JPH04145638A - 半導体ウエハ検査装置 - Google Patents
半導体ウエハ検査装置Info
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- JPH04145638A JPH04145638A JP26909990A JP26909990A JPH04145638A JP H04145638 A JPH04145638 A JP H04145638A JP 26909990 A JP26909990 A JP 26909990A JP 26909990 A JP26909990 A JP 26909990A JP H04145638 A JPH04145638 A JP H04145638A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 9
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 claims description 9
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 6
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 abstract description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、背面入射型赤外線センサを構成する半導体ウ
ェハなど、半導体集積回路製造における前工程の最終段
階(半導体ウェハ上に回路を形成しチップサイズに分割
する直前)において半導体ウェハをプローブカードを用
いてブロービング検査(探針接触による電気特性試験)
を行なうための半導体ウェハ検査装置に関するものであ
る。
ェハなど、半導体集積回路製造における前工程の最終段
階(半導体ウェハ上に回路を形成しチップサイズに分割
する直前)において半導体ウェハをプローブカードを用
いてブロービング検査(探針接触による電気特性試験)
を行なうための半導体ウェハ検査装置に関するものであ
る。
〈従来の技術〉
この種の半導体ウェハ検査装置では、検出感度を向上さ
せるために被検査用半導体ウェハ並びにその周辺を一1
00°〜−200℃程度に冷却することが好ましい。そ
こで冷却チャンバの内部にウェハ支持板を設置すると共
に液体窒素を入れ、冷却チャンバの上部開口を天板で気
密状に被蓋し、そして冷却チャンバをXYステージ上に
設置した円筒状架台に支持させると共に、天板を2ステ
ージに取着させ、天板の下面にプローブカード取付枠を
一体的に垂設せしめて、円筒状架台の下側からその内部
を通して冷却チャンバ内の被検査用半導体ウェハに赤外
光を照射させながら、冷却チャンバ内の被検査用半導体
ウェハと天板側のプローブカード取付枠に固着せしめた
プローブカードとを相対的に水平方向にステップ運動さ
せて被検査用半導体ウェハの回路を順次検査できるよう
に構成されている。
せるために被検査用半導体ウェハ並びにその周辺を一1
00°〜−200℃程度に冷却することが好ましい。そ
こで冷却チャンバの内部にウェハ支持板を設置すると共
に液体窒素を入れ、冷却チャンバの上部開口を天板で気
密状に被蓋し、そして冷却チャンバをXYステージ上に
設置した円筒状架台に支持させると共に、天板を2ステ
ージに取着させ、天板の下面にプローブカード取付枠を
一体的に垂設せしめて、円筒状架台の下側からその内部
を通して冷却チャンバ内の被検査用半導体ウェハに赤外
光を照射させながら、冷却チャンバ内の被検査用半導体
ウェハと天板側のプローブカード取付枠に固着せしめた
プローブカードとを相対的に水平方向にステップ運動さ
せて被検査用半導体ウェハの回路を順次検査できるよう
に構成されている。
この様に構成された検査装置では、冷却チャンバ内のウ
ェハ支持板上に設置した被検査用半導体ウェハに赤外光
を円筒状架台の下側から安定した光量で照射させると同
時に、架台を伝って外部の熱が冷却チャンバ内へ流入し
ないようにする必要がある。
ェハ支持板上に設置した被検査用半導体ウェハに赤外光
を円筒状架台の下側から安定した光量で照射させると同
時に、架台を伝って外部の熱が冷却チャンバ内へ流入し
ないようにする必要がある。
そこで、従来のこの種検査装置では、上記円筒状架台の
上下開口を赤外光透過性窓板でもって気密状に封止して
円筒状架台の内部を真空断熱していた。しかしながら、
その架台をステンレス材を用いて構成していた為、架台
を伝って外部の熱が冷却チャンバ内へ流入しやすいだけ
でなく、円筒状架台が冷却チャンバ内の温度(−100
°〜−200℃)の影響を受けて水平方向に大きく熱収
縮し赤外光透過性窓板との気密性を損ないや、すく、架
台自体の熱伝導性と架台内部の真空度劣化により、赤外
光透過性窓板の外側に霜が付着し赤外光を安定した光量
でもって照射できなくなる不具合があった。
上下開口を赤外光透過性窓板でもって気密状に封止して
円筒状架台の内部を真空断熱していた。しかしながら、
その架台をステンレス材を用いて構成していた為、架台
を伝って外部の熱が冷却チャンバ内へ流入しやすいだけ
でなく、円筒状架台が冷却チャンバ内の温度(−100
°〜−200℃)の影響を受けて水平方向に大きく熱収
縮し赤外光透過性窓板との気密性を損ないや、すく、架
台自体の熱伝導性と架台内部の真空度劣化により、赤外
光透過性窓板の外側に霜が付着し赤外光を安定した光量
でもって照射できなくなる不具合があった。
その為に、従来では赤外光透過性窓板として高価なハー
メチック型のサファイヤガラス窓を用いて架台内部の気
密性を確保しなければならず、その結果、装置がコスト
高になる不具合があった。
メチック型のサファイヤガラス窓を用いて架台内部の気
密性を確保しなければならず、その結果、装置がコスト
高になる不具合があった。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明はこの様な従来の不具合に鑑みてなされたもので
あり、架台を伝って外部の熱が冷却チャンバ内へ流入す
るのを防止し得ると共に、円筒状架台の上下開口を封止
するための赤外光透過性窓板として高価なハーメチック
型のサファイヤガラス窓を用いずとも架台内部の気密性
を保持することが出来、しかも赤外光透過性窓板に霜が
付着する惧れがなく赤外光を安定した光量でもって照射
することができる半導体ウェハ検査装置を提供せんとす
るものである。
あり、架台を伝って外部の熱が冷却チャンバ内へ流入す
るのを防止し得ると共に、円筒状架台の上下開口を封止
するための赤外光透過性窓板として高価なハーメチック
型のサファイヤガラス窓を用いずとも架台内部の気密性
を保持することが出来、しかも赤外光透過性窓板に霜が
付着する惧れがなく赤外光を安定した光量でもって照射
することができる半導体ウェハ検査装置を提供せんとす
るものである。
〈課題を解決するための手段〉
斯る目的を達成する本発明の半導体ウェハ検査装置は、
冷却チャンバの内部に被検査用半導体ウェハを載承する
ためのウェハ支持板を設置し、該冷却チャンバの上部開
口を天板で被蓋すると共に、該天板の下面にプローブカ
ード取付枠を垂設せしめ、且つ上記冷却チャンバを支持
する架台の下側から上記ウェハ支持板に設置した被検査
用半導体ウェハに赤外光を照射するようにした半導体ウ
ェハ検査装置において、前記架台を上下にフランジ部を
有する略円筒状に形成すると共に、該上下のフランジ部
をガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の強化繊維材
で強化したFRP材における上記強化繊維の含有量及び
繊維配向を制御して下記赤外光透過性窓板の熱膨張率と
同じとなるように積層して構成し、該上下のフランジ部
に架台の上下開口を封止するように赤外光透過性窓板を
夫々気密状に取着せしめた事を特徴としたものである。
冷却チャンバの内部に被検査用半導体ウェハを載承する
ためのウェハ支持板を設置し、該冷却チャンバの上部開
口を天板で被蓋すると共に、該天板の下面にプローブカ
ード取付枠を垂設せしめ、且つ上記冷却チャンバを支持
する架台の下側から上記ウェハ支持板に設置した被検査
用半導体ウェハに赤外光を照射するようにした半導体ウ
ェハ検査装置において、前記架台を上下にフランジ部を
有する略円筒状に形成すると共に、該上下のフランジ部
をガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の強化繊維材
で強化したFRP材における上記強化繊維の含有量及び
繊維配向を制御して下記赤外光透過性窓板の熱膨張率と
同じとなるように積層して構成し、該上下のフランジ部
に架台の上下開口を封止するように赤外光透過性窓板を
夫々気密状に取着せしめた事を特徴としたものである。
〈実施例〉
以下、本発明実施の一例を図面に基づいて説明する。
冷却チャンバ1は、従来と同様にステンレス材を用いる
か或いはCFRP (炭素繊維強化プラスチックス)又
はGFRP (ガラス繊維強化プラスチックス)を用い
て、上部並びに底部中央を開放し且つ底部開口部2に内
方へ向は適宜高さの円筒状立壁2aを立設せしめた略円
形容器状に形成すると共に、全体を外筒1aと内筒1b
とからなる二重構造に形成せしめ、外筒1aと内筒1b
との間に真空断熱空間3を有する真空断熱容器様に構成
してなる。
か或いはCFRP (炭素繊維強化プラスチックス)又
はGFRP (ガラス繊維強化プラスチックス)を用い
て、上部並びに底部中央を開放し且つ底部開口部2に内
方へ向は適宜高さの円筒状立壁2aを立設せしめた略円
形容器状に形成すると共に、全体を外筒1aと内筒1b
とからなる二重構造に形成せしめ、外筒1aと内筒1b
との間に真空断熱空間3を有する真空断熱容器様に構成
してなる。
そして、冷却チャンバ1の内部に液体窒素4を収容させ
ると共に、上記円筒状立壁2aの上端部に鋼材等の熱伝
導性に優れた材料でもって略ドーナツ板状に形成したチ
ャック台5を一体的に取付け、そのチャック台5の上面
に被検査用半導体ウェハ6を載承するためのウェハ支持
板7を一体的に取付け、ウェハ支持板7をチャック台5
からの熱伝導によって直接的に冷却し得るように、チャ
ック台5の外周に冷却チャンバ1内の液体窒素4内に浸
漬される環状垂下部5aを同一体に形成せしめる。
ると共に、上記円筒状立壁2aの上端部に鋼材等の熱伝
導性に優れた材料でもって略ドーナツ板状に形成したチ
ャック台5を一体的に取付け、そのチャック台5の上面
に被検査用半導体ウェハ6を載承するためのウェハ支持
板7を一体的に取付け、ウェハ支持板7をチャック台5
からの熱伝導によって直接的に冷却し得るように、チャ
ック台5の外周に冷却チャンバ1内の液体窒素4内に浸
漬される環状垂下部5aを同一体に形成せしめる。
またウェハ支持板7は熱伝導性に優れ且つ赤外光を透過
し得るようにサファイヤガラスを用いて形成する。
し得るようにサファイヤガラスを用いて形成する。
又、チャック台5の下面には冷却チャンバ1全体を支持
するための架台8を一体的に取付ける。
するための架台8を一体的に取付ける。
架台8は、下側からその内部を通って冷却チャンバ1内
の被検査用半導体ウェハ6に赤外光IRを照射し得るよ
うに、CFRP材を用いて円筒状に形成すると共に、上
下開口の外周に夫々フランジ部8b、 8eを有する略
円筒形状に形成してなる。即ち、架台8を円筒部8aと
上下2つのフランジ部8b 8cとで構成すると共に、
円筒部8aを形成するCFRP材における炭素繊維の繊
維配向を0°と90°〜±30’の2方向に制御して疑
似等方性に2〜10層程度積層して成形するものである
。尚、ここで、繊維配向0°とは円筒部8aの軸方向に
沿った垂直方向の配向をいい、90’ とは周方向に沿
った水平方向の配向をいう。そして、円筒部8aを構成
するCFRP材としては熱伝導率が小さい炭素繊維を用
いることが好ましいと共に、炭素繊維の0°方向の繊維
配向の割合を全体の50%以上に配置設定することが好
ましい。このように構成することにより、円筒部8aの
強度を持たせつつ垂直方向に対する熱収縮率及び熱伝導
率をより極小なものとすることが出来るようになる。
の被検査用半導体ウェハ6に赤外光IRを照射し得るよ
うに、CFRP材を用いて円筒状に形成すると共に、上
下開口の外周に夫々フランジ部8b、 8eを有する略
円筒形状に形成してなる。即ち、架台8を円筒部8aと
上下2つのフランジ部8b 8cとで構成すると共に、
円筒部8aを形成するCFRP材における炭素繊維の繊
維配向を0°と90°〜±30’の2方向に制御して疑
似等方性に2〜10層程度積層して成形するものである
。尚、ここで、繊維配向0°とは円筒部8aの軸方向に
沿った垂直方向の配向をいい、90’ とは周方向に沿
った水平方向の配向をいう。そして、円筒部8aを構成
するCFRP材としては熱伝導率が小さい炭素繊維を用
いることが好ましいと共に、炭素繊維の0°方向の繊維
配向の割合を全体の50%以上に配置設定することが好
ましい。このように構成することにより、円筒部8aの
強度を持たせつつ垂直方向に対する熱収縮率及び熱伝導
率をより極小なものとすることが出来るようになる。
また、上下のフランジ部8b、8cは、ガラス繊維。
炭素繊維、アラミド繊維等の強化繊維材で強化したFR
P材を用い、上記強化繊維の含有量及び繊維配向を制御
して、できるだけ赤外光透過性窓板9a、 9bの熱膨
張率に合わせた構成とする。即ち、上下のフランジ部8
b、8cは、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の
強化繊維材で強化したFRP材を用いて、内輪部81b
、 81cと外輪部82b、 82cとからなる二重リ
ング状に構成すると共に、内輪部81b、81cをその
強化繊維材の繊維配向を±60゜〜35°に制御して疑
似等方性に2層〜10層程度積層して形成し、外輪部8
2b、 82cをその強化繊維材の繊維配向を900(
水平方向)に制御して形成するものである。従って、内
輪部81b、8]Cは赤外光透過性窓板9a、 9bの
熱膨張、収縮と同じ熱変形を行ない、外輪部82b、
82cは内輪部81b、 81Cの熱変形量に合わせて
周方向に熱膨張、収縮しやすくなる。尚、上下のフラン
ジ部8b、8cは、必ずしも内輪部81b、 81cと
外輪部82b、 l12cとの二重リング状に構成せず
とも単リング状に構成しても良く、その場合にはFRP
材における強化繊維材の含有量及び繊維配向を上述した
内輪部81b、 81cの場合と同様に構成する。しか
して、上下フランジ部8a。
P材を用い、上記強化繊維の含有量及び繊維配向を制御
して、できるだけ赤外光透過性窓板9a、 9bの熱膨
張率に合わせた構成とする。即ち、上下のフランジ部8
b、8cは、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の
強化繊維材で強化したFRP材を用いて、内輪部81b
、 81cと外輪部82b、 82cとからなる二重リ
ング状に構成すると共に、内輪部81b、81cをその
強化繊維材の繊維配向を±60゜〜35°に制御して疑
似等方性に2層〜10層程度積層して形成し、外輪部8
2b、 82cをその強化繊維材の繊維配向を900(
水平方向)に制御して形成するものである。従って、内
輪部81b、8]Cは赤外光透過性窓板9a、 9bの
熱膨張、収縮と同じ熱変形を行ない、外輪部82b、
82cは内輪部81b、 81Cの熱変形量に合わせて
周方向に熱膨張、収縮しやすくなる。尚、上下のフラン
ジ部8b、8cは、必ずしも内輪部81b、 81cと
外輪部82b、 l12cとの二重リング状に構成せず
とも単リング状に構成しても良く、その場合にはFRP
材における強化繊維材の含有量及び繊維配向を上述した
内輪部81b、 81cの場合と同様に構成する。しか
して、上下フランジ部8a。
8hの内輪部81b、 81Cに段部83b、 83e
を形成して、その段部83b、 83cに円筒部8aの
上下開口を封止するようにサファイヤガラスやシリコン
単結晶板等の赤外光透過材料で形成された窓板9a、
9bをO−リングやインジュウム等を用いて気密状に取
着せしめると共に、内輪部81b、 81Cと外輪部8
2b、 82cとの間に円筒部8aの口端部81aを挟
持状に挿入させて、内輪部81b、 81cと円筒部口
端部811と外輪部82b、 82cとを互いに接着剤
で一体的に接着せしめ、円筒部8!の内部に真空断熱空
間IOを形成し、この架台8をXYステージll上に設
置して、冷却チャンバ1全体を水平方向に動かし得るよ
うにする。
を形成して、その段部83b、 83cに円筒部8aの
上下開口を封止するようにサファイヤガラスやシリコン
単結晶板等の赤外光透過材料で形成された窓板9a、
9bをO−リングやインジュウム等を用いて気密状に取
着せしめると共に、内輪部81b、 81Cと外輪部8
2b、 82cとの間に円筒部8aの口端部81aを挟
持状に挿入させて、内輪部81b、 81cと円筒部口
端部811と外輪部82b、 82cとを互いに接着剤
で一体的に接着せしめ、円筒部8!の内部に真空断熱空
間IOを形成し、この架台8をXYステージll上に設
置して、冷却チャンバ1全体を水平方向に動かし得るよ
うにする。
他方、冷却チャンバ1の上部開口を被蓋するための天板
12は、外気と触れる外側部分をステンレス板12aで
形成し、冷却チャンバ1内の冷気と触れる内側部分をC
FRP板12cで形成し、更にステンレス板12aとC
FRP板12cとの間に発泡スチロール等で形成した断
熱板+2bを介在設置せしめた3層構造に構成すると共
に、中央部に顕微鏡13で観察し得るように石英ガラス
14等で気密状に封止された観察用窓穴15を有する略
円形ドーナツ板状に形成する。
12は、外気と触れる外側部分をステンレス板12aで
形成し、冷却チャンバ1内の冷気と触れる内側部分をC
FRP板12cで形成し、更にステンレス板12aとC
FRP板12cとの間に発泡スチロール等で形成した断
熱板+2bを介在設置せしめた3層構造に構成すると共
に、中央部に顕微鏡13で観察し得るように石英ガラス
14等で気密状に封止された観察用窓穴15を有する略
円形ドーナツ板状に形成する。
そして、この天板12を2ステージ(図示せず)に取着
せしめ、冷却チャンバ1の上部開口に従来と同様のシー
ル機構16を介して気密状に被蓋させると共に、天板1
2の下面に、プローブカード17を設置するためのプロ
ーブカード取付枠18を支持棒18aを介して一体的に
垂設せしめ、そのプローブカード取付枠18に取付けた
プローブカード17のプローブ17aを冷却チャンバ1
内のウェハ支持板7上に載承せしめた被検査用半導体ウ
ェハ6に電気的に接触させるようにする。
せしめ、冷却チャンバ1の上部開口に従来と同様のシー
ル機構16を介して気密状に被蓋させると共に、天板1
2の下面に、プローブカード17を設置するためのプロ
ーブカード取付枠18を支持棒18aを介して一体的に
垂設せしめ、そのプローブカード取付枠18に取付けた
プローブカード17のプローブ17aを冷却チャンバ1
内のウェハ支持板7上に載承せしめた被検査用半導体ウ
ェハ6に電気的に接触させるようにする。
〈発明の効果〉
本発明に係る半導体ウェハ検査装置は斯様に、冷却チャ
ンバを支持するための架台をFRP材を用いて上下にフ
ランジ部を有する略円筒状に構成したので、外部の熱が
架台を伝って冷却チャンバ内へ流入るのを大巾に防止す
ることが出来る。
ンバを支持するための架台をFRP材を用いて上下にフ
ランジ部を有する略円筒状に構成したので、外部の熱が
架台を伝って冷却チャンバ内へ流入るのを大巾に防止す
ることが出来る。
しかも、架台の上下フランジ部をガラス繊維。
炭素繊維、アラミド繊維等の強化繊維材で強化したFR
P材における上記強化繊維の含有量及び繊維配向を制御
して赤外光透過性窓板の熱膨張率と同じとなるように積
層して構成したので、冷却チャンバ内の温度の影響を受
けても架台のフランジ部の熱変形量を赤外光透過性窓板
の熱変形量に合わせて構成することが容易となり、従っ
て円筒状架台の上下開口を封止するための赤外光透過性
窓板として高価なハーメチック型のサファイヤガラス窓
を用いずとも安価な0−リングシール等でもって架台内
部の気密性を容易に保持することが出来、その結果、赤
外光透過性窓板に霜が付着する惧れがな(なり、赤外光
を安定した光量でもって照射することが出来るようにな
る。。
P材における上記強化繊維の含有量及び繊維配向を制御
して赤外光透過性窓板の熱膨張率と同じとなるように積
層して構成したので、冷却チャンバ内の温度の影響を受
けても架台のフランジ部の熱変形量を赤外光透過性窓板
の熱変形量に合わせて構成することが容易となり、従っ
て円筒状架台の上下開口を封止するための赤外光透過性
窓板として高価なハーメチック型のサファイヤガラス窓
を用いずとも安価な0−リングシール等でもって架台内
部の気密性を容易に保持することが出来、その結果、赤
外光透過性窓板に霜が付着する惧れがな(なり、赤外光
を安定した光量でもって照射することが出来るようにな
る。。
よって、所期の目的を達成し得る。
第1図は本発明実施の一例を示す模式断面図であり、第
2図は本発明に係る架台の1実施例を示す一部切欠分解
斜視図である。 図中 1:冷却チャンバ 6:被検査用半導体ウェハ 7:ウェハ支持板 8:架台 8a:円筒部 11b、llc :フラン
ジ部9a、9b赤外光透過性窓板 12:天板 17:プローブカード18ニ
ブローブカード取付枠 第 図
2図は本発明に係る架台の1実施例を示す一部切欠分解
斜視図である。 図中 1:冷却チャンバ 6:被検査用半導体ウェハ 7:ウェハ支持板 8:架台 8a:円筒部 11b、llc :フラン
ジ部9a、9b赤外光透過性窓板 12:天板 17:プローブカード18ニ
ブローブカード取付枠 第 図
Claims (1)
- 冷却チャンバの内部に被検査用半導体ウェハを載承す
るためのウェハ支持板を設置し、該冷却チャンバの上部
開口を天板で被蓋すると共に、該天板の下面にプローブ
カード取付枠を垂設せしめ、且つ上記冷却チヤンバを支
持する架台の下側から上記ウェハ支持板に設置した被検
査用半導体ウェハに赤外光を照射するようにした半導体
ウェハ検査装置において、前記架台を上下にフランジ部
を有する略円筒状に形成すると共に、該上下のフランジ
部をガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の強化繊維
材で強化したFRP材における上記強化繊維の含有量及
び繊維配向を制御して下記赤外光透過性窓板の熱膨張率
と同じとなるように積層して構成し、該上下のフランジ
部に架台の上下開口を封止するように赤外光透過性窓板
を夫々気密査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26909990A JPH04145638A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体ウエハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26909990A JPH04145638A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体ウエハ検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04145638A true JPH04145638A (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=17467660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26909990A Pending JPH04145638A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体ウエハ検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04145638A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08162508A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-06-21 | Nec Corp | シリコン・テスタの測定装置 |
US5575856A (en) * | 1994-05-11 | 1996-11-19 | Sony Corporation | Thermal cycle resistant seal and method of sealing for use with semiconductor wafer processing apparatus |
CN1076871C (zh) * | 1994-07-12 | 2001-12-26 | 现代电子产业株式会社 | 探测卡 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26909990A patent/JPH04145638A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5575856A (en) * | 1994-05-11 | 1996-11-19 | Sony Corporation | Thermal cycle resistant seal and method of sealing for use with semiconductor wafer processing apparatus |
CN1076871C (zh) * | 1994-07-12 | 2001-12-26 | 现代电子产业株式会社 | 探测卡 |
JPH08162508A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-06-21 | Nec Corp | シリコン・テスタの測定装置 |
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