JPH04146653A - 半導体装置パッケージおよび接合部材 - Google Patents
半導体装置パッケージおよび接合部材Info
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- JPH04146653A JPH04146653A JP2271469A JP27146990A JPH04146653A JP H04146653 A JPH04146653 A JP H04146653A JP 2271469 A JP2271469 A JP 2271469A JP 27146990 A JP27146990 A JP 27146990A JP H04146653 A JPH04146653 A JP H04146653A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 23
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 9
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はクリーン度の高い気密封止型の半導体装置パッ
ケージ、特に半導体素子や透光部への異物の付着を防止
した半導体装置パッケージ、および半導体装置パッケー
ジ用接合部材に関するものである。
ケージ、特に半導体素子や透光部への異物の付着を防止
した半導体装置パッケージ、および半導体装置パッケー
ジ用接合部材に関するものである。
ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ
）、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）、ＣＰＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｐｒｉｍｍｉｎ
ｇ Ｄｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子、およびＥＰＲＯ
Ｍ（Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌ
ｅ／Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等の光による
書込、消去可能なメモリーなど、光学特性を有する半導
体素子を用いた半導体装置には、気密封止性、特にクリ
ーン度が要求される。
）、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）、ＣＰＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｐｒｉｍｍｉｎ
ｇ Ｄｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子、およびＥＰＲＯ
Ｍ（Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌ
ｅ／Ｒｅａｄ ０ｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）等の光による
書込、消去可能なメモリーなど、光学特性を有する半導
体素子を用いた半導体装置には、気密封止性、特にクリ
ーン度が要求される。
一般に半導体装置では、ゴミ等の異物や水分が入らない
ように気密封止性が要求されるが、特に光学特性を有す
る半導体装置では、光透過性が要求され、半導体素子や
リッド等の透光部にゴミ等の異物が付着すると、電気お
よび光学特性が阻害されるので、気密封止性、特にクリ
ーン度が要求される。
ように気密封止性が要求されるが、特に光学特性を有す
る半導体装置では、光透過性が要求され、半導体素子や
リッド等の透光部にゴミ等の異物が付着すると、電気お
よび光学特性が阻害されるので、気密封止性、特にクリ
ーン度が要求される。
このような光学特性を有する半導体装置では、箱型のケ
ーシング内に形成されたダイパッドに、半導体素子（Ｉ
Ｃチップ）が固着されて、ボンディングワイヤによりリ
ードに接続されている。そして。
ーシング内に形成されたダイパッドに、半導体素子（Ｉ
Ｃチップ）が固着されて、ボンディングワイヤによりリ
ードに接続されている。そして。
ケーシングの開口部に、リッド（蓋）が気密封止用の接
着剤層により接着され、気密状に封止されて、パッケー
ジが形成される。
着剤層により接着され、気密状に封止されて、パッケー
ジが形成される。
このような半導体装置では、パッケージ内部にＩＩｓ以
上の異物があると、半導体素子上の微細電極パターンを
短絡させ、特に１０１Ｍ以上の異物は半導体素子の画素
を覆い、いずれの場合も故障または像の不良が生じる。
上の異物があると、半導体素子上の微細電極パターンを
短絡させ、特に１０１Ｍ以上の異物は半導体素子の画素
を覆い、いずれの場合も故障または像の不良が生じる。
このうち比較的大きな１０虜以上の異物はエアーブロー
等の操作により取り除くことができるが、５ｐ程度の異
物は容易に取り除くことができず、パッケージ内に封止
されることになる。ところがこれらの微小な異物も、運
送中に移動し、半導体装置としての有効なエリアへ付着
し、出荷検定後の不良が発生しやすいなどの問題点があ
る。
等の操作により取り除くことができるが、５ｐ程度の異
物は容易に取り除くことができず、パッケージ内に封止
されることになる。ところがこれらの微小な異物も、運
送中に移動し、半導体装置としての有効なエリアへ付着
し、出荷検定後の不良が発生しやすいなどの問題点があ
る。
本発明の目的は、このような問題点を解決するため、パ
ッケージ内に封止された異物の半導体素子やリッド等の
透光部への付着を防止し、クリーン度を高く保って、電
気および光学特性を高く維持することができる気密封止
型の半導体装置パッケージおよび半導体装置パッケージ
用接合部材を提供することである。
ッケージ内に封止された異物の半導体素子やリッド等の
透光部への付着を防止し、クリーン度を高く保って、電
気および光学特性を高く維持することができる気密封止
型の半導体装置パッケージおよび半導体装置パッケージ
用接合部材を提供することである。
本発明は次の半導体装置パッケージおよび接合部材であ
る。
る。
（１）パッケージを形成するケーシングと、このケーシ
ングの開口部に接合されて封止空間を形成するリッドと
、前記ケーシングおよびリッド間に形成された気密封止
接着剤層と、前記封止空間に露出するように設けられた
粘着剤層とを有する半導体装置パッケージ。
ングの開口部に接合されて封止空間を形成するリッドと
、前記ケーシングおよびリッド間に形成された気密封止
接着剤層と、前記封止空間に露出するように設けられた
粘着剤層とを有する半導体装置パッケージ。
（２）粘着剤層がリッドに形成された上記（１）記載の
半導体装置パッケージ。
半導体装置パッケージ。
（３）ケーシングまたはリッドと接合して封止空間を形
成する半導体装置パッケージを形成するための接合部材
であって、リッド、ケーシングまたはスペーサの接合面
に形成された気密封止接着剤層と、前記封止空間に対向
する位置に形成された粘着剤層とを有する半導体装置パ
ッケージ用接合部材。
成する半導体装置パッケージを形成するための接合部材
であって、リッド、ケーシングまたはスペーサの接合面
に形成された気密封止接着剤層と、前記封止空間に対向
する位置に形成された粘着剤層とを有する半導体装置パ
ッケージ用接合部材。
（４）パッケージが半導体装置用のものである上記（３
）記載の半導体装置パッケージ用接合部材。
）記載の半導体装置パッケージ用接合部材。
パッケージを形成するケーシングは、半導体素子等の被
封止物を収容できる構造のものであればよく、その開口
部にリッドが接合され、その接合面に気密封止接着剤層
が形成されるようになっている。
封止物を収容できる構造のものであればよく、その開口
部にリッドが接合され、その接合面に気密封止接着剤層
が形成されるようになっている。
粘着剤層はケーシングとリッドのいずれか一方または双
方に設けることができるが、リッドに設けるのが好まし
い。いずれの場合も、ケーシングとリッドによって形成
される封止空間に露出するようにする。ケーシングおよ
びリッドの材質としては、絶縁性を保持できる７プラス
チツク、セラミック、ガラスなどが採用可能である。
方に設けることができるが、リッドに設けるのが好まし
い。いずれの場合も、ケーシングとリッドによって形成
される封止空間に露出するようにする。ケーシングおよ
びリッドの材質としては、絶縁性を保持できる７プラス
チツク、セラミック、ガラスなどが採用可能である。
気密封止接着剤層としては、ケーシングとリッドを気密
封止状に接着する接着剤であればよく、例えば紫外線硬
化型接着剤、ホットメルト型接着剤、シアノアクリレー
ト系瞬間接着剤などが使用できるが、特にエポキシ系の
接着剤が好ましい。
封止状に接着する接着剤であればよく、例えば紫外線硬
化型接着剤、ホットメルト型接着剤、シアノアクリレー
ト系瞬間接着剤などが使用できるが、特にエポキシ系の
接着剤が好ましい。
粘着剤層は、パッケージ内に封止された異物が移動する
過程で捕捉できるように１表面が粘着性を有するもので
ある。このような粘着剤層を形成する粘着剤としては、
例えばアクリル系粘着剤、ゴム系エラストマー、ビニル
系粘着剤などがあげられ、特にシリコーン系粘着剤が好
ましい。
過程で捕捉できるように１表面が粘着性を有するもので
ある。このような粘着剤層を形成する粘着剤としては、
例えばアクリル系粘着剤、ゴム系エラストマー、ビニル
系粘着剤などがあげられ、特にシリコーン系粘着剤が好
ましい。
本発明の半導体装置パッケージ用接合部材は。
ケーシングまたはリッドと接合して気密封止型の半導体
装置パッケージを形成する接合部材であって、リッド、
ケーシングまたはスペーサの接合面に気密封止接着剤層
が形成され、封止空間に対向する位置に粘着剤層が形成
されたものである。このような接合部材としては、リッ
ドに気密封止接着剤層および粘着剤層を形成したものが
一般的であるが、ケーシングに形成したものでもよく、
場合によってはケーシングとリッド間に挿入されるスペ
ーサに気密封止接着剤層および粘着剤層を形成したもの
でもよい。
装置パッケージを形成する接合部材であって、リッド、
ケーシングまたはスペーサの接合面に気密封止接着剤層
が形成され、封止空間に対向する位置に粘着剤層が形成
されたものである。このような接合部材としては、リッ
ドに気密封止接着剤層および粘着剤層を形成したものが
一般的であるが、ケーシングに形成したものでもよく、
場合によってはケーシングとリッド間に挿入されるスペ
ーサに気密封止接着剤層および粘着剤層を形成したもの
でもよい。
この場合、気密封止接着剤としては、部分硬化物または
プレポリマーとなったものを使用し、リッド、ケーシン
グまたはスペーサと接合する段階で完全硬化させて気密
封止接着剤層を形成することができる。粘着剤層は剥離
フィルム等で覆っておき、接合に際して剥離フィルムを
剥離して粘着剤層を露出させることができる。
プレポリマーとなったものを使用し、リッド、ケーシン
グまたはスペーサと接合する段階で完全硬化させて気密
封止接着剤層を形成することができる。粘着剤層は剥離
フィルム等で覆っておき、接合に際して剥離フィルムを
剥離して粘着剤層を露出させることができる。
本発明の半導体装置パッケージ用接合部材は、半導体素
子等の被封止物を収容したケーシングまたはリッドと接
合して、気密封止接着剤層を硬化させ、粘着剤層を封止
空間に露出させるように封止して、気密封止型の半導体
装置パッケージを形成する。気密封止接着剤層および粘
着剤層は、パッケージ形成に際して塗布して形成しても
よい。
子等の被封止物を収容したケーシングまたはリッドと接
合して、気密封止接着剤層を硬化させ、粘着剤層を封止
空間に露出させるように封止して、気密封止型の半導体
装置パッケージを形成する。気密封止接着剤層および粘
着剤層は、パッケージ形成に際して塗布して形成しても
よい。
こうして形成された気密封止型の半導体装置パッケージ
は、接合面が気密封止接着剤層により気密封止状に接着
されているので、ゴミ、その他の異物および水分の侵入
が防止される。パッケージ中に封止された異物は、運送
等に際して移動する過程で、粘着剤層に捕捉され、半導
体素子やリッド等の透光部への付着が防止され、クリー
ン度が高くなり、電気および光学特性が高く維持される
。
は、接合面が気密封止接着剤層により気密封止状に接着
されているので、ゴミ、その他の異物および水分の侵入
が防止される。パッケージ中に封止された異物は、運送
等に際して移動する過程で、粘着剤層に捕捉され、半導
体素子やリッド等の透光部への付着が防止され、クリー
ン度が高くなり、電気および光学特性が高く維持される
。
以下、本発明を図面の実施例について説明する。
第１図は実施例の光学特性を有する半導体装置の気密封
止パッケージを示す断面図、第２図は接合部材の下面図
、第３図はそのＡ−Ａ断面図である。
止パッケージを示す断面図、第２図は接合部材の下面図
、第３図はそのＡ−Ａ断面図である。
第１図において、半導体装置１は、箱型のケーシング２
内に形成されたダイパッド３に、半導体素子（ＩＣチッ
プ）４が固着され、ボンディングワイヤ５によりリード
６に接続されている。ケーシング２の開口部は、透明な
材料からなるリッド（蓋）７が気密封止接着剤層８によ
り接着され、気密封止パッケージ９が形成されている。
内に形成されたダイパッド３に、半導体素子（ＩＣチッ
プ）４が固着され、ボンディングワイヤ５によりリード
６に接続されている。ケーシング２の開口部は、透明な
材料からなるリッド（蓋）７が気密封止接着剤層８によ
り接着され、気密封止パッケージ９が形成されている。
ケーシング２とリッド７によって封止空間１０が形成さ
れ、この封止空間１０の周辺部に対向して露出するよう
に。
れ、この封止空間１０の周辺部に対向して露出するよう
に。
リッド７の気密封止接着剤層８の内側の位置に、粘着剤
層１１が形成されている。
層１１が形成されている。
第２図および第３図において、接合部材１２は、リッド
７の裏面の周辺部のケーシング２との接合面の全域にわ
たって気密封止接着剤層８が形成され、その内側の封止
空間１０の周辺部に対向する位置に粘着剤層１１が形成
されている。
７の裏面の周辺部のケーシング２との接合面の全域にわ
たって気密封止接着剤層８が形成され、その内側の封止
空間１０の周辺部に対向する位置に粘着剤層１１が形成
されている。
第１図の半導体装［１では、一般にゴミ等が入らないよ
うに気密封止性が要求されるが、特に光学特性を有する
半導体装置では、リッド７はガラス等の透明な材料から
なり、半導体素子４やリッド７へのゴミ等の異物の付着
は、電気および光学特性を阻害する結果になる。これを
防止するために粘着剤層１１が形成され、クリーン度が
付与される。
うに気密封止性が要求されるが、特に光学特性を有する
半導体装置では、リッド７はガラス等の透明な材料から
なり、半導体素子４やリッド７へのゴミ等の異物の付着
は、電気および光学特性を阻害する結果になる。これを
防止するために粘着剤層１１が形成され、クリーン度が
付与される。
第１図の半導体装置１において、気密封止接着剤層８に
よる接着および粘着剤層１１の形成は、半導体装置１の
パッケージングに際して、ケーシング２またはリッド７
に接着剤および粘着剤を塗布して硬化させることにより
行うことができるが、第２図および第３図に示すように
、予めリッド７に接着剤および粘着剤を塗布して乾燥し
、気密封止接着剤層８および粘着剤層１１を形成して接
合部材１２としておき、この接合部材１２をケーシング
２に取付けて、加熱、加圧により気密封止接着剤層８を
硬化させ接着を行うこともできる。
よる接着および粘着剤層１１の形成は、半導体装置１の
パッケージングに際して、ケーシング２またはリッド７
に接着剤および粘着剤を塗布して硬化させることにより
行うことができるが、第２図および第３図に示すように
、予めリッド７に接着剤および粘着剤を塗布して乾燥し
、気密封止接着剤層８および粘着剤層１１を形成して接
合部材１２としておき、この接合部材１２をケーシング
２に取付けて、加熱、加圧により気密封止接着剤層８を
硬化させ接着を行うこともできる。
こうして形成された半導体装置１の気密封止パッケージ
９は、接合面を気密封止接着剤層８により気密封止状に
接着されているので、ゴミ、その他の異物および水分の
侵入が防止される。そしてパッケージ９中に封止された
異物は、運送等に際して移動する過程で粘着剤層１１に
捕捉されると。
９は、接合面を気密封止接着剤層８により気密封止状に
接着されているので、ゴミ、その他の異物および水分の
侵入が防止される。そしてパッケージ９中に封止された
異物は、運送等に際して移動する過程で粘着剤層１１に
捕捉されると。
その後は移動できなくなり、半導体素子４やリッド７等
の透光部への異物の付着は少なくなる。こうして半導体
装ｉｌｌのクリーン度は高く保たれ、異物による電気お
よび光学特性の阻害は防止される。
の透光部への異物の付着は少なくなる。こうして半導体
装ｉｌｌのクリーン度は高く保たれ、異物による電気お
よび光学特性の阻害は防止される。
なお、以上の実施例は光学特性を有する半導体装置のパ
ッケージに関するものであったが、一般の半導体装置の
気密封止パッケージにも同様に適用可能である。また接
合部材１２として、リッド７に気密封止接着剤層８を形
成した例を示したが、ケーシング２またはスペーサに気
密封止接着剤層８を形成したものを接合部材１２とする
こともできる。
ッケージに関するものであったが、一般の半導体装置の
気密封止パッケージにも同様に適用可能である。また接
合部材１２として、リッド７に気密封止接着剤層８を形
成した例を示したが、ケーシング２またはスペーサに気
密封止接着剤層８を形成したものを接合部材１２とする
こともできる。
以上の通り、本発明によれば、パッケージの接合面に気
密封止接着剤層を形成するとともに、封止空間に露出す
るように粘着剤層を形成したため、クリーン度の高い気
密封止パッケージが得られ、ゴミ等の異物が半導体素子
やリッド等の透光部に付着して、電気および光学特性を
阻害するのを防止することができる。
密封止接着剤層を形成するとともに、封止空間に露出す
るように粘着剤層を形成したため、クリーン度の高い気
密封止パッケージが得られ、ゴミ等の異物が半導体素子
やリッド等の透光部に付着して、電気および光学特性を
阻害するのを防止することができる。
第１図は実施例の半導体装置の気密封止パッケージを示
す断面図、第２図は接合部材の下面図、第３図はそのＡ
−Ａ断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は半
導体装置、２はケーシング、３はダイパッド、４は半導
体素子、５はボンディングワイヤ、６はリード、７はリ
ッド、８は気密封止接着剤層、９は気密封止パッケージ
、１０は封止空間、１１は粘着剤層、１２は接合部材で
ある。 代理人 弁理士 柳 原 成 に半導体装置 ２：ケーシング ３：ダイパッド ４：半導体素子 ５：ボンディングワイヤ ６：リード ７：リッド ８：気密封止接着剤層 ９：気密封止パッケージ １０：封止空間 １１：粘着剤層 １２：接合部材 第 第
す断面図、第２図は接合部材の下面図、第３図はそのＡ
−Ａ断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は半
導体装置、２はケーシング、３はダイパッド、４は半導
体素子、５はボンディングワイヤ、６はリード、７はリ
ッド、８は気密封止接着剤層、９は気密封止パッケージ
、１０は封止空間、１１は粘着剤層、１２は接合部材で
ある。 代理人 弁理士 柳 原 成 に半導体装置 ２：ケーシング ３：ダイパッド ４：半導体素子 ５：ボンディングワイヤ ６：リード ７：リッド ８：気密封止接着剤層 ９：気密封止パッケージ １０：封止空間 １１：粘着剤層 １２：接合部材 第 第
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）パッケージを形成するケーシングと、このケーシ
ングの開口部に接合されて封止空間を形成するリッドと
、前記ケーシングおよびリッド間に形成された気密封止
接着剤層と、前記封止空間に露出するように設けられた
粘着剤層とを有する半導体装置パッケージ。（２）粘着
剤層がリッドに形成された請求項（１）記載の半導体装
置パッケージ。 （３）ケーシングまたはリッドと接合して封止空間を形
成する半導体装置パッケージを形成するための接合部材
であって、リッド、ケーシングまたはスペーサの接合面
に形成された気密封止接着剤層と、前記封止空間に対向
する位置に形成された粘着剤層とを有する半導体装置パ
ッケージ用接合部材。 （４）パッケージが半導体装置用のものである請求項（
３）記載の半導体装置パッケージ用接合部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2271469A JPH04146653A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 半導体装置パッケージおよび接合部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2271469A JPH04146653A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 半導体装置パッケージおよび接合部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04146653A true JPH04146653A (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=17500472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2271469A Pending JPH04146653A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | 半導体装置パッケージおよび接合部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04146653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268231B1 (en) | 1996-04-08 | 2001-07-31 | Eastman Kodak Company | Low cost CCD packaging |
| KR20030090986A (ko) * | 2002-05-24 | 2003-12-01 | 킹팍 테크놀로지 인코포레이티드 | 이미지 센서 |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP2271469A patent/JPH04146653A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268231B1 (en) | 1996-04-08 | 2001-07-31 | Eastman Kodak Company | Low cost CCD packaging |
| KR20030090986A (ko) * | 2002-05-24 | 2003-12-01 | 킹팍 테크놀로지 인코포레이티드 | 이미지 센서 |
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