 4. When signal 105 at output terminal 52 is at H level, if a negative pulse signal having a delay time longer than tD is input as signal 101, and if signal 101 at input terminal 51 and signal 102 to be output from delay circuit 1 become L level at a time, signal 104 to be output from the OR-NAND gate circuit 3 becomes H level, and further since signal 103 to be output from the first NAND circuit 2 is at H level, signal 105 at output terminal 52 changes to L level.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はヒステリシス回路に関し、特に、半導体集積回
路により形成されるヒステリシス回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a hysteresis circuit, and particularly to a hysteresis circuit formed by a semiconductor integrated circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体集積回路により形成されるヒステリシス回
路としては、下記の二種類の回路が知られている。その
内の一つは、第5図に示されるように、Pチャネル・ト
ランジスタ9、Nチャネル・トランジスタ10.11お
よび12、およびインバータ13等を含んでi或されて
いる。また、第6図(a)、(b)および(c)は、こ
の従来例の動作を示す信号のタイミング・チャートであ
る。
Conventionally, the following two types of circuits are known as hysteresis circuits formed by semiconductor integrated circuits. One of them, as shown in FIG. 5, includes a P-channel transistor 9, N-channel transistors 10, 11 and 12, an inverter 13, etc. Further, FIGS. 6(a), (b) and (c) are signal timing charts showing the operation of this conventional example.

第5図において、入力端子55から入力される信号11
1として、正のパルスの信号(第6図の時間領域Eを参
照)が入力されると、Nチャネル・トランジスタ11が
オンしてから、Nチャネル・トランジスタ12がオフす
るまでには、或る程度の時間経過が存在するが、この間
において、Nチャネル・トランジスタ11とNチャネル
・トランジスタ12との間には貫通電流が流れる。Nチ
ャネル・トランジスタ11は、Nチャネル・トランジス
タ12に比較して飽和電流(以後、IDと云う)が大き
くなるように設計されているため、接合点114におけ
る電位は低下してはゆくものの、その下がり方は前記貫
通電流の影響を受けて緩やかな変化を辿る。
In FIG. 5, a signal 11 input from an input terminal 55
1, when a positive pulse signal (see time domain E in FIG. 6) is input, a certain amount of time elapses from when N-channel transistor 11 turns on until when N-channel transistor 12 turns off. During this time, a through current flows between N-channel transistor 11 and N-channel transistor 12. N-channel transistor 11 is designed to have a larger saturation current (hereinafter referred to as ID) than N-channel transistor 12, so although the potential at junction 114 decreases, The way it decreases follows a gradual change under the influence of the through current.

また、オンの状態にあるNチャネlし・トランジスタ1
0のトレインから出力される信号112の電位も緩やか
に低下する。
Also, the N-channel transistor 1 which is in the on state
The potential of the signal 112 output from the 0 train also gradually decreases.

この時、信号112の電位が、インバータ13か動作状
態となる電位まで低下しない内に、信号111における
ハイ・レベルの期間が経過してしまう場・ 合には、出
力端子56における信号Lt3は、レベルが変化するこ
となく、そのままのレベルに保持される。従って、入力
端子55から入力される信号Litの内、或る一定の時
間幅以下の正パルス信号は、出力端子56の側において
除去される。
At this time, if the high level period of the signal 111 elapses before the potential of the signal 112 falls to the potential at which the inverter 13 becomes operational, the signal Lt3 at the output terminal 56 becomes The level does not change and remains at the same level. Therefore, of the signal Lit input from the input terminal 55, a positive pulse signal having a certain time width or less is removed at the output terminal 56 side.

また、他の従来例としては、第7図に示されるように、
第1のインバータ14、第2のインバータ15および第
3のインバータ16等を含んで構成される。第8図(a
)、(b)および(c)は、この従来例の動作示す信号
のタイ殊ング・チャートである。
In addition, as another conventional example, as shown in FIG.
It is configured to include a first inverter 14, a second inverter 15, a third inverter 16, and the like. Figure 8 (a
), (b) and (c) are signal timing charts showing the operation of this conventional example.

第7図において、入力端子57から入力される信号11
5として、正のパルス信号(第8図の時間領域Gを参照
)か反転されると(第8図の時間領域Hを参照)、第1
のインバータ14と第3のインバータ16との間には、
前記従来例と同様に貫通電流か流れる。このため、前述
の第6図の説明と同様な理由によって、第1のインバー
タ14から出力される信号116における電位の変化は
緩やかなものとなり、この結果、信号116の電位が第
2のインバータ15を動作させる電位にまで変化しない
内に、信号[15のレベルが反転前の電位に戻る場合に
は、出力端子58における信号117のレベルは変化す
ることなく、そのままのレベルにて保持される。従って
、入力端子57から入力されるパルス信号の内、或る一
定の時間幅以下の正のパルス信号は、出力端子58の側
において除去されて出力されない。
In FIG. 7, the signal 11 input from the input terminal 57
5, when the positive pulse signal (see time domain G in Fig. 8) is inverted (see time domain H in Fig. 8), the first
Between the inverter 14 and the third inverter 16,
Similar to the conventional example, a through current flows. Therefore, for the same reason as explained in FIG. If the level of the signal [15 returns to the potential before inversion before the potential changes to the potential that operates the signal 117, the level of the signal 117 at the output terminal 58 does not change and is maintained at the same level. Therefore, among the pulse signals input from the input terminal 57, positive pulse signals having a certain time width or less are removed at the output terminal 58 and are not output.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来のヒステリシス回路においては、第5図に
示される回路の場合には、貫通電流が流れるために動作
電流が大きく、また、動作上においては、負のパルスの
雑音に対しては全く効果がない(第6図の時間領域Fを
参照)という欠点がある、 更に、Nチャネル・トランジスタ12のr。か、Nチャ
ネル・トランジスタ11のroに比較して大き過ぎる場
合には、出力側の電位がいつまでも低下しないため、貫
通電流量の増加および反応速度の低下等を招来し、逆に
小さ過ぎる場合には、ヒステリシス回路としての効果が
なくなるために、Nチャネル・トランジスタ11の10
に対応して、Nチャネル・トランジスタ12の[Dを設
定しなければならない。
In the conventional hysteresis circuit described above, in the case of the circuit shown in FIG. 5, the operating current is large due to the flow of through current, and in terms of operation, it is completely ineffective against negative pulse noise. Furthermore, the r of the N-channel transistor 12 has the disadvantage that there is no (see time domain F in FIG. 6). Or, if it is too large compared to ro of the N-channel transistor 11, the potential on the output side will not drop forever, resulting in an increase in the amount of through current and a decrease in the reaction speed.On the other hand, if it is too small, 10 of N-channel transistor 11 because the effect as a hysteresis circuit disappears.
[D of N-channel transistor 12 must be set accordingly.

しかしながら、この1゜を設定するためには、他のトラ
ンジスタとの相関効果を考慮に入れる必要があり、トラ
ンジスタのプロセスの変動等によるIOの変化により、
そのバランスは容易に崩れてしまうので、これらトラン
ジスタのサイズを設定し調節することは極めて困難であ
るという問題がある。即ち、上記のNiヤネル・トラン
ジスタ12の10の設定は極めて困難であるという欠点
がある。
However, in order to set this 1°, it is necessary to take into account the correlation effect with other transistors, and due to changes in IO due to variations in the transistor process, etc.
The problem is that it is extremely difficult to set and adjust the size of these transistors because the balance is easily lost. That is, there is a drawback in that it is extremely difficult to set 10 of the Ni channel transistors 12 described above.

このことは、第7図に示される回路の場合においても同
様であり、第1のインバータ14と第3のインバータ1
6との間に貫通電流が流れるため、動作電流か大きいと
いう欠点があり、また、第1のインバータ14のI、に
より、第3のインバータ16の【0を設定する必要があ
るが、その電流値の設定は難しく、微調整も困難である
という欠点かある。
This also applies to the circuit shown in FIG. 7, where the first inverter 14 and the third inverter 1
There is a drawback that the operating current is large because a through current flows between the first inverter 14 and the third inverter 16. The drawback is that it is difficult to set values and difficult to make fine adjustments.

〔y題を解決するための手段〕[Means for solving problem y]

本発明のヒステリシス回路は、或る一定の時間幅以下の
大カバルス信号を雑音として除去するヒステリシス回路
において、人力信号をx、遅延回路による前記入力信号
Xの遅延信号をx(、、当該ヒステリシス回路の初期出
力をy、当該ヒステリシス回路の次期出力をYとする時
、論理式Y −(x+Xo)・y+x・x□を実現する
論理回路を備えて構成される。
The hysteresis circuit of the present invention is a hysteresis circuit that removes a large caballus signal of a certain time width or less as noise, in which a human input signal is x, a delay signal of the input signal X by a delay circuit is x(, the hysteresis circuit When the initial output of the hysteresis circuit is y, and the next output of the hysteresis circuit is Y, the circuit is configured to include a logic circuit that realizes the logical formula Y - (x+Xo)·y+x·x□.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は、本発明の第1の実施例を示す回路図である。第1図
に示されるように、本実施例は、遅延回路1と、第1の
NAND回路2と、○R−N、 A N D複合ゲート
回路3と、第2のNAND回路4と、を備えて構成され
る。また、第2図(a)、(b)、(c)、(d)およ
び(e)は、本実施例の動作を示す信号のタイミング・
チャートである。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment includes a delay circuit 1, a first NAND circuit 2, an RN, AAND composite gate circuit 3, and a second NAND circuit 4. Prepared and configured. In addition, FIGS. 2(a), (b), (c), (d), and (e) show the timing diagram of the signals showing the operation of this embodiment.
It is a chart.

第1図において、入力端子51から入力される信号10
1、遅延回路1から出力される信号102および出力端
子52における信号105が、共にLレベルの時に、信
号101として、遅延回路1による遅延時間to(第2
図(a)を参照)よりも短い正のパル゛ス信号が入力さ
れる場合を考える(第2図(a)の時間領域A参照)、
この場合、0R−NAND複合ゲート回路3におけるN
AND入力として帰還接続されている信号105のレベ
ルは、この時点においてはLレベルであるため、NAN
D出力としての信号104はHレベルとなっている。ま
た、信号101と102は、信号101のパルス幅が前
記LDよりも短いため、同時にHレベルとなることはな
い、従って、信号10匂と第1のNAND回路2から出
力される信号103は、共にHレベルのままであり、ま
た信号105はLレベルのままに保持される。即ち、出
力端子52における正のパルス雑音は除去される。
In FIG. 1, a signal 10 input from an input terminal 51
1. When the signal 102 output from the delay circuit 1 and the signal 105 at the output terminal 52 are both at L level, the delay time to (second
Consider the case where a shorter positive pulse signal is input (see time domain A in FIG. 2(a)).
In this case, N in the 0R-NAND composite gate circuit 3
The level of the signal 105 connected as a feedback input as an AND input is at L level at this point, so the NAN
The signal 104 as the D output is at H level. Furthermore, since the pulse width of the signal 101 is shorter than that of the LD, the signals 101 and 102 do not become H level at the same time. Therefore, the signal 101 and the signal 103 output from the first NAND circuit 2 are Both remain at H level, and signal 105 remains at L level. That is, positive pulse noise at output terminal 52 is removed.

次に、出力端子52における信号105がLレベルの時
に、信号101として、前記遅延時間t、oよりも長い
正のパルス信号が入力される場合を考える(第2図(a
)の時間領域A参照)。この場合、入力端子51におけ
る信号101と、遅延回路1から出力される102とか
同時にHレベルになると、第1のNAND回路2から出
力される信号103はLレベルとなる。従って、第2の
NAND回路4から出力される信号105はHレベルに
変化する。二の時、0R−NAND複合ゲート回路3か
ら出力される信号104はLレベルに変fヒするが、信
号105はHレベルのままである。
Next, consider the case where a positive pulse signal longer than the delay times t and o is input as the signal 101 when the signal 105 at the output terminal 52 is at the L level (Fig. 2 (a)
). In this case, when the signal 101 at the input terminal 51 and the signal 102 output from the delay circuit 1 go to H level at the same time, the signal 103 output from the first NAND circuit 2 goes to L level. Therefore, the signal 105 output from the second NAND circuit 4 changes to H level. At the time of 2, the signal 104 output from the 0R-NAND composite gate circuit 3 changes to L level, but the signal 105 remains at H level.

次に、出力端子52における信号105がHレベルの時
に、信号101として、前記遅延時間t、oよりも短い
負のパルス信号が入力される場合を考える(第2図(a
)の時間領域C参照)、この場合、入力端子51におけ
る信号101と、遅延回路1から出力される信号102
は、少なくとも一方がHレベルであり、また、出力端子
52における信号105がHレベルであるため、0R−
NAND複合ゲート回路3から出力される信号104は
Lレベルとなる。
Next, consider the case where a negative pulse signal shorter than the delay times t and o is input as the signal 101 when the signal 105 at the output terminal 52 is at H level (see Fig. 2(a).
), in which case the signal 101 at the input terminal 51 and the signal 102 output from the delay circuit 1
Since at least one of the signals is at H level and the signal 105 at the output terminal 52 is at H level, 0R-
The signal 104 output from the NAND composite gate circuit 3 becomes L level.

従って、信号105はHレベルのままに保持されて変化
せず−1従って、出力端子52における負のパルス雑音
は除去される。
Therefore, the signal 105 is maintained at the H level and does not change by -1. Therefore, the negative pulse noise at the output terminal 52 is removed.

最後に、出力端子52における信号105がHレベルの
時に、信号101として、前記遅延時間t、oよりも長
い負のパルス信号が人力される場合を考える(第2図(
a)の時間領域り参照)、この場合、入力端子51にお
ける信号101と、遅延回路1から出力される102と
が同時にLレベルになる場合には、0R−NAND複合
ゲート回路3から出力される信号104はHレベルにな
り、また、第1のNAND回路2から出力される信号1
03がHレベルであるため、出力端子52における信号
105はLレベルに変化する。この信号105のレベル
変化は、信号105が帰還人力々れている0R−NAN
D複合ゲート回路3の出力である信号104のレベルに
は、何等の影響も与えない。
Finally, consider the case where a negative pulse signal longer than the delay times t and o is manually input as the signal 101 when the signal 105 at the output terminal 52 is at H level (see Fig. 2).
In this case, if the signal 101 at the input terminal 51 and the signal 102 output from the delay circuit 1 go to L level at the same time, the signal 102 output from the 0R-NAND composite gate circuit 3 The signal 104 becomes H level, and the signal 1 output from the first NAND circuit 2
Since signal 03 is at H level, signal 105 at output terminal 52 changes to L level. This level change of the signal 105 is caused by the signal 105 being 0R-NAN where the return force is weak.
The level of the signal 104 which is the output of the D composite gate circuit 3 is not affected in any way.

次に、本発明の第2の実施例について説明する。第3図
は、第2の実施例の回路図である。第3図に示されるよ
うに、本実施例は、遅延回路5と、第1のNOR回路6
と、AND−NOR複合ゲート回路7と、第2のNOR
回路8と、を備えて構成される。また、第4図(a)、
(b)、(c)、(d)および(e)は、本実施例の動
作を示す信号のタイミング・チャートである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram of the second embodiment. As shown in FIG. 3, this embodiment includes a delay circuit 5 and a first NOR circuit 6.
, AND-NOR composite gate circuit 7, and second NOR
The circuit 8 is configured to include a circuit 8. Also, Fig. 4(a),
(b), (c), (d) and (e) are signal timing charts showing the operation of this embodiment.

第3図において、入力端子51から入力される信号10
6と遅延回路5から出力される信号107は、それぞれ
第1のNOR回路6およびAND−N。
In FIG. 3, a signal 10 input from an input terminal 51
6 and the signal 107 output from the delay circuit 5 are respectively output from the first NOR circuit 6 and the AND-N.

Ri合ゲート回路7に入力される。出力端子54におけ
る信号110がLレベルの時に、信号101として、遅
延回路1による遅延時間toよりも短い正のパルス信号
が入力される場合を考える。この場合、入力端子51か
ら入力される信号106と遅延回路5から出力される信
号107とは、同時にはHレベルになることがなく、ま
た、AND−NOR複合ゲート回路7から出力される信
号109はLレベルになることがない、従って、信号1
10はLレベルのままに保持される。
It is input to the Ri combination gate circuit 7. Consider a case where a positive pulse signal shorter than the delay time to by the delay circuit 1 is input as the signal 101 when the signal 110 at the output terminal 54 is at L level. In this case, the signal 106 inputted from the input terminal 51 and the signal 107 outputted from the delay circuit 5 do not become H level at the same time, and the signal 109 outputted from the AND-NOR composite gate circuit 7 will never go to L level, therefore, signal 1
10 is kept at L level.

また、信号110がLレベルの時に、信号106として
、遅延回路1による遅延時間t、Dよりも長い正のパル
ス信号が入力されると、この場合、信号106と信号1
07とは同時にHレベルになり得るため、AND−NO
R複合ゲート回路7から出力される信号109がLレベ
ルとなり、出力端子54における信号110はLレベル
に変化する。
Furthermore, when the signal 110 is at the L level, if a positive pulse signal longer than the delay time t, D by the delay circuit 1 is input as the signal 106, in this case, the signal 106 and the signal 1
Since it can become H level at the same time as 07, AND-NO
The signal 109 output from the R composite gate circuit 7 becomes L level, and the signal 110 at the output terminal 54 changes to L level.

また、信号110がHレベルの時に、信号106として
、遅延時間LDよりも短い時間幅の負のパルス信号か入
力されると、信号106および107は同時にはLレベ
ルになることがなく、従って、信号109および108
は共にLレベルのままに保持されるため、出力端子54
における信号11Oは、Hレベルのままに保持される。
Further, when the signal 110 is at the H level, if a negative pulse signal with a time width shorter than the delay time LD is input as the signal 106, the signals 106 and 107 will not go to the L level at the same time, and therefore, Signals 109 and 108
Since both are held at L level, the output terminal 54
The signal 11O at is maintained at the H level.

最後に、信号110がHレベルの時に、信号106とし
て、遅延時間LDよりも長い時間幅の負のパルス信号が
入力される打、信号106および107は同時にLレベ
ルにな′ることがあり得るため、信号10gがHレベル
、信号109がLレベルの状態において、出力端子対に
おける信号110は、Lレベルに変化する。従って、或
る一定の時間幅以下のパルス信号は、出力端子54の側
において無視されて除去される。
Finally, if a negative pulse signal with a time width longer than the delay time LD is input as signal 106 when signal 110 is at H level, signals 106 and 107 may become L level at the same time. Therefore, when the signal 10g is at H level and the signal 109 is at L level, the signal 110 at the output terminal pair changes to L level. Therefore, pulse signals having a certain time width or less are ignored and removed on the output terminal 54 side.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳細に説明したように、本発明は、論理回路構成
を用いることにより、原理的に貫通電流が流入すること
がなく、動作電流が軽減されて消費電流が大幅に低減さ
れるという効果がある。
As described above in detail, the present invention has the effect that by using a logic circuit configuration, no through current flows in principle, the operating current is reduced, and the current consumption is significantly reduced. be.

また、個々のトランジスタのプロセス変動等に起因する
飽和電流Inの変化に関係なく、回路が正常に動作する
という効果がある。
Further, there is an effect that the circuit operates normally regardless of changes in the saturation current In caused by process variations of individual transistors.

更に、調整容易な遅延回路の遅延量の調整により、困難
なトランジスタのサイズ調整が不要となるという効果が
ある。
Furthermore, since the delay amount of the delay circuit is easily adjusted, there is no need for difficult transistor size adjustment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第3図は、それぞれ本発明の第1および第
2の実施例の回路図、第2図(a)、(b)。 (c)、(d)および(e)は、第1の実施例における
信号のタイミング図、第4図(a)、(b)、(c)、
(d)および(e)は、第2の実施例における信号タイ
ミング図、第5図および第7図は、従来例の回路図、第
6図(a)、(b)および(C)および第8図(a)、
(b)および(C)は、それぞれ従来例における信号の
タイミング図である。 図において、1.5・・・・・・遅延回路、2・・・・
・・第1のNAND回路、3・・・・・・0R−NAN
D複合ゲート回路、4・・・・・・第2のN A N’
 D回路、6・・・・・・第1のNOR回路、7・・・
・・・AND−NOR複合ゲート回路、8・・・・・・
第2のNOR回路、9・・・・・・Pチャネル・トラン
ジスタ、10〜13・・・・・・Nチャネル・トランシ
タ、14・・・・・・第1のインバータ、15・・・・
・・第2のインバータ、16・・・・・・第3のインバ
ータ。
1 and 3 are circuit diagrams of the first and second embodiments of the present invention, respectively, and FIGS. 2(a) and 2(b). (c), (d) and (e) are timing diagrams of signals in the first embodiment;
(d) and (e) are signal timing diagrams in the second embodiment, FIGS. 5 and 7 are circuit diagrams of the conventional example, and FIGS. Figure 8(a),
(b) and (C) are timing diagrams of signals in the conventional example, respectively. In the figure, 1.5...delay circuit, 2...
...First NAND circuit, 3...0R-NAN
D composite gate circuit, 4...second N A N'
D circuit, 6...first NOR circuit, 7...
...AND-NOR composite gate circuit, 8...
Second NOR circuit, 9... P-channel transistor, 10-13... N-channel transistor, 14... First inverter, 15...
...Second inverter, 16...Third inverter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 或る一定の時間幅以下の入力パルス信号を雑音として除
去するヒステリシス回路において、入力信号をx、遅延
回路による前記入力信号xの遅延信号をx_D、当該ヒ
ステリシス回路の初期出力をy、当該ヒステリシス回路
の次期出力をYとする時、論理式Y=(x+x_D)・
y+x・x_Dを実現する論理回路を備えることを特徴
とするヒステリシス回路。
In a hysteresis circuit that removes an input pulse signal with a certain time width or less as noise, an input signal is x, a delayed signal of the input signal x by a delay circuit is x_D, an initial output of the hysteresis circuit is y, and the hysteresis circuit is When the next output of is Y, the logical formula Y=(x+x_D)・
A hysteresis circuit characterized by comprising a logic circuit that realizes y+x・x_D.
JP2289702A 1990-10-25 1990-10-25 Hysteresis circuit Pending JPH04160915A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022118768A (en) * 2021-02-03 2022-08-16 株式会社アロマジョイン Aroma display, computer program, and method of operating aroma display

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