JP3398191B2 - Waveguide type optical control device - Google Patents

Waveguide type optical control device

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JP3398191B2 JP24515493A JP24515493A JP3398191B2 JP 3398191 B2 JP3398191 B2 JP 3398191B2 JP 24515493 A JP24515493 A JP 24515493A JP 24515493 A JP24515493 A JP 24515493A JP 3398191 B2 JP3398191 B2 JP 3398191B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ通信システ
ムや光ファイバセンサ、光計測等に用いられる導波路型
光制御デバイスに関する。さらに詳しくは、光導波路デ
バイスと偏波面保存光ファイバとの接続時に生じる偏波
面の角度ズレによる消光比の劣化を小さくした(角度ズ
レに対してトレランスの大きい)導波路型光制御デバイ
スに関する。 【0002】 【従来の技術】近年、小型で集積化が可能な種々の光導
波路デバイスが提案、実用化されている。特に光制御を
目的とした導波路型光制御デバイスにおいては、結晶方
向により光学特性の異なる、異方性結晶材料を基板とし
て用いることが多いため、通常入出射光ファイバ(特に
入射光ファイバ)に偏波面保存光ファイバが用いられて
いる。これは、特定の導波モード(偏光面が基板に水平
なTEモード、及び偏光面が基板に垂直なTMモード)
に対して所望の光制御を行うために、特定の直線偏光を
入出射する必要があるためである。 【0003】その一例として、図4にマッハツェンダ干
渉計型光変調器(以下、MZ光変調器と記す)の構成を
示す。基板1としてはニオブ酸リチウム(LiNbO3
;以下LNと略記する)基板等が用いられ、Ti等の
金属をこの基板1上にパターニングし、1000℃程度
の高温で拡散することにより、容易に光導波路2を形成
させることができる。この光導波路2上に直接もしくは
バッファ層を介して電極(図示せず)を形成し、光導波
路2の一部分に電界を印加することにより、光パワーの
強度変調を行う。一般に、ZカットLN基板を用いた場
合はTMモードを、またXカットLN基板を用いた場合
はTEモードを用いて動作させるため、入射光ファイバ
3としては偏波面保存光ファイバを用いる必要がある。
なお、図中4は出射光ファイバである。 【0004】従来、こうした導波路型光制御デバイスと
偏波面保存光ファイバとの接続には、偏波面保存光ファ
イバの端面もしくは側面より応力付与部等を観察するこ
とにより偏波面を幾何学的に決めた後、光導波路との位
置合わせを行い接続・固着する方法と、予め同様の方法
にて、V溝を形成したシリコンやセラミックの部材に、
偏波面を決めた状態で接着固定しておき、しかる後にこ
の部材とともに光導波路基板と一体固定する方法がとら
れている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように導波路型光制御デバイスに偏波面保存光ファイバ
を接続・固着する際に、光導波路に対する偏波面の角度
ズレが生じると、図2に示すように印加電圧−消光特性
の消光レベルに周期的な変動が生じてしまう。これは偏
波面の角度ズレによって、TEモード成分も励振されこ
れが印加電界によって変調され、TMモードに重ね合わ
せて出力されるためと考えられる。 【0006】上記のMZ型光変調器が理想的に形成され
た場合、すなわち入力側分岐部21で分岐された導波光
の位相が、出力側Y分岐部23で合流する際に全く一致
するように光導波路が形成された場合、TM及びTEモ
ードのいずれで動作させても0Vで光出力が最大とな
る。結果としてTMモードで動作させる場合に、少しで
も角度ズレが生じてしまうと、通常変調器として使用す
る0V近傍の消光比が特に劣化してしまい、作製歩留ま
りが悪くなるという問題点があった。ちなみに、20d
B以上の高消光比を実現するためには、この角度ズレを
±0.5°以内に抑える必要がある。一般に±3°程度
のトレランスがあれば、作製は容易であるが、±0.5
°以内のトレランスに抑えるためには、アライメントに
非常に時間がかかり量産性に乏しくなる。 【0007】また、これを補償するために出力側導波路
端面や、出力光ファイバに高消光比の偏光子を取り付け
る方法が提案されているが、工程が複雑になるばかりで
なく、位置ズレ量がそのまま損失増加になってしまうと
いう欠点があった。 【0008】 【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の導波路型光制御デバイスは、異方性光学
結晶の基板上に拡散させる金属のストライプ幅、膜厚、
拡散時間、及び拡散温度を設定することにより、TMモ
ード又はTEモードのいずれか一方のみのモードが導波
され且つ他のモードが略カットオフとなるように形成し
た光導波路と、光導波路上に形成した導波光制御用の金
属電極と、光導波路の一端部に導波光を入出力するため
に配置した少なくとも1本の偏波面保存光ファイバとか
ら成る。すなわち、光導波路はTMモード又はTEモー
ドのいずれか一方のモードで導波し、且つ他方のモード
で略カットオフになる。ここで、略カットオフとは角度
ズレが生じても所望の消光比が得られる程度にしかTE
モード成分が励振されない条件である。 【0009】 【作用】上記構成により、偏波面光ファイバと光導波路
を接続する際に、偏波面の角度ズレが生じても、TMモ
ードで導波する場合は、TEモードが略カットオフとな
るので、TEモード成分が励振される割合が少なく、か
つTEモード成分の変調効率も悪くなるので、印加電圧
が0Vの近傍はもとより、広範囲の印加電圧に対しても
TMモード動作での高消光比を維持することができる。
逆に、TEモードで導波する場合は、TMモードがカッ
トオフとなるのでTMモード成分が励振される割合が少
なく、かつTMモード成分の変調効率が悪くなるので、
広範囲の印加電圧に対してもTEモード動作での高消光
比を維持することができる。 【0010】 【実施例】以下に、図1乃至図3を用いて本発明の導波
路型光制御デバイスについて詳細に説明する。ここでは
簡単のため、図4に示す従来のMZ光変調器を用いて説
明する。先ず図3に基づいて、本発明の導波路型光制御
デバイスの作製条件について説明する。光導波路の製造
方法は公知の技術であるTi拡散により作製し、まず、
デバイスを作製する前にZカットLN基板上に、光導波
路となるTiストライプ幅を変化させた直線導波路を作
製し、NFP(ニアーフィールドパターン)測定装置を
用いて、そのスポットサイズの測定を行い、シングルモ
ード導波となる条件を検討した。ここでは、Ti膜厚1
200Å、拡散条件は拡散温度1050℃、拡散時間
3.5時間とした。 【0011】図3から判る様に、ZカットLN基板では
TEモードでのスポットサイズはTMモードでのスポッ
トサイズより大きく、シングルモードで導波するTiス
トライプ幅も広い。TMモード動作で低駆動電圧を実現
するためには、スポットサイズが最小となる6μm幅
で、図4に示すようなデバイスを作製するのが良いとさ
れている。図2はこの条件で作製したMZ型光変調器の
印加電圧−光変調特性を示すグラフである。なお、ここ
での偏波面の位置合わせ精度は±3°程度で、基板の垂
直方向に完全に一致していない。先に述べた様に、この
Tiストライプ幅でデバイスを作製すると、TMモード
だけでなく、TEモードでもスポットサイズが小さくな
り、図2にみられる様に、偏波面の角度ズレによるとみ
られる消光特性のバラツキがみられる。特に0V近傍で
消光比が大きく劣化しているのが判る。 【0012】これに対して、Tiストライプ幅4μmで
作製した印加電圧−光変調特性を図1に示す。この条件
では、TMモードのスポットサイズが若干大きくなり、
駆動電圧が少し大きくなっているものの、TEモードが
カットオフ条件に近いために印加電圧による消光比のバ
ラツキが小さく、0V近傍での消光比も20dB以上を
実現している。また、幅広い印加電圧範囲に対して消光
比のバラツキがほとんどみられない。 【0013】上記実施例においては、ZカットLN基板
を用いて説明したが、XカットLN基板を用いて同様な
導波を行うと、ZカットLN基板とは逆の結果となる。
すなわち、TMモードでのスポットサイズはTEモード
でのスポットサイズより大きくなり、TEモードで導波
し、TMモード成分が励振される割合が少なく、かつT
Mモード成分の変調効率が悪くなるので、TMモードで
略カットオフとなり、広範囲の印加電圧に対してもTE
モード動作での高消光比を維持することができるのであ
る。 【0014】なお、上記実施例では一定のTi膜厚、一
定の拡散条件について説明したが、設計上異なるTi膜
厚や、異なる拡散条件でこれを実現できることはいうま
でもない。すなわち、Tiストライプ幅、Ti膜厚、拡
散温度、拡散時間の4つのパラメータのうち3つを一定
として本発明の導波路型光制御デバイスを作製すること
が可能である。 【0015】また、MZ型光変調器についての特性例を
用いて本発明の有効性を説明したが、TMモード又はT
Eモードのみを導波する光制御を行うデバイスであれ
ば、その基板材料等に関係なくどのようなものであって
も、適宜変更等を行い実施することが可能である。 【0016】 【発明の効果】本発明の導波路型光制御デバイスによ
り、偏波面保存光ファイバとの接続が容易に行え、生産
性に優れた導波路型光制御デバイスを提供することがで
きる。また、広範囲の印加電圧に対してもTMモード動
作又はTEモード動作での高消光比を維持することが可
能で、しかも、消光比のバラツキがほとんどみられない
優れた導波路型光制御デバイスを提供することができ
る。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type light control device used for an optical fiber communication system, an optical fiber sensor, an optical measurement and the like. More specifically, the present invention relates to a waveguide-type light control device in which deterioration of an extinction ratio due to an angle shift of a polarization plane generated when an optical waveguide device is connected to a polarization-maintaining optical fiber is reduced (tolerance with respect to the angle shift). 2. Description of the Related Art In recent years, various optical waveguide devices which are small and can be integrated have been proposed and put to practical use. In particular, in a waveguide type optical control device for the purpose of optical control, since anisotropic crystal materials having different optical characteristics depending on the crystal direction are often used as a substrate, the optical input / output optical fiber (especially the incident optical fiber) is usually polarized. Wavefront preserving optical fibers are used. This is a specific waveguide mode (TE mode in which the polarization plane is horizontal to the substrate, and TM mode in which the polarization plane is perpendicular to the substrate).
This is because it is necessary to input and output a specific linearly polarized light in order to perform desired light control on the light. As an example, FIG. 4 shows a configuration of a Mach-Zehnder interferometer type optical modulator (hereinafter, referred to as an MZ optical modulator). As the substrate 1, lithium niobate (LiNbO3
A substrate or the like is used, and a metal such as Ti is patterned on the substrate 1 and diffused at a high temperature of about 1000 ° C., whereby the optical waveguide 2 can be easily formed. An electrode (not shown) is formed directly on the optical waveguide 2 or via a buffer layer, and an electric field is applied to a part of the optical waveguide 2 to modulate the intensity of the optical power. In general, a TM-mode is used when a Z-cut LN substrate is used, and a TE-mode is used when an X-cut LN substrate is used. Therefore, it is necessary to use a polarization-maintaining optical fiber as the incident optical fiber 3. .
In the figure, reference numeral 4 denotes an output optical fiber. Conventionally, such a waveguide-type optical control device is connected to a polarization-maintaining optical fiber by geometrically changing the plane of polarization by observing a stress applying portion or the like from the end face or side face of the polarization-maintaining optical fiber. After it is determined, it is aligned with the optical waveguide and connected / fixed, and in the same manner as before, the silicon or ceramic member with the V-groove is formed.
A method has been adopted in which the polarization plane is fixed in a fixed state and then fixed together with the optical waveguide substrate together with this member. [0005] However, when the polarization-maintaining optical fiber is connected to and fixed to the waveguide-type optical control device as described above, if an angle shift of the polarization plane with respect to the optical waveguide occurs, As shown in FIG. 2, a periodic fluctuation occurs in the extinction level of the applied voltage-extinction characteristic. This is considered to be because the TE mode component is also excited by the angle shift of the polarization plane, is modulated by the applied electric field, and is output while being superimposed on the TM mode. When the MZ type optical modulator described above is ideally formed, that is, when the phases of the guided lights branched by the input side branching section 21 are completely coincident with each other at the output side Y branching section 23, the phases are completely matched. In the case where the optical waveguide is formed, the optical output becomes maximum at 0 V regardless of the operation in either the TM mode or the TE mode. As a result, in the case of operating in the TM mode, if any angle deviation occurs, the extinction ratio in the vicinity of 0 V used as a normal modulator is particularly deteriorated, and there is a problem that the production yield is deteriorated. By the way, 20d
In order to realize a high extinction ratio of B or more, it is necessary to suppress this angular deviation to within ± 0.5 °. Generally, if the tolerance is about ± 3 °, the fabrication is easy, but ± 0.5 °.
In order to keep the tolerance within °, alignment takes a very long time and mass productivity is poor. In order to compensate for this, there has been proposed a method of attaching a polarizer having a high extinction ratio to an end face of an output side waveguide or an output optical fiber. However, there is a disadvantage that the loss increases as it is. In order to solve the above-mentioned problems, a waveguide type light control device according to the present invention comprises a metal stripe width and a film thickness diffused on a substrate of an anisotropic optical crystal. ,
By setting the diffusion time and the diffusion temperature, an optical waveguide formed so that only one mode of the TM mode or the TE mode is guided and the other mode is substantially cut off, It comprises a formed metal electrode for controlling guided light and at least one polarization-maintaining optical fiber arranged at one end of the optical waveguide for inputting and outputting guided light. That is, the optical waveguide is guided in one of the TM mode and the TE mode, and substantially cut off in the other mode. Here, the “substantially cutoff” means that the TE is set to such an extent that a desired extinction ratio can be obtained even if an angle shift occurs.
This is a condition in which no modal component is excited. According to the above configuration, when the polarization plane optical fiber and the optical waveguide are connected to each other, even if the polarization plane is misaligned, the TE mode is substantially cut off when guided in the TM mode. Therefore, the rate at which the TE mode component is excited is small, and the modulation efficiency of the TE mode component is also deteriorated. Therefore, the high extinction ratio in the TM mode operation can be applied not only near 0 V but also over a wide range of applied voltages. Can be maintained.
Conversely, in the case of guiding in the TE mode, since the TM mode is cut off, the rate of excitation of the TM mode component is small, and the modulation efficiency of the TM mode component is deteriorated.
A high extinction ratio in the TE mode operation can be maintained even for a wide range of applied voltages. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A waveguide type optical control device according to the present invention will be described below in detail with reference to FIGS. Here, for the sake of simplicity, description will be made using the conventional MZ optical modulator shown in FIG. First, the manufacturing conditions of the waveguide type optical control device of the present invention will be described with reference to FIG. The optical waveguide is manufactured by a known technique of Ti diffusion,
Before manufacturing a device, a linear waveguide having a varied Ti stripe width as an optical waveguide is manufactured on a Z-cut LN substrate, and its spot size is measured using an NFP (near field pattern) measuring device. The conditions for single-mode waveguide were studied. Here, Ti film thickness 1
The diffusion conditions were 200 ° C., a diffusion temperature of 1050 ° C., and a diffusion time of 3.5 hours. As can be seen from FIG. 3, in the Z-cut LN substrate, the spot size in the TE mode is larger than the spot size in the TM mode, and the width of the Ti stripe guided in the single mode is wider. In order to realize a low drive voltage in the TM mode operation, it is preferable to produce a device as shown in FIG. 4 having a minimum spot size of 6 μm width. FIG. 2 is a graph showing an applied voltage-optical modulation characteristic of the MZ type optical modulator manufactured under this condition. Note that the polarization plane positioning accuracy here is about ± 3 °, and does not completely coincide with the vertical direction of the substrate. As described above, when a device is manufactured with this Ti stripe width, the spot size is reduced not only in the TM mode but also in the TE mode, and as shown in FIG. 2, the extinction characteristic is considered to be due to the angular shift of the polarization plane. Variations are seen. In particular, it can be seen that the extinction ratio greatly deteriorates near 0 V. On the other hand, FIG. 1 shows an applied voltage-light modulation characteristic manufactured with a Ti stripe width of 4 μm. Under these conditions, the spot size in the TM mode becomes slightly larger,
Although the driving voltage is slightly increased, the variation in the extinction ratio due to the applied voltage is small because the TE mode is close to the cutoff condition, and the extinction ratio in the vicinity of 0 V also achieves 20 dB or more. Also, there is almost no variation in the extinction ratio over a wide applied voltage range. In the above embodiment, the description has been made using the Z-cut LN substrate. However, when similar waveguide is performed using the X-cut LN substrate, the result is opposite to that of the Z-cut LN substrate.
That is, the spot size in the TM mode is larger than the spot size in the TE mode, the wave is guided in the TE mode, the rate of excitation of the TM mode component is small, and T
Since the modulation efficiency of the M mode component is deteriorated, the cutoff is substantially cut off in the TM mode, and the TE efficiency is maintained for a wide range of applied voltages.
The high extinction ratio in the mode operation can be maintained. In the above-described embodiment, a constant Ti film thickness and a constant diffusion condition have been described. However, it goes without saying that this can be realized with a different Ti film thickness and different diffusion conditions in design. That is, the waveguide type light control device of the present invention can be manufactured with three of the four parameters of the Ti stripe width, the Ti film thickness, the diffusion temperature and the diffusion time kept constant. Further, the effectiveness of the present invention has been described using the characteristic example of the MZ type optical modulator.
As long as it is a device that performs light control that guides only the E mode, it can be implemented by appropriately modifying any device regardless of its substrate material and the like. According to the waveguide type optical control device of the present invention, a waveguide type optical control device which can be easily connected to a polarization-maintaining optical fiber and has excellent productivity can be provided. In addition, an excellent waveguide-type light control device that can maintain a high extinction ratio in the TM mode operation or the TE mode operation even for a wide range of applied voltages and has almost no variation in the extinction ratio. Can be provided.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の導波路型光制御デバイスの一実施例を
説明するための、印加電圧−光出力特性図。 【図2】従来の導波路型光制御デバイスの問題点を説明
するための、印加電圧−光出力特性図。 【図3】本発明と従来の導波路型光制御デバイスの作製
条件の違いを説明するための、スポットサイズのTiス
トライプ幅依存性を示すグラフ。 【図4】従来の導波路型光制御デバイスの概要を説明す
るための斜視図。 【符号の説明】 1:基板、2:光導波路、3:入射光ファイバ、4:出
射光ファイバ
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an applied voltage-optical output characteristic diagram for explaining one embodiment of the waveguide type optical control device of the present invention. FIG. 2 is an applied voltage-optical output characteristic diagram for explaining a problem of a conventional waveguide type optical control device. FIG. 3 is a graph showing the dependency of the spot size on the Ti stripe width for explaining the difference in the manufacturing conditions between the present invention and the conventional waveguide type optical control device. FIG. 4 is a perspective view for explaining an outline of a conventional waveguide type light control device. [Description of Signs] 1: substrate, 2: optical waveguide, 3: incident optical fiber, 4: output optical fiber

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/30 G02B 6/12 G02B 6/14 G02F 1/03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02B 6/30 G02B 6/12 G02B 6/14 G02F 1/03

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 異方性光学結晶の基板上に拡散させる金
属のストライプ幅、膜厚、拡散時間、及び拡散温度を設
定することにより、TMモード又はTEモードのいずれ
か一方のみのモードが導波され且つ他方のモードが略カ
ットオフになるように形成した光導波路と、該光導波路
上に形成した導波光制御用の金属電極と、前記光導波路
の一端部に導波光を入出力するために配置した少なくと
も1本の偏波面保存光ファイバとから成る導波路型光制
御デバイス。
(57) [Claims 1] Gold diffused on a substrate of an anisotropic optical crystal
Metal stripe width, film thickness, diffusion time, and diffusion temperature.
By setting, either TM mode or TE mode
Only one mode is guided and the other mode is substantially
An optical waveguide formed so as to be turned off, a metal electrode for controlling the guided light formed on the optical waveguide, and at least one polarization plane arranged at one end of the optical waveguide for inputting and outputting guided light. A waveguide-type light control device comprising a storage optical fiber.
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