JPH04148532A - Liquid-phase epitaxial growth apparatus - Google Patents
Liquid-phase epitaxial growth apparatusInfo
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- JPH04148532A JPH04148532A JP27246590A JP27246590A JPH04148532A JP H04148532 A JPH04148532 A JP H04148532A JP 27246590 A JP27246590 A JP 27246590A JP 27246590 A JP27246590 A JP 27246590A JP H04148532 A JPH04148532 A JP H04148532A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
概要
化合物半導体結晶を製造するために用いられる液相エピ
タキシャル結晶成長装置に関し、良質の化合物半導体結
晶の製造を目的とし、
結晶成長用基板を保持した治具と、化合物半導体からな
るメルト材料とを、アンプル内に収容し、該アンプルを
加熱炉内で回転することにより、結晶成長用基板が溶融
メルト材料内に埋没するようにした液相エピタキシャル
結晶成長装置において、前記治具の前記結晶成長用基板
の裏面側に一体的に前記メルト材料を収容するメルト材
料収容室を画成し、該メルト材料収容室と、前記アンプ
ルと治具により画成される結晶成長用室との隔壁に、少
なくとも一つの貫通穴を形成し、前記アンプル加熱時に
、溶融メルト材料が該貫通穴を介して、該結晶成長用室
に流出するように構成する。[Detailed Description of the Invention] Overview Regarding a liquid phase epitaxial crystal growth apparatus used for manufacturing compound semiconductor crystals, the purpose is to manufacture high-quality compound semiconductor crystals. In the liquid phase epitaxial crystal growth apparatus, the substrate for crystal growth is buried in the molten melt material by accommodating the ampule in an ampoule and rotating the ampoule in a heating furnace. A melt material storage chamber that integrally stores the melt material is defined on the back side of the crystal growth substrate of the tool, and a crystal growth chamber is defined by the melt material storage chamber, the ampoule, and the jig. At least one through hole is formed in the partition wall between the ampoule and the ampoule, and the molten melt material flows into the crystal growth chamber through the through hole when the ampoule is heated.
産業上の利用分野
本発明は化合物半導体結晶を製造するた給に用いられる
液相エピタキシャル結晶成長温度に関する。INDUSTRIAL APPLICATION FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to liquid phase epitaxial crystal growth temperatures used to support the production of compound semiconductor crystals.
複数の組成元素からなる半導体結晶、例えばガリウム砒
素（ＧａＡｓ）、ガリウム・アルミニウム・砒素（Ｇａ
−Ａ１・Ａｓ）等の化合物半導体結晶を結晶基板上に成
長させる方法の一つに、これらの半導体を溶質とする溶
液を高温で結晶基板に接触させた後、次第に温度を下げ
半導体結晶を基板上に析出成長させるようにした方法が
ある。Semiconductor crystals consisting of multiple compositional elements, such as gallium arsenide (GaAs), gallium aluminum arsenide (Ga
One method for growing compound semiconductor crystals such as -A1・As) on a crystal substrate is to bring a solution containing these semiconductors as solutes into contact with the crystal substrate at high temperature, then gradually lower the temperature and place the semiconductor crystal on the substrate. There is a method in which precipitation is grown on the surface.
この方法は一般に液相エピタキシャル結晶成長方法と称
され、高純度で結晶性の良好な単結晶を成長させる方法
として、特に半導体工業の分野で広く採用されている。This method is generally referred to as a liquid phase epitaxial crystal growth method, and is widely employed, particularly in the semiconductor industry, as a method for growing single crystals with high purity and good crystallinity.
また、近年においては、鉛・錫・テルル（Ｐｂ＋Ｓｎ、
Ｔｅ）や易蒸発性のＨｇからなる成分元素を含むエネル
ギギャップの狭い水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ ＋
−ｘ Ｃｄ Ｘ Ｔ’ ｅ ）等の化合物半導体結晶を
構成材料として、赤外線検知素子や赤外半導体レーザ素
子などの光電変換素子を形成するのに上記方法が用いら
れている。特に易蒸発性の成分元素を含む化合物半導体
結晶を液相エピタキシャル成長により形成する場合には
、蒸発により溶液濃度が変化することを防止するために
、例えば真空に吸引された石英アンプル等の密閉容器内
で結晶成長させる必要がある。In addition, in recent years, lead, tin, tellurium (Pb+Sn,
Mercury, cadmium, tellurium (Hg +
The above method is used to form photoelectric conversion elements such as infrared detection elements and infrared semiconductor laser elements using compound semiconductor crystals such as -xCdXT'e) as constituent materials. In particular, when forming compound semiconductor crystals containing easily evaporable component elements by liquid phase epitaxial growth, in order to prevent the solution concentration from changing due to evaporation, the It is necessary to grow crystals.
従来の技術
従来の液相エピタキシャル結晶成長製蓋を第６図及び第
７図により説明する。第６図を参照すると、基板保持治
具１は、円筒状の石英アンプル２内に内接する外径と所
定長さの、例えば石英ガラスあるいはカーボン材からな
る円柱の外周部中央の一部を切り欠いた切欠凹部３を有
している。この切欠凹部３内の対向壁面には、結晶成長
用の基板４を横架する形に水平保持するための溝５，５
が形成されている。2. Description of the Related Art A conventional lid made by liquid phase epitaxial crystal growth will be explained with reference to FIGS. 6 and 7. Referring to FIG. 6, the substrate holding jig 1 cuts a part of the center of the outer circumference of a cylinder made of quartz glass or carbon material, for example, with an outer diameter and a predetermined length inscribed in a cylindrical quartz ampoule 2. It has a cutout recess 3. Grooves 5, 5 for horizontally holding the substrate 4 for crystal growth in a horizontally suspended manner are provided on the opposing wall surfaces in the notch recess 3.
is formed.
そして、液相エピタキシャル結晶成長に際しては、治具
１の切欠凹部３内に例えばＣｄＴｅからなる結晶成長用
基板４が収容された基板ホルダ６を水平に掛は渡した形
に保持し、基板４及び基板ホルダ６と、予め所定組成比
に秤量されたＨｇ＋−ｘＣｄｘＴｅからなる結晶成長用
のメルト材料７とを図示のように石英アンプル２内に配
設し、内部を排気した後、基板保持治具１が内部で動か
ないように気密に封止する。During liquid phase epitaxial crystal growth, the substrate holder 6 containing the crystal growth substrate 4 made of, for example, CdTe is held in the cutout recess 3 of the jig 1 in a horizontally hanging manner. A substrate holder 6 and a melt material 7 for crystal growth made of Hg+-xCdxTe weighed in advance to a predetermined composition ratio are placed in a quartz ampoule 2 as shown in the figure, and after the inside is evacuated, the substrate holding jig is placed. 1 is airtightly sealed so that it does not move inside.
しかる後、石英アンプル２を図示しないエピタキシャル
結晶成長炉内に配置し、結晶成長温度よりも高い所定温
度に加熱して、第７図（Ａ）に示すように、石英アンプ
ル２内の結晶成長用のメルト材料７を溶融させる（７′
）。そして、石英アンプル２を１８０°回転して基板４
面に溶融した結晶成長用メルト材料７′を接触させ、炉
内温度を所定の結晶成長温度に低下させると、同図（Ｂ
）に示すように、基板４上にＨｇ １− Ｘ Ｃｄ ｗ
Ｔ ｅからなる結晶層８が成長する。次に、所定の厚
さの結晶層が形成された時点で、同図（Ｃ）に示すよう
に、石英アンプル２を再び１８０°反転させることによ
り、基板４上の結晶成長用メルト材料７′を除去して結
晶成長を停止させ、その後、炉内より石英アンプル２を
引き出し、石英アンプル２を開封し、結晶層８が形成さ
れた基板４を基板保持治具１から取り出すようにしてい
る。Thereafter, the quartz ampoule 2 is placed in an epitaxial crystal growth furnace (not shown), and heated to a predetermined temperature higher than the crystal growth temperature, as shown in FIG. 7(A). Melt the melt material 7 (7'
). Then, the quartz ampoule 2 is rotated 180 degrees and the substrate 4 is
When the melt material 7' for crystal growth is brought into contact with the surface and the temperature inside the furnace is lowered to a predetermined crystal growth temperature, the same figure (B
), Hg 1-
A crystal layer 8 consisting of Te grows. Next, when a crystal layer of a predetermined thickness is formed, as shown in FIG. is removed to stop crystal growth, and then the quartz ampoule 2 is pulled out from the furnace, the quartz ampoule 2 is unsealed, and the substrate 4 on which the crystal layer 8 is formed is taken out from the substrate holding jig 1.
発明が解決しようとする課題
しかし、メルト材料は空気中にさらされるとその表面が
酸化するが、メルト材料を空気中にさらすことなく石英
アンプル内に収容するのは一般に困難である。このため
、メルト材料溶融時に、酸化した部分が酸化膜となって
液面に浮遊することとなり、石英アンプル回転時に、こ
の酸化膜が結晶成長用基板表面に付着し、結晶の成長が
妨げられ、品質の良好な結晶を得ることができないとい
う問題があった。Problems to be Solved by the Invention However, the surface of the melt material oxidizes when exposed to the air, and it is generally difficult to accommodate the melt material in a quartz ampoule without exposing it to the air. Therefore, when the melt material is melted, the oxidized portion becomes an oxide film and floats on the liquid surface, and when the quartz ampoule is rotated, this oxide film adheres to the surface of the crystal growth substrate, hindering crystal growth. There was a problem that crystals of good quality could not be obtained.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、良
質の化合物半導体結晶を製造することができる液相エピ
タキシャル結晶成長装置の提供を目的としている。The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a liquid phase epitaxial crystal growth apparatus that can produce high-quality compound semiconductor crystals.
課題を解決するための手段
結晶成長用基板を保持した治具と、化合物半導体からな
るメルト材料とを、アンプル内に収容し、該アンプルを
加熱炉内で回転することにより、結晶成長用基板が溶融
メルト材料内に埋没するように構成する。そして、前記
治具の前記結晶成長用基板の裏面側に一体的に前記メル
ト材料を収容するメルト材料収容室を画成し、該メルト
材料収容室と、前記アンプルと治具により画成される結
晶成長用室との隔壁に、少なくとも一つの貫通穴を形成
し、前記アンプル加熱時に、溶融メルト材料が該貫通穴
を介して、該結晶成長用室に流出するように構成する。Means for Solving the Problem A jig holding a substrate for crystal growth and a melt material made of a compound semiconductor are housed in an ampoule, and the ampoule is rotated in a heating furnace to form a substrate for crystal growth. Configured to be embedded within the molten melt material. A melt material storage chamber that integrally stores the melt material is defined on the back side of the crystal growth substrate of the jig, and is defined by the melt material storage chamber, the ampoule, and the jig. At least one through hole is formed in a partition wall between the crystal growth chamber and the crystal growth chamber, and the molten melt material flows into the crystal growth chamber through the through hole when the ampoule is heated.
作 用
治具に結晶成長用基板を固定し、該治具に設けられたメ
ルト材料収容室にメルト材料を収容し、これをアンプル
内に収容して、該アンプルを加熱すると、メルト材料は
溶融し、メルト材料収容室に形成されている貫通穴から
流出する。このとき、溶融メルト材料液面に浮遊してい
る酸化膜は、該貫通穴を通過することはできず、該メル
ト材料収容室内に残留することとなる。これにより、酸
化膜が結晶成長用基板表面に付着することをなくすこと
ができ、良質の化合物半導体結晶を製造することが可能
となる。A substrate for crystal growth is fixed to a working jig, a melt material is stored in a melt material storage chamber provided in the jig, and this is stored in an ampoule. When the ampoule is heated, the melt material is melted. The melt material flows out from the through hole formed in the melt material storage chamber. At this time, the oxide film floating on the surface of the molten melt material cannot pass through the through hole and remains in the melt material storage chamber. This prevents the oxide film from adhering to the surface of the crystal growth substrate, making it possible to manufacture high-quality compound semiconductor crystals.
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明することに
する。Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described based on the drawings.
まず、第２図を参照すると、本発明一実施例の構成断面
図が示されている。１１は基板保持治具であり、１２は
円筒状の石英アンプルである。基板保持治具１１は第３
図にも示されているように、石英アンプル１２に内接す
る外径と所定長さの、例えば石英ガラスあるいはカーボ
ン材からなる円柱を、軸方向に２分割した形状を有する
上治具１３及び下治具１４から構成されている。上治具
１３の中央部近傍の下治具１４との対向面側には、段差
状に切り欠かれた第１段差部１５及び第２段差部１６が
形成されている。下治具１４の中央部近傍の上治具１３
との対向面側には、上治具１３の第１段差部１５と同様
の第３段差部１７が形成され、この第３段差部１７の中
央部近傍には陥没した凹部１８が形成されている。下治
具１４の凹部１８の裏面側には切欠部１９が形成されて
いる。First, referring to FIG. 2, a cross-sectional view of the structure of one embodiment of the present invention is shown. 11 is a substrate holding jig, and 12 is a cylindrical quartz ampoule. The substrate holding jig 11 is the third
As shown in the figure, an upper jig 13 and a lower jig each have a shape in which a cylinder made of, for example, quartz glass or carbon material and having an outer diameter and a predetermined length is inscribed in a quartz ampoule 12 and is divided into two parts in the axial direction. It is composed of a jig 14. A first stepped portion 15 and a second stepped portion 16 are formed in the vicinity of the center of the upper jig 13 on the side facing the lower jig 14 . Upper jig 13 near the center of lower jig 14
A third step portion 17 similar to the first step portion 15 of the upper jig 13 is formed on the side facing the upper jig 13, and a depressed recess 18 is formed near the center of the third step portion 17. There is. A notch 19 is formed on the back side of the recess 18 of the lower jig 14.
そして、下治具１４の凹部１８と切欠部１９の隔壁には
、複数の貫通穴２０が形成されている。A plurality of through holes 20 are formed in the partition walls of the recess 18 and the notch 19 of the lower jig 14.
そして、液相エピタキシャル結晶成長に際しては、予め
所定組成比（例えば、Ｈｇ ：Ｃｄ ：Ｔｅ＝１０：１
：１００）に秤量されたＨ ｇｌ−ＣｄＭＴｅからなる
結晶成長用のメルト材料２１を、下治具１４の凹部１８
内に載置する形で収容し、ＣｄＴｅ等からなる結晶成長
用基板２２が収容された基板ホルダ２３を上治具１３の
第１段差部１５と下治具１４の第３段差部１７との間で
挟持する形で保持し、石英アンプル１２内に配設して内
部を排気したのち、気密に封止する。During liquid phase epitaxial crystal growth, a predetermined composition ratio (for example, Hg:Cd:Te=10:1
The melt material 21 for crystal growth made of H gl-CdMTe weighed to
The substrate holder 23 containing the crystal growth substrate 22 made of CdTe or the like is placed between the first stepped portion 15 of the upper jig 13 and the third stepped portion 17 of the lower jig 14. After the ampule is held in a quartz ampoule 12 and the inside is evacuated, the ampoule is airtightly sealed.
この状態における液相エピタキシャル結晶成長装置の断
面が、第１図（Ａ）に示されている。尚、「発明が解決
しようとする課題」に記載したメルト材料収容室とは、
この状態のおける下治具１４の凹部１８と基板ホルダ２
３の下面とで構成される空間２４を指すものであり、同
じく結晶成長用室とは、上治具１３の第２段差部１６、
下治具１４の切欠部１９及び石英アンプル１２により構
成される空間２５を指しているものである。A cross section of the liquid phase epitaxial crystal growth apparatus in this state is shown in FIG. 1(A). In addition, the melt material storage chamber described in "Problem to be solved by the invention" is
The recess 18 of the lower jig 14 and the substrate holder 2 in this state
Similarly, the crystal growth chamber refers to the space 24 consisting of the second stepped portion 16 of the upper jig 13, and the lower surface of the upper jig 13.
This refers to the space 25 formed by the notch 19 of the lower jig 14 and the quartz ampoule 12.
しかる後、石英アンプル１２を図示しない液相エピタキ
シャル結晶成長炉内に配置し、結晶成長温度よりも高い
所定温度（例えば、８００℃）まで加熱する。これによ
り、メルト材料２１は、メルト材料収容室２４内で溶融
し、貫通穴２０を介して結晶成長用室２５に流出し、溶
融メルト材料２１′となる。この状態が第１図（Ｂ）に
示されている。Thereafter, the quartz ampoule 12 is placed in a liquid phase epitaxial crystal growth furnace (not shown) and heated to a predetermined temperature (for example, 800° C.) higher than the crystal growth temperature. As a result, the melt material 21 is melted in the melt material storage chamber 24, flows out into the crystal growth chamber 25 through the through hole 20, and becomes a molten melt material 21'. This state is shown in FIG. 1(B).
メルト材料２１は一般に空気中にされされているので、
その表面が酸化しており、加熱により溶融されたときに
、溶融メルト材料２１′の液面に酸化膜２６となって浮
遊する。しかし、この酸化膜２６はメルト材料収容室２
４（凹部１８）と結晶成長用室２５ （切欠部１９）と
の隔壁に形成されている貫通穴２０を通過することはで
きず、メルト材料収容室２４内に残留することとなる。Since the melt material 21 is generally placed in air,
Its surface is oxidized, and when it is melted by heating, it floats as an oxide film 26 on the surface of the molten melt material 21'. However, this oxide film 26
4 (concave portion 18) and the crystal growth chamber 25 (notch portion 19), it cannot pass through the through hole 20 formed in the partition wall, and remains in the melt material storage chamber 24.
次いで、石英アンプル１２を１８０度回転して結晶成長
用基板２２を溶融したメルト材料２１′に浸し、炉内温
度を所定の結晶成長温度に低下させると（例えば、その
温度勾配は０．３℃／分）、第１図（Ｃ）に示されてい
るように、結晶成長用基板２２上にＨｇ ｌ−Ｘ Ｃｄ
Ｘ Ｔ ｅからなる結晶層２７が析出・成長する。Next, the quartz ampoule 12 is rotated 180 degrees to immerse the crystal growth substrate 22 in the melted melt material 21', and the furnace temperature is lowered to a predetermined crystal growth temperature (for example, the temperature gradient is 0.3°C). /min), as shown in FIG. 1(C), Hg l-X Cd
A crystal layer 27 made of X Te is precipitated and grown.
結晶成長用基板２２上に所定の厚さ（例えば、１００μ
ｍ）の結晶層２７が形成された時点で、第１図（Ｄ）に
示されているように、石英アンプル１２を１８（］度反
転させることにより、結晶成長用基板２２上のメルト材
料２１′を除去して結晶成長を停止させ、その後、炉内
より石英アンプル１２を引出し、石英アンプル１２を開
封し、結晶層２７が形成された結晶成長用基板２２を基
板保持治具２３から取り出すようにしている。A predetermined thickness (for example, 100μ) is formed on the crystal growth substrate 22.
When the crystal layer 27 (m) is formed, as shown in FIG. ' is removed to stop crystal growth, and then the quartz ampoule 12 is pulled out from the furnace, the quartz ampoule 12 is unsealed, and the crystal growth substrate 22 on which the crystal layer 27 is formed is taken out from the substrate holding jig 23. I have to.
上述したように本実施例によれば、メルト材料２１溶融
時にその液面に浮遊する酸化膜２６は、メルト材料収容
室２４の貫通穴２０を通過することはできず、メルト材
料収容室２４内に残留することとなるから、結晶成長用
基板２２表面に付着することはなく、当該酸化膜２６が
結晶成長用基板２２表面に付着することにより生じてい
た不都合を解消することができ、成長ムラのない結晶層
２７を析出・成長させることができるものである。As described above, according to this embodiment, the oxide film 26 floating on the liquid surface of the melt material 21 when it is melted cannot pass through the through hole 20 of the melt material storage chamber 24 and is Since the oxide film 26 remains on the surface of the crystal growth substrate 22, it does not adhere to the surface of the crystal growth substrate 22, and the inconvenience caused by the oxide film 26 adhering to the surface of the crystal growth substrate 22 can be solved, and the growth unevenness can be improved. It is possible to precipitate and grow a crystal layer 27 free of crystals.
尚、メルト材料収容室２４と結晶成長用室との隔壁に形
成される貫通穴２０は、石英アンプル１２加熱・回転時
に、溶融メルト材料２１′が効率良くこの貫通穴２０を
通過して結晶成長用室２５内に流出するように、アンプ
ル１２回転方向に対して比較的上流側に形成するとよい
。The through hole 20 formed in the partition wall between the melt material storage chamber 24 and the crystal growth chamber allows the molten melt material 21' to efficiently pass through the through hole 20 when the quartz ampoule 12 is heated and rotated, thereby facilitating crystal growth. It is preferable to form it relatively upstream with respect to the direction of rotation of the ampoule 12 so that it flows out into the use chamber 25.
以下、本発明性の実施例について説明する。第４図を参
照すると、アンプル１２内に収容される基板保持治具の
他の構成が示されている。同図において、上治具３１は
上記一実施例の上治具１３と同一構成であり、下治具３
２の構成が異なるものである。Examples of the present invention will be described below. Referring to FIG. 4, another configuration of the substrate holding jig housed within the ampoule 12 is shown. In the figure, an upper jig 31 has the same configuration as the upper jig 13 of the above embodiment, and a lower jig 3
The second configuration is different.
即ち、下治具３２の中央部近傍に配置されるメルト材料
収容室を構成する凹部３３が円弧状に形成されており、
同図に示す如く、下治具３２は二つに分断され、凹部３
３が一体的に設けられている第１下治具３４と第２下治
具３５とから構成されている。第２下治具３５の第１下
治具３４との対向面側には、凹部３３の先端部が嵌合し
得る円弧状の溝３６が形成され、第１下治具３４と第２
下治具３５が嵌合されることにより一体化されて使用さ
れる。また、下治具３２の凹部３３の両端縁部３３ａ、
３３ａは第３段差部３９よりもわずかに高く形成されて
おり、一方、結晶成長用基板３７を収容する基板ホルダ
３８の裏面側には、該凹部３３の端縁部３３ａ、３３ａ
に嵌合し得る溝４０．４０が形成されており、結晶成長
用基板３７を収容した基板ホルダ３８を上治具３１と下
治具３２とで挟持したときに、該端縁部３３ａ、３３ａ
と抜溝４０．４０とが嵌合し、結晶成長用基板３７を収
容した基板ホルダ３８が確実に固定されるようになって
いる。That is, the recess 33 constituting the melt material storage chamber arranged near the center of the lower jig 32 is formed in an arc shape,
As shown in the figure, the lower jig 32 is divided into two parts, and the recess 3
3 is composed of a first lower jig 34 and a second lower jig 35, which are integrally provided. An arc-shaped groove 36 into which the tip of the recess 33 can fit is formed on the side of the second lower jig 35 facing the first lower jig 34.
By fitting the lower jig 35, they are integrated and used. In addition, both end edges 33a of the recess 33 of the lower jig 32,
33a is formed slightly higher than the third stepped portion 39, and on the other hand, on the back side of the substrate holder 38 that accommodates the crystal growth substrate 37, there are edge portions 33a, 33a of the recessed portion 33.
A groove 40.40 is formed into which the substrate holder 38 containing the crystal growth substrate 37 is held between the upper jig 31 and the lower jig 32.
The grooves 40 and 40 fit together, and the substrate holder 38 containing the crystal growth substrate 37 is securely fixed.
また、下治具３２は、第５図に示されているように、第
１下治具３４から凹部３３を分断して構成し、第２下治
具３５と同様に円弧状の溝３６を形成して三つの部材か
ら構成することができる。Further, as shown in FIG. 5, the lower jig 32 is constructed by dividing the recess 33 from the first lower jig 34, and has an arcuate groove 36 similar to the second lower jig 35. It can be formed and composed of three parts.
発明の効果
本発明は以上詳述したように構成したので、メルト材料
溶融時にその液面に浮遊する酸化膜は、メルト材料収容
室内に残留し、結晶成長用室内に流出することがないの
で、結晶成長用基板上に付着することがなくなり、化合
物半導体結晶が一様に成長し、良質の化合物半導体結晶
を製造することが可能になるという効果を奏する。Effects of the Invention Since the present invention is configured as detailed above, the oxide film floating on the liquid surface when the melt material is melted remains in the melt material storage chamber and does not flow into the crystal growth chamber. This has the effect that the compound semiconductor crystal does not adhere to the crystal growth substrate, the compound semiconductor crystal grows uniformly, and it becomes possible to manufacture a high-quality compound semiconductor crystal.
第１図（Ａ）〜（Ｄ＞は本発明一実施例の結晶成長工程
の説明図、
第２図は本発明一実施例の構成を示す断面図、第３図は
本発明一実施例の基板保持治具の構成を示す斜視図、
第４図は本発明能の実施例の基板保持治具の構成を示す
斜視図、
第５図は第４図における下治具の他の構成を示す斜視図
、
第６図は従来技術の一部破断斜視図、
第７図は従来技術の結晶成長工程の説明図である。
１・・・基板保持治具、
２、・・・石英アンプル、
３・・・上治具、
４・・・下治具、
５．１６．１
８・・・凹部、
９・・・切欠部、
０・・・貫通穴、
ｌ・・・メルト材料、
１′・・・溶融メルト材料、
２・・・結晶成長用基板、
４・・・メルト材料収容室、
７・・・段差部、
５・・・結晶成長用室、
６・・・酸化膜。Figures 1 (A) to (D> are explanatory diagrams of the crystal growth process of an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing the structure of an embodiment of the present invention, and Figure 3 is an illustration of the structure of an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing the structure of a substrate holding jig according to an embodiment of the present invention; FIG. 5 shows another structure of the lower jig in FIG. 4. 6 is a partially cutaway perspective view of the prior art, and FIG. 7 is an explanatory diagram of the crystal growth process of the prior art. 1... Substrate holding jig, 2... Quartz ampoule, 3 ...Upper jig, 4...Lower jig, 5.16.1 8...Recess, 9...Notch, 0...Through hole, l...Melt material, 1'. ... Molten melt material, 2... Substrate for crystal growth, 4... Melt material storage chamber, 7... Step portion, 5... Chamber for crystal growth, 6... Oxide film.
Claims (1)
合物半導体からなるメルト材料（２１）とを、アンプル
（１２）内に収容し、該アンプル（１２）を加熱炉内で
回転することにより、結晶成長用基板（２２）が溶融メ
ルト材料（２１′）内に埋没するようにした液相エピタ
キシャル結晶成長装置において、 前記治具（１１）の前記結晶成長用基板（２２）の裏面
側に一体的に前記メルト材料（２１）を収容するメルト
材料収容室（２４）を画成し、 該メルト材料収容室（２４）と、前記アンプル（１２）
と治具（１１）により画成される結晶成長用室（２５）
との隔壁に、少なくとも一つの貫通穴（２０）を形成し
、前記アンプル（１２）加熱時に、溶融メルト材料（２
１′）が該貫通穴（２０）を介して、該結晶成長用室液
相エピタキシャル結晶成長装置。[Claims] A jig (11) holding a crystal growth substrate (22) and a melt material (21) made of a compound semiconductor are housed in an ampoule (12), and the ampoule (12) is In a liquid phase epitaxial crystal growth apparatus in which a substrate for crystal growth (22) is buried in a molten melt material (21') by rotating in a heating furnace, the substrate for crystal growth of the jig (11) is A melt material storage chamber (24) that integrally stores the melt material (21) is defined on the back side of the substrate (22), and the melt material storage chamber (24) and the ampoule (12)
and a crystal growth chamber (25) defined by a jig (11)
At least one through hole (20) is formed in the partition wall between the ampoule (12) and the molten melt material (2) when the ampoule (12) is heated.
1') is connected to the crystal growth chamber through the through hole (20) in the liquid phase epitaxial crystal growth apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27246590A JPH04148532A (en) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | Liquid-phase epitaxial growth apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27246590A JPH04148532A (en) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | Liquid-phase epitaxial growth apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04148532A true JPH04148532A (en) | 1992-05-21 |
Family
ID=17514297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27246590A Pending JPH04148532A (en) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | Liquid-phase epitaxial growth apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04148532A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7048797B2 (en) * | 2002-09-19 | 2006-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid-phase growth process and liquid-phase growth apparatus |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27246590A patent/JPH04148532A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7048797B2 (en) * | 2002-09-19 | 2006-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid-phase growth process and liquid-phase growth apparatus |
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