JP7114525B2 - 異なるエネルギーレベルおよび焦点スポット位置で撮像するように構成されたコンピュータ断層撮影システムおよび方法 - Google Patents

異なるエネルギーレベルおよび焦点スポット位置で撮像するように構成されたコンピュータ断層撮影システムおよび方法 Download PDF

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Description

本明細書に開示される主題は、一般に、コンピュータ断層撮影医療用撮像システムに関する。
コンピュータ断層撮影(CT)撮像システム(以下、CTシステム)は、典型的には、扇形または円錐形のビームを人または無生物の物体(例えば、手荷物)などの物体に向かって放出するX線源を含む。ビームは、物体によって減衰され、検出器セルのアレイに衝突する。検出器アレイで受け取られたビームの強度は、典型的には、物体によるX線ビームの減衰量に依存する。検出器アレイの各検出器セルは、各検出器セルによって受け取られた減衰されたビームを示す別々のアナログ信号を発生する。アナログ信号は、デジタル信号に変換され、分析のために画像処理システムに送信される。
X線源および検出器アレイは、撮像平面内でかつ対象の周囲でガントリの周りを回転する。X線源は、典型的には、焦点からX線ビームを放出するX線管を含む。X線検出器は、典型的には、検出器で散乱したX線を退けるための散乱防止グリッドまたはコリメータと、コリメータに隣接してX線を光エネルギーに変換するためのシンチレータと、隣接するシンチレータから光エネルギーを受け取り、そこから電気信号を発生するためのフォトダイオードとを含む。X線源には、電力システムを通して電力が供給される。任意選択で、発電機の一部は、X線源および検出器アレイと共に物体の周りを回転する。
米国特許第9585626B2号
CTシステムは、異なるスキャンモードで動作するように構成されてもよい。マルチエネルギー取得モードでは、例えば、X線源には、異なる動作電圧(またはエネルギーレベル)が供給される。様々なCTシステム構成は、以下を含むX線源の可変動作電圧を使用する:(1)X線管の異なる動作電圧を使用した物体の2回の連続スキャンからの低エネルギーおよび高エネルギー投影データの取得、(2)X線管の動作電圧の迅速な切り替えにより投影ビューの交互のサブセットについて低エネルギーおよび高エネルギー情報を取得することを利用した投影データの取得、または(3)X線管の動作電圧が異なる複数の撮像システムを使用したエネルギー敏感情報の同時取得。
そのようなマルチエネルギー取得モードは物質密度の区別を可能にする画像を提供することができるが、もう1つの改善された特徴(例えば、画像品質、解像度、またはサンプリング)を有する他の取得モードが一般に望ましい。
本明細書の実施形態によれば、コンピュータ断層撮影(CT)撮像システムが提供される。システムは、異なる動作電圧で電力システムによって電力供給されるように構成されるX線源を備える。X線源は、焦点スポットから物体に向かってX線のビームを放出するように動作可能である。X線源は、焦点スポットのスポット位置を移動させるように動作可能である。検出器は、物体によって減衰されたX線を検出するように構成される。少なくとも1つの処理ユニットは、メモリに記憶されたプログラム化命令を実施するように構成される。プログラム化命令を実施している間、少なくとも1つの処理ユニットは、異なるエネルギーレベルでX線の異なるビームを放出し、異なるエネルギーレベルで放出されたX線の検出を表すデータを検出器から受け取るようにX線源に指示するように構成される。少なくとも1つの処理ユニットはまた、ビームが異なるエネルギーレベルで放出されている間は焦点スポットが異なるスポット位置にあるように、異なるスポット位置の間で焦点スポットを移動させるようにX線源に指示するように構成される。
少なくとも1つの処理ユニットは、繰り返して、第1のスポット位置からより高いエネルギーレベルで第1のビームを放出し、第1のスポット位置から第1のビームを放出した後に焦点スポットを第2のスポット位置に向かって移動させ、第2のスポット位置からより低いエネルギーレベルで第2のビームを放出し、かつ第2のスポット位置から第2のビームを放出した後に焦点スポットを第1のスポット位置に向かって移動させるようにX線源に指示するように構成されてもよい。ビームは、Z軸に垂直であり得るXY平面に沿って放出されてもよい。X線源は、焦点スポットをZ軸に対しておよびXY平面に対して移動させてもよい。X線源は、X線のビームが電極の間を通過することができるように、離間して配置することができる電極を含んでもよい。電極は、焦点スポットのスポット位置を移動させるために電場の強さを調整するように動作可能であってもよい。
任意選択で、電極は、スポット位置を第1および第2のスポット位置の間で移動させるように構成されてもよい。電場は、異なるビームを異なる量だけ偏向させるように動作可能であってもよい。X線源は、磁場を生成するように構成された電磁石を含んでもよい。電磁石は、焦点スポットのスポット位置を移動させるために磁場の強さを調整するように動作可能であってもよい。
いくつかの態様では、少なくとも1つの処理ユニットは、焦点スポットが第1の位置にある間に検出器からより高いエネルギーのデータを受け取るように構成されてもよく、焦点スポットが第2の位置にある間により低いエネルギーのデータを受け取るように構成されてもよい。少なくとも1つの処理ユニットは、第2の位置におけるより高いエネルギーのデータおよび第1の位置におけるより低いエネルギーのデータを補間するように構成されてもよい。
任意選択で、少なくとも1つの処理ユニットは、(a)物質分解プロセスならびに(b)焦点スポットの第1の位置のより低いエネルギーのデータおよび焦点スポットの第1の位置のより高いエネルギーのデータを使用して、焦点スポットの第1の位置について2つの異なる物質の物質密度投影を生成するように構成される。少なくとも1つの処理ユニットは、(a)物質分解プロセスならびに(b)第2の位置のより低いエネルギーのデータおよび第2の位置のより高いエネルギーのデータを使用して、焦点スポットの第2の位置について2つの異なる物質の物質密度投影を生成するように構成されてもよい。第1および第2の位置から2つの異なる物質の物質密度投影を生成した後、少なくとも1つの処理ユニットは、第1および第2の位置からの2つの異なる物質の物質密度投影を使用して高解像度物質密度画像を再構築するように構成されてもよい。
任意選択で、少なくとも1つの処理ユニットは、第1の焦点位置のより高いエネルギーのデータおよび第2の焦点位置のより高いエネルギーのデータを使用してより高いエネルギーの高解像度画像を生成するように構成されてもよい。少なくとも1つの処理ユニットは、第1の焦点位置のより低いエネルギーのデータおよび第2の焦点位置のより低いエネルギーのデータを使用してより低いエネルギーの高解像度画像を生成するように構成されてもよい。次いで、少なくとも1つの処理ユニットは、より高いエネルギーおよびより低いエネルギーの高解像度画像を使用して高解像度物質密度画像を再構築するように構成されてもよい。
本明細書の実施形態によれば、方法が提供される。方法は、異なるエネルギーレベルでX線の異なるビームを放出するようにX線源に指示し、ビームが異なるエネルギーレベルで放出されている間は焦点スポットが異なるスポット位置にあるように、異なるスポット位置の間でX線源の焦点スポットを移動させるようにX線源に指示するように構成される。方法は、異なるエネルギーレベルで放出されたX線の検出を表すデータを受け取る。
任意選択で、異なるビームを放出して焦点スポットを移動させるようにX線源に指示する方法は、繰り返して、焦点スポットが第1のスポット位置にある間に第1のエネルギーレベルで第1のビームを放出し、焦点スポットを異なる第2のスポット位置に向かって移動させ、焦点スポットが第2のスポット位置にある間に異なる第2のエネルギーレベルを有する第2のビームを放出し、かつ焦点スポットを第1のスポット位置に向かって移動させるようにX線源に指示することを含んでもよい。ビームは、Z軸に垂直であり得るXY平面に沿って放出されてもよい。X線源は、焦点スポットを異なるスポット位置の間で移動させながら焦点スポットをZ軸に対しておよびXY平面に対して移動させてもよい。
任意選択で、X線源は、X線のビームが電極の間を通過するように、離間して配置することができる電極を含んでもよい。焦点スポットを移動させることは、電極の間の電場の強さを調整することを含んでもよい。電場の強さを調整することは、異なるビームを異なる量だけ偏向させてもよい。X線源は、磁場を生成するように構成され得る電磁石を含んでもよい。焦点スポットを移動させることは、電磁石の磁場の強さを調整することを含んでもよい。X線を検出することは、より高いエネルギーのデータを検出することと、より低いエネルギーのデータを検出することとを含んでもよい。方法は、より高いエネルギーのデータを補間することと、より低いエネルギーのデータを補間することとをさらに含んでもよい。
本明細書の実施形態によれば、コンピュータ断層撮影(CT)撮像システムが提供される。X線源は、異なる動作電圧で電力システムによって電力供給されるように構成される。X線源は、焦点スポットから物体に向かってX線のビームを放出するように動作可能である。X線源は、焦点スポットのスポット位置を移動させるように動作可能である。検出器は、物体によって減衰されたX線を検出するように構成される。少なくとも1つの処理ユニットは、メモリに記憶されたプログラム化命令を実施するように構成される。少なくとも1つの処理ユニットは、プログラム化命令を実施している間、繰り返して、第1のスポット位置からより高いエネルギーレベルで第1のビームを放出し、第1のスポット位置から第1のビームを放出した後に焦点スポットを第2のスポット位置に向かって移動させ、第2のスポット位置からより低いエネルギーレベルで第2のビームを放出し、かつ第2のスポット位置から第2のビームを放出した後に焦点スポットを第1のスポット位置に向かって移動させるようにX線源に指示するように構成される。
任意選択で、ビームは、Z軸に垂直であり得るXY平面に沿って放出されてもよい。X線源は、焦点スポットをZ軸に対しておよびXY平面に対して移動させてもよい。X線源は、X線のビームが電極の間を通過するように、離間して配置され得る電極を含んでもよい。電極は、焦点スポットのスポット位置を移動させるために電場の強さを調整するように動作可能であってもよい。
検出器は、複数の検出器画素要素を含んでもよく、前記複数の各検出器画素要素は、より高いエネルギーレベルで放出されたX線およびより低いエネルギーレベルで放出されたX線を検出してもよい。
本明細書に記載の本発明の主題は、添付の図面を参照しながら、以下の非限定的な実施形態の説明を読むことによってよりよく理解されよう。
一実施形態によるコンピュータ断層撮影(CT)システムを示す図である。 図1のCTシステムの概略図である。 図1のCTシステムと共に使用することができる検出器アセンブリの一部を示す図である。 異なるエネルギーレベルで電力をX線源に供給するように構成される一実施形態による電力システムの概略図である。 静電偏向を使用する動的焦点制御機構を有する一実施形態によるX線源の側面図である。 磁気偏向を使用する動的焦点制御機構を有する一実施形態によるX線源の側面図である。 異なる焦点位置から異なるエネルギーレベルでの減衰データを取得することができる第1の取得モードを示す図である。 異なる焦点位置から異なるエネルギーレベルでの減衰データを得ることができる第2の取得モードを示す図である。 第1の取得モードからの減衰データの画像処理を示す図である。 物質密度情報を有する高解像度画像データを得る方法を説明するフローチャートである。 焦点スポットが異なる位置の間でどのように軸方向、平面内、または斜めに移動することができるかを示す図である。
本明細書に記載の実施形態は、撮像システムの検出器アセンブリに対して撮像システムの焦点スポットの位置を動的に調整することによって、CT撮像システムにおける空間サンプリングを向上させることができる。焦点スポットの異なる場所から取得された画像データは、画像再構築プロセスを経る前に、(単一の焦点スポット位置で取得された画像データと比較して)より高いサンプリングデータを形成するために互いに組み合わされてもよい。本明細書に記載のように、CTシステムはまた、異なるエネルギーレベルで画像データを取得することができる。例えば、CTシステムは、撮像システムの発電機がX線源に供給されるエネルギーレベルを振動させる高速kVスイッチングを使用することがある。これにより、X線源および検出器アセンブリとが撮像システムによって撮像されている本体に対して移動するときに、スペクトル情報と高解像度サンプリングの両方を同時に達成することが可能になる。
本明細書で使用する場合、「高エネルギー」および「低エネルギー」という用語は、特定の値または範囲を必要としない。代わりに、「高」および「低」という用語は、別のエネルギーレベルに対するエネルギーレベルを識別するラベルである。例えば、高エネルギーレベルは、低エネルギーレベルよりも大きいエネルギーを有し、低エネルギーレベルは、高エネルギーレベルよりも小さいエネルギーを有する。高エネルギーおよび低エネルギーレベルは、例えば、それぞれ140kVおよび80kVであり得る。任意選択で、高エネルギーレベルは、80kV以上またはそれを超えるエネルギーレベルであり得る一方、低エネルギーレベルは、80kV以下であるエネルギーレベルであり得る。
本明細書に記載の実施形態は、CTシステムが異なるエネルギーレベルでデータセットを取得するスペクトル撮像が可能なマルチスライスCTシステムに関して説明されている。例えば、CTシステムは、スイッチング速度(例えば、最大4.8kHz)でエネルギー(kV)を高から低に循環させるかまたは切り替え、検出器アセンブリを利用して一時的に記録された2つのデータセットを捕捉するように構成され得る。いくつかの実施形態では、ビームエネルギーは、画像取得中にビームエネルギーが正弦波状に循環するように非静的である。したがって、エネルギーレベルは、平均高エネルギーレベルおよび平均低エネルギーレベルとして特徴付けることができる。平均高エネルギーレベルは、例えば、最大約140kVを有することができ、平均低エネルギーレベルは、最小約80kVを有することができる。
本明細書に記載のCTシステムはまた、データ取得中にX線ビームの焦点スポットの位置を動的に制御するように構成することができる。例えば、焦点スポットは、X線源および検出器が人に対して(例えば、らせん状または軸方向に)移動するときに、第1の位置と第2の位置との間で移動し得る。焦点スポットが第1の焦点位置にある間にサンプルが取得され、焦点スポットが第2の焦点位置にある間に別のサンプルが取得される。異なる焦点位置は、検出器アセンブリに対して異なる視野角またはビーム配向を効果的に提供する。焦点スポットの位置は、ビームの静電偏向および/またはビームの磁気偏向によって動的に制御することができる。
いくつかの実施形態では、X線源は、焦点スポットが第1のスポット位置にある間に第1のエネルギーレベルで第1のビームを放出し、焦点スポットが第2のスポット位置にある間に異なる第2のエネルギーレベルを有する第2のビームを放出することができる。「焦点スポットが(指定された)スポット位置にある間」という語句は、ビームが放出されるときに焦点スポットが完全に静止していること、または放出の間中エネルギーレベルが均一であることを必要としない。焦点スポットは絶えず移動していてもよく、エネルギーレベルは絶えず変化していてもよい。しかしながら、放出中の移動量および/またはエネルギーの変化量は、比較的小さくてもよく、または異なるエネルギーレベルでおよび/または異なる焦点スポットから画像データを生成するために有用なデータを取得することができるように、互いに相殺してもよい。例えば、第1のビームの放出中の平均スポット位置と第2のビームの放出中の平均スポット位置とは、有用なデータ(例えば、異なるスポット位置からのサンプルを表すデータ)を得ることができるように、十分に離間され得る。同様に、第1のビームの放出中の平均エネルギーレベルと第2のビームの放出中の平均エネルギーレベルとは、有用なデータ(例えば、異なるエネルギーレベルからのサンプルを表すデータ)を得ることができるように、十分に異なり得る。
CTシステムは、アキシャルスキャン、ヘリカルスキャン、およびシネスキャン用に構成することができる。実施形態はまた、ヨウ素とカルシウムのコントラストを高めるためのエネルギー重み付けを使用して造影剤および他の特殊物質(および他の高原子または物質)などの、対象に注入され得る物質を検出、測定、および特徴付けるために使用することができる。造影剤は、例えば、良好な視覚化のために血流中に注入されるヨウ素を含み得る。荷物スキャンの場合、エネルギーに敏感なCT原理から生成される有効原子番号により、ビーム硬化などの画像アーチファクトを減らすことができ、また誤警報を減らすための識別情報を追加することが可能である。
いくつかの実施形態では、本明細書に記載の主題の少なくとも1つの技術的効果は、いくつかの既知のシステムによって生成されたスペクトル画像データと比較してより少ないエイリアシングアーチファクトでより高い空間解像度を有するスペクトル画像データを生成する能力を含む。いくつかの実施形態では、本明細書に記載の主題の少なくとも1つの技術的効果は、既知のシステムによって生成された高解像度画像データと比較して改善された全体的な画像品質を有する高解像度画像データを生成する能力を含む。いくつかの実施形態では、本明細書に記載の主題の少なくとも1つの技術的効果は、(例えば、空間解像度の欠如のために)これまでスペクトル撮像を使用していなかった臨床用途のためのスペクトル撮像モードの有効化を含む。
図1は、コンピュータ断層撮影(CT)撮像システム100(本明細書ではCTシステムと呼ぶ)を示し、図2は、CTシステム100の概略図を示す。示すように、CTシステム100は、ガントリ112の対向する検出器アセンブリ118に向かってX線のビームを投影するX線源114(例えば、X線管)を有するガントリ112を含む。任意選択で、ガントリ112およびその上に搭載された構成要素は、スキャン中に回転中心124の周りを回転することができる。いくつかの実施形態では、検出器アセンブリ118は、X線を光に変換するための層(例えば、シンチレータ層)、光を電流に変換するための層(例えば、フォトダイオード層)、およびデータを通信するための電子機器を支持する基板層を含んでもよい。検出器アセンブリ118は、複数の検出器セルまたはモジュール120と、データ取得システム(DAS)132とを含む。各検出器セル120は、各画素要素がX線を感知するように構成される画素要素のグループまたはアレイを含むことができる。複数の検出器セル120は、物体または本体125を通過し、かつそれらによって減衰されるものを含む投影されたX線116を感知する。検出器セル120は、検出器セル120によるX線の検出または、より具体的には、それぞれの検出器セル120の画素要素を表すデータを通信することができる。以下、物体125を人と呼ぶが、物体は、例えば、手荷物または別の無生物の物体でもよいことを理解されたい。
図1および図2は、検出器アセンブリ118およびX線源114などのガントリ112の回転可能な構成要素に対する座標系を示す。X線源114には、発電機115を通して電力が供給される。いくつかの実施形態では、発電機115の少なくとも一部(例えば、第2の段)は、X線源114と共に回転する。座標系は、互いに垂直なX、Y、およびZ軸を含む。Z軸は、人125の軸方向長さに概して沿って延び、回転軸124に平行に延びる。Z軸は、CTシステム100のスライス方向を定義する。XおよびY軸は、Z軸に垂直な平面を定義する。X線源114および検出器アセンブリ118は、XY平面に沿った方向と一致しかつその方向を向いている。方向は、X線源114および検出器アセンブリ118の回転配向に応じて、X構成要素およびY構成要素を有するベクトルであり得る。発電機115、X線源114、および検出器アセンブリ118は、グループとして回転軸124(図2)の周りを円周方向に回転することができる。
発電機115は、電力および任意選択でタイミング信号をX線源114に供給する。発電機115は、第1の電圧および第2の電圧をX線源114に出力することができる。いくつかの実施形態では、第1および第2の電圧は、電圧が最大の第1の電圧と最小の第2の電圧(例えば、140kVpおよび80kVp)との間で正弦波状に増減するように、高速スイッチングパターンで出力され得る。任意選択で、発電機115は、2kHzまで、またはそれ以上の周波数で第1の電圧と第2の電圧を効果的に切り替えることができる。他の実施形態では、発電機115は、550Hz以上の周波数で第1の電圧と第2の電圧を切り替える。X線源114に供給される電圧を迅速に切り替えることによって、低エネルギーレベル(80kVp)および高エネルギーレベル(140kVp)でサンプルを得ることができる。
X線源114の動作は、部分的に、偏向制御モジュール113によって制御することができる。偏向制御モジュール113は、電子がビーム215が投影される焦点スポットに達する前に電子をX線源114から偏向させる電場および/または磁場を制御するように構成される。本明細書に記載のように、偏向制御モジュール113は、電極によって形成された電場を制御してもよく、または電磁石(例えば、ソレノイド)によって形成された磁場を制御してもよい。より具体的には、偏向制御モジュール113は、それぞれの場の強さを増減させることによって、偏向量を増減させることができる。任意選択で、偏向制御モジュール113は、電力レベルの変化がそれぞれの場の強さの変化を引き起こすように、発電機115に動作可能に結合される。
偏向制御モジュール113は、CTシステムの動作を制御する少なくとも1つの処理ユニットの一部を形成してもよい。例えば、偏向制御モジュール113は、コンピューティングシステム136の一部および/またはX線コントローラの一部を形成してもよい。あるいは、偏向制御モジュールの少なくとも一部は、電圧源とX線源を直接接続する別々の回路(例えば、ハードワイヤード電子機器)であり得る。
ある特定の実施形態では、CTシステム100は、所望の投影データを取得するために人125の周囲の異なる角度位置を横断するように構成される。したがって、ガントリ112およびその上に搭載された構成要素は、投影データを取得するための回転中心124の周りを回転するように構成することができる。テーブル146は、ガントリ112が回転するとき、あるいはガントリ112が固定位置に留まるときに回転軸124に沿って移動することができる。
検出器セル120は、画素要素によるX線の検出を表すデータを通信することができる。例えば、各検出器セル120は、人125によって減衰された衝突するX線の強度を表すアナログ電気信号を通信することができる。検出器セル120は、アナログ電気信号(またはデータ)をDAS132に提供する。DAS132は、検出器セル120から受け取ったアナログデータをサンプリングし、その後の処理のためにアナログデータをデジタル信号(またはデジタルデータ)に変換する。DAS132は、X線の検出を表すデータをコンピューティングシステム136に通信することができる。
コンピューティングシステム136は、少なくとも1つの処理ユニットを含むか、またはそれによって表すことができる。例えば、コンピューティングシステム136は、CTシステム100全体に分散された複数の処理ユニット(例えば、プロセッサ、ハードワイヤード回路、または他の論理ベースのデバイスの組合せ)を含むことができる。一般に136と呼ばれ得る少なくとも1つの処理ユニットは、メモリ138に記憶されたプログラム化命令を実施するように構成される。プログラム化命令を実施している間、少なくとも1つの処理ユニットは、とりわけ、X線源114および発電機115の動作を制御するように構成される。
一例では、コンピューティングシステム136は、図2では「記憶デバイス」として示されているメモリ138にデータを記憶する。メモリ138は、例えば、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、コンパクトディスク読み出し/書き込み(CD-R/W)ドライブ、デジタル多用途ディスク(DVD)ドライブ、フラッシュドライブ、および/またはソリッドステート記憶デバイスを含んでもよい。コンピューティングシステム136はまた、データを処理して画像を生成することができる。
加えて、コンピューティングシステム136は、システム動作を制御するためにDAS132、X線コントローラ128、およびガントリモータコントローラ130の1つまたは複数にコマンドおよびパラメータを提供する。ある特定の実施形態では、コンピューティングシステム136は、オペレータ入力に基づいてシステム動作を制御する。図2は1つのオペレータコンソール140のみを示しているが、例えば、システムパラメータを入力もしくは出力する、試験を要求する、および/または画像を閲覧するために、2つ以上のオペレータコンソールをCTシステム100に結合してもよい。さらに、ある特定の実施形態では、CTシステム100は、例えば、施設もしくは病院内で、またはインターネットおよび/もしくは仮想プライベートネットワークなどの1つまたは複数の構成可能な有線および/もしくは無線ネットワークを介して完全に異なる場所において、ローカルにまたは遠隔に位置した複数のディスプレイ、プリンタ、ワークステーション、および/または同様のデバイスに結合してもよい。
一実施形態では、例えば、CTシステム100は、医用画像管理システム(PACS)145を含むか、またはそれに結合される。1つの例示的な実施態様では、PACS145は、放射線科情報システム、病院情報システム、または内部もしくは外部ネットワーク(例えば、クラウドコンピューティングネットワーク)などの遠隔システムにさらに結合される。遠隔システムは、異なる場所にいるオペレータがコマンドおよびパラメータを供給すること、および/または画像データにアクセスすることを可能にする。特定の実施形態では、遠隔システムは、ユーザが指定されたプロトコルを検索、更新、および記憶することを可能にする。
コンピューティングシステム136は、オペレータ供給のおよび/またはシステム定義のコマンドおよびパラメータを使用してテーブルモータコントローラ144を動作させることで、電動テーブル146を制御することができる。特に、テーブルモータコントローラ144は、テーブル146を移動させ、人125の目標体積に対応する投影データを取得するために人125をガントリ112内に適切に配置する。
上述のように、DAS132は、検出器セル120によって取得された投影データをサンプリングしてデジタル化する。その後、画像再構築器134は、サンプリングされデジタル化されたX線データを使用して高速再構築を実行する。図2は、別々のエンティティとして画像再構築器134を示すが、ある特定の実施形態では、画像再構築器134は、コンピューティングシステム136の一部を形成してもよい。さらに、画像再構築器134は、ローカルにまたは遠隔に位置してもよく、有線または無線ネットワークを使用してCTシステム100に動作可能に接続されてもよい。特に、1つの例示的な実施形態は、画像再構築器134のためのクラウドコンピューティングネットワーク内の計算資源を使用することができる。
一実施形態では、画像再構築器134は、記憶デバイス138に記憶された画像を再構築する。あるいは、画像再構築器134は、診断および評価のために有用な人情報を生成するために、再構築された画像をコンピューティングシステム136に送信する。ある特定の実施形態では、コンピューティングシステム136は、再構築された画像および/または人情報を、コンピューティングシステム136および/または画像再構築器134に通信可能に結合されたディスプレイ142に送信する。
本明細書でさらに説明される様々な方法およびプロセスは、CTシステム100の非一時的メモリに実施可能命令として記憶することができる。例えば、コンピューティングシステム136、X線コントローラ128、検出器アセンブリ118、テーブルモータコントローラ144、およびガントリモータコントローラ130は、命令を非一時的メモリに含むことができ、本明細書に記載の方法を適用して人125をスキャンすることができる。
本明細書で使用する場合、「少なくとも1つの処理ユニット」という語句または「コンピューティングシステム」という語句は、CTシステム100全体に分散された複数の処理ユニット(例えば、プロセッサ、ハードワイヤード回路、または他の論理ベースのデバイス)の可能性を含む。例えば、「少なくとも1つの処理ユニット」という語句は、コンピューティングシステム136の1つまたは複数の処理ユニット、X線コントローラ128の1つまたは複数の処理ユニット、ガントリモータコントローラ130の1つまたは複数の処理ユニット、テーブルモータコントローラ144の1つまたは複数の処理ユニット、および画像再構築器134の1つまたは複数の処理ユニットの組合せを含むことができる。少なくとも1つの処理ユニットは、メモリに記憶されたプログラム化命令を実施し、本明細書に記載のように動作するようにCT撮像システムの構成要素に指示することができる。例えば、少なくとも1つの処理ユニットは、本明細書に記載されているように動作するようにX線源、検出器、または発電機に指示することができる。少なくとも1つの処理ユニットはまた、CTスキャン中に取得されたデータを処理(例えば、再構築)して画像データを生成することができる。
コンピューティングシステム136はまた、オペレータインターフェースを有するコンソール140を介してオペレータからコマンドおよびスキャンパラメータを受け取る。オペレータインターフェースは、例えば、キーボード、マウス、音声作動式コントローラ、タッチ式スクリーンもしくはパッド、または任意の他の適切な入力装置を含んでもよい。関連するディスプレイ142は、オペレータが再構築された画像およびコンピューティングシステム136からの他のデータを観察することを可能にする。任意選択で、ディスプレイ142は、オペレータインターフェースの一部を形成し、タッチ式スクリーンを含む。
任意選択で、フィルタ(図示せず)を人125とX線源114との間に配置することができる。例えば、ボウタイフィルタを使用し、放射源の出力を変調することができる。ボウタイフィルタは、より均一なフルエンスを検出器に送達することができるように、物体の軸方向平面を通るビーム経路長さの差を補償することができる。ボウタイフィルタはまた、撮像視野(FOV)の周辺部における散乱および放射線量を減少させることができる。
本明細書に記載のように、主題の実施形態は、異なるエネルギーレベルでデータセットを取得することが可能である。例えば、CTシステムは、エネルギー(kV)を高から低に循環させるかまたは切り替え、検出器アセンブリを利用して一時的に記録された2つのデータセットを捕捉するように構成され得る。異なるエネルギーレベルを有するデータセットを取得するための以前に提案された設計は、人とX線管との間にグレーティングコリメータを配置することを含んでいた。ボウタイフィルタを使用した場合、グレーティングコリメータは、ボウタイフィルタの両側に配置することができる。提案されたグレーティングコリメータは、各領域が同じ物質(例えば、空気およびタングステン)を有する交互の領域を含み、それは他の領域の物質とは異なる。異なる物質は、異なるX線の減衰を有する。特定の実施形態では、CTシステムは、これらの領域の少なくとも1つが人に達する前にX線を減衰させる交互の領域を含むグレーティングコリメータを欠いている。
以前に提案された設計の一部として、交互のパターンのX線が検出器に入射する。いずれかのエネルギーレベル(高または低)のX線は、交互に検出器の画素要素に入射する。X線源および検出器は、交互のパターンを達成するように設計されている。特定の実施形態では、CTシステムは、検出器表面に入射するX線の交互のパターンを達成するようには設計されておらず、X線は、エネルギーレベルに基づいて減衰されない。
図3は、検出器アセンブリ118の一実施形態をより詳細に示す。しかしながら、他の実施形態が他の設計および構成を有する検出器アセンブリを含み得ることを理解されたい。検出器アセンブリ118は、それらの間に載置されたコリメートプレート119を有するレール117を含む。コリメートプレート119は、X線116が例えば、検出器アセンブリ118の検出器セル120(図2)に衝突する前にX線116をコリメートするように配置される。検出器セル120の各々は、画素要素、検出器画素、または検出器要素と呼ばれることがあるいくつかの検出器画素要素を含むことができる。検出器画素要素は、バックライト付きダイオードアレイ(図示せず)に光学的に結合することができ、これは次にDAS132(図2)に電気的に結合することができる。動作中、X線116は、人125を通過して人125によって減衰され、次に各検出器セル120の検出器画素要素に衝突し、それによってDAS132に通信されるアナログ信号を生成する。DAS132は、アナログ信号をデジタル信号に変換する。
1つまたは複数の実施形態の例として、検出器アセンブリ118は、検出器セル120の各々が64×16個の検出器画素要素を有する57個の検出器セル120用に配置されるコリメートプレート119のアレイを含み得る。したがって、図3の検出器アセンブリ118は、64行×912列(16×57個の検出器セル)を有することができ、これにより、ガントリ112(図1)の回転毎に64個の同時スライスのデータを収集することが可能である。
動作中、複数組の測定値(または複数組の減衰データ)を、異なるそれぞれのエネルギーレベル(例えば、平均エネルギーレベル)および異なる焦点スポットで取得することができる。2つの異なるエネルギースペクトルS(E)およびS(E)での測定値(IおよびI)は、次式によって得ることができる:
=∫S(E)exp(-∫μ(r、E)dr)dE
=∫S(E)exp(-∫μ(r、E)dr)dE
式中、μは、エネルギーEおよび場所rにおける線形減衰係数である。
典型的には、線形減衰係数μは、2つ(またはそれ以上)の基底物質に分解することができる:
μ(r、E)=a(r)A(E)+b(r)B(E)
式中、a(r)およびb(r)は、空間的に変化する係数であり、A(E)およびB(E)は、それぞれの基底物質のエネルギー依存性である。
同様に、線形減衰係数の線積分は、次のように分解することができる:
∫μ(r、E)=A(E)∫a(r)+B(E)∫b(r)=A(E)p+B(E)p
式中、pおよびpは、基底物質線積分である。
したがって、一連の電流測定値(IおよびI)は、次のように書き換えることができる:
=f(p、p
=f(p、p
式中、関数fおよびfは、スペクトルSおよびSとの異なる物質の組合せの較正測定値に基づいて経験的に決定することができ、その後、pおよびpを計算することができる。
いくつかの実施形態では、逆関数gおよびgは、較正実験から直接定義されてもよく、その結果、以下の物質分解(MD)ステップが得られる:
=g(I、I
=g(I、I
再構成アルゴリズムを使用し、それぞれサイノグラムpおよびpに基づいてa(r)およびb(r)を再構築することができる。再構築アルゴリズムは、直接アルゴリズム(フィルタ補正逆投影など)または反復アルゴリズム(順序付きサブセットまたは反復座標降下を含むペナルティ付き重み付き最小二乗など)にすることができる。そのような場合、再構築アルゴリズムへの入力は、得られたサイノグラムpおよびpである。他の実施形態では、未知数a(r)およびb(r)を用いて、かつ測定値IおよびIを入力として使用して反復再構築プロセスを実行することができる。実施形態は、基底物質の第1の再構築から開始し、測定値におけるノイズの知識および画像に関する事前の知識を組み込むことによって再構築された画像を改善することができる。
図4は、電力をX線源252に供給するように動作可能な電力システム250の概略図である。電力システム250は、電圧源254(例えば、高周波高電圧発電機)を含む。任意選択で、電力システム250は、インターポーザ回路256を含む。インターポーザ回路256は、第1の電圧レベルと第2の電圧レベルとの間で迅速に切り替わるかまたは切り替わるのを助けるように動作可能である。いくつかの実施形態では、電力システム250は、偏向制御モジュール262に通信可能に結合される。上述のように、偏向制御モジュールは、コンピューティングシステム136の一部および/またはX線コントローラ128の一部を形成することができる。いくつかの実施形態では、偏向制御モジュール262は、インターポーザ回路256に通信可能に結合されてもよく、および/または電圧源254に通信可能に結合されてもよい。いくつかの実施形態では、偏向制御モジュール262は、インターポーザ回路256と一体化することができる。
インターポーザ回路256は、例えば、分圧器と、直列に結合された複数のスイッチング段とを含むことができる。各スイッチング段は、一対のスイッチと、逆電流を阻止するように動作可能なダイオードと、コンデンサとを有することができる。動作中、インターポーザ回路256は、電圧源254などの高電圧発電機から電圧を受け取ることができる。一連のスイッチング段は、出力における一対の電圧レベルの間の入力電圧の迅速な切り替えを可能にする。スイッチング段の総数は、電圧上昇の大きさに依存する。
電力システム250は、指定されたエネルギーレベルでX線ビームを生成するための動作電圧で電力をX線源252に供給するように構成される。いくつかの実施形態では、電圧源254およびインターポーザ回路256は、能動共振モジュールとして構成されてもよい。いくつかの実施形態では、電圧源254およびインターポーザ回路256は、受動共振モジュールとして構成されてもよい。インターポーザ回路256は、電圧源254から生成されてX線管252に適用される電圧の切り替えを容易にする切り替え構成要素(単数または複数)を含むことができる。例えば、動作中、インターポーザ回路256は、高kVレベル(例えば、140kV)と低kVレベル(例えば、80kV)との間の切り替えを提供する。しかしながら、他の高および低電圧レベルを提供することができ、様々な実施形態は特定の電圧レベルに限定されないことに留意されたい。別の例として、高kVレベルは、数十kV(例えば、マンモグラフィのための約30kV)~数百kV(例えば、工業用検査用途のための約450kV)の範囲であり得る。電圧レベルを切り替えるとき、エネルギーを再利用して再循環させることができる。いくつかの実施形態では、電圧レベルの間の切り替えは、約10~100マイクロ秒以下で起こり得る。
1つまたは複数の実施形態の共振構成では、CTシステムの電子機器は、異なる電圧レベルでの高電圧動作で負荷(例えば、真空管)に充電するまたは継続的に電力を供給するためにX線源252に電力を送信することができる。示すように、インターポーザ回路256は、X線源252に固定され、ケーブル配線260を介して電圧源254に電気的に結合される。ケーブル配線260は、高電圧(例えば、140kV以上)に定格されてもよい。特定の実施形態では、インターポーザ回路256は、インターポーザ回路256が電圧源の一部を形成するように、電圧源254と一体化することができる。そのような実施形態では、電圧源254およびインターポーザ回路は、ケーブル配線260を介してX線源252に通信可能に結合することができる。
特定の実施形態では、電圧源254は、低レベル、例えば、80kVに対応する電圧を生成することが可能な高電圧発電機であり、インターポーザ回路256は、負荷(例えば、真空チャンバ)を高電圧レベル、例えば、140kVで動作させるために追加のエネルギー/電力を提供するように構成される。インターポーザ回路256は、高電圧レベルから低電圧レベルに切り替わるときにエネルギーを蓄積し、次の高電圧サイクルに移行するときに蓄積されたエネルギーを使用するように動作し得る。インターポーザ回路256は、例えば、1つまたは複数のコンデンサにエネルギーを蓄積することができる。
偏向制御モジュール262は、インターポーザ回路256と別々であるかまたは一体化されてもよい。本明細書に記載のように、偏向制御モジュール262は、焦点スポットの位置を動的に制御するように構成される。いくつかの実施形態では、偏向制御モジュール262は、X線源252に供給される電力の変化に応じて焦点スポットの位置を制御する。
図5は、動的焦点スポット制御のための1つの機構を説明するX線源214の概略図である。X線源214は、異なるエネルギーレベルで異なるビームを放出するように構成される。示すように、X線源214は、フィラメント220を有するカソード210を含む。電子のビーム215は、フィラメント220から放出される。ビーム215は、アノード206上の第1の焦点位置234で焦点スポット225に向けられてもよく、ビーム215は、アノード206上の第2の焦点位置236で焦点スポット225に向けられてもよい。アノード206は、アノード206の基部226に配置された斜面224を含む。
ビーム215は、電子が通過するときに電極228、229を有する電極アセンブリ(例えば、電極プレート)によって静電的に偏向される。任意選択で、X線源214は、ビーム215の偏向、操縦、または集束を容易にするために追加の電極を含むことができる。電極は、(図5に示すように)紙面に沿った方向または紙面に出入りする垂直方向のいずれかにビーム215を偏向、操縦、または集束するように構成することができる。電子のビーム215は、電極228、229の間に電場を適用することによって、経路230に沿って第1の焦点位置234の焦点スポット225に向けられるか、または第2の経路232に沿って第2の焦点位置236の焦点スポット225に向けられ得る。この電場は、時間に関して(大きさおよび/または方向において)変化し得る。したがって、単一のフィラメント220から放出された電子のビームは、静電場を変化させることによってその間で迅速に振動(または揺動)させることができる。第1および第2の焦点位置234、236の間には、距離235が存在する。
いくつかの実施形態では、ビーム215は、XY平面の経路に沿って距離235を振動させることができ、経路は、ビーム方向に概して横方向である。他の実施形態では、ビーム215は、Z軸に沿って延びる経路に沿って距離235を振動させることができる。ビーム215は、数kHz以上まで振動し得る。例えば、ビームは、約5kHzで振動し得る。したがって、X線は、ビーム215が検出器アセンブリ118(図1)に向かって投影されるように、第1および第2の焦点位置234、236から放出させることができる。
焦点スポット225を第1および第2の位置234、236の間で移動させることに加えて、X線コントローラ128(図2)は、エネルギーレベルを変化させることができる。例えば、X線コントローラ128は、高速kVスイッチングによってエネルギーレベルを変化させることができる。
また図示されているように、X線源214は、電極228、229に動作可能に結合される偏向制御モジュール240を含むか、またはそれによって制御されてもよい。偏向制御モジュール240は、異なるビームが異なる量だけ偏向されるように、一対の電極228、229の間の電位差を制御することができる。電子が電極228、229の間を通過すると、電子は偏向される。偏向量は、偏向制御モジュール240によって決定される電場の強さの関数である。
例えば、図5に示す機構を使用して焦点位置が静電的に制御されるとき、偏向は、1/kVにほぼ比例する。任意選択で、偏向制御モジュール240は、電極228、229の間の電場の強さがX線源に供給される電力レベルの変化と共に変化するように、発電機115などの発電機に通信可能に結合することができる。所与の電場に対して、高エネルギーレベル(例えば、140kVp)のビームと低エネルギーレベル(例えば、80kVp)のビームの両方が共通の方向に偏向されるが、高エネルギーレベルのビームは、低エネルギーレベルのビームよりも多く偏向されることに留意されたい。例えば、より低いエネルギーのビームは、第1の量だけ偏向されてもよく、より高いエネルギーのビームは、第1の量よりも大きい第2の量だけ偏向されてもよい。
任意選択で、焦点スポットの位置と電子ビームのエネルギーレベルとを同期させることができる。例えば、発電機は、電極に直接接続され(例えば、ハードワイヤードで)、偏向制御モジュールとして機能することができる。そのような実施形態では、発電機は、偏向電極228、229に適用される電圧を独立して素早く切り替えることができる。
図6は、異なるエネルギーレベルで異なるビームを放出するように構成される一実施形態によるX線源314の断面図を示す。X線源314は、カソードアセンブリ318を有する真空チャンバまたはフレーム316と、その中に配置されたターゲットまたは回転アノード320とを含む。カソードアセンブリ318は、フィラメント(図示せず)を支持し、加熱されたフィラメントから放出された電子のビーム322をターゲット320の表面324に向かって集束させる静電レンズとして働くカソードカップ(図示せず)を含む、いくつかの要素を含む。
X線源314の電磁石アセンブリ326(例えば、偏向コイル)は、電子ビーム322の経路の近くの場所に搭載される。一実施形態によれば、電磁石アセンブリ326は、ソレノイドとして巻かれ、生成された磁場が電子ビーム322の経路内にあるように、真空チャンバ316の上および周囲に配置されるコイルを含み得る。電磁石アセンブリ326は、電子ビーム322に作用する磁場を生成し、電子ビーム322を偏向させて一対の焦点スポットまたは位置330、332の間で移動させる。電子ビーム322の移動方向は、電磁石アセンブリ326のコイルを流れる電流の方向によって決定される。
いくつかの実施形態では、電磁石アセンブリ326は、1つまたは複数の四極子または複数の双極子を含む。例えば、電磁石アセンブリ326は、2組の四極子コイルおよびヨークを含むことができ、各々のヨークは、ビームの経路の周囲に分布している。四極子は、集束するように構成することができ、双極子は、偏向するように構成することができる。しかしながら、四極子は、偏向に関して二次効果を有することができ、双極子は、集束に関して二次効果を有することができる。
電流の方向および大きさは、電磁石326に結合される偏向制御モジュール334を介して制御することができる。偏向制御モジュール334は、例えば、X線コントローラ128(図2)および/または電力システムによって制御されるハードワイヤード回路であり得る。偏向制御モジュール334は、電流源(例えば、実電流源または理想電流源)、電圧源(例えば、低電圧源、高電圧源)、スイッチ、および共振回路を含み得る。
カソードとアノード(ターゲット)との間の電圧が異なる値の間で迅速に変化するとき、マルチエネルギー取得モードに対して動的磁気集束が達成され得る。集束コイルを通る電流は、焦点スポットの幾何学的形状を維持するために、より低いエネルギーの電圧の値とより高いエネルギーの電圧の値との間で調整されてもよい。そのような実施形態では、電磁石を加速電圧のkV設定に同期させ、焦点スポットの幾何学的形状を効果的に維持することができる。電磁石は、焦点スポットの位置を決定するように制御されてもよい。
任意選択で、焦点スポットは、電磁石326に加えて偏向磁石を使用して移動させることができる。偏向磁石はまた、例えば、電極228、229(図5)と同様に配置される電磁石であってもよい。各偏向磁石の周りに巻かれているコイルを通って流れる電流は、電子ビームの偏向を変調するように制御することができる。集束磁石を単独で使用することと比較して、偏向に必要とされる磁場は一般に低く、ビームの集束に使用される磁場と比較して正確である必要はないので、偏向磁石で焦点スポットの位置を調整することは容易であり得る。集束電子機器が電磁集束を使用してkVスイッチングにおいて焦点スポットの幾何学的形状を維持するように設計された後、kVが切り替えられるときに同様の技術が焦点スポットの位置を変えるために使用されてもよい。
図11は、本明細書に記載の主題の実施形態が異なるスポット位置SPの間でどのように焦点スポットFSを移動させることができるかを示す。本明細書に記載のように、X線源は、それぞれの場の強さを調整することによって(例えば、磁気的または静電的に)偏向するように動作可能であり得る。例えば、焦点スポットFSは、スポット位置SPとスポット位置SPとの間で平面内(例えば、XY平面に沿って)に移動することができる。焦点スポットFSは、スポット位置SPとスポット位置SPとの間でZ軸に沿って軸方向に移動することができる。ある特定の実施形態では、焦点スポットFSは、焦点スポットFSがスポット位置SPとスポット位置SPとの間で部分的にZ軸に沿ってかつ部分的にXY平面に沿って移動するように、斜めに移動することができる。
焦点スポットFSを軸方向または平面内に移動させる実施形態では、異なるスポット位置(例えば、SPAとSPBまたはSPAとSPC)の間の距離は、検出器画素要素の対応する寸法の約半分であり得る。焦点スポットFSが検出器画素要素の幅に沿って平面内に移動する場合、スポット位置SPAとSPBとの間の距離は、検出器画素要素の幅の約半分であり得る。焦点スポットFSが検出器画素要素の長さに沿って軸方向に移動する場合、スポット位置SPAとSPCとの間の距離は、検出器画素要素の長さの約半分であり得る。焦点スポットFSが斜めに移動する場合、スポット位置SPAとSPDとの間の距離は、検出器画素要素の長さ(L)の半分と検出器画素要素の幅(W)の半分とを有する長方形の対角線の長さであり得、これは、((0.5L)+(0.5W))の平方根である。例として、検出器画素要素の長さおよび幅は、1.250ミリメートル(mm)×1.250mmであり得る。別の例として、長さおよび幅は、1.000mm×1.000mmであり得、長さおよび幅は、0.625mm×0.625mmであり得る。長さおよび幅は、0.313mm×0.313mmであってもよく、または長さおよび幅は、0.156mm×0.156mmであってもよい。上記の例は長さと幅が等しいが、長さと幅は、他の実施形態では等しくない場合がある。
画素要素は、典型的には、長方形の検出面積を有する。本明細書で使用する場合、「画素要素は、少なくともL mm×W mmの面積を有する」という語句は、長さが少なくともL mmであり、幅が少なくともW mmであることを意味する。例えば、「画素要素は、少なくとも0.156mm×0.156mmの面積を有する」という語句は、長さが少なくとも0.156mmであり、幅が少なくとも0.156mmであることを意味する。いくつかの実施形態では、画素要素は、少なくとも0.313mm×0.313mmの面積を有する。ある特定の実施形態では、画素要素は、少なくとも0.625mm×0.625mmの面積を有する。特定の実施形態では、画素要素は、少なくとも1.000mm×1.000mmの面積を有する。
したがって、斜めに移動するとき、スポット位置はより大きな距離を移動し得る。任意選択で、斜めの移動は、等しくないZおよびXY構成要素を含み得る。例えば、図11の斜めの移動を表す双方向の矢印は、軸方向の移動および平面内の移動を表す双方向の矢印に対して約45°である。任意選択で、斜めの移動は、45°未満または45°超であり得る。
図7および図8は、異なるエネルギーレベルおよび焦点スポットの異なる位置で取得されたデータを利用することができる異なる取得モードを示す。図7では、あるエネルギーレベルで取得されたサンプルが焦点スポットの同じ位置で取得され、別のエネルギーレベルで取得されたサンプルが焦点スポットの別の位置で取得されるように、ビームの焦点スポットおよび電力システムの電圧が制御され得る。グラフ400に示すように、低エネルギーレベル(LE)で取得された各サンプルは、第1の焦点位置(pt1)で取得され、高エネルギーレベル(HE)で取得された各サンプルは、第2の焦点位置(pt2)で取得される。そのような実施形態では、データは、有用な画像データを提供するために補間を受けることができる。
図8では、焦点スポットのある位置で取得された後続のサンプルが2つのエネルギーレベルで取得されるように、ビームの焦点スポットおよび電力システムの電圧が制御され得る。グラフ410に示すように、2つのサンプルが第1の焦点位置(pt1)、低エネルギー(LE)、続いて高エネルギー(HE)で取得される。次に、2つの次のサンプルが第2の焦点位置(pt2)、低エネルギー(LE)、続いて高エネルギー(HE)で取得される。任意選択で、2つの次のサンプルを第2の焦点位置(pt2)、高エネルギー(HE)、続いて低エネルギー(LE)で取得することができる。他の実施形態では、あるエネルギーレベルで取得された後続のサンプルが異なる焦点位置で取得されるように、ビームの焦点スポットおよび電力システムの電圧が制御され得る。例えば、2つのサンプルが高エネルギー(HE)、第1の焦点位置(pt1)、続いて第2の焦点位置(pt2)で取得される。次に、2つの次のサンプルが低エネルギー(LE)、第1の焦点位置(pt1)、続いて第2の焦点位置(pt2)で取得される。任意選択で、2つの次のサンプルを低エネルギー(LE)、第2の焦点位置(pt2)、続いて第1の焦点位置(pt1)で取得することができる。
異なるエネルギーレベルおよび焦点位置で取得されたデータを処理し、画像データを生成することができる。真ん中の行420は、第1の焦点位置を有する焦点スポットで取得された低エネルギーのデータ(以下、「より低いエネルギーのデータ」と呼ぶ)と、第2の焦点位置を有する焦点スポットで取得された高エネルギーのデータ(以下、「より高いエネルギーのデータ」と呼ぶ)とを含む取得されたデータを示す。次いで、取得されたデータを分離し、より高いエネルギーの投影とより低いエネルギーの投影の2組の投影を生成することができる。データは、欠けているデータ、具体的には、第2の焦点位置を有する焦点スポットで取得されたより低いエネルギーのデータおよび第1の焦点位置を有する焦点スポットで取得されたより高いエネルギーのデータを提供するために補間される。補間は、投影空間または画像空間において実行され得る。
図9において、(LE’ pt2)および(HE’ pt1)として参照されるデータは、補間されたデータを指す。第1の焦点位置に対応する取得されたより低いエネルギーのデータおよび補間されたより高いエネルギーのデータを用いて、第1の投影データセットを提供するための物質分解プロセスを通して物質密度投影が達成され得る。物質分解は、異なるエネルギーレベルで取得された投影データを基底物質の等価密度を表す投影データにマッピングするために使用されるプロセスである。物質分解は、エネルギー依存性線形減衰係数をエネルギー依存性基底関数と対応する基底関数係数との線形結合に分解することによって、人の中の物質(例えば、骨および組織)を区別する。物質密度画像は、組織組成および造影剤分布に関する定性的および定量的情報を提供し得る。撮像することができる物質には、例えば、ヨウ素、水、カルシウム、ヒドロキシアパタイト(HAP)、尿酸、および脂肪が含まれる。
第2の焦点位置に対応する補間されたより低いエネルギーのデータおよび取得されたより高いエネルギーのデータを用いて、第2の投影データセットを提供するための物質分解プロセスを通して物質密度投影もまた達成され得る。第1および第2の投影データセットは、高解像度物質密度(またはスペクトル)画像データを提供するために再構築されてもよい。
他の実施形態では、第1の焦点位置に対応する取得されたより低いエネルギーのデータおよび第2の焦点位置に対応する補間されたより低いエネルギーのデータを使用して、低エネルギーの投影データセットが生成され得る。より高いエネルギーの投影データセットは、第2の焦点位置に対応する取得されたより高いエネルギーのデータおよび第1の焦点位置に対応する補間されたより高いエネルギーのデータを使用して生成することができる。より高いエネルギーおよびより低いエネルギーの投影データセットは、それぞれより高いエネルギーの高解像度画像およびより低いエネルギーの高解像度画像を提供するために再構築され得る。異なるエネルギーレベルの高解像度画像では、画像空間物質分解法を使用して高解像度物質密度画像データを生成することができる。
異なるエネルギーレベルでの高解像度単色画像は、高解像度物質密度画像からさらに導き出すことができる。したがって、高解像度物質密度画像は、投影ドメインまたは画像ドメインで生成することができる。
図10は、一実施形態による方法500を示すフローチャートである。方法500は、例えば、高解像度物質密度画像データを得る方法であり得る。方法500は、本明細書で説明した様々な実施形態の構造または態様(例えば、システムおよび/または方法)を用いる。様々な実施形態では、ある特定のステップを省略または追加することができ、ある特定のステップを組み合わせることができ、ある特定のステップを同時に実行することができ、ある特定のステップを並行して実行することができ、ある特定のステップを複数のステップに分割することができ、ある特定のステップを異なる順序で実行することができ、あるいはある特定のステップまたは一連のステップを反復的な形式で再実行することができる。方法500は、少なくとも部分的には、少なくとも1つの処理ユニット136(図2)によって実行することができる。
方法500は、502において、取得モードを選択するためにオペレータ入力を受け取ることを含み得る。取得モードは、例えば、高解像度スペクトル撮像モードであり得る。いくつかの実施形態では、オペレータは、より低いエネルギーレベルおよびより高いエネルギーレベルなどの指定されたエネルギーレベルを入力する。任意選択で、オペレータ入力は、1つまたは複数の中間エネルギーレベルを指定することができる。他の実施形態では、オペレータによって選択された取得モードは、エネルギーレベルを自動的に設定または割り当てることができる。
504において、方法500は、スキャンを開始するためにオペレータ入力を受け取ることを含み得る。スキャンは、取得サブシーケンス505を繰り返し実施してもよい。取得サブシーケンス505は、506において、第1の指定されたエネルギーレベルで焦点スポットからX線の第1のビームを放出することと、508において、人を通過した後の第1のビームからのX線を検出することとを含む。510において、焦点スポットを異なる焦点位置(例えば、第2の焦点位置)に移動させることができる。方法500はまた、512において、第2の指定されたエネルギーレベルで焦点スポットからX線の第2のビームを放出することと、514において、人を通過した後の第2のビームからのX線を検出することとを含む。516において、焦点スポットを異なる焦点位置に移動させる(例えば、第1の焦点位置に戻す)ことができる。方法500は、取得サブシーケンス505を数回繰り返すことができる。
したがって、第1および第2のビームの放出は、第1および第2の焦点位置と同期させることができる。特に、焦点スポットが第1の焦点位置にあるときに第1のビームを提供することができ、焦点スポットが第2の焦点位置にあるときに第2のビームを提供することができる。焦点スポットが第1の焦点位置にあり、ビームが第2の指定されたエネルギーレベルを有するとき、CTシステムは減衰データを取得しなくてもよい。焦点スポットが第2の焦点位置にあり、ビームが第1の指定されたエネルギーレベルを有するとき、CTシステムは減衰データを取得しなくてもよい。
しかしながら、他の実施形態では、取得サブシーケンス505は、異なる順序のステップを有してもよい。例えば、サブシーケンスは、各ビューについて取得されたデータが両方のエネルギーレベルを含むように、第2のビームの前に焦点位置を移動させることができる。あるいは、サブシーケンスは、各ビューについて取得されたデータが両方のエネルギーレベルを含み得るように、焦点位置を維持しながらエネルギーレベルを変化させることができる。
518において、データ処理を開始することができる。データ処理は、投影ドメインおよび/または画像ドメインで行われてもよい。520において、上述のようにデータを補間して、欠けているデータ点を埋めてデータセットを完成させることができる。例えば、補間されたデータを使用して、第1の焦点位置のより高いエネルギーのデータセットおよびより低いエネルギーのデータセットを形成することができ、第2の焦点位置のより高いエネルギーのデータセットおよびより低いエネルギーのデータセットを形成することができる。522において、各焦点位置の高エネルギーのデータセットおよび低エネルギーのデータセットを処理して物質密度投影を提供し、524において、これを使用して高解像度物質密度画像データを生成することができる。任意選択で、525において、高解像度物質密度画像データを処理し、異なるエネルギーレベルで高解像度単色画像を生成することができる。
あるいは、ステップ520からのデータセットを使用し、第1および第2の焦点位置の各々についてより高いエネルギーの画像データを生成し、第1および第2の焦点位置の各々についてより低いエネルギーの画像データを生成してもよい。526において、より高いエネルギーのデータおよびより低いエネルギーのデータを再構築し、それぞれより高いエネルギーの高解像度画像データおよびより低いエネルギーの高解像度画像データを提供することができる。527において、ステップ526からの画像データを結合または融合し、高解像度物質密度画像データを生成することができる。任意選択で、528において、高解像度物質密度画像データを処理し、異なるエネルギーレベルで高解像度単色画像を生成することができる。
本明細書で使用する場合、単数形で書かれた要素またはステップおよび単語「1つの(a)」もしくは「1つの(an)」が前に付く要素またはステップは、例外であることが明示されない限り、前記要素またはステップが複数である可能性を除外しないことを理解すべきである。さらに、「一実施形態」という言及は、記載した特徴も組み込む追加の実施形態の存在を除外するものと解釈されることを意図しない。さらに、明示的に反対の記載がない限り、特定の特性を有する要素または複数の要素を「備える(comprising)」、「含む(including)」、または「有する(having)」実施形態は、その特性を有さない追加のそのような要素を含むことができる。
上記の説明は例示するものであって、限定することを意図したものではないことを理解されたい。例えば、上記の実施形態(および/またはその態様)は、互いに組み合わせて使用されてもよい。さらに、本発明の範囲から逸脱することなく、特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために、多くの修正を行うことができる。本明細書で説明した材料の寸法および種類は、本発明のパラメータを定義することを意図するが、それらは、限定するものではなく、例示的な実施形態である。多くの他の実施形態は、上記の説明を検討すると当業者には明らかであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照して、そのような特許請求の範囲が権利を与えられる等価物の全範囲と共に決定されるべきである。添付の特許請求の範囲において、「含む(including)」および「そこにおいて(in which)」という用語は、それぞれ「備える(comprising)」および「そこにおいて(wherein)」という用語の平易な英語に相当するものとして使用される。さらに、以下の特許請求の範囲において、「第1の」、「第2の」、および「第3の」などの用語は、単にラベルとして使用されており、それらの対象物に対して数の要件を課すことを意図するものではない。さらに、以下の特許請求の範囲の限定は、そのような特許請求の範囲の限定が「のための手段(means for)」の後にさらなる構造のない機能についての記載が続く語句を明白に使用しない限り、そしてそうするまでは、ミーンズプラスファンクション形式で書かれたものではなく、米国特許法第112条(f)に基づいて解釈されることを意図するものではない。
本明細書は、最良の様式を含む本発明を開示するため、およびどのような当業者も、任意のデバイスまたはシステムの作製および使用ならびに任意の組み込まれた方法の実行を含む本発明の実践を可能にするために、実施例を使用している。本発明の特許可能な範囲は、特許請求の範囲によって定義され、当業者が想到する他の実施例を含むことができる。そのような他の実施例は、それらが特許請求の範囲の文言から相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文言から実質的には相違しない同等の構造要素を含む場合、特許請求の範囲の技術的範囲に包含される。
[実施態様1]
異なる動作電圧で電力システム(250)によって電力供給されるように構成され、焦点スポット(225、330、332、FS)から物体(125)に向かってX線(116)のビーム(215)を放出するように動作可能であり、前記焦点スポット(225、330、332、FS)のスポット位置(SP)を移動させるように動作可能であるX線源(114、214、252、314)と、
前記物体(125)によって減衰された前記X線(116)を検出するように構成された検出器アセンブリ(118)と、
メモリ(138)に記憶されたプログラム化命令を実施するように構成され、前記プログラム化命令を実施している間、異なるエネルギーレベルで前記X線(116)の異なるビーム(215)を放出し、前記異なるエネルギーレベルで放出された前記X線(116)の検出を表すデータを前記検出器アセンブリ(118)から受け取るように前記X線源(114、214、252、314)に指示するように構成される少なくとも1つの処理ユニット(136)と
を備え、
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)はまた、前記ビーム(215)が前記異なるエネルギーレベルで放出されている間は前記焦点スポット(225、330、332、FS)が異なるスポット位置(SP)にあるように、異なるスポット位置(SP)の間で前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させるように前記X線源(114、214、252、314)に指示するように構成される、コンピュータ断層撮影(CT)撮像システム(100)。
[実施態様2]
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、繰り返して、
第1のスポット位置(SP)からより高いエネルギーレベルで第1のビーム(215)を放出し、
前記第1のスポット位置(SP)から前記第1のビーム(215)を放出した後に前記焦点スポット(225、330、332、FS)を第2のスポット位置(SP)に向かって移動させ、
前記第2のスポット位置(SP)からより低いエネルギーレベルで第2のビーム(215)を放出し、かつ
前記第2のスポット位置(SP)から前記第2のビーム(215)を放出した後に前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記第1のスポット位置(SP)に向かって移動させる
ように前記X線源(114、214、252、314)に指示するように構成される、実施態様1に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様3]
前記ビーム(215)が、Z軸に垂直なXY平面に沿って放出され、前記X線源(114、214、252、314)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記Z軸に対しておよび前記XY平面に対して移動させる、実施態様1に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様4]
前記X線源(114、214、252、314)が、前記X線(116)の前記ビーム(215)が電極(228、229)の間を通過するように、離間して配置される前記電極(228、229)を含み、前記電極(228、229)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記スポット位置(SP)を移動させるために前記電極(228、229)の間の電場の強さを調整するように動作可能である、実施態様1に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様5]
前記電極(228、229)が、前記スポット位置(SP)を第1および第2のスポット位置(SP)の間で移動させるように構成され、前記電場が、前記異なるビーム(215)を異なる量だけ偏向させるように動作可能である、実施態様4に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様6]
前記X線源(114、214、252、314)が、磁場を生成するように構成された電磁石(326)を含み、前記電磁石(326)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記スポット位置(SP)を移動させるために前記磁場の強さを調整するように動作可能である、実施態様1に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様7]
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)が第1のスポット位置(SP)にある間に前記検出器アセンブリ(118)からより高いエネルギーのデータを受け取るように構成され、前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)が第2のスポット位置(SP)にある間により低いエネルギーのデータを受け取るように構成され、前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記第2のスポット位置(SP)における前記より高いエネルギーのデータおよび前記第1のスポット位置(SP)における前記より低いエネルギーのデータを補間するように構成される、実施態様1に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様8]
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、(a)物質分解プロセスならびに(b)前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第1のスポット位置(SP)の前記より低いエネルギーのデータおよび前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第1のスポット位置(SP)の前記より高いエネルギーのデータを使用して、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第1のスポット位置(SP)について2つの異なる物質の物質密度投影を生成するように構成され、
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、(a)前記物質分解プロセスならびに(b)前記第2のスポット位置(SP)の前記より低いエネルギーのデータおよび前記第2のスポット位置(SP)の前記より高いエネルギーのデータを使用して、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第2のスポット位置(SP)について前記2つの異なる物質の物質密度投影を生成するように構成され、
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記第1および第2のスポット位置(SP)からの前記2つの異なる物質の前記物質密度投影を使用して高解像度物質密度画像を再構築するように構成される、実施態様7に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様9]
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記第1のスポット位置(SP)の前記より高いエネルギーのデータおよび前記第2のスポット位置(SP)の前記より高いエネルギーのデータを使用してより高いエネルギーの高解像度画像を生成するように構成され、
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記第1のスポット位置(SP)の前記より低いエネルギーのデータおよび前記第2のスポット位置(SP)の前記より低いエネルギーのデータを使用してより低いエネルギーの高解像度画像を生成するように構成され、
前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記より高いエネルギーおよびより低いエネルギーの高解像度画像を使用して高解像度物質密度画像を再構築するように構成される、実施態様7に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様10]
異なるエネルギーレベルでX線(116)の異なるビーム(215)を放出するようにX線源(114、214、252、314)に指示することと、
前記ビーム(215)が前記異なるエネルギーレベルで放出されている間は焦点スポット(225、330、332、FS)が異なるスポット位置(SP)にあるように、異なるスポット位置(SP)の間で前記X線源(114、214、252、314)の前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させるように前記X線源(114、214、252、314)に指示することと、
前記異なるエネルギーレベルで放出された前記X線(116)の検出を表すデータを受け取ることと
を含む、方法(500)。
[実施態様11]
前記異なるビーム(215)を放出して前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させるように前記X線源(114、214、252、314)に指示することが、繰り返して、
前記焦点スポット(225、330、332、FS)が前記第1のスポット位置(SP)にある間に第1のエネルギーレベルで第1のビーム(215)を放出し、
前記焦点スポット(225、330、332、FS)を異なる第2のスポット位置(SP)に向かって移動させ、
前記焦点スポット(225、330、332、FS)が前記第2のスポット位置(SP)にある間に異なる第2のエネルギーレベルを有する第2のビーム(215)を放出し、かつ
前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記第1のスポット位置(SP)に向かって移動させる
ように前記X線源(114、214、252、314)に指示することを含む、実施態様10に記載の方法(500)。
[実施態様12]
前記ビーム(215)が、Z軸に垂直なXY平面に沿って放出され、前記X線源(114、214、252、314)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記異なるスポット位置(SP)の間で移動させながら前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記Z軸に対しておよび前記XY平面に対して移動させる、実施態様10に記載の方法(500)。
[実施態様13]
前記X線源(114、214、252、314)が、前記X線(116)の前記ビーム(215)が電極(228、229)の間を通過するように、離間して配置される前記電極(228、229)を含み、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させることが、前記電極(228、229)の間の電場の強さを調整することを含む、実施態様10に記載の方法(500)。
[実施態様14]
前記電場の前記強さを調整することが、前記異なるビーム(215)を異なる量だけ偏向させる、実施態様13に記載の方法(500)。
[実施態様15]
前記X線源(114、214、252、314)が、磁場を生成するように構成された電磁石(326)を含み、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させることが、前記電磁石(326)の前記磁場の強さを調整することを含む、実施態様10に記載の方法(500)。
[実施態様16]
前記X線(116)を検出することが、より高いエネルギーのデータを検出することと、より低いエネルギーのデータを検出することとを含み、前記方法(500)が、前記より高いエネルギーのデータを補間することと、前記より低いエネルギーのデータを補間することとをさらに含む、実施態様10に記載の方法(500)。
[実施態様17]
異なる動作電圧で電力システム(250)によって電力供給されるように構成され、焦点スポット(225、330、332、FS)から物体(125)に向かってX線(116)のビーム(215)を放出するように動作可能であり、前記焦点スポット(225、330、332、FS)のスポット位置(SP)を移動させるように動作可能であるX線源(114、214、252、314)と、
前記物体(125)によって減衰された前記X線(116)を検出するように構成された検出器アセンブリ(118)と、
メモリ(138)に記憶されたプログラム化命令を実施するように構成された少なくとも1つの処理ユニット(136)とを備え、前記少なくとも1つの処理ユニット(136)は、前記プログラム化命令を実施している間、繰り返して、
第1のスポット位置(SP)からより高いエネルギーレベルで第1のビーム(215)を放出し、
前記第1のスポット位置(SP)から前記第1のビーム(215)を放出した後に前記焦点スポット(225、330、332、FS)を第2のスポット位置(SP)に向かって移動させ、
前記第2のスポット位置(SP)からより低いエネルギーレベルで第2のビーム(215)を放出し、かつ
前記第2のスポット位置(SP)から前記第2のビーム(215)を放出した後に前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記第1のスポット位置(SP)に向かって移動させる
ように前記X線源(114、214、252、314)に指示するように構成される、コンピュータ断層撮影(CT)撮像システム(100)。
[実施態様18]
前記ビーム(215)が、Z軸に垂直なXY平面に沿って放出され、前記X線源(114、214、252、314)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記Z軸に対しておよび前記XY平面に対して移動させる、実施態様17に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様19]
前記X線源(114、214、252、314)が、前記X線(116)の前記ビーム(215)が電極(228、229)の間を通過するように、離間して配置される前記電極(228、229)を含み、前記電極(228、229)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記スポット位置(SP)を移動させるために電場の強さを調整するように動作可能である、実施態様17に記載のCT撮像システム(100)。
[実施態様20]
前記検出器アセンブリ(118)が、複数の検出器画素要素を含み、前記複数の各検出器画素要素が、より高いエネルギーレベルで放出された前記X線(116)およびより低いエネルギーレベルで放出された前記X線(116)を検出する、実施態様17に記載のCT撮像システム(100)。
100 コンピュータ断層撮影(CT)撮像システム
112 ガントリ
113 偏向制御モジュール
114 X線源
115 発電機
116 X線
117 レール
118 検出器アセンブリ
119 コリメートプレート
120 検出器セル/モジュール
124 回転中心/回転軸
125 物体/人/本体
128 X線コントローラ
130 ガントリモータコントローラ
132 データ取得システム(DAS)
134 画像再構築器
136 コンピューティングシステム/処理ユニット
138 メモリ/記憶デバイス
140 オペレータコンソール
142 ディスプレイ
144 テーブルモータコントローラ
145 医用画像管理システム(PACS)
146 電動テーブル
206 アノード
210 カソード
214 X線源
215 ビーム
220 フィラメント
224 斜面
225 焦点スポット
226 基部
228 偏向電極
229 偏向電極
230 経路
232 第2の経路
234 第1の焦点位置
235 距離
236 第2の焦点位置
240 偏向制御モジュール
250 電力システム
252 X線源/X線管
254 電圧源
256 インターポーザ回路
260 ケーブル配線
262 偏向制御モジュール
314 X線源
316 真空チャンバ/フレーム
318 カソードアセンブリ
320 ターゲット/回転アノード
322 電子ビーム
324 表面
326 電磁石アセンブリ
330 一対の焦点スポット/位置
332 一対の焦点スポット/位置
334 偏向制御モジュール
400 グラフ
410 グラフ
420 行
500 方法
502 ステップ
504 ステップ
505 取得サブシーケンス
506 ステップ
508 ステップ
510 ステップ
512 ステップ
514 ステップ
516 ステップ
518 ステップ
520 ステップ
522 ステップ
524 ステップ
525 ステップ
526 ステップ
527 ステップ
528 ステップ
L 長さ
X 軸
Y 軸
Z 軸
pt1 第1の焦点位置
pt2 第2の焦点位置
FS 焦点スポット
HE 高エネルギー
LE 低エネルギー
XY 平面
SP スポット位置
SP スポット位置
SP スポット位置
SP スポット位置

Claims (12)

  1. 異なる動作電圧で電力システム(250)によって電力供給されるように構成され、焦点スポット(225、330、332、FS)から物体(125)に向かってX線(116)のビーム(215)を放出するように動作可能であり、前記焦点スポット(225、330、332、FS)のスポット位置(SP)を移動させるように動作可能であるX線源(114、214、252、314)と、
    前記物体(125)によって減衰された前記X線(116)を検出するように構成された検出器アセンブリ(118)と、
    メモリ(138)に記憶されたプログラム化命令を実施するように構成された少なくとも1つの処理ユニット(136)であって、前記プログラム化命令を実施している間、
    異なるエネルギーレベルで前記X線(116)の異なるビーム(215)を放出し、前記異なるエネルギーレベルで放出された前記X線(116)の検出を表すデータを前記検出器アセンブリ(118)から受け取るように前記X線源(114、214、252、314)に指示すること
    記ビーム(215)が前記異なるエネルギーレベルで放出されている間は前記焦点スポット(225、330、332、FS)が異なるスポット位置(SP)にあるように、異なるスポット位置(SP)の間で前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させるように前記X線源(114、214、252、314)に指示すること、
    前記焦点スポットが第1のスポット位置にあるときは前記検出器アセンブリから高エネルギーデータを受け取り、前記焦点スポットが第2のスポット位置にあるときは低エネルギーデータを受け取ること、
    前記第2のスポット位置における高エネルギーデータと、前記第1のスポット位置における低エネルギーデータとを補間すること、
    前記第1のスポット位置の高エネルギーデータと、前記第2のスポット位置の高エネルギーデータとを用いて、高エネルギー高解像度画像を生成すること、
    前記第1のスポット位置の低エネルギーデータと、前記第2のスポット位置の低エネルギーデータとを用いて、低エネルギー高解像度画像を生成すること、
    前記高エネルギー高解像度画像と前記低エネルギー高解像度画像とを用いて、高解像度物質密度画像を再構成すること、
    を実行するように構成される少なくとも1つの処理ユニット(136)とを含む、コンピュータ断層撮影(CT)撮像システム(100)。
  2. 前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、繰り返して、
    第1のスポット位置(SP)からより高いエネルギーレベルで第1のビーム(215)を放出し、
    前記第1のスポット位置(SP)から前記第1のビーム(215)を放出した後に前記焦点スポット(225、330、332、FS)を第2のスポット位置(SP)に向かって移動させ、
    前記第2のスポット位置(SP)からより低いエネルギーレベルで第2のビーム(215)を放出し、かつ
    前記第2のスポット位置(SP)から前記第2のビーム(215)を放出した後に前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記第1のスポット位置(SP)に向かって移動させる
    ように前記X線源(114、214、252、314)に指示するように構成される、請求項1に記載のCT撮像システム(100)。
  3. 前記ビーム(215)が、Z軸に垂直なXY平面に沿って放出され、前記X線源(114、214、252、314)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記Z軸に対しておよび前記XY平面に対して移動させる、請求項1に記載のCT撮像システム(100)。
  4. 前記X線源(114、214、252、314)が、電子ビーム(215)が電極(228、229)の間を通過するように、離間して配置される前記電極(228、229)を含み、前記電極(228、229)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記スポット位置(SP)を移動させるために前記電極(228、229)の間の電場の強さを調整するように動作可能である、請求項1に記載のCT撮像システム(100)。
  5. 前記電極(228、229)が、前記スポット位置(SP)を第1および第2のスポット位置(SP)の間で移動させるように構成され、前記電場が、前記異なるビーム(215)を異なる量だけ偏向させるように動作可能である、請求項4に記載のCT撮像システム(100)。
  6. 前記X線源(114、214、252、314)が、磁場を生成するように構成された電磁石(326)を含み、前記電磁石(326)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記スポット位置(SP)を移動させるために前記磁場の強さを調整するように動作可能である、請求項1に記載のCT撮像システム(100)。
  7. 前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、(a)物質分解プロセスならびに(b)前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第1のスポット位置(SP)の前記より低いエネルギーのデータおよび前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第1のスポット位置(SP)の前記より高いエネルギーのデータを使用して、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第1のスポット位置(SP)について2つの異なる物質の物質密度投影を生成するように構成され、
    前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、(a)前記物質分解プロセスならびに(b)前記第2のスポット位置(SP)の前記より低いエネルギーのデータおよび前記第2のスポット位置(SP)の前記より高いエネルギーのデータを使用して、前記焦点スポット(225、330、332、FS)の前記第2のスポット位置(SP)について前記2つの異なる物質の物質密度投影を生成するように構成され、
    前記少なくとも1つの処理ユニット(136)が、前記第1および第2のスポット位置(SP)からの前記2つの異なる物質の前記物質密度投影を使用して高解像度物質密度画像を再構築するように構成される、請求項に記載のCT撮像システム(100)。
  8. 異なるエネルギーレベルでX線(116)の異なるビーム(215)を放出するようにX線源(114、214、252、314)に指示することと、
    前記ビーム(215)が前記異なるエネルギーレベルで放出されている間は焦点スポット(225、330、332、FS)が異なるスポット位置(SP)にあるように、異なるスポット位置(SP)の間で前記X線源(114、214、252、314)の前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させるように前記X線源(114、214、252、314)に指示することと、
    含む方法であって
    前記異なるエネルギーレベルでX線(116)の異なるビーム(215)を放出するようにX線源(114、214、252、314)に指示すること、および前記X線源(114、214、252、314)の前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させるように前記X線源(114、214、252、314)に指示することが、
    前記焦点スポット(225、330、332、FS)が前記第1のスポット位置(SP)にある間に高エネルギーレベルにおける第1のビーム(215)を放出し、
    前記焦点スポット(225、330、332、FS)を異なる第2のスポット位置(SP)に向かって移動させ、
    前記焦点スポット(225、330、332、FS)が前記第2のスポット位置(SP)にある間に低エネルギーレベルの第2のビーム(215)を放出し、
    前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記第1のスポット位置(SP)に向かって移動させることが繰り返し実行されるように、前記X線源に指示することを含み、
    前記方法が更に、
    前記焦点スポットが第1のスポット位置にあるときは高エネルギーデータを受け取り、前記焦点スポットが第2のスポット位置にあるときは低エネルギーデータを受け取ること、
    前記第2のスポット位置における高エネルギーデータと、前記第1のスポット位置における低エネルギーデータとを補間すること、
    前記第1のスポット位置の高エネルギーデータと、前記第2のスポット位置の高エネルギーデータとを用いて、高エネルギー高解像度画像を生成すること、
    前記第1のスポット位置の低エネルギーデータと、前記第2のスポット位置の低エネルギーデータとを用いて、低エネルギー高解像度画像を生成すること、
    前記高エネルギー高解像度画像と前記低エネルギー高解像度画像とを用いて、高解像度物質密度画像を再構成すること、
    を含む、方法(500)。
  9. 前記ビーム(215)が、Z軸に垂直なXY平面に沿って放出され、前記X線源(114、214、252、314)が、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記異なるスポット位置(SP)の間で移動させながら前記焦点スポット(225、330、332、FS)を前記Z軸に対しておよび前記XY平面に対して移動させる、請求項に記載の方法(500)。
  10. 前記X線源(114、214、252、314)が、電子ビーム(215)が電極(228、229)の間を通過するように、離間して配置される前記電極(228、229)を含み、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させることが、前記電極(228、229)の間の電場の強さを調整することを含む、請求項に記載の方法(500)。
  11. 前記電場の前記強さを調整することが、前記異なるビーム(215)を異なる量だけ偏向させる、請求項10に記載の方法(500)。
  12. 前記X線源(114、214、252、314)が、磁場を生成するように構成された電磁石(326)を含み、前記焦点スポット(225、330、332、FS)を移動させることが、前記電磁石(326)の前記磁場の強さを調整することを含む、請求項に記載の方法(500)。
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