JPH04152522A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPH04152522A JPH04152522A JP27817290A JP27817290A JPH04152522A JP H04152522 A JPH04152522 A JP H04152522A JP 27817290 A JP27817290 A JP 27817290A JP 27817290 A JP27817290 A JP 27817290A JP H04152522 A JPH04152522 A JP H04152522A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＩＬｓＩ等の半導体装置の製造工程におけるシリコンウ
ェーへの洗浄方法の改良に関し、ウェーハキャリアに収
容してシリコンウェーハを洗浄する場合に、シリコンウ
ェーハに付着する粒子の増加数を減少させることが可能
となる洗浄方法の提供を目的とし、 被洗浄物を収容する洗浄治具の両端部に、ダストを吸着
する材料からなるウェーハを配置して行うよう構成する
。
ェーへの洗浄方法の改良に関し、ウェーハキャリアに収
容してシリコンウェーハを洗浄する場合に、シリコンウ
ェーハに付着する粒子の増加数を減少させることが可能
となる洗浄方法の提供を目的とし、 被洗浄物を収容する洗浄治具の両端部に、ダストを吸着
する材料からなるウェーハを配置して行うよう構成する
。
本発明は、超ＬＳＩ等の半導体装置の製造工程における
シリコンウェーハの洗浄方法の改良に関するものである
。
シリコンウェーハの洗浄方法の改良に関するものである
。
超ＬＳＩ等の半導体装置の製造工程に用いる洗浄治具に
は、石英、樹脂等の不導体が一般的には用いられており
、シリコンウェーハも不導体のため、このシリコンウェ
ーハが帯電した場合にダストが付着する障害が発生して
いる。
は、石英、樹脂等の不導体が一般的には用いられており
、シリコンウェーハも不導体のため、このシリコンウェ
ーハが帯電した場合にダストが付着する障害が発生して
いる。
以上のような状況から、被洗浄物が帯電した場合にダス
トが付着する障害の発生を防止することが可能な洗浄方
法が要望されている。
トが付着する障害の発生を防止することが可能な洗浄方
法が要望されている。
従来の洗浄方法を第３図〜第４図により詳細に説明する
。
。
第３図は従来の洗浄方法を示す図であり、第４図は従来
の洗浄方法のウェーハキャリア別の付着粒子増加数を示
す図である。
の洗浄方法のウェーハキャリア別の付着粒子増加数を示
す図である。
第３図に示すように石英キャリア１１に複数のシリコン
ウエーハ２を挿入し、図示しない洗浄槽内の洗浄液中で
洗浄を行っている。
ウエーハ２を挿入し、図示しない洗浄槽内の洗浄液中で
洗浄を行っている。
このような洗浄方法で洗浄した場合のウェーハキャリア
別のダストの付着粒子増加数を第４図に示す０図におい
て横軸にはキャリアの材料及びキャリアカバーの有無を
、縦軸に付着粒子増加数を示している。棒グラフの上部
に記入したまる数字は、ウェーハキャリアの両端から何
枚目かを示している。
別のダストの付着粒子増加数を第４図に示す０図におい
て横軸にはキャリアの材料及びキャリアカバーの有無を
、縦軸に付着粒子増加数を示している。棒グラフの上部
に記入したまる数字は、ウェーハキャリアの両端から何
枚目かを示している。
図から明らかなように、いずれの場合も両端より１枚目
が最も多いが、ポリプロレンの場合には導電性を有する
カーボンを混入させたキャリアの場合にその差がなくな
っていることがわかる。
が最も多いが、ポリプロレンの場合には導電性を有する
カーボンを混入させたキャリアの場合にその差がなくな
っていることがわかる。
これらの付着粒子増加数は、清浄度が０．１μ鋼以上の
粒子が１立方フイート中に２，０００個ある雰囲気に、
ウェーハキャリアを５０時間放置した後、ドブコン社製
のダスト数測定器（型格ＷＭ−３）を用い、０．２μ−
以上の粒子を測定している。
粒子が１立方フイート中に２，０００個ある雰囲気に、
ウェーハキャリアを５０時間放置した後、ドブコン社製
のダスト数測定器（型格ＷＭ−３）を用い、０．２μ−
以上の粒子を測定している。
［発明が解決しようとする課Ｂ］
以上説明した従来の洗浄方法においては、ウェーハキャ
リアもシリコンウェーハもともに不導体のためにシリコ
ンウェーハにダスト粒子が多数付着し、特にウェーハキ
ャリアの両端部に近いシリコンウェーハに粒子が多く付
着しているという問題点があった。
リアもシリコンウェーハもともに不導体のためにシリコ
ンウェーハにダスト粒子が多数付着し、特にウェーハキ
ャリアの両端部に近いシリコンウェーハに粒子が多く付
着しているという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、ウェーノーキャリアに
収容してシリコンウェーハを洗浄する場合に、シリコン
ウェーハに付着する粒子の増加数を減少させることが可
能となる洗浄方法の提供を目的としたものである。
収容してシリコンウェーハを洗浄する場合に、シリコン
ウェーハに付着する粒子の増加数を減少させることが可
能となる洗浄方法の提供を目的としたものである。
本発明の洗浄方法は、被洗浄物を収容する洗浄治具の両
端部に、ダストを吸着する材料からなるウェーハを配置
して行うよう構成する。
端部に、ダストを吸着する材料からなるウェーハを配置
して行うよう構成する。
即ち本発明においては、ウェーハキャリアの両端部にダ
ストを吸着する材料からなるウェーハを配置してシリコ
ンウェーハの洗浄を行うので、ダストがこの材料に吸着
され、第２図に示すようにシリコンウェーハへの付着粒
子増加数は極度に減少する。
ストを吸着する材料からなるウェーハを配置してシリコ
ンウェーハの洗浄を行うので、ダストがこの材料に吸着
され、第２図に示すようにシリコンウェーハへの付着粒
子増加数は極度に減少する。
以下第１図により本発明による一実施例の洗浄方法を、
第２図により本発明の洗浄方法と従来の洗浄方法におけ
る付着粒子増加数を詳細に説明する。
第２図により本発明の洗浄方法と従来の洗浄方法におけ
る付着粒子増加数を詳細に説明する。
第１図は本発明による一実施例の洗浄方法を示す図、第
２図は石英キャリアを用いる洗浄方法における付着粒子
増加数を示す図である。
２図は石英キャリアを用いる洗浄方法における付着粒子
増加数を示す図である。
第１図に示すように石英キャリア１に複数のシリコンウ
ェーハ２を挿入し、両端にはダストを吸着する材料、例
えばタンタルウェーハ３を配置し、図示しない洗浄槽内
の洗浄液中で洗浄を行っている。
ェーハ２を挿入し、両端にはダストを吸着する材料、例
えばタンタルウェーハ３を配置し、図示しない洗浄槽内
の洗浄液中で洗浄を行っている。
このような洗浄方法で洗浄した場合のシリコンウェーハ
に付着する粒子の増加数は、第２図の本発明の方法に示
すように、−枚目も二枚目も三枚目もともに１００個前
後と少なくなり、従来の方法の一枚目や二枚目のように
２００個以上にはならない。
に付着する粒子の増加数は、第２図の本発明の方法に示
すように、−枚目も二枚目も三枚目もともに１００個前
後と少なくなり、従来の方法の一枚目や二枚目のように
２００個以上にはならない。
これらの付着粒子増加数は、従来の技術において行った
粒子の測定方法と同じ方法により測定したものである。
粒子の測定方法と同じ方法により測定したものである。
このように、ウェーハキャリアの両端にダストを吸着す
る材料を配置してシリコンウェーハの洗浄を行うと、ダ
ストがこのダストを吸着する材料に吸着され、シリコン
ウェーハに付着するダストの数が著しく減少する。
る材料を配置してシリコンウェーハの洗浄を行うと、ダ
ストがこのダストを吸着する材料に吸着され、シリコン
ウェーハに付着するダストの数が著しく減少する。
本実施例においては、ダストを吸着する材料としてタン
タルを用いたが、金、白金、モリブデン等を用いること
も可能である。
タルを用いたが、金、白金、モリブデン等を用いること
も可能である。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ダスト
を吸着する材料のウェーハをウェーハキャリア両端部に
配置することにより、ダスト粒子がシリコンウェーハに
付着するのを極めて簡単に防止できる利点があり、著し
い品質向上の効果が期待できる洗浄方法の提供が可能と
なる。
を吸着する材料のウェーハをウェーハキャリア両端部に
配置することにより、ダスト粒子がシリコンウェーハに
付着するのを極めて簡単に防止できる利点があり、著し
い品質向上の効果が期待できる洗浄方法の提供が可能と
なる。
第１図は本発明による一実施例の洗浄方法を示す図、
第２図は石英キャリアを用いる洗浄方法における付着粒
子増加数を示す図、 第３図は従来の洗浄方法を示す図、 第４図は従来の洗浄方法のウェーハキャリア別の付着粒
子増加数を示す図、である。 図において、 １は石英キャリア、 ２はシリコンウェーハ、 ３はタンクルウェーハ、 を示す。 本発明による一実施例の洗浄方法を示す図第 図 石英キャリアを用いる洗浄方法における付着粒子増加数
を示す図第 図 従来の洗浄方法を示す図 第 図 従来の洗浄方法のウエーノ＼キャリア別の付着粒子増加
数を示す図第 図（そのｌ） 従来の洗浄方法のウェーハキャリア別の付着粒子増加数
を示す図第 図（その２）
子増加数を示す図、 第３図は従来の洗浄方法を示す図、 第４図は従来の洗浄方法のウェーハキャリア別の付着粒
子増加数を示す図、である。 図において、 １は石英キャリア、 ２はシリコンウェーハ、 ３はタンクルウェーハ、 を示す。 本発明による一実施例の洗浄方法を示す図第 図 石英キャリアを用いる洗浄方法における付着粒子増加数
を示す図第 図 従来の洗浄方法を示す図 第 図 従来の洗浄方法のウエーノ＼キャリア別の付着粒子増加
数を示す図第 図（そのｌ） 従来の洗浄方法のウェーハキャリア別の付着粒子増加数
を示す図第 図（その２）
Claims (1)
- 被洗浄物（２）を収容する洗浄治具（１）の両端部に、
ダストを吸着する材料からなるウェーハ（３）を配置し
て行うことを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27817290A JPH04152522A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27817290A JPH04152522A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152522A true JPH04152522A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17593594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27817290A Pending JPH04152522A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04152522A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5531236A (en) * | 1994-06-01 | 1996-07-02 | Kempka; Steven N. | Directed flow fluid rinse trough |
| US5791358A (en) * | 1996-11-20 | 1998-08-11 | Sandia Corporation | Rinse trough with improved flow |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27817290A patent/JPH04152522A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5531236A (en) * | 1994-06-01 | 1996-07-02 | Kempka; Steven N. | Directed flow fluid rinse trough |
| US5791358A (en) * | 1996-11-20 | 1998-08-11 | Sandia Corporation | Rinse trough with improved flow |
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