JPH04152934A - 生体磁気計測における磁場発生源の推定手法 - Google Patents
生体磁気計測における磁場発生源の推定手法Info
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- JPH04152934A JPH04152934A JP2276297A JP27629790A JPH04152934A JP H04152934 A JPH04152934 A JP H04152934A JP 2276297 A JP2276297 A JP 2276297A JP 27629790 A JP27629790 A JP 27629790A JP H04152934 A JPH04152934 A JP H04152934A
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Landscapes
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- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は生体表面の磁場分布を測定し、そのデータから
生体内部の磁場発生源の分布を推定し表示する生体磁場
計測装置における磁場発生源の推定方法に関する。
生体内部の磁場発生源の分布を推定し表示する生体磁場
計測装置における磁場発生源の推定方法に関する。
生体外部の磁場測定値から生体内部の電流分布の推定は
通常以下のように行なわれる。以下、ここでは生体磁場
計測でも代表的な脳磁計測を例とする。
通常以下のように行なわれる。以下、ここでは生体磁場
計測でも代表的な脳磁計測を例とする。
座標系を第１図のように定義する。図ではｒｎの位置に
ベクトルＱ＋＋で表わされた電流が存在すると仮定する
。脳磁気計測の分野では脳の境界を球面と仮定できる限
りこのような孤立した電流ベクトルを仮定でき、これを
電流ダイポールと呼ぶ。
ベクトルＱ＋＋で表わされた電流が存在すると仮定する
。脳磁気計測の分野では脳の境界を球面と仮定できる限
りこのような孤立した電流ベクトルを仮定でき、これを
電流ダイポールと呼ぶ。
また、第１図でｒ、は測定点の座標である。
さて、脳内にＮ個の電流ダイポールを仮定すると、ｒ、
の点での磁束密度ベクトルＢ、はで表わされる。
の点での磁束密度ベクトルＢ、はで表わされる。
通常磁束計で測定できるのはＢ、の法線成分である。さ
て、ｒ、の位置で実際に得られる測定値をり、とする。
て、ｒ、の位置で実際に得られる測定値をり、とする。
また、各ダイポールの位置および電流ベクトルの推定値
を′を付けて表わすと推定値から計算される仮想的な測
定値り、は、通常、測定点は球面に乗っていると仮定で
きるので と計算できる。ここで・はベクトル内積を表わす。
を′を付けて表わすと推定値から計算される仮想的な測
定値り、は、通常、測定点は球面に乗っていると仮定で
きるので と計算できる。ここで・はベクトル内積を表わす。
ここで、コスト関数を
阿
と定義する。（３）式は推定データと実際の測定データ
との一致度を表す。
との一致度を表す。
従来、最適推定値は上の（３）式で定義されたコスト関
数を最小にするｒｘ＋・・・ ｒＮ＋ ｑ□、・・ＱＮ
として求める。
数を最小にするｒｘ＋・・・ ｒＮ＋ ｑ□、・・ＱＮ
として求める。
さて、（２）式によるり、の］算はプローブコイルが球
面に沿って配置されている場合にのみ有効である。従来
、ＩＩｉ磁計測ではシングルチャネルの磁束計により、
磁束計を脳表面に沿って動かしながら行なわれ、この場
合には脳表面は近似的に球面と仮定できるので（２）式
を用いることができる。
面に沿って配置されている場合にのみ有効である。従来
、ＩＩｉ磁計測ではシングルチャネルの磁束計により、
磁束計を脳表面に沿って動かしながら行なわれ、この場
合には脳表面は近似的に球面と仮定できるので（２）式
を用いることができる。
（発明が解決しようとする課題〕
生体磁気計測においては最近、多チャンネルの磁束計が
導入されつつある。多チャンネルの磁束面あるいは平面
である。したがってこの場合、検出コイルは球面に沿っ
て配置されていると言う仮定が成り立たず（２）式を用
いることにより、推定結果に一誤差を含むことになる。
導入されつつある。多チャンネルの磁束面あるいは平面
である。したがってこの場合、検出コイルは球面に沿っ
て配置されていると言う仮定が成り立たず（２）式を用
いることにより、推定結果に一誤差を含むことになる。
そこで本発明の目的は、検出コイルが脳から近似できる
球面に沿って配置されていない場合にも誤差を生じない
推定法を提供することにある。
球面に沿って配置されていない場合にも誤差を生じない
推定法を提供することにある。
上記目的を達成するためには（２）式のかわりに
を用いる。ここで８１は第２図に示すごとく第ｍ番目の
検出コイルのコイル面に垂直な単位ベクトルである。
検出コイルのコイル面に垂直な単位ベクトルである。
脳磁計測を例として本発明の詳細な説明する。
本発明が対象とするのはすでに述べたごとく多チヤンネ
ル磁束計を用いる場合である。第３図に多チャンネル脳
磁計測システムの構成図を示す。同図において被検体９
からの生体磁気信号は８の検出コイル７の５ＱＵＩＤお
よび１の受信回路により検出され、２のシグナルプロセ
ッサーおよび３のフィルターによりノイズ低減がはから
れる。その信号から４のコンピュータにより腸内部の電
流ダイポールを推定し１１のＣＲＴデイスプレィに表示
する。ここで６はヘリウムデユワ−９５はデユワ−を支
持するガントリーである。また１０は受信回路の動作点
およびガントリー位置などを制御するコントローラーで
ある。
ル磁束計を用いる場合である。第３図に多チャンネル脳
磁計測システムの構成図を示す。同図において被検体９
からの生体磁気信号は８の検出コイル７の５ＱＵＩＤお
よび１の受信回路により検出され、２のシグナルプロセ
ッサーおよび３のフィルターによりノイズ低減がはから
れる。その信号から４のコンピュータにより腸内部の電
流ダイポールを推定し１１のＣＲＴデイスプレィに表示
する。ここで６はヘリウムデユワ−９５はデユワ−を支
持するガントリーである。また１０は受信回路の動作点
およびガントリー位置などを制御するコントローラーで
ある。
さて、このようにして測定された頭部周囲の測定点から
磁場発生源となっている脳内の電流ダイポールの空間座
標と電流ベクトルの推定を本発明を用いて以下の通りに
行なうことができる。
磁場発生源となっている脳内の電流ダイポールの空間座
標と電流ベクトルの推定を本発明を用いて以下の通りに
行なうことができる。
頭部表面の測定点の個数をＭとし、１からＭまで番号付
けを行なう。第ｍ番目の測定点の位置をベクトルｒ、で
表わし、その点における磁場の測定値をり、と表記する
。
けを行なう。第ｍ番目の測定点の位置をベクトルｒ、で
表わし、その点における磁場の測定値をり、と表記する
。
電流ダイポールが脳の内部にＮ個含まれていると仮定す
る。
る。
電流ダイポールの推定位置をｒイ、推定電流ベクトルを
ｑｏで表わす。ここでｎ＝１．２．・・Ｎである。さて
、推定値から計算によって求められた第ｍ測定点におけ
る測定値をり、とする。Ｄ。
ｑｏで表わす。ここでｎ＝１．２．・・Ｎである。さて
、推定値から計算によって求められた第ｍ測定点におけ
る測定値をり、とする。Ｄ。
は前述の（４）式から計算するのであるが、ここで各コ
イル面に垂直な単位ベクトル８、は検出コイルが配置さ
れている面に合わせてそれぞれ計算する。
イル面に垂直な単位ベクトル８、は検出コイルが配置さ
れている面に合わせてそれぞれ計算する。
第４図は底面が平面であるようなデユア−内に設置され
た多チャンネル検出器の場合であり、この場合当然なが
ら検出コイルは平面に沿って配置される。この場合ａ、
は次の様に計算される。まずダイポールの推定位置ｒ。
た多チャンネル検出器の場合であり、この場合当然なが
ら検出コイルは平面に沿って配置される。この場合ａ、
は次の様に計算される。まずダイポールの推定位置ｒ。
を記述するための座標原点○を適当に定め○を通って、
コイルが配置されている平面に垂直な直線を引く。この
直線がこの平面と交差する点を○′として○′を原点と
して平面内におけるコイルの位置を記述する。
コイルが配置されている平面に垂直な直線を引く。この
直線がこの平面と交差する点を○′として○′を原点と
して平面内におけるコイルの位置を記述する。
Ｏ′ とｍ番目のコイルの中心を結ぶベクトルをｕｌと
すると で表わされる。
すると で表わされる。
したがって、
式を用いＤｌ
は
から計算する。
第５図はデユワ−の底が球面となっていて、検出コイル
がこの球面に沿って配置された場合であり、この場合の
この球面はデユワ−の構造および強度などから決まるも
のである場合が多く、その球面の中心Ｏｄｉ才脳の外側
となる場合も考えられる。ダイポール推定においてはダ
イポールの座標を記述する原点は脳内にある方が便利で
ある場合も多いので、Ｏ−とは別に座標原点Ｏを定義す
る。
がこの球面に沿って配置された場合であり、この場合の
この球面はデユワ−の構造および強度などから決まるも
のである場合が多く、その球面の中心Ｏｄｉ才脳の外側
となる場合も考えられる。ダイポール推定においてはダ
イポールの座標を記述する原点は脳内にある方が便利で
ある場合も多いので、Ｏ−とは別に座標原点Ｏを定義す
る。
この場合○から０４を結ぶベクトルをＣで表わす。
すると
ｒ、 Ｃ
で表わされ、Ｄ、は
（４）式を用いて、
から計算する。
さて、
電流ダイポールのパラメータｒ□。
ＱＮは、
上で計算したり、と実際の
測定値り、の差から定義された関数
（ｒ□。
ｒｚ＋
ｒ Ｎ。
ｑｌ ！
ＱＺ＋
ｑＮ）
河
＝ Σ
ｌ
（Ｄ、−Ｄ、）
を最小にする’１＋ ”’＋ ｒＮ＋ Ｑｘｙ ”’
＋ ＱＮを最適推定値として求める。
＋ ＱＮを最適推定値として求める。
さて、（９）式により定義された関数Ｅ（ｒｉ＋ｒ ｎ
＋ ｑｎ （ｎ ” １ ｔ ”’＋ Ｎ）は以下の様
に求める。
＋ ｑｎ （ｎ ” １ ｔ ”’＋ Ｎ）は以下の様
に求める。
コスト関数Ｅはその変数に関し非線型であり、局所的な
最小値を持つ、したがって、従来知られている非線型最
適化手法では真の最小値（大域的最小値）を求めること
は不可能である。ここではこのような場合でも大域的最
小値を求めることのできる最近提案されたシミュレーテ
ィド・アニーリング（Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ａｎｎｅａ
ｌｉｎｇ）を用いた最適化手法を用いた場合について説
明する。
最小値を持つ、したがって、従来知られている非線型最
適化手法では真の最小値（大域的最小値）を求めること
は不可能である。ここではこのような場合でも大域的最
小値を求めることのできる最近提案されたシミュレーテ
ィド・アニーリング（Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ａｎｎｅａ
ｌｉｎｇ）を用いた最適化手法を用いた場合について説
明する。
Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ａｉｎｅａｌｉｎｇにおいては、
まず各変数に対し１回の試行ごとに変位量を決定する。
まず各変数に対し１回の試行ごとに変位量を決定する。
ここでは、各ダイポールごとに異なった変位量を設定す
る理由も特にないので、変数’ｉｔ・・・、 ｒｌｖ
に対して１Δｑ１を設定する。１Δｒ１は１ｍｍから１
０ｍｍ程度、１Δｑ１は予想される１ｑｎｌの最大値の
１／１０〜１／１００程度に設定する。
る理由も特にないので、変数’ｉｔ・・・、 ｒｌｖ
に対して１Δｑ１を設定する。１Δｒ１は１ｍｍから１
０ｍｍ程度、１Δｑ１は予想される１ｑｎｌの最大値の
１／１０〜１／１００程度に設定する。
また、最初大きめに設定し、後述する温度とともに徐々
に小さくしていく方法もある。
に小さくしていく方法もある。
次に十分大きくパラメータＴを設定する。ＴはΔＥ＞Ｏ
でも変位を受は入れる確率を決めるパラメータであり、
温度と呼ばれる。試し計算により八Ｅを計算し、ｅｘｐ
（−ΔＥ／Ｔ）〜０．８〜０．９となるようにＴを
設定する。
でも変位を受は入れる確率を決めるパラメータであり、
温度と呼ばれる。試し計算により八Ｅを計算し、ｅｘｐ
（−ΔＥ／Ｔ）〜０．８〜０．９となるようにＴを
設定する。
さて、温度パラメータＴと座標推定値に対する変位量の
絶対値１Δｒ１および電流ベクトルに対する変位量の絶
対値１Δｑ１を決めた後、第６図のフローチャートにし
たがい計算を行なう。なお同図のフローチャートではダ
イポール座５ｒｎ（ｎ 〜１ ｙ ２ ｒ ”’＋ Ｎ
）は Ｘｎ （ｎ＝１．２゜、Ｎ）で各ダイポールの電
流成分 ａｎ（ｎ＝１ 、２． ＝−、Ｎ）はＸｎ（ｎ
＝Ｎ＋ １ 。
絶対値１Δｒ１および電流ベクトルに対する変位量の絶
対値１Δｑ１を決めた後、第６図のフローチャートにし
たがい計算を行なう。なお同図のフローチャートではダ
イポール座５ｒｎ（ｎ 〜１ ｙ ２ ｒ ”’＋ Ｎ
）は Ｘｎ （ｎ＝１．２゜、Ｎ）で各ダイポールの電
流成分 ａｎ（ｎ＝１ 、２． ＝−、Ｎ）はＸｎ（ｎ
＝Ｎ＋ １ 。
２Ｎ）で表わしている。
まず、＃１のステップに示されるごとく変位ベクトルΔ
χ、を決める。これは変数ｘｎが座標であるなら （ΔＸ、）、＝ （Δｘｎ）ｙ＝ （ΔＸ、Ｌ＝ Δ ｒ ｓｉｎθ ＣｏＳψ Δ ｒ ｓｉｎθ ｓｉｎψ Δ ｒ ｃｏｓθ を用い、 ×ｒ、が電流ベクトルであるなら （ΔＸｎ）Ｘ＝ｌ Δｑｌｓｉｎθ ｃｏｓψ（Δｘｎ
）、＝ｌ Δｑｌｓｉｎθ ｓｉｎψ（ΔＸｎ）２＝
ｌ Δｑｌｃｏｓθを用いて、θをＯくθく２πの一
様乱数で、ψを○くψくπの一様乱数で発生して決める
。
χ、を決める。これは変数ｘｎが座標であるなら （ΔＸ、）、＝ （Δｘｎ）ｙ＝ （ΔＸ、Ｌ＝ Δ ｒ ｓｉｎθ ＣｏＳψ Δ ｒ ｓｉｎθ ｓｉｎψ Δ ｒ ｃｏｓθ を用い、 ×ｒ、が電流ベクトルであるなら （ΔＸｎ）Ｘ＝ｌ Δｑｌｓｉｎθ ｃｏｓψ（Δｘｎ
）、＝ｌ Δｑｌｓｉｎθ ｓｉｎψ（ΔＸｎ）２＝
ｌ Δｑｌｃｏｓθを用いて、θをＯくθく２πの一
様乱数で、ψを○くψくπの一様乱数で発生して決める
。
次に＃２で示すごとく変数×４をｘ、、＋△ｘ１でおき
かえる。
かえる。
さらに＃３に示すととくΔｘｋを与える前と後のＥの差
ΔＥを ΔＥ＝Ｅ （×２．・・・、Ｘｎ＋Δｘｎ、・・・、Ｘ
２Ｎ）−Ｅ （ｘよ、・・・、Ｘ、、・・・、Ｘ２Ｎ）
から計算する。ここでΔＥ＜Ｏであれば変位ΔＸ、、を
受は入れる。すなわちＸ。＋Δ×□を新しい×。とする
。また、ΔＥ＞Ｏである場合は＃４のステップに示され
るようにＰ（ΔＥ）＝ｅｘｐ（−八Ｅ／Ｔ）に従がって
変位ΔＸｎを受は入れるか、拒絶するかを決める。
ΔＥを ΔＥ＝Ｅ （×２．・・・、Ｘｎ＋Δｘｎ、・・・、Ｘ
２Ｎ）−Ｅ （ｘよ、・・・、Ｘ、、・・・、Ｘ２Ｎ）
から計算する。ここでΔＥ＜Ｏであれば変位ΔＸ、、を
受は入れる。すなわちＸ。＋Δ×□を新しい×。とする
。また、ΔＥ＞Ｏである場合は＃４のステップに示され
るようにＰ（ΔＥ）＝ｅｘｐ（−八Ｅ／Ｔ）に従がって
変位ΔＸｎを受は入れるか、拒絶するかを決める。
０１〜＃４の一連のステップを各パラメータｎ＝１〜２
Ｎまでひととおり行ない、これをＮ Ｔ ” ” ｘ回
くり返す。Ｎ 丁１１ ａ Ｘとしては例えば１０〜２
０程度の値が適当であろう。
Ｎまでひととおり行ない、これをＮ Ｔ ” ” ｘ回
くり返す。Ｎ 丁１１ ａ Ｘとしては例えば１０〜２
０程度の値が適当であろう。
ここで、第２図のフローチャートにおけるＮ１はコスト
関数を減らす方向の変位で受けいれられたものの数、Ｎ
２はコスト関数を増やす方向の変位で受は入れられたも
のの数、Ｎ、は拒絶された変位の数である。ある温度か
ら温度をさげるかは、ＮニーＮ、 ｌ ／Ｎ１の値がε
の値以下になるがどうかで判断する。Ｅはたとえば０．
０２程度に設定する。（＄５）ここで温度ＴとはΔＥ＞
Ｏとするような変位を受は入れる確率をコントロールす
るパラメータであり、徐々に下げて行く。温度の下げ方
としては第２図のフローチャートに示すとと＜Ｔｈをに
番目の温度段階として、 Ｔｋ＝ξＴｉ＋−１とする方法がまず考えられる。この
ときξとしては０．９〜０．９５程度の値を用いる。
関数を減らす方向の変位で受けいれられたものの数、Ｎ
２はコスト関数を増やす方向の変位で受は入れられたも
のの数、Ｎ、は拒絶された変位の数である。ある温度か
ら温度をさげるかは、ＮニーＮ、 ｌ ／Ｎ１の値がε
の値以下になるがどうかで判断する。Ｅはたとえば０．
０２程度に設定する。（＄５）ここで温度ＴとはΔＥ＞
Ｏとするような変位を受は入れる確率をコントロールす
るパラメータであり、徐々に下げて行く。温度の下げ方
としては第２図のフローチャートに示すとと＜Ｔｈをに
番目の温度段階として、 Ｔｋ＝ξＴｉ＋−１とする方法がまず考えられる。この
ときξとしては０．９〜０．９５程度の値を用いる。
別の下げ方Ｔ ｋ＝ Ｔ ｏ ／ （１＋ ｋ ）ある
いはＴ ｈ ＝Ｔ ｏ ／ ｌｏｇ （ｅ ＋ ｋ ）
も文献Ｈ，スーｒ７フーストシミユレーテツドアニーリ
ング」フイジックスレタースＡ Ｖｏｌ、 １２２
、 Ｐ １５７ 、 １９８７ （Ｈ。
いはＴ ｈ ＝Ｔ ｏ ／ ｌｏｇ （ｅ ＋ ｋ ）
も文献Ｈ，スーｒ７フーストシミユレーテツドアニーリ
ング」フイジックスレタースＡ Ｖｏｌ、 １２２
、 Ｐ １５７ 、 １９８７ （Ｈ。
Ｓｚｕ ｅｔ ａｌ、、 Ｆａｓｔ Ｓｉｍ＋ｕｌａｔ
ｅｄ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ”（Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ＾、 Ｖｏｌ１２２． Ｐ２Ｓ５．１９８７）
に提案されている。
ｅｄ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ”（Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ＾、 Ｖｏｌ１２２． Ｐ２Ｓ５．１９８７）
に提案されている。
ＮニーＮ２＋／Ｎ□くεである場合にはあらかじめ決め
られた下げ方に従がって温度を下げカウンターＮ ｘ
＝ Ｎ ｚ ＝ Ｎ ｘ ＝ Ｏト’Ｊ ’ｔｚ ７
トＬ／、＃１〜＃４をＮ Ｔｍ ＆ Ｘ回くり返し、ま
た＃５の判定を行なう。アニーリングプロセス全体の終
了はＮ１＋Ｎ２＝０であるかどうかを見て決める。
られた下げ方に従がって温度を下げカウンターＮ ｘ
＝ Ｎ ｚ ＝ Ｎ ｘ ＝ Ｏト’Ｊ ’ｔｚ ７
トＬ／、＃１〜＃４をＮ Ｔｍ ＆ Ｘ回くり返し、ま
た＃５の判定を行なう。アニーリングプロセス全体の終
了はＮ１＋Ｎ２＝０であるかどうかを見て決める。
以上１本実施例では最適化演算にＳｉｍｕｌａｔｅｄａ
ｎｎｅａｌｉｎｇを用いる事を例として説明したが、本
発明はこれに限るものではない。局所的最小値を含む関
数から真の最小値を見出すことのできる他のアルゴリズ
ム、例えばＪ、 Ｈ，Ｈｏｌｌａｎｄ氏提案のＧｅｎｅ
ｔｉｃ Ａ１ｇｏｒｉｔｈ＋＋＋なども用いることがで
きる。このアルゴリズムについては（Ｊ、Ｈ。
ｎｎｅａｌｉｎｇを用いる事を例として説明したが、本
発明はこれに限るものではない。局所的最小値を含む関
数から真の最小値を見出すことのできる他のアルゴリズ
ム、例えばＪ、 Ｈ，Ｈｏｌｌａｎｄ氏提案のＧｅｎｅ
ｔｉｃ Ａ１ｇｏｒｉｔｈ＋＋＋なども用いることがで
きる。このアルゴリズムについては（Ｊ、Ｈ。
Ｈｏ１ｌａｎｄ ｒＡｄａｐｔａｔｉｏｎ ｉｎ Ｎａ
ｔｕｒａｌ ａｎｄＡｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍＳＪＴｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆＭｉｃｈｉ
ｇａｎ Ｐｒｅｓｓ １９７８）で提案され議論されて
いる。
ｔｕｒａｌ ａｎｄＡｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍＳＪＴｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆＭｉｃｈｉ
ｇａｎ Ｐｒｅｓｓ １９７８）で提案され議論されて
いる。
以上述べたごとく本発明によれば、検出コイルが頭部表
面とは異なった球面あるいは平面に沿って配置されてい
る場合でもこれによる誤差のないダイポールパラメータ
の推定を行なうことができる。
面とは異なった球面あるいは平面に沿って配置されてい
る場合でもこれによる誤差のないダイポールパラメータ
の推定を行なうことができる。
第１図は脳磁計測の概念図を示す。
第２図は検出コイルの位置を記述するベクトルｒ、とコ
イル面の法線方向の単位ベクトルａ１を示す・ 第３図は多チヤンネル生体磁気計測システムの構成図を
示す。 第４図は底面が平面であるデユア−内に設置された多チ
ヤンネル脳磁針による磁場源推定における座標系を示す
。 第５図は底面が球面であるデユア−内に設置された多チ
ヤンネル脳磁針による磁場源推定を行なうための座標系
を示す。 第６図はシミュレーテッドアニーリングを行なうための
フローチャートを示す。 茅 ／ 図 第２図 浮魚 不３図 第φ図 ≠ｒ；図
イル面の法線方向の単位ベクトルａ１を示す・ 第３図は多チヤンネル生体磁気計測システムの構成図を
示す。 第４図は底面が平面であるデユア−内に設置された多チ
ヤンネル脳磁針による磁場源推定における座標系を示す
。 第５図は底面が球面であるデユア−内に設置された多チ
ヤンネル脳磁針による磁場源推定を行なうための座標系
を示す。 第６図はシミュレーテッドアニーリングを行なうための
フローチャートを示す。 茅 ／ 図 第２図 浮魚 不３図 第φ図 ≠ｒ；図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、生体の活動にともなって発生する磁場を測定し、こ
の測定値を用いて生体内部の磁場発生源を推定するため
の計算手法において、磁場発生源の座標推定値と電流ベ
クトル推定値から計算によって求まる各測定点における
磁場測定値からその測定点における実際の磁場測定値を
引き算したものの絶対値の正の実数乗の全測定点にわた
る総和を計算した結果を含む関数を最小とならしめる前
記磁場発生源の座標推定値と電流ベクトル推定値を求め
る推定手法において、前記計算によって求まる各測定点
における磁場測定値を求めるに際して、前記座標推定値
と電流ベクトル推定値を用いてビオ・サバールの法測か
ら求まる前記各測定点における磁場ベクトルと各測定点
での検出コイルのコイル面の法線方向の単位ベクトルと
のベクトルの内積を計算することを特徴とする生体磁場
計測装置における磁場源推定手法。 ２、前記コイル面の法線方向の単位ベクトルとして、各
検出コイルが平面に沿って配置されている場合、任意に
設定した座標原点を始点とし、コイルの中心を終点とす
るベクトルから、座標原点を通り前記平面に垂直な直線
と前記平面との交点を始点としコイルの中心を終点とす
るベクトルを引いた結果のベクトルをその絶対値で割り
算したベクトルを用いることを特徴とする請求項１に記
載の生体磁気計測における磁場源推定手法。 ３、前記コイル面の法線方向の単位ベクトルとして、各
検出コイルが球面に沿って配置されている場合、任意に
設定した座標原点を始点とし、コイルの中心を終点とす
るベクトルから、座標原点を始点とし、前記球面の中心
を終点とするベクトルを引いた結果のベクトルをその絶
対値で割った結果を前記単位ベクトルとして用いること
を特徴とする請求項１に記載の生体磁気計測における磁
場源推定手法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276297A JPH04152934A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 生体磁気計測における磁場発生源の推定手法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2276297A JPH04152934A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 生体磁気計測における磁場発生源の推定手法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152934A true JPH04152934A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17567487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2276297A Pending JPH04152934A (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 生体磁気計測における磁場発生源の推定手法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04152934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9024858B2 (en) | 2011-10-26 | 2015-05-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel with improved gate driver |
| CN114577100A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-03 | 成都思瑞定生命科技有限公司 | 磁场目标定位计算方法 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2276297A patent/JPH04152934A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9024858B2 (en) | 2011-10-26 | 2015-05-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel with improved gate driver |
| CN114577100A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-03 | 成都思瑞定生命科技有限公司 | 磁场目标定位计算方法 |
| CN114577100B (zh) * | 2022-02-21 | 2023-11-21 | 成都思瑞定生命科技有限公司 | 磁场目标定位计算方法 |
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