JPH04141155A - Ｘ線ｃｔ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＸ線ＣＴ　（Ｘ線断層撮影装置）に関し、特に
Ｘ線の透過データ（射影データ）を単方向もしくは少数
の方向において収集し、それに基づいて画像再構成を行
うＸ線ＣＴに関する。

（従来の技術） 物質の内部構造又は人体の内部における病変等を知るた
めにＸ線を照射して検査することが行われており、この
ような物質や人体の内部構造を知ることのできる装置と
して従来からＸＩＣＴが用いられている。この種の従来
のＸ１ｌＩＣＴでは第３世代と称せられるローテート・
ローテート方式を例にとると、ある位置でＸ線を照射し
て検出器でデータを採ってそのＸ線射影分布を計測し、
次にＸ線と検出器とを一定角度回転移動させてその方向
のＸ線射影分布を計測し、これを３６０°に亘って行い
、これら多数の方向に関するＸ線射影分布から得られた
データをフィルタ補正逆投影法やフーリエ変換法や重畳
積分法等を用いて演算処理し、被検査体の断層像を再構
成することが行われている。

しかしながらこのような従来のＸ線ＣＴでは、被検査体
の断層像を再構成するために、多数のＸ線射影分布を必
要とし、次のような問題点を有している。

（１）データ採取に多大な時間を必要とするため動く被
検体に対しては断層像を再構成することは非常にむずか
しい。

（２）Ｘ線被曝量が多いため、生体に対する場合には悪
影響を与える恐れがある。

（３）処理すべきデータが非常に多いためデータ処理が
複雑になり、又、これを処理する装置も大型で高価なも
のとなる。

以上のことからこれらの問題を解決するための装置とし
て特公昭６１−４７５３５号、特公昭６１−４７５３６
号、特公昭６１−４７５３７号に開示されているＸ線射
影式断層像再構成装置がある。特公昭６１−４７５３５
号、及び特公昭６１−４７５３６号に開示されている装
置の概要を簡単に説明する。

第１３図はＸ線射影分布計測手段を示す模式図、第１４
図は上記の装置の計測系のみを抽出した図、第１５図は
その作用を説明するための模式図である。この装置は第
１４図に示すようにＸ線発生装置ＡとＸ線検出器Ｃとの
間にＸ線被検査体Ｂが位置するようになっていて、これ
により第１３図に示すようにこのＸ線被検査体Ｂへ所定
の１方向からＸ線を照射することができ、その結果Ｘ線
被検査体Ｂを透過してきたＸ線によって、第１５図に示
すように単一のＸ線射影分布りを得ることができるよう
になっている。このＸ線発生装置Ａは、第１５図に示す
ように、縦にｍ個、横にｎ個の画素を備えて成る仮想断
層平面Ｐ（この平面ＰはＸ線被検査体Ｂの断層面を含む
）について、単位Ｘ線ビームが各画素１〜ｍｎの左下コ
ーナ一部を少なくとも１箇所は通過するようにＸ線被検
査体Ｂに向けて所定方向から複数の単位Ｘ線ビームを照
射するものである。

この装置によるデータ処理は次のように行われる。即ち
、仮想断層平面Ｐ’ｆ−ｍ個の画素から成るｎ個の画素
群Ｑ３．Ｑ２．・・・、Ｑ、に区分し、各画素群を構成
する各画素の２次元データとしてのＸ線吸収係数をｍ個
ずつ順次算出するために、基本画素１だけを通過する単
位Ｘ線ビームによってＸ線濃度計測装置Ｅて得られるＸ
線濃度ｄ１を基本画素１のＸ線吸収係数としｍｎ番目ま
での画素についてはＸ緑濃度ｄ、からＸ緑濃度ｄ　ｋ−
、を減算することにより各画素のＸ線吸収係数を求める
。

又、特公昭６１−４７５３７号に開示されている発明は
特公昭６１−４７５３５号、特公昭６１−４７５３６号
における第１３図に示すＸ線射影分布の計測手段と異な
り、第１６図に示すように複数の方向からＸ線を照射す
るものであり、その計測原理は前記の場合と同様である
。

以上説明した方式には次のような優れた特長がある。

（１）高速スキャンが可能である。

（２）被検査体に対する被曝線量が少ない。

（３）高速画像再構成が可能であり、又、低置な画像再
構成装置が実現できる。

（発明が解決しようとする課題） ところで上記の方式のＸ１ＣＴては、実際面への適用に
対して次に示す問題点がある。

（１）超小開口幅の検出器が必要であり（サンプル間隔
（ビクセルサイズ）をｍｍ程度とするとこの場合の開口
幅はμｍ程度以下）、更に美大な数の（ｍｎ個程度）の
検出器が必要となる（ｍｍｎ−５１２とすると２６万２
千個もの検出器が必要となる）。この実現は困難である
。

（２）超高感度の検出器か、又は、超高密度高強度のＸ
線発生装置が必要であり、実現が困難である。

（３）第１７図は特公昭６１−４７５３５号と特公昭６
１−４７５３６号に開示されているファンビームを用い
たＸａＣＴの作用説明のための模式図であるが、このよ
うにファンビ−ムを使用する場合には特殊の形状の撮影
１トリクスとなって、直観的でなく、扱いにくい欠点が
ある他、特殊形状の画像表示装置を必要とする問題かあ
り、更に空間分解能が堵所により異なったり、直交画像
への変換時に画質か劣化する等の問題が発生する。

（４）直交画像に対応する撮影マトリクスを得るには平
行ビームが必要になる。従ってＸ線発生装置の構成が困
難であり、高速スキャンを行うことが困難である。

（５）方式によっては極微小のμｍ程度の変位運動か、
極微小角度の変位運動を精密に高精度に且つ安定に行う
機構が必要となり、実現が困難である。

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は
、単方向又は少数の方向のＸ線等の透過データ（射影デ
ータ）を収集し、これらがら画像再構成を行う従来の装
置の問題点を解決し、ファン状のビームを用いて撮影デ
ータを直交マトリクスのデータとして再生像を得る方式
のＸ線ＣＴで、超高速画像再構成、低置な画像再構成装
置、シンプルで低置なガントリ一部等の特長を有し、高
速スキャンや低被曝線量の可能性を有するＸ線ＣＴを実
現することにある。

（課題を解決するための手段） 前記の課題を解決する本発明は、熱電子放射。

電界電子放射等により発生させた電子線を電子レンズ等
により集束させターゲット上に集束された電子線を得る
電子線発生手段と、前記電子線を偏向しターゲット上の
所定の位置に照射させる電子線偏向手段と、前記偏向さ
れた電子線の照射によりＸ線を発生するターゲットとを
有するＸ線発生源と、該Ｘ線発生源から放射されたＸ線
を所定の方向の所定の条件を満たすＸ線ビームとするコ
リメータ手段と、電子線の偏向を制御することによりタ
ーゲットへの照射位置を走査し、Ｘ線ビームの発生位置
を走査するＸ線発生制御装置とを具備し、以下の（イ）
〜（ハ）の条件を満たすようにＸ線発生源から被検体に
Ｘ線ビームを照射し透過したＸ線ビーム又はこれと透過
しないＸ線ビームを検出器で検出測定し、Ｘ線ビームと
被検体との相対的位置関係を変化させて各位置において
測定ビームを得、これ等を使用して画像再構成を行い被
検体の断層面に関する画像を得ることを特徴とするもの
である。

（イ）任意の断層平面内の被検体を含む直交座標の画像
再構成領域に対応する表示画像マトリクスとは必ずしも
一致しないサンプル間隔であるマトリクス間隔の要素を
持ち、 該要素の形状が正方形及び長方形を含 む直角四辺形であるデータ撮影マトリクスを使用し、該
マトリクスのＸ軸に平行な行とｙ軸に平行な列に対しＸ
線をｙ軸方向に一方向から即ちこの方向を上方として表
すｙ軸の正の方向から入射させる条件。

（ロ）前記画像再構成領域にファン状に入射させる複数
のＸ線ビームの入射角度を、各Ｘ線ビーム毎にそれに対
応する前記撮影マトリクスの列のすべてのマトリクス要
素を通過するように定め、前記各Ｘ線ビームが入射方向
から最も遠い前記マトリクス要素の前記直角四辺形の左
辺または右辺のみを通過して出射するように、前記各Ｘ
線ビームと前記撮影マトリクスとの幾何学的位置が定め
られる条件。

（ハ）Ｘ方向にｎ個、Ｘ方向にｍ個のマトリクス要素を
持つ前記撮影マトリクスと、前記各Ｘ線ビームとの幾何
学的位置関係において、被検体を透過した前記各Ｘ線ビ
ーム又は前記被検体を透過した前記各Ｘ線ビームに透過
しないＸ線ビームを加えたＸ線ビームを検出器で検出測
定する。

前記検出測定を撮影マトリクスと前記各Ｘ線ビームとの
幾何学的位置関係がＸ方向に離散的にＸ方向のサンプル
間隔であるマトリクス間隔ずつ変化したすべての幾何学
的位置関係において行う条件。前記検出測定は前記撮影
マトリクスのすべての要素に対し、前記Ｘ線ビームが前
記撮影マトリクス要素の前記直角四辺形の左辺又は右辺
のみを通過して出射する状態で行う。

又、第２の発明は、Ｘ線の発生を制御するためにターゲ
ット上に集束された電子線を得る電子線発生手段と、前
記電子線を偏向しターゲット上の所定の位置に照射させ
る電子線偏向手段と、前記偏向された電子線の照射によ
りＸ線を発生するターゲットとを有するＸ線発生源と、
前記発生したＸ線を整形抽出してＸ線ビームとするコリ
メータ手段と、前記電子線の偏向を制御することにより
Ｘ線ビームの発生位置を走査するＸ線発生制御装置とは
、第１の発明に記載のＸ方向又はＸ方向とＸ方向へＸ線
ビームを照射走査するためのＸ線発生の制御手段である
ことを特徴とするものである。

第３の発明は、Ｘ線の測定を行う１個又はデータ撮影マ
トリクスのＸ方向の要素数ｎ個より少ない数の検出器素
子からなる検出器と、Ｘ線発生源のＸ線発生の時間制御
を行うＸ線発生制御装置とを具備し、該Ｘ線発生制御装
置の制御によりｎ個又はｎ個以上の検出器素子数に相当
するＸ線データの測定を可能とするものでる。

又、第４の発明は、第２のコリメータ手段は検出器の各
検出器素子の前方に配置され、被検体を透過したＸ線を
正しく検出器素子に導き散乱線等の測定に有害なＸ線ビ
ームを除去する手段であることを特徴とするものである
。

（作用） Ｘ線発生源では発生させた電子線を集束レンズ（電子レ
ンズ）により集束しターゲット上に電子線を集束させ、
偏向コイル等から成る電子線偏向手段により電子線を偏
向させてターゲット上の焦点に衝突させてＸ線を発生さ
せ、発生したＸｗ、をコリメータ手段により所定の方向
の所定の条件を満たすＸ線ビームに整形抽出する。Ｘ線
発生制御装置の制御により電子線をターゲット上の異な
る焦点位置に逐次衝突させることによりＸ線ビームの発
生位置を逐次変化させ、これにより撮影マトリクスの所
定の方向の所定の条件を満たすすべてのＸ線の発生を走
査し被検体のデータ撮影を行う。

（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

第１図は本発明の方法を実施する装置のブロック図であ
る。図において、Ｇは鉛直面内での撮影面の傾きの制御
ができるようになっていると共に、撮影データ（スキャ
ンデータ）の収集においては被検体ＢＤＹの収容される
固定の再構成領域ＰＡと相対的にＸ線発生源ＸＧ、検出
器ＤＥＴ等を一体として面内の上下方向に動かすことが
できるガントリである。Ｘ線発生源ＸＧは高圧発生部も
含んでおり、ファン状のＸ線ビームを発生する。このＸ
線発生源ＸＧの構造とＸ線発生源ＸＧを含むＸ線による
データ撮影系の構成を第２図に示す。

図において、Ｘ線管の真空容器、真空発生部、高圧発生
部等は省略しである。ＥＧは電子銃で、例えばフィラメ
ント陰極、ウェネルト電極、陽極ＡＮ等よりなる。フィ
ラメントで熱電子を発生し、ウェネルト電極でビーム電
流を制御し、ビームを細く収束させ、陽極ＡＮ−陰極間
に加えられた高電圧によって高速に加速した（高エネル
ギーをもつ）電子ビーム（電子線）を放射させる。この
電子ビームを集束レンズ（磁界形と静電形がある）ＣＬ
、、ＣＬ２によって収束させ、尖鋭な高密度の電子ビー
ムをターゲットＴＧＴに照射する。ＤＣは偏向コイル（
磁気的手段、電気的手段によるものがある）で、前記の
電子ビームを偏向してターゲットＴＧＴの多くの点へ照
射し、ターゲットＴＧＴ上のこれらの照射点を焦点Ｐ、
（ｈ−１゜２、・・・、ｎ）として各焦点からＸ線を放
射発生させる。（本明細書では、電子銃ＥＧ（陽極ＡＮ
を含む）によって得られる高速（高エネルギー）の電子
線を、集束レンズ（ＣＬ＋　、ＣＬ２等）で収束させ、
ターゲット上に収束された電子線を得るまでの手段を電
子線発生手段と呼ぶことがある。

又前記の電子線を偏向コイル（ＤＣ等）で偏向し、ター
ゲット上の所定の位置に照射させる手段を電子線偏向手
段と呼ぶことがある。） ＣＭ、はＸ線発生源ＸＧと再構成領域ＰＡとの間に配置
され、ターゲットＴＧＴの各焦点Ｐ、で発生した各方向
のＸ線ビームの中からビーム「５のみを整形抽出し、不
要なＸ線を遮断するコリメータである。又、０Ｍ２は再
構成領域ＰＡと検出器ＤＥＴとの間に配置され、被検体
ＢＤＹを透過したＸ線を正しく該当する検出器素子Ｄ　
Ｅ　ｈに導き、散乱線等のＸ線測定に有害なＸ線を遮断
するコリメータである。コリメータＣＭ　（ＣＭＩ　、
０Ｍ２）の構造の一例を第３図に示す。図において、（
イ）図は平面図、（ロ）図は正面図である。コリメータ
ＣＭは鉛等のＸ線の高吸収物質から成り、円柱状の中空
の開口Ｈが多数設けられている。開口Ｈは角柱状であっ
てもよい。

検出器ＤＥＴは複数個の検出器素子Ｄ　Ｅ　ｈの集合で
構成されている。これらの検出器素子ＤＥｈは、Ｘｅ等
の電離箱型検出器、半導体検出器、シンチレータとフォ
トダイオード・アレイ、１個又は複数個のシンチレータ
と１個又は複数個の光電子増倍管等の各種のものを用い
ることができる。

ＴＡは生体物質等の被検体ＢＤＹを搭載し、上下方向や
ガントリへの出入方向の位置を適宜選択し、撮影される
べき断層面を設定するためのテーブルである。

ＤＡＳは検出器ＤＥＴで検出されたＸ線データを収集し
て増幅し、積分した後ＡＤ変換を行いデータ処理装置Ｄ
Ｐにデータを送るデータ収集装置である。ＴＧＣはテー
ブルＴＡの位置の制御を行い、ガントリの姿勢制御、運
動の制御等を行うテーブル・ガントリ制御装置、ＸＧＣ
はＸ線発生源ＸＧによるＸ線の発生の制御を行うＸ線発
生制御装置、ＳＣＣはオペレータとのコミュニケーショ
ンを行い、データ処理装置ＤＰの動作を制御し、テーブ
ル・ガントリ制御装置ＴＧＣ及びＸ線発生制御装置ＸＧ
Ｃの動作を制御する等断層像撮影に関する統一的な制御
を行う撮影制御装置である。

データ処理装置ＤＰはデータ収集装置ＤＡＳからの入力
データにＸ線強度補正、対数変換、Ｘ線線質硬化補正等
の各種補正処理を行い、補正されたデータに画像再構成
処理を施し、Ｘ線吸収係数の空間分布を計算する等のデ
ータ処理を行う。再構成されたイメージデータ等の大量
のデータは大容量記憶装置ＡＭに格納される。大容量記
憶装ＲＡＭはイメージデータやデータ処理の中間に発生
するデータ等の大量のデータを記憶する。ＧＤＣは画像
再構成されたイメージデータを画像として表示する画像
表示装置である。

次に上記のように構成された実施例の装置の動作を説明
する。先ず、Ｘ線の発生とデータ収集について第２図に
より説明する。電子銃ＥＧで発生した電子ビームを集束
レンズＣＬＩ、ＣＬ２で集束させて尖鋭で高密度の電子
ビームとし、これを偏向コイルＤＣで所望の方向へ曲げ
、ターゲットＴＧＴの所望の焦点Ｐ、に衝突させてＸ線
を発生させる。焦点Ｐ、で発生したＸ線のうち、図の「
、のＸ線ビームのみをコリメータＣＭ、の空隙Ｈ１によ
り抽出し、これを被検体ＢＤＹに照射し、コリメータＣ
Ｍ２で散乱Ｘ線等を除去し、被検体を透過したＸ線を対
応する検出器素子ＤＥ、で検出する。Ｘ線発生制御袋ａ
ｔＸＧｃは、偏向コイルＤＣを制御し、電子ビームの軌
道の曲りを制御して、ターゲットＴＧＴにおける衝突位
置を変化させ、Ｘ線発生位置である焦点Ｐゎを次々と変
化させる。即ち、電子ビームの走査によりＸ線の発生を
走査する。

次に、本実施例の装置の動作を本方式による断層像撮影
の原理、幾何学的条件等の説明を行いながら説明する。

ここでは簡単化のため、撮影データ収集用のマトリクス
が画像マトリクスに一致する場合について考察する。第
４図は測定のためのＸ線ビームと画素との関係を示す図
である。図においてＯは再構成領域ＰＡの中心、ＡＢＣ
Ｄは再構成領域ＰＡのマトリクスを示す領域、ｅ、１は
画素を示している。ここで、ｉ、ｊは以後特にことわり
のない限り本明細書において次のように定義する。即ち
、ｉ−１，２，・・・＊　　ｍｓ　　Ｊ　””　１．＋
　　２＋・・・　ｎとする。従って、マトリクスはＸ方
向にｎ個、Ｘ方向にｍ個の画素から成っている（ｍ行ｎ
列のマトリクス）。Ｘ線の各ビームｒｌは、ビーム幅０
の直線として表され、矢印の方向に、即ちＳからＳ′の
方向（ｙ軸の正方形から負の方向。

上方から下方）に向かって入射される。図に示されるＸ
線ビーム「ｊとマトリクスＡＢＣＤとの関係は、撮影の
終了時点もしくは開始時点における幾何学的関係を示し
ている。この幾何学的関係は次に示す通りである。

（イ）マトリクスの各列ｅ１６（αは一定の値（ｎ以下
の正の整数）を表す。ｉ−１，２，・・・ｍ）には、１
つのＸ線ビームが対応している。

又は１つのＸ線ビームは１つの列内を通る。

（ロ）各Ｘ線ビームはそれが通過する最後の画素ｅい、
と左下または右下の頂点で交わる。

この第４図に示す条件は、すべての画素ｅｌ、に対して
成立する条件である。

各Ｘ線ビームに線幅を考慮した実際の場合には、Ｘ線ビ
ームとの関係は第５図及び第６図に示すような関係にな
る。第５図は線幅が狭い場合であり、第６図は線幅の広
い場合である。このように線幅を考慮した場合には前記
の（イ）、（ロ）の条件は次のようになる。

（イ）′広がりを持つ１つのＸ線ビームの左下がりのビ
ームのＳ′側から見て右端の直線又は右下がりのビーム
のＳ′側から見て左端の直線の軌跡は、対応する列のマ
トリクス要素ｅｇｇ（αは一定の値（ｎ以下の正の整数
）ｉ−１，２，・・・、ｍ）に対応している。

（ロ）′第ｊ列と第ｊ−１列（又は第ｊ＋１列）にまた
がるＸ線ビームに交わる第５列の画素のうちで、最大の
行番号を持つ画素に対して、Ｘ線ビームは正方形又は長
方形（本明細書において直角四辺形と総称する）の左辺
（又は右辺）に交わるように通過する（この場合、下辺
には交わらないように通過する）。

実際のＸ線の発生と被検体透過データの収集等の撮影行
為は、被検体ＢＤＹを静止させたままで、Ｘ線発生源Ｘ
Ｇや検出器ＤＥＴやコリメータＣＭ、、ＣＭ２等を一体
としてｙ軸方向に移動させながら各位置において撮影を
行う。或いはＸ線発生源ＸＧや検出器ＤＥＴやコリメー
タＣＭ、、ＣＭ２等を静止させたままで、被検体ＢＤＹ
を載せたテーブルＴＡをｙ軸の方向に移動させながら各
位置において撮影を行うようにしても良い。

第７図は撮影系を静止させて、被検体ＢＤＹをｙ軸に沿
って移動させて撮影を行う後者の場合について、測定ビ
ームと画素の関係を示したものである。撮影系を移動さ
せる前者の場合も同様であるが、前者の場合にはビーム
が複雑に入りまじって理解しにくいので、後者の場合で
説明する。図において、ＡＢＣＤにおける撮影は第４図
と同一の幾何学的関係にある。簡単のために撮影をＡ１
Ｂ＋　Ｃ＋　Ｄ＋　、Ａ２　Ｂ２　Ｃ２Ｄ２　、・・・
、Ａ、、Ｂ、。

Ｃ，Ｄ、の各点で行うものとする。先ずＡ、Ｂ。

Ｃ，Ｄ、の位置で各ビームｒｌ　＋　　ｒ２　＋　”’
ｒ　　ｒｎに対するＸ線データを収集する。次にＡ２Ｂ
２Ｃ２Ｄ２の位置で各ビームに対するＸ線データを収集
する。このようにして最後にＡ、Ｂ、Ｃ。

Ｄ、の位置で各ビームに対するＸ線データを収集する。

即ち、Ａｈ　Ｂｍ　Ｃ＊　Ｄ＊　　（ｋ−１，２，・・
ｍ−１）をｙ方向にｄだけ移動するとＡ　＊　Ａ　ＩＢ
＊＋Ｉ　Ｃｋ＋、Ｄｋ、に一致する。ここで、ｄはｙ方
向のビクセル間隔であり、同時にビクセルのｙ方向の大
きさ（長さ）でもある。従来のＸ線ＣＴに関係づけて見
ると、Ａ、Ｂ、Ｃ，ＤＩ位置での各ビームに対する収集
データが１つのビューに対するデータと考えられる。前
記のようにＡ＋ＢＣ＋Ｄ＋の各位置で各ビーム’ｌ＋’
２＋　・・・ｒｎに対してＸ線データの測定収集を行う
が、これ等のＸ線データは被検体を透過したＸ線データ
又は被検体を透過したＸ線データと被検体を透過しない
Ｘ線データとから成る。被検体を透過したＸ線データの
みを測定収集する場合には、Ｘ線管の電流強度に比例す
る値に予め測定しである各Ｘ線ビームの強度の間の相対
的関係に対応する定数を乗算する等の方法により、被検
体を透過しないＸ線データを測定する場合には、各Ｘ線
ビームの入射Ｘ線強度を直接測定収集するか、代表とし
て測定収集した入射Ｘ線ビームの強度に比例する値に予
め測定しである各Ｘ線ビームの強度の相対的関係に対応
する定数を乗算する等の方法により各Ｘ線ビームに対応
する入射Ｘ線ビーム強度を求める。上記の説明において
、画像再構成マトリクスＡＢＣＤの外部には物質は存在
しない。即ちＡＢＣＤの外部は空気又は真空であると仮
定している。

次に本撮影方法における画像再構成演算の例について説
明する。

第７図のような幾何学的関係（各ビームと画像マトリク
スとの関係）において撮影が行われ、データが収集され
るものとする。画像マトリクスとビームとの関係か第７
図のＡｔ　Ｂ＋　ＣＩＤ＋　とビームとの関係にある状
態で測定される射影データ（プロジェクションデータ）
をこの状態での各ビームｒ１に対応させてＩ）ｌＩ＝Ｉ
）１．１とする。この時、第４図に示すイメージマトリ
クスの各画素ｅ１の直角四辺形の内部においてはＸ線吸
収係数等のデータの値は等しいと仮定しかつビーム幅が
０（無視できる値）の場合には、画素ｅ、のＸ線吸収係
数μｍ＝μ３．１は次に示すものとなる。

μ＋、１−Ｃ１”　ｐｌ、１　　　　　　・・・（］−
１−０）μ５．．　−μｇ−＋　　＋　　１　＋　ｃ　
、　　　　　　　　・・・（Ｊ−１１ン（Ｄｇ、ｔ　　
Ｄヨー１．１） μ　１ 露　Ｃｈ 　ｐ　１ Σμ。

・・・（１ μｇ、ｈ 露μｍ ＋Ｃ。

（ｐｇ ｐ「 ・・（１ μｍ 厘　Ｃ１１ ’　　ｐ＋ ・・・（１ ｐｇ 獣μｇ ＋Ｃ。

（ｐｍ Ｉ）ｇ ・・・（Ｉ μｍ 躍Ｃ線−ｈ＋１ ｐＩ ｐｇ １μｍ ＋Ｃ。

（ｐヨ ｐｔ ・・・（１−４ 又、射影データｐ１．．とＸ線ビーム強度（入射ビーム
強度、被検体の透過ビーム強度を各々１１，１゜Ｊ５１
．とする）との間には次の関係がある。

ｐ　＋、　＋　　−ＣＦ　　（ｑ　ｂ　ｒ　　）　　　
　　　　　・・・（２−２）但し、ＣＦ（ｑ＋、＋）は
ｑｌ、、にＸ線線質硬化等の各種補正を施す関数を意味
する。

次に、上記のような撮影方法を実施する実施例の装置の
動作を最も単純なケースであるＸ線によるスキャンデー
タの収集、収集後に画像再構成を行う例について説明す
る。

（イ）被検体ＢＤＹをテーブルＴＡに載せ、撮影断面が
所定の再構成領域ＰＡに入るようにテーブルＴＡの高さ
、ガントリＧへの挿入位置。

ガントリＧの傾き等を合わせる（撮影が多数スライスに
及ぶ場合には、最初のスライスについてこれを行う）。

撮影制御装置ＳＣＣの指令により、テーブル・ガントリ
制御装置ＴＧＣが作動し、テーブルＴＡの上下の移動や
ガントリＧへのテーブルＴＡの出入等の移動。

ガントリＧの傾きの移動等が行われる。

（ロ）撮影制御装置ＳＣＣの制御によって撮影が始まり
、まず画像マトリクスＡＢＣＤが第７図のＡｔ　Ｂ＋　
Ｃ＋　Ｄ＋とＸ線ビームの状態において、Ｘ線発生制御
装置ＸＧＣを動作させてＸ線発生源ＸＧからＸ線を被検
体ＢＤＹに照射し、被検体ＢＤＹを透過したＸ線を検出
器ＤＥＴで検出した後、データ収集装置ＤＡＳで収集し
く収集したＸ線透過データはＪ３．）、これらをデータ
処理装置ＤＰを経由して大容量記憶装置ＡＭへ格納する
。次いで、チー・プル・ガントリ制御装置ＴＧＣを制御
してガントリＧ（従ってＸ線発生源ＸＧと検出器ＤＥＴ
とコリメータＣＭ＋　、ＣＭ２等）を動かす。第２回目
には、同様にしてＡ２Ｂ２Ｃ２Ｄ２とビームの関係の状
態において、Ｘ線の発生、透過Ｘ線の検出、データ収集
、大容量記憶装置ＡＭへのデータ格納を行う。次いで、
テーブル・ガントリ制御装置ＴＧＣを制御してガントリ
Ｇ　（Ｘ線発生源ＸＧと検出器ＤＥＴとコリメータＣＮ
Ｌ　、ＣＭ２等）を動かす。

・・・・・・。こうして第ｍ回目には同様にしてＡイＢ
、Ｃ，Ｄｆｆｉとビームの状態においてＸ線の発生、透
過Ｘ線の収集、大容量記憶装置ＡＭへのデータ格納を行
うみこのようにしてすべてのマトリクスの撮影、データ
の収集、格納を終了する。

（ハ）収集した１スライス分のデータを大容量記憶装置
ＡＭから読み出して、（２−１）式。

（２−２）式の各種補正処理や（１−１，−０）式〜（
１−４−１）式の画像再構成処理等の処理をデータ処理
装置ＤＰで行う。画像再構成されたイメージデータは、
大容量記憶装置ＡＭに格納すると共に画像表示装置ＧＤ
Ｃに表示され、又、必要に応じて写真撮影装置（図示せ
ず）で撮影を行う。複数スライスについてスキャンデー
タの収集１画像再構成処理を行う場合には、テーブル−
ガントリ制御装置ＴＧＣの制御によりテーブルＴＡを移
動した後（テーブルＴＡはそのままのこともある）、（
ロ）（ハ）の動作を繰り返す例が多い。

尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、以
下に示すようにすることもてきる。

（１）Ｘ線発生源の他の実施例 （イ）Ｘ線発生源ＸＧと撮影系との関係を第２図では電
子ビームを左方からターゲットＴＧＴに照射するように
描いたが、これに限定されるものではない。例えば、第
８図、第９図に示す方向から照射するようにしても良い
。第８図は再構成領域ＰＡの断面を手前から見た図、第
９図は再構成領域ＰＡの左側から見た図である。

図において、第２図と同等の部分には同一の符号を用い
である。更に電子ビームＥＢを左斜め下方や、右斜め下
方から照射するようにしても良い。

（ロ）Ｘ線発生源ＸＧの構成も第２図、第８図及び第９
図に示した構成に限定されず、第１０図に示す構成のも
のでも良い。図において、第２図と同等の部分には同一
の符号を付しである。図中、ＤＣ，、ＤＣ２は２個設け
た偏向コイルで、集束レンズＣＬ、とＣＬ２との中間に
置き、集束レンズＣＬ２をターゲットＴＧＴに近い位置
に設置した例である。この場合、電子ビームＥＢの移動
は一点鎖線の矢印で示した順序で行われ、Ｘ線も同様に
して照射される。

（ハ）電子の発生は熱電子放射によるものの他に、電界
電子放射によるものも使用でき、熱電子放射の場合と同
様な電子レンズ系（陽極ＡＮを含む電子銃ＥＧ、集束レ
ンズＣＬ、、ＣＬ２．偏向コイルＤＣ等）により極めて
高密度の強力な電子ビームを発生することができて、タ
ーゲットＴＧＴへの衝突により極めて高密度の強力なＸ
線を得ることができる。

（ニ）Ｘ線発生源ＸＧを高電圧発生装置、Ｘ線管制御装
置、Ｘ線管部１冷却装置、真空発生部（真空ポンプ等を
含む）等の一部又は全部で構成したもの。

（ホ）電子銃の構成も前記実施例に限定されない。例え
ば、フラッシングフィラメント、針状陰極、陽極等から
構成される場合もある。又、陽極も１個に限定されず複
数の陽極で構成しても良い。

（２）コリメータの他の実施例及びフィルタの追加。

（イ）Ｘ線発生源ＸＧのターゲットＴＧＴの焦点の後に
、即ち、コリメータＣＭ　　の前又は後にボータイフィ
ルタ（Ｂｏｗ　ｔｉｅＰｉ　１ｔｅｒ）等のフィルタを
挿入した構成にしても良い。

（ロ）コリメータＣＭ、、ＣＭ２の構成も第３図に示し
たものに限定されない。第１１図、第１２図に示したも
のはコリメータＣＭ、もしくはコリメータＣＭ２それぞ
れの他の実施例の図である。図において、ＣＭ　１１．
　　ＣＭ　ｌ　２　、ＣＭ　＋　３はコリメータＣＭ、
に置き換えられるコリメータである。第１１図のものは
Ｘ線のパス方向に厚みの薄いコリメータ、即ちＸ線に対
してバス長の短いコリメータＣＭ＋＋、ＣＭ１□、ＣＭ
１３を重ねたものである。又、第１２図のものは第１１
図と同様な厚みの薄いコリメータＣＭ　＋　ｒ　、　　
ＣＭ　＋□、　　ＣＭｌ、を適当な間隔をおいて配置し
たものである。ここで用いる薄いコリメータは３個に限
らず何個用いても良い。このようなコリメータは加工性
がよくて製造し易いとか、廉価であるとかの特徴を持っ
ている。

（３）検出器の他の実施例 検出器ＤＥＴを構成する検出器素子ＤＥ、は既述のよう
にＸｅ等の電離箱型検出器、各種半導体検出器（接合型
検出器、リチウムドリフト型検出器、超高純度Ｓｔ、Ｇ
ｅ検出器、ＧａＡＳ　＋　　Ｃｄ　Ｔ　ｅ等の化合物半
導体検出器等）、シンチレータとフォト・ダイオードの
ような半導体光検出素子とを組み合わせた検出器、シン
チレータと光電子増倍管とを組み合わせた検出器等のシ
ンチレーション検出器、Ｘ線用撮像管等が用いられる。

又、比例計数型検出器を用いてもよいのは勿論である。

上記のような検出器素子ＤＥ、を多数配列して用いる検
出器ＤＥＴの使用例を第２図に示したが、シンチレーシ
ョン検出器では、１又は少数のシンチレータとフォト・
ダイオードのような半導体光検出素子を複数個アレイと
したものとを組み合わせた検出器がある（シンチレータ
と検出器素子をオプティカルファイバで結合したものも
ある）。更に１又は少数のシンチレータと１又は少数の
光電子増倍管とを組み合わせた検出器を用いることもで
きる。この場合には、１又は少数の検出器を用い、Ｘ線
ビームの空間的時間的制御により、非常に多数のＸ線デ
ータを検出することになり、超高感度、超低被曝線量の
測定が期待される。

（４）装置の付加 （イ）データ処理装置ＤＰ、データ収集装置ＤＡＳ等に
記憶装置、バッファメモリ等を適宜付加した構成を採る
もの。

（ロ）外部記憶装置として磁気テープ装置ＭＴＵやフロ
ッピー・ディスク装置ＦＤＤ等を付加したもの。

（ハ）高速なデータ処理用にアレイプロセッサＡＰ等を
付加した構成を採るもの。

（ニ）処理の高速化、高スループツト化１分散処理化等
の目的から複数の装置、複数のマイクロプロセッサやミ
ニ・コンピュータ、コンピュータ等の装置を付加した構
成を採るもの。

（ホ）写真撮影装置ＭＦＣ等を付加したもの。

（へ）装置の機能分化や複数の装置の合体結合を計った
もの。

（５）画像再構成法と撮影データ収集 測定ビームのビーム幅が無視できる場合には、画像再構
成の式は（１−１）式、　　（１−２）式、　　（１−
３）式、　　（１−４）式のように極めてシンプルなも
のとなる。一般に本′方法における画像再構成の問題は
、Ｘ線吸収係数μを未知数とする多元連立−次方程式を
解く問題に帰着する。

Ａ−ｔｔ−Ｐ　　　　　　　　　　　　・・・（３）即
ち、上記の方程式を解く問題となる。一般にＭ＝ｍｎ　
（ｍ、ｎは第４図に示されている数）であるが、演算結
果（測定結果）の信頼性を高める目的でＭ＞ｍｎの条件
で測定を行い、即ち未知数の数より多い透過データを測
定し、これから最少２乗法等の手法によりμ、（τ−１
，２．・・・、Ｍ）を求めることも行われる。ここで、
ｐ、は射影データ、ａｌＪ（１−１，２，・・・、Ｍ；
Ｊ−１，２，・・・、Ｍ）は定数である。第４図のマト
リクスｅｌｌのＸ線吸収係数μ、＝μｍ、１とμ、との
間には、τ−ｉ＋（ｊ−１）　　・ｍの関係を一例とし
て与えることできる。

本撮影方法による画像再構成では、行列Ａはその対角要
素又は対角要素とその近辺の要素のみが非０で他の要素
かすべて０であるような行列であり、一般的に多元連立
−次方程式の解を求める過程における天文学的な多量の
演算量に比べ、圧倒的に少ない計算量となる。

（６）撮影系の変形例 （イ）ビームと画素との相対関係をｙ方向に変化させる
には、被検体を静止させたままビーム発生源（又は高電
圧発生部、冷却装置等を除き、Ｘ線焦点等を含む狭義の
ビーム発生源。以下同様）と検出器とコリメータ等を一
体としてｙ軸方向に移動させても良く、又、ビーム発生
源と検出器とコリメータ等は静止させたままで、被検体
をｙ軸方向に移動させても良い。

これらの移動は、単方向への機械的変位（移動）機構と
して容易に実現できる。

（ロ）第４図におけるｙ軸方向のサンプル間隔ｄは被検
体とビームとの相対運動で実現され、Ｘ軸方向のサンプ
ル間隔Ｗは測定ビームと検出器とによるサンプル動作に
より実現される。ｄ≧Ｗやｄ≦Ｗの任意の関係を実現で
きる。

（ハ）第４図には簡単のため、画像マトリクスと撮影（
データ測定）のマトリクスとを同一のものとして説明し
たが、両者を別々に選ぶことは勿論可能である。その場
合、撮影系のマトリクスでイメージを再構成した後、イ
メージのレベルで補間演算等の計算により画像マトリク
スに対応するイメージのデータを求めるか、もしくは射
影データのレベルで補間演算等の計算により撮影系で得
た射影データを画像マトリクスの射影データに変換し、
これを画像再構成してイメージ・データを得る。

（ニ）第４図のＸ線ビームと撮影マトリクスとの関係に
おいて、Ｘ線ビームはｙ軸の左方で左下り、ｙ軸の右方
で右下りとしたが、これに限定されない。即ち、Ｘ−Ｘ
ｏ　　（ｘｏは正、負の任意の値）の左方で左下り、そ
の右方で右下りであっても良い。更に全ビームが左下り
（ＸＯがこの領域の右外側にある時）であっても良く、
全ビームが右下り（Ｘｏがこの領域の左外側にある時）
であっても良い。

（ホ）Ｘ線ビームと撮影マトリクスとの関係を第７図の
Ａ＋　ＢＩＣ＋　Ｄ＋のように変化させるには、被検体
ＢＤＹを静止したままＸ線発生源ＸＧ（又は高電圧発生
部・。

冷却装置等を除き、Ｘ線焦点等を含む狭義のＸ線発生源
。以下同様）と検出器ＤＥＴとコリメータＣＭ＋　、Ｃ
Ｍ２等を一体としてｙ方向へ移動（変位）させても良い
し、Ｘ線発生源ＸＧと検出器ＤＥＴとコリメータＣＭ、
、ＣＭ２等を静止させたまま被検体ＢＤＹをｙ方向に移
動させても良いのは言うまでもない。更に、Ｘ線発生源
ＸＧの位置、即ちＸ線焦点の位置を電子線を制御するこ
と（電子ビ ムを集束レンズ、偏向レンズ等で変位させることにより
、ターゲットへの電子ビームの衝突位置を制御し、結果
的にＸ線の焦点位置を変化させること等）によりｙ方向
へ相対的に変化させることも可能である。

（へ）放射線ビームｒ、と撮影マトリクスＡＢＣＤとの
関係については、本文の実施例において詳細を述べたが
、Ｘ線のビーム幅が０の場合には（イ）１　（ロ）の他
に次の条件でも良い。

（イ）＃マトリクスの各列ｅ１．（αは一定の値（ｎ以
下の正の整数）、ｉ−１゜ ２・・・・・・、ｍ）には一つのＸ線ビームが対応して
いる。又は一つのＸ線ビーム は一つの列又は一つの列とビームが線 源から最も遠いマトリクスの位置 （ｅ□）において左下がりのビームは その左の列（ｅｆｆｉ、−、）、右下がりのビームはそ
の右の列（６ｍｇ４．）とを通る。

（ロ）“各Ｘ線ビームはそれが通過する最後の画素と左
下がりのビームは左辺で、右下がりのビームは右辺で交
わる。

ト）撮影断面、ｘｙ座標の取り方、Ｘ線の照射方向等は
例えば鉛直面内、右方向をＸ軸の正の方向、上方向をｙ
軸の正方向。

Ｘ線をｙ軸の正方向より負方向へ照射等に限定されたも
のではなく、再構成領域ＰＡ（撮影マトリクス）の外部
に物体が無ければ（外部は真空又は空気）如何なる方向
の如何なる断面でも良く、ｘｙ力方向任意で良く（右方
向をｙ軸の正方向とし下方をＸ軸の正方向にしても良い
）、従ってＸ線の照射方向も（ｘｙ軸が任意方向で良い
ことに対応して）任意の方向で良い。これに対応して各
Ｘ線ビームと撮影マトリクスＡＢＣＤとの相対的位置の
変化を与えるための相対運動も任意の方向（ｙ軸方向）
で良い。

（７）データ収集装置ＤＡＳでのデータ収集以後のデー
タをすべてディジタルとしたが、この一部又は全部をア
ナログデータとして処理する装置の構成が可能である。

（８）ガントリＧの移動は離散的（ステップ状）に行わ
ないで、連続的に移動させながらデータ収集を行うこと
もできる。この時、収集データは正規の直交座標から若
干ずれたものとなるが、計算により正規のデータに変換
できる。

（９）第１図の実施例の装置の構成において、Ｘ線検出
器ＤＥＴとしてＸ線用撮像管等を使用し、二次元の広が
りを持つＸ線を発生するＸ線発生源ＸＧを使用し、被検
体ＢＤＹを透過したＸ線を検出器ＤＥＴで二次元データ
として収集し、物体の三次元画像の再構成を可能とする
Ｘ線ＣＴを構成することができる。

（発明の効果） （１）画像再構成に要する計算量を従来方式のそれに比
べて圧倒的に少なくすることができる。

従来方式のＣＴでの画像再構成計算は、各種前処理１重
畳積分処理（コンボリューション（Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉ
ｏｎ　）処理）、逆投影処理等の処理を含み１画素当り
平均数千〜数万回の計算が必要であるが、本方式の（１
）式においては１画素当り平均３回（加算乗算を含む）
の計算のみて（２）式の計算を加えても、従来方式の計
算量の数百分の１から数万分の１になる。

（２）（１）項により超高速な画像再構成処理装置（又
はデータ処理装置）および又はシンプルな構造を持つき
わめて低置な画像再構成処理装置（又はデータ処理装置
）を持つＸ線ＣＴが実現できる。

（３）単方向のるの透過データ、射影データのみを使用
し、且つ、Ｘ線ビームに平行に近い一方向への前進、後
退動作のみで撮影（スキャンとデータ収集）が可能であ
る等の特徴によリ、高圧ケーブルのテークアツプか全く
不要か非常に簡単な構造ですみ、全体としてシンプルで
コンパクトな構造で、高速動作か可能で、低置なガント
リを持つＸ線ＣＴが実現できる。

（４）先に紹介した従来例では、起生開口で超高感度の
検出素子又は起生開口の検出素子と強力なＸ線源が必要
となる。かつこの検出器素子の数は、ｘ、　　ｙ方向の
各画素数をｎ、ｍとするとｍｎ個程度（以上）必要とな
る。ｍ　−ｎ−５１２とすると、この数は２６万２千個
という美大な数になる。これに対し本方式では、検出器
素子の数はｎ個程度（以上）必要で、これは従来例に比
し１／ｍと極めて少数の検出器素子で良いことになり、
経済性、実現性において極めて有効である。更に先に紹
介した従来例に比して、起生開口の検出器や超微小ステ
ップで精密運動を行う撮影系は本方法では不要であり（
本方式ではｙ方向（−方向）にそのサンプリング間隔ｄ
に相当する量だけステップ運動するシンプルな機構を持
つ撮影系が必要とされるに過ぎない）、かつファン状の
ビームを使用しながら直交画像マトリクスに直接対応す
る撮影データが得られる（本方式では特殊形状の画像表
示は不要であり、場所による空間分解能の低下は発生せ
ず、座標変換に伴う画質劣化も発生しない）等、現実の
装置を実現する上で、又使用する上で極めて有効な手法
である。

（５）高感度検出器（シンチレーション検出器と光電子
増倍管等）によりＸ線被曝線量の非常に少ないＣＴや、
超高速ＣＴ等の経済的な実現が期待される。

（６）（１）項に示す特性によりパーシャルボリューム
効果（Ｐａｒｔｉａｌ　　Ｖｏｌｕｍｅ　　Ｅｒｒｅｃ
ｔ）　。

線質硬化（Ｂｅａｍ　Ｈａｒｄｅｎｉｎｇ）現象等の高
速除去低減の可能なＣＴが実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の装置のブロック因、第２図
はＸ線発生源の構造とＸ線によるデータ撮影系の構成を
示す図、 第３図はコリメータの構造を示す図、 第４図は測定ビームと画素との関係を示す図、第５図は
線幅の狭い測定ビームと画素との関係を示す詳細図、 第６図は線幅の広い測定ビームと画素との関係を示す詳
細図、 第７図は測定時における測定ビームと画素との幾何学的
関係位置を示す図、 第８図はＸ線発生源の電子ビーム照射方向の異なる他の
実施例の再構成領域の断面を手前から見た図、 第９図は第８図の実施例の再構成領域の左側方から見た
図、 第１０図はＸ線発生源の他の実施例の図、第１１図はコ
リメータの他の実施例の図、第１２図はコリメータの更
に他の実施例の図、第１３図は従来の装置によるＸ線射
影分布の計測手段を示す模式図、 第１４図は第１３図の装置の計測系のみを抽出した図、 第１５図は第１４図の計測系の作用を説明するための模
式図、 第１６図は複数の方向からＸ線を照射する従来の装置に
よるＸ線射影分布の計測手段を示す模式第１７図は前記
従来の装置においてＸ線ビームがファンビームの場合を
示す図である。 ＡＭ・・・大容量記憶装置　　ＢＤＹ・・・被検体ＣＬ
、、ＣＬ２・・・集束レンズ ＣＭ＋　、ＣＭ２　、ＣＭ線、ＣＭＩ２．ＣＭＩ３゜・
・・コリメータ ＤＡＳ・・・データ収集装置ｌｌ　　ＤＣ・・・偏向コ
イルＤＥＴ・・・検出器　　　ＤＰ・・・データ処理装
置Ｇ・・・ガントリ　　　　ＧＤＣ・・・画像表示装置
ＰＡ・・・再構成領域　　ＳＣＣ・・・撮影制御装置Ｔ
ＧＣ・・・テーブル・ガントリ制御装置ＴＧＴ・・・タ
ーゲット ＴＡ・・・テーブル　　　ＸＧ・・・Ｘ線発生源ＸＧＣ
・・・Ｘ線発生制御装置 第 図 （イ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 ６−−ヘーツＰＥＴ槓出器 第１３ 図 第１４ 図 ｒ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）熱電子放射、電界電子放射等により発生させた電
   子線を電子レンズ等により集束させターゲット上に集束
   された電子線を得る電子線発生手段と、前記電子線を偏
   向しターゲット上の所定の位置に照射させる電子線偏向
   手段と、前記偏向された電子線の照射によりＸ線を発生
   するターゲット（ＴＧＴ）とを有するＸ線発生源（ＸＧ
   ）と、 該Ｘ線発生源（ＸＧ）から放射されたＸ線を所定の方向
   の所定の条件を満たすＸ線ビームとするコリメータ手段
   （ＣＭ）と、 電子線の偏向を制御することによりターゲット（ＴＧＴ
   ）への照射位置を走査し、Ｘ線ビームの発生位置を走査
   するＸ線発生制御装置（ＸＧＣ）とを具備し、 以下の（イ）〜（ハ）の条件を満たすようにＸ線発生源
   （ＸＧ）から被検体（ＢＤＹ）にＸ線ビームを照射し透
   過したＸ線ビーム又はこれと透過しないＸ線ビームを検
   出器（ＤＥＴ）で検出測定し、Ｘ線ビームと被検体との
   相対的位置関係を変化させて各位置において測定ビーム
   を得、これ等を使用して画像再構成を行い被検体の断層
   面に関する画像を得ることを特徴とするＸ線ＣＴ。 （イ）任意の断層平面内の被検体を含む直交座標の画像
   再構成領域（ＰＡ）に対応す る表示画像マトリクスとは必ずしも一致しないサンプル
   間隔であるマトリクス間隔の要素を持ち、 該要素の形状が正方形及び長方形を含む直角四辺形であ
   るデータ撮影マトリクスを使用し、該マトリクスのｘ軸
   に平行な行とｙ軸に平行な列に対しＸ線をｙ軸方向に一
   方向から即ちこの方向を上方として表すｙ軸の正の方向
   から入射させる条件。 （ロ）前記画像再構成領域（ＰＡ）にファン状に入射さ
   せる複数のＸ線ビームの入射角度を、各Ｘ線ビーム毎に
   それに対応する前記撮影マトリクスの列のすべてのマト
   リクス要素を通過するように定め、前記各Ｘ線ビームが
   入射方向から最も遠い前記マトリクス要素の前記直角四
   辺形の左辺または右辺のみを通過して出射するように、
   前記各Ｘ線ビームと前記撮影マトリクスとの幾何学的位
   置が定められる条件。 （ハ）ｘ方向にｎ個、ｙ方向にｍ個のマトリクス要素を
   持つ前記撮影マトリクスと、 前記各Ｘ線ビームとの幾何学的位置関係において、被検
   体（ＢＤＹ）を透過した前記各Ｘ線ビーム又は前記被検
   体（ＢＤＹ）を透過した前記各Ｘ線ビームに透過しない
   Ｘ線ビームを加えたＸ線ビームを検出器（ＤＥＴ）で検
   出測定する。前記検出測定を撮影マトリクスと前記各Ｘ
   線ビームとの幾何学的位置関係がｙ方向に離散的にｙ方
   向のサンプル間隔であるマトリクス間隔ずつ変化したす
   べての幾何学的位置関係において行う条件。前記検出測
   定は前記撮影マトリクスのすべての要素に対し、前記Ｘ
   線ビームが前記撮影マトリクス要素の前記直角四辺形の
   左辺又は右辺のみを通過して出射する状態で行う。
2. （２）Ｘ線の発生を制御するためにターゲット上に集束
   された電子線を得る電子線発生手段と、前記電子線を偏
   向しターゲット上の所定の位置に照射させる電子線偏向
   手段と、前記偏向された電子線の照射によりＸ線を発生
   するターゲット（ＴＧＴ）とを有するＸ線発生源（ＸＧ
   ）と、 前記発生したＸ線を整形抽出してＸ線ビームとするコリ
   メータ手段（ＣＭ）と、 前記電子線の偏向を制御することによりＸ線ビームの発
   生位置を走査するＸ線発生制御装置（ＸＧＣ）とは、請
   求項１記載のｘ方向又はｘ方向とｙ方向へＸ線ビームを
   照射走査するためのＸ線発生の制御手段であることを特
   徴とするＸ線ＣＴ。
3. （３）Ｘ線の測定を行う１個又はデータ撮影マトリクス
   のｘ方向の要素数ｎ個より少ない数の検出器素子（ＤＥ
   ）からなる検出器（ＤＥＴ）と、 Ｘ線発生源（ＸＧ）のＸ線発生の時間制御を行うＸ線発
   生制御装置（ＸＧＣ）とを具備し、 該Ｘ線発生制御装置（ＸＧＣ）の制御によりｎ個又はｎ
   個以上の検出器素子数に相当するＸ線データの測定を可
   能とする請求項１記載又は２記載のＸ線ＣＴ。
4. （４）第２のコリメータ手段（ＣＭ＿２）は検出器（Ｄ
   ＥＴ）の各検出器素子（ＤＥ）の前方に配置され、被検
   体（ＢＤＹ）を透過したＸ線を正しく検出器素子（ＤＥ
   ）に導き散乱線等の測定に有害なＸ線ビームを除去する
   手段であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の
   Ｘ線ＣＴ。