JPH04156423A - Light waveguide path type polarizer, light waveguide path device provided with such polarizer and manufacture of such device - Google Patents
Light waveguide path type polarizer, light waveguide path device provided with such polarizer and manufacture of such deviceInfo
- Publication number
- JPH04156423A JPH04156423A JP27924090A JP27924090A JPH04156423A JP H04156423 A JPH04156423 A JP H04156423A JP 27924090 A JP27924090 A JP 27924090A JP 27924090 A JP27924090 A JP 27924090A JP H04156423 A JPH04156423 A JP H04156423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- light
- optical
- waveguide path
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 11
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910013637 LiNbO2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
概 要
光導波路型偏光子及び該偏光子を備えた光導波路デバイ
ス並びに該デバイスの製造方法に関し、消光比等の特性
が良好な光導波路デバイスを実現することを主Ll的と
し、
例えば、導波路基板に該基板よりも高屈折尋=な光導波
路を形成し、該光導波路の両側に金属層を形成してなる
光導波路型偏光子を光入力部に一体に備えて構成する。Detailed Description of the Invention Overview Regarding an optical waveguide type polarizer, an optical waveguide device equipped with the polarizer, and a method for manufacturing the device, the main objective is to realize an optical waveguide device with good characteristics such as extinction ratio. For example, an optical waveguide type polarizer formed by forming an optical waveguide with a higher refractive index on a waveguide substrate than that of the substrate and forming metal layers on both sides of the optical waveguide is integrally provided in the optical input part. Configure.
産業上の利用分野
本発明は光導波路型偏光子及び該偏光子を備えた光導波
路デバイス並びに該デバイスの製造方法に関する。INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to an optical waveguide type polarizer, an optical waveguide device equipped with the polarizer, and a method for manufacturing the device.
光通信又は光伝送の分野においては、送信機、受信機及
び伝送路以外に、光スィッチ及び光カプラ等の種々の光
デバイスが用いられる。光デバイスの形態の一つとして
、導波路型のものをあげることができる。この種の光導
波路デバイスは、導波路基板上に光導波路を形成し、こ
の光導波路内に光ビームを閉じ込必た状態で制御するよ
うに構成されており、構造上小型化が容易で、プレーナ
技術等を用いて量産することができるという利点の他、
電界や磁界を効果的に印加することができ消費電力を飛
躍的に軽減することが可能であるという利点を有してい
る。光導波路デバイスは結晶の電気光学効果を利用した
ものが多く、この種の結晶は異方性を有しているので、
特定の偏波状態の光を入射させないと所要の特性が得ら
れないことがあり、これに対処することが要求される。In the field of optical communication or optical transmission, in addition to transmitters, receivers, and transmission lines, various optical devices such as optical switches and optical couplers are used. One type of optical device is a waveguide type. This type of optical waveguide device has an optical waveguide formed on a waveguide substrate and is configured to control a light beam while confining it within the optical waveguide, and is easy to miniaturize due to its structure. In addition to the advantage that it can be mass-produced using planar technology, etc.
It has the advantage of being able to effectively apply an electric field or magnetic field and dramatically reducing power consumption. Many optical waveguide devices utilize the electro-optic effect of crystals, and since this type of crystal has anisotropy,
Required characteristics may not be obtained unless light with a specific polarization state is incident, and measures must be taken to deal with this.
従来の技術
例えば、Zカッ)LiNbO2(光学軸が基板面に垂直
なリチウムナイオベート)からなる導波路基板にT1を
熱拡散させて光導波路を形成し、この光導波路に適当な
電極を装荷してなるマツハツエンダ型光変調器にあって
は、基板面に対して垂直な偏波面(電場ベクトルの振動
面)を有するTM光についての単位電界当たりの位相変
化が最も大きいので、TM光が導波されるようにして、
低電圧駆動を可能にしている。この場合、入射光にTE
光(基板面と平行な偏波面を有する光)の成分が含まれ
ていると、TE光についての単位電界当たりの位相変化
はTM光に対するそれよりも小さいので、所要の変調動
作がなされなくなる。Conventional technology For example, an optical waveguide is formed by thermally diffusing T1 into a waveguide substrate made of LiNbO2 (lithium niobate whose optical axis is perpendicular to the substrate surface), and an appropriate electrode is loaded on this optical waveguide. In the Matsuhatsu Enda optical modulator, the phase change per unit electric field is the largest for TM light, which has a plane of polarization (plane of vibration of the electric field vector) perpendicular to the substrate surface. so that
It enables low voltage drive. In this case, the incident light has TE
If a component of light (light having a plane of polarization parallel to the substrate surface) is included, the required modulation operation will not be performed because the phase change per unit electric field for TE light is smaller than that for TM light.
具体的には、光強度変調において出力光をオン・オフす
る場合に、オフとなるべきときにTE光が漏れ出して消
光比が著しく劣化する。Specifically, when the output light is turned on and off in light intensity modulation, the TE light leaks out when it should be turned off, resulting in a significant deterioration of the extinction ratio.
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、消
光比等の特性が良好な光導波路デバイスを実現すること
を目的としている。“この目的を達成するために光導波
路型偏光子を提供することもこの発明の目的である。ま
た、上記光導波路デバイスの製造方法を提供することも
この発明の目的である。The present invention was created in view of these circumstances, and an object of the present invention is to realize an optical waveguide device with good characteristics such as extinction ratio. “It is also an object of the present invention to provide an optical waveguide type polarizer to achieve this object.It is also an object of the present invention to provide a method for manufacturing the above-mentioned optical waveguide device.
課題を解決するための手段
第1図は本発明の光導波路型偏光子の構成を示す断面図
である。Means for Solving the Problems FIG. 1 is a sectional view showing the structure of an optical waveguide type polarizer of the present invention.
本発明の光導波路型偏光子は、導波路基板lに該基板よ
りも高屈折率な光導波路2を形成し、この光導波路2の
両側に金属層3を形成して構成される。The optical waveguide type polarizer of the present invention is constructed by forming an optical waveguide 2 having a higher refractive index than the substrate on a waveguide substrate l, and forming metal layers 3 on both sides of this optical waveguide 2.
本発明の光導波路デバイスは、上記光導波路型偏光子を
光入力部に一体に備えて構成される。The optical waveguide device of the present invention is configured such that the optical waveguide type polarizer is integrally provided in the optical input section.
望ましくは、導波路基板はZ力y )LiNb03−5
=
であり、光導波路はZカットL r N b O3にT
】を熱拡散させたものであり、金属層はT1シリザイド
である。Preferably, the waveguide substrate is Z force y)LiNb03-5
=, and the optical waveguide is Z-cut L r N b O3 and T
] is thermally diffused, and the metal layer is T1 silicide.
本発明の光導波路デバイスの製造方法は、ステップ図を
第2図に示すように、2カツ)LiNbO2からなる導
波路基板の光導波路を形成すべき部分の両側に溝を形成
する第1のステップ11と、該溝に81を充填する第2
のステップ12と、該Si上及び上記導波路基板の光導
波路を形成すべき部分の上にT1膜を形成する第3のス
テップ13と、該T】膜を熱拡散させる第4のステップ
14とを含んでなる。As shown in FIG. 2, the method for manufacturing an optical waveguide device of the present invention includes two steps: (1) forming grooves on both sides of a portion of a waveguide substrate made of LiNbO2 where an optical waveguide is to be formed; 11, and a second filling 81 into the groove.
a third step 13 of forming a T1 film on the Si and a portion of the waveguide substrate where an optical waveguide is to be formed; and a fourth step 14 of thermally diffusing the T1 film. Contains.
作 用
本発明の光導波路型偏光子にあっては、光導波路の両側
に金属層を形成しているので、金属層の複素屈折率によ
ってTE光に対する吸収作用が生じる。従って、この光
導波路型偏光子にTE光成分及びTM光成分を有する光
を入射させたときに、出力光はTM光のみとなる。Function In the optical waveguide type polarizer of the present invention, since metal layers are formed on both sides of the optical waveguide, the complex refractive index of the metal layer produces an absorption effect on TE light. Therefore, when light having a TE light component and a TM light component is incident on this optical waveguide type polarizer, the output light is only the TM light.
この光導波路型偏光子を光入力部に一体に備えた光導波
路デバイスにあっては、光入力部でTE光が除去される
ので、入射光の偏光状態に係わらず光導波路デバイスの
機能部分を伝搬する光はTM光のみとなる。導波路基板
がZカッ)LiNbO2から形成されている場合、T”
M光が伝搬するときに所要の特性が得られるようにな
っているので、このような光導波路デバイスに本発明を
適用した場合、通常のンングルモードファイバを用いて
光導波路デバイスへの光の入射を行うことができる。た
だし、この場合にはTE酸成分伝搬しないので、損失が
最大3d1(増加する。また、偏波面保存ファイバを用
いる場合、その偏波方向の調整精度が緩くなるため、調
整作業を簡略化することができる。In an optical waveguide device in which the optical waveguide type polarizer is integrally provided in the optical input part, the TE light is removed at the optical input part, so the functional part of the optical waveguide device can be used regardless of the polarization state of the incident light. The light that propagates is only TM light. If the waveguide substrate is made of LiNbO2, T”
Since the required characteristics are obtained when the M light propagates, when the present invention is applied to such an optical waveguide device, the light can be transmitted to the optical waveguide device using a normal ngle mode fiber. injection can be performed. However, in this case, since the TE acid component does not propagate, the loss increases by up to 3d1.Also, when using a polarization-maintaining fiber, the adjustment accuracy of the polarization direction becomes loose, so it is necessary to simplify the adjustment work. I can do it.
実 施 例 以f本発明の詳細な説明する。Example The present invention will now be described in detail.
第3図は本発明の実施例を示す光導波路デバイスの製造
工程の説明図である。まず、第3図(a)に示すように
、ZカットL、 IN b O3からなる導波路基板1
の光導波路を形成すべき部分の両側に溝21を例えばエ
ツチングにより形成する。次いて、第3図(b)に示す
ように、導波路基板1−ににS1膜22をスパッタ法等
により形成することによって、溝21をSiで充填する
。その後、第3図(C)に示すように、S1膜22につ
いて研磨或いはエツチングを行うことによって、溝21
に充填された5122の表面と導波路基板1の表面とが
同一・平面−11に露出するようにする。しかる後、第
:3図(C)に示すように、5122−F、及び導波路
基板1の光導波路を形成すべき部分の−にに′1゛l膜
23を例えばリフトオフ法により形成する。そして、こ
の導波路基板を加熱炉内に入れる等によりTi膜23を
熱拡散させ、5122をT iシリサイドからなる金属
層3にするとともに、T1の熱拡散により高屈折率とな
った光導波路2を形成する。次いで、1゛】の残渣を除
去した後、第3図(f)に示すように、クランド層とな
る5102からなるハンファ層24を形成する。そして
最後に、第3図(g)に示すように、必要に応じてバッ
ファ層24」−に電極25を形成する。FIG. 3 is an explanatory diagram of the manufacturing process of an optical waveguide device showing an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 3(a), a waveguide substrate 1 made of Z-cut L, IN b O3
Grooves 21 are formed, for example, by etching, on both sides of the portion where the optical waveguide is to be formed. Next, as shown in FIG. 3(b), the groove 21 is filled with Si by forming an S1 film 22 on the waveguide substrate 1- by sputtering or the like. Thereafter, as shown in FIG. 3(C), the S1 film 22 is polished or etched to form the grooves 21.
The surface of the 5122 filled in the waveguide substrate 1 and the surface of the waveguide substrate 1 are made to be exposed on the same plane -11. Thereafter, as shown in FIG. 3(C), a '1'l film 23 is formed on the 5122-F and the portion of the waveguide substrate 1 where the optical waveguide is to be formed, by, for example, a lift-off method. Then, the Ti film 23 is thermally diffused by placing this waveguide substrate in a heating furnace, etc., and 5122 is made into the metal layer 3 made of Ti silicide, and the optical waveguide 2 has a high refractive index due to the thermal diffusion of T1. form. Next, after removing the residue 1゛], as shown in FIG. 3(f), a Hanwha layer 24 made of 5102 and serving as a ground layer is formed. Finally, as shown in FIG. 3(g), an electrode 25 is formed on the buffer layer 24'' as required.
この実施例の方法による場合、金属層3の形成と光導波
路2の形成とを同一工程で同時に行うことができるので
、本発明の光導波路型偏光子の実現が容易である。T】
シリサイドは金属的性質を有するので、その複素屈折率
により光導波路2を伝搬する光のうちTE光成分を吸収
することができる。According to the method of this embodiment, the formation of the metal layer 3 and the formation of the optical waveguide 2 can be performed simultaneously in the same process, so it is easy to realize the optical waveguide type polarizer of the present invention. T】
Since silicide has metallic properties, it can absorb the TE light component of the light propagating through the optical waveguide 2 due to its complex refractive index.
第4図は上述の製造方法を適用して製造されたマツハツ
エンダ型光変調器の平面図である。尚、導波路基板と電
極間に介在するマツハ層の図示は省略しである。このマ
ツハツエンダ型光変調器は、L i N b 03 か
らなる導波路基板1のZカフ)面を用い、この面に上述
のように]lを熱拡散させることによって光導波路2を
形成し、この光導波路に電極25を装荷して構成されて
いる。1は導波路基板、2Aは入力端光導波路、2B、
2Cは入力側光導波路2Δから2つの経路に分岐する光
導波路、2Dは光導波路2B、2Cが合流する出力価光
導波路、25Aは主として光導波路2Bに装荷された進
行波電極、25Bは光導波路2Cに装荷されたアース電
極である。アース電極25Bは接地されており、アース
電極25B及び進行波電極25Aの出力側光導波路2D
に近い方の端部には終端抵抗31が接続されている。駆
動電圧はアース電極25B及び進行波電極25Aの終端
抵抗3〕が設けられていない側に供給される。そして、
T iシリサイドからなる金属層3は人ノj側光導波路
2Aの両側に設けられている。FIG. 4 is a plan view of a Matsuhatsu Enda type optical modulator manufactured by applying the above manufacturing method. Note that the illustration of the Matsuha layer interposed between the waveguide substrate and the electrode is omitted. This Matsuhatsu Enda type optical modulator uses the Z cuff surface of a waveguide substrate 1 made of L i N b 03 and forms an optical waveguide 2 by thermally diffusing ]l on this surface as described above. It is constructed by loading an electrode 25 onto an optical waveguide. 1 is a waveguide substrate, 2A is an input end optical waveguide, 2B,
2C is an optical waveguide that branches into two paths from the input optical waveguide 2Δ, 2D is an output optical waveguide where optical waveguides 2B and 2C join, 25A is a traveling wave electrode mainly loaded on the optical waveguide 2B, and 25B is an optical waveguide. This is the ground electrode loaded on 2C. The earth electrode 25B is grounded, and the output side optical waveguide 2D of the earth electrode 25B and the traveling wave electrode 25A
A terminating resistor 31 is connected to the end closer to . The driving voltage is supplied to the side of the ground electrode 25B and the traveling wave electrode 25A where the terminating resistor 3 is not provided. and,
Metal layers 3 made of T i silicide are provided on both sides of the passenger-side optical waveguide 2A.
第5図は第4図に示されたマツバツエンダハ′1光変調
器の動作特性を示す図であり、縦軸は光出力強度、横軸
は駆動電圧である。本実施例においては、入力端光導波
路2Aで1゛EE光成除去されるので、機能部分を伝搬
する光は′1゛M光となる。FIG. 5 is a diagram showing the operating characteristics of the Matsubatsu Endach'1 optical modulator shown in FIG. 4, with the vertical axis representing the optical output intensity and the horizontal axis representing the driving voltage. In this embodiment, since 1'EE light is removed in the input end optical waveguide 2A, the light propagating through the functional part becomes '1'M light.
第5図において実線で示される曲線は、TM光に対する
光出力強度ど駆動電圧の関係を示すグラフである。参考
までに、金属層3がない場合において、TE光が伝搬す
るときの光出力強度と駆動電圧の関係を破線で示す。変
調信号に、上り”f’ M光を=10−
オン・オフする場合、例えばV。で与えられるような振
幅を有する変調信号を用いる。本実施例においては、T
E光成分が良好に除去されているので、このような条件
でマツハツエンダ型光変調器を動作させると、極めて高
い消光比を得ることができる。従来技術による場合、金
属層3が設けられていないので、TM光のみが伝搬する
ようにするためには、偏波面保存型の光ファイバ等を用
いて、入射光がTM光になるようにしていた。この場合
、偏波面保存型の光ファイバとマツハツエンダ型光変調
器の入力部とを接続するに際して極めて高精度なアライ
メントが要求された。これに対して、本実施例による場
合、入射光の偏光状態が概略TM光になるようにしてお
き際すれば、僅かにTE光成分が生じたとしても、この
TE光成分は金属層3によって吸収除去され、消光比を
劣化させることがない。このように、本実施例によるき
、高精度なアライメントを必要とせず、しかも消光比特
性が良好なマツハツエンダ型光変調器の提供が可能にな
る。The solid line curve in FIG. 5 is a graph showing the relationship between optical output intensity and drive voltage for TM light. For reference, the relationship between the optical output intensity and the driving voltage when the TE light propagates in the case where the metal layer 3 is not provided is shown by a broken line. For the modulation signal, when turning on/off the upstream "f' M light = 10-, a modulation signal having an amplitude given by, for example, V. is used. In this example, T
Since the E light component is well removed, when the Matsuhatsu Enda optical modulator is operated under these conditions, an extremely high extinction ratio can be obtained. In the case of the conventional technology, since the metal layer 3 is not provided, in order to ensure that only TM light propagates, a polarization-maintaining optical fiber or the like is used to make the incident light TM light. Ta. In this case, extremely high precision alignment was required when connecting the polarization preserving optical fiber and the input section of the Matsuhatsu Enda optical modulator. On the other hand, in the case of this embodiment, if the polarization state of the incident light is set to approximately TM light, even if a slight TE light component occurs, this TE light component will be absorbed by the metal layer 3. It is absorbed and removed without deteriorating the extinction ratio. In this way, according to this embodiment, it is possible to provide a Matsuhatsu Enda type optical modulator that does not require highly accurate alignment and has good extinction ratio characteristics.
発明の詳細
な説明したように、本発明によると、消光比等の特性が
良好な光導波路デバイスの実現が可能になる古いう効果
を奏する。As described in detail, the present invention has the advantage of making it possible to realize an optical waveguide device with good characteristics such as extinction ratio.
第1図は本発明の光導波路型偏光子の構成を示す断面図
、
第2図は本発明の光導波路デバイスの製造方法を示すス
テップ図、
第3図は本発明の実施例を示ず光導波路デバイスの製造
方法の説明図、
第4図は第3図に示された製造方法を適用して製造され
るマツハツエンダ型光変調器の平面図、第5図は第4図
に示された光変調器の動作特性を示す図である。
1・・・導波路基板、
2・・・光導波路、
3・・・金属層。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of an optical waveguide type polarizer of the present invention, FIG. 2 is a step diagram showing a method for manufacturing an optical waveguide device of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a plan view of a Matsuhatsu Enda type optical modulator manufactured by applying the manufacturing method shown in FIG. 3, and FIG. FIG. 3 is a diagram showing operating characteristics of a modulator. 1... Waveguide substrate, 2... Optical waveguide, 3... Metal layer.
Claims (1)
路(2)を形成し、 該光導波路(2)の両側に金属層(3)を形成したこと
を特徴とする光導波路型偏光子。2、請求項1に記載の
光導波路型偏光子を光入力部に一体に備えたことを特徴
とする光導波路デバイス。 3、請求項2に記載の光導波路デバイスにおいて、 上記導波路基板(1)はZカットLiNbO_3であり
、 上記光導波路(2)は該ZカットLiNbO_3にTi
を熱拡散させたものであり、 上記金属層(3)はTiシリサイドであることを特徴と
する光導波路デバイス。 4、ZカットLiNbO_3からなる導波路基板の光導
波路を形成すべき部分の両側に溝を形成する第1のステ
ップ(11)と、 該溝にSiを充填する第2のステップ(12)と、該S
i上及び上記導波路基板の光導波路を形成すべき部分の
上にTi膜を形成する第3のステップ(13)と、 該Ti膜を熱拡散させる第4のステップ(14)とを含
んでいることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法
。[Claims] 1. An optical waveguide (2) having a higher refractive index than the substrate is formed on a waveguide substrate (1), and metal layers (3) are formed on both sides of the optical waveguide (2). An optical waveguide type polarizer featuring: 2. An optical waveguide device, characterized in that the optical waveguide type polarizer according to claim 1 is integrally provided in an optical input section. 3. The optical waveguide device according to claim 2, wherein the waveguide substrate (1) is made of Z-cut LiNbO_3, and the optical waveguide (2) is made of Z-cut LiNbO_3.
An optical waveguide device, characterized in that the metal layer (3) is Ti silicide. 4. A first step (11) of forming grooves on both sides of the portion where an optical waveguide is to be formed in a waveguide substrate made of Z-cut LiNbO_3; and a second step (12) of filling the grooves with Si; The S
a third step (13) of forming a Ti film on the i and a portion of the waveguide substrate where an optical waveguide is to be formed; and a fourth step (14) of thermally diffusing the Ti film. A method for manufacturing an optical waveguide device, characterized in that:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27924090A JPH04156423A (en) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | Light waveguide path type polarizer, light waveguide path device provided with such polarizer and manufacture of such device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27924090A JPH04156423A (en) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | Light waveguide path type polarizer, light waveguide path device provided with such polarizer and manufacture of such device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04156423A true JPH04156423A (en) | 1992-05-28 |
Family
ID=17608396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27924090A Pending JPH04156423A (en) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | Light waveguide path type polarizer, light waveguide path device provided with such polarizer and manufacture of such device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04156423A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0728007A (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Nec Corp | Waveguide type optical device |
JPH0980365A (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Nec Corp | Waveguide type optical device |
WO2008020475A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Fujitsu Limited | Waveguide type polarizer and optical waveguide device |
CN102511015A (en) * | 2009-09-30 | 2012-06-20 | 住友大阪水泥股份有限公司 | Optical waveguide element |
CN108803091A (en) * | 2018-05-04 | 2018-11-13 | 天津大学 | A kind of titanium diffusion LiNbO_3 film Polarization Controller and its manufacturing method |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP27924090A patent/JPH04156423A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0728007A (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Nec Corp | Waveguide type optical device |
JPH0980365A (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Nec Corp | Waveguide type optical device |
WO2008020475A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Fujitsu Limited | Waveguide type polarizer and optical waveguide device |
JPWO2008020475A1 (en) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | 富士通株式会社 | Waveguide-type polarizer and optical waveguide device |
JP4785925B2 (en) * | 2006-08-16 | 2011-10-05 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | Waveguide-type polarizer and optical waveguide device |
CN102511015A (en) * | 2009-09-30 | 2012-06-20 | 住友大阪水泥股份有限公司 | Optical waveguide element |
CN108803091A (en) * | 2018-05-04 | 2018-11-13 | 天津大学 | A kind of titanium diffusion LiNbO_3 film Polarization Controller and its manufacturing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5475771A (en) | Polarization splitter haivng an anisotropic optical waveguide | |
CA2052923C (en) | Polarization-independent optical switches/modulators | |
US6876782B2 (en) | Integrated type optical waveguide device | |
JPH0728007A (en) | Waveguide type optical device | |
JPH07318986A (en) | Waveguide type optical switch | |
JPH04156423A (en) | Light waveguide path type polarizer, light waveguide path device provided with such polarizer and manufacture of such device | |
US5923795A (en) | Optical waveguide device having a double-refractor at an input thereof | |
JPH08194196A (en) | Production of optical waveguide device | |
JP4544474B2 (en) | Light modulator | |
US7409114B2 (en) | Optical modulator | |
JP2613942B2 (en) | Waveguide type optical device | |
JPH04282608A (en) | Optical waveguide device | |
US5815609A (en) | Waveguide type optical external modulator | |
JPH0553157A (en) | Optical control device | |
JP2812974B2 (en) | Polarization independent optical switch | |
JP2635986B2 (en) | Optical waveguide switch | |
JP4671335B2 (en) | Waveguide type optical device | |
JP2659787B2 (en) | Waveguide mode light selector | |
JP2006243326A (en) | Optical waveguide and its manufacturing method | |
JP3418391B2 (en) | Method for manufacturing waveguide type optical device | |
JP3018621B2 (en) | Waveguide type light controller | |
JPH04311918A (en) | Light wave guide passage device | |
JP3398191B2 (en) | Waveguide type optical control device | |
JPH05297420A (en) | Optical switch | |
JPH03188423A (en) | Optical directional coupler and production thereof |