JPH0414091A - Active matrix type display device and its control method - Google Patents

Active matrix type display device and its control method

Info

Publication number
JPH0414091A
JPH0414091A JP2118346A JP11834690A JPH0414091A JP H0414091 A JPH0414091 A JP H0414091A JP 2118346 A JP2118346 A JP 2118346A JP 11834690 A JP11834690 A JP 11834690A JP H0414091 A JPH0414091 A JP H0414091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
voltage
switching elements
electrode
crystal cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2118346A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2637835B2 (en
Inventor
Kenichi Oki
沖 賢一
Tetsuya Hamada
哲也 濱田
Kazuhiro Takahara
高原 和博
▲やな▼井 健一
Kenichi Yanai
Yasuyoshi Mishima
康由 三島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP11834690A priority Critical patent/JP2637835B2/en
Priority to DE69112698T priority patent/DE69112698T2/en
Priority to EP91304088A priority patent/EP0456453B1/en
Priority to KR1019910007376A priority patent/KR940005240B1/en
Publication of JPH0414091A publication Critical patent/JPH0414091A/en
Priority to US08/203,293 priority patent/US5432527A/en
Priority to US08/455,726 priority patent/US5515072A/en
Priority to US08/789,688 priority patent/US6011532A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2637835B2 publication Critical patent/JP2637835B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent a DC component from being caused in an AC voltage impressed on a display cell by the parasitic capacity of a switching element by connecting plural switching elements having different acting polarities to respective picture element electrodes and independently impressing a control voltage for every kind. CONSTITUTION:Shift voltages DELTAVlcN and DELTAVlcP after writing a signal voltage in a liquid crystal cell 17 through N channel type and P channel type TFTs (switching elements) 14 and 15 are expressed by formulas I and II. Provided that Clc means the capacity of the liquid crystal cell, Cgsn and Cgsp mean the capacity between the gate and the source of the N type and p type TFTs 14 and 15 including the parasitic capacity between a scanning bus line 11 and the picture element electrode 21, and DELTAVgn and DELTAVgp mean the modulation width of a gate voltage after addressing the N type and p type TFTs. By making the absolute values of DELTAVlcn and DELTAVlcP obtained from the formulas I and II equal, they are mutually negated to make DELTAVlc zero, so that the Dc component in the AC voltage impressed on the liquid crystal cell is prevented from occurring.

Description

【発明の詳細な説明】 (概 要〕 アクティブマトリクス型表示装置及びその制御方法に関
し、 TPTなどスイッチング素子の寄生容量に起因するシフ
ト電圧の発生を防止し、表示セルに印加される交流電圧
中の直流成分の発生を防止することのできるアクティブ
マトリクス型表示装置及びその制御方法を提供すること
を目的とし、互いに直交する方向に延びる複数のスキャ
ンバスライン及びデータバスラインと、マトリクス状に
配置された画素電極及び電気光学素子によって形成され
る複数の表示セルと、前記各表示セルを制御するための
スイッチング素子とを有してなるアクティブマトリクス
型表示装置であって、前記スイッチング素子は、制御電
極に正方向の電圧を印加することによって導通状態とな
るスイッチング素子と、制御電極に負方向の電圧を印加
することによって導通状態となるスイッチング素子との
2種類からなり、前記各画素電極には、前記2種類のス
イッチング素子を含む複数のスイッチング素子が接続さ
れ、前記各画素電極に接続された複数のスイッチング素
子は、その種類毎に独立して制御電圧の印加が可能に構
成される。
[Detailed Description of the Invention] (Summary) This invention relates to an active matrix display device and its control method, which prevents the generation of shift voltage caused by the parasitic capacitance of switching elements such as TPT, and reduces the amount of alternating current voltage applied to display cells. The purpose of the present invention is to provide an active matrix type display device that can prevent the generation of direct current components and a control method thereof. An active matrix display device comprising a plurality of display cells formed by pixel electrodes and electro-optic elements, and a switching element for controlling each of the display cells, wherein the switching element is connected to a control electrode. There are two types of switching elements: a switching element that becomes conductive when a positive voltage is applied, and a switching element that becomes conductive when a negative voltage is applied to the control electrode. A plurality of switching elements including two types of switching elements are connected, and a control voltage can be applied independently to each type of the plurality of switching elements connected to each of the pixel electrodes.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、アクティブマトリクス型表示装置及びその制
御方法に関する。
The present invention relates to an active matrix display device and a control method thereof.

アクティブマトリクス型表示装置は、単純マトリクス型
表示装置とともに薄形の情報端末用表示装置として使用
されており、その表示媒体として多くの場合に液晶が用
いられている。
Active matrix display devices, along with simple matrix display devices, are used as thin display devices for information terminals, and liquid crystals are often used as the display medium.

アクティブマトリクス型液晶表示装置(以下「アクティ
ブ型液晶パネル」ということがある)は、多数の画素を
それぞれ独立に駆動することができるため、表示容量の
増大にともなってライン数が増加した場合であっても、
単純マトリクス型のように駆動のデユーティ比やコント
ラストが低下したり視野角の減少をきたすなどの問題が
生じない。
Active matrix liquid crystal display devices (hereinafter sometimes referred to as "active liquid crystal panels") can drive a large number of pixels independently. Even though
Unlike the simple matrix type, there are no problems such as a reduction in driving duty ratio or contrast, or a reduction in viewing angle.

そのため、近年においては、携帯用テレビジョンなどの
ように高い解像度が必要な表示装置への普及がめざまし
く、表示品質の一層の向上が期待されている。
Therefore, in recent years, display devices that require high resolution, such as portable televisions, have become increasingly popular, and further improvements in display quality are expected.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第9図は従来の一般的なアクティブ型液晶パネル50の
等価回路図である。
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a conventional general active type liquid crystal panel 50.

アクティブ型液晶パネル50は、マトリクス状に配置さ
れた各画素毎に、液晶セル17、及び液晶セル17を駆
動するためのTPT (薄膜トランジスタ)51が設け
られており、各TFT51のゲート電極61はスキャン
バスライン11に、ドレン電極62はデータバスライン
13に、ソース電極63は液晶セル17の画素電極21
に、それぞれ接続されている。
The active liquid crystal panel 50 is provided with a liquid crystal cell 17 and a TPT (thin film transistor) 51 for driving the liquid crystal cell 17 for each pixel arranged in a matrix, and a gate electrode 61 of each TFT 51 is connected to a scanning electrode. The drain electrode 62 is connected to the bus line 11, the drain electrode 62 is connected to the data bus line 13, and the source electrode 63 is connected to the pixel electrode 21 of the liquid crystal cell 17.
are connected to each other.

TPT51のゲート電極61には、パルス幅が30〜6
0μs程度のパルス信号であるアドレス信号Sllが、
スキャンバスライン11を通じて一定の周期で印加され
、そのタイミングで、データ信号S12がデータバスラ
イン13を通じて画素電極21に印加され、これによっ
て液晶セル17に表示データが書き込まれる。
The gate electrode 61 of the TPT 51 has a pulse width of 30 to 6
The address signal Sll, which is a pulse signal of approximately 0 μs, is
The data signal S12 is applied at a constant cycle through the scan bus line 11, and at that timing, the data signal S12 is applied to the pixel electrode 21 through the data bus line 13, thereby writing display data into the liquid crystal cell 17.

アドレス信号Sllがオフの間においては、データバス
ライン13から液晶セル17が切り離されるが、アドレ
ス信号Sllがオンの間に書き込まれたデータ信号51
2による電荷が液晶セル17の静電容量(液晶セル容量
)Cj!cによって蓄積されるため、次のアドレス信号
Sllが入力されるまでその表示状態が維持される。
While the address signal Sll is off, the liquid crystal cell 17 is disconnected from the data bus line 13, but the data signal 51 written while the address signal Sll is on
2 is the electrostatic capacitance of the liquid crystal cell 17 (liquid crystal cell capacitance) Cj! c, the display state is maintained until the next address signal Sll is input.

しかし、TPT51には、ゲート電極61及びスキャン
バスライン11とソース電極63との間に寄生容量(ゲ
ート・ソース間容量)Cgsが存在するため、アドレス
信号Sllの立ち下がり時の電圧変化がこの寄生容量C
gsを通して液晶セル17の画素電極21に現れ、これ
によって画素電極21の電圧(液晶セル電圧)Vj!c
が負の方向ヘシフトする。
However, in the TPT 51, since a parasitic capacitance (gate-source capacitance) Cgs exists between the gate electrode 61 and the scan canvas line 11 and the source electrode 63, the voltage change at the fall of the address signal Sll is caused by this parasitic capacitance. Capacity C
appears at the pixel electrode 21 of the liquid crystal cell 17 through gs, thereby causing the voltage of the pixel electrode 21 (liquid crystal cell voltage) Vj! c.
shifts in the negative direction.

液晶セル電圧VIlcのシフト量、すなわちシフト電圧
ΔVlcは、 ΔVfc= (CgsXΔve) + (C/!c+Cgs)  −−(1)で示される。
The amount of shift of the liquid crystal cell voltage VIlc, that is, the shift voltage ΔVlc is expressed as ΔVfc=(CgsXΔve)+(C/!c+Cgs)−(1).

ここで、Δ■。はアドレス信号S11の振幅(電圧)で
ある。
Here, Δ■. is the amplitude (voltage) of the address signal S11.

このシフト電圧ΔVfficによって、データ信号S1
2として1フレーム毎に極性が正負対称となる交流電圧
を用いた場合であっても、液晶セル17に印加される実
効電圧が正負対称とならず、直流成分が発生することと
なる。
By this shift voltage ΔVffic, the data signal S1
2, even when using an AC voltage whose polarity is symmetrical in positive and negative for each frame, the effective voltage applied to the liquid crystal cell 17 is not symmetrical in positive and negative, and a DC component is generated.

このような直流成分は、フリッカ−や静止画の残像現象
を発生させるなど表示品質を低下させ、またアクティブ
型液晶パネル50の寿命を低下させてしまう。
Such a direct current component degrades display quality by causing flicker and afterimage phenomena of still images, and also shortens the life of the active liquid crystal panel 50.

これの対策として、例えば液晶セル17の対向電極(共
通電極)22にバイアス電圧を印加し、液晶セル17の
実効電圧が正負のフレームで互いに対称となるよう補正
することによって、直流成分を減少させることが可能で
ある。
As a countermeasure for this, for example, by applying a bias voltage to the counter electrode (common electrode) 22 of the liquid crystal cell 17 and correcting it so that the effective voltage of the liquid crystal cell 17 becomes symmetrical in positive and negative frames, the DC component is reduced. Is possible.

また他の対策として、1つの画素電極についてコンプリ
メンタリな2個のTPTを用い、これらTPTの各ゲー
ト電極に対して、1フレーム毎に逆極性のアドレス信号
を交互に印加し、液晶セルに印加される電圧が全体とし
て正負対称となるようにしたアクティブ型液晶パネルが
提案されている(特開昭53−144297号)。
As another countermeasure, two complementary TPTs are used for one pixel electrode, and an address signal of opposite polarity is alternately applied every frame to each gate electrode of these TPTs, thereby reducing the voltage applied to the liquid crystal cell. An active type liquid crystal panel has been proposed (Japanese Patent Application Laid-open No. 144297/1983) in which the voltages applied are symmetrical in positive and negative directions as a whole.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、前者においては、液晶セル容量Cfcに
は液晶セル17の誘電異方性による電圧依存性があるた
め、液晶セル17の表示状態によってシフト電圧Δ■E
Cが変動し、対向電橋22にバイアス電圧を印加するこ
とのみでは直流成分をある程度以上除去することができ
ないという問題がある。
However, in the former case, since the liquid crystal cell capacitance Cfc has voltage dependence due to the dielectric anisotropy of the liquid crystal cell 17, the shift voltage Δ■E depends on the display state of the liquid crystal cell 17.
There is a problem in that C varies and the direct current component cannot be removed to a certain extent just by applying a bias voltage to the opposing electric bridge 22.

また後者においては、1フレーム毎に逆極性のアドレス
信号をゲート電極に印加し、全体としてはシフト電圧Δ
■1Cが正負でキャンセルされてほぼ対称となるが、各
フレーム毎に見ると、シフト電圧Δ■i!、Cによる直
流成分は依然として発生している。
In the latter case, an address signal of opposite polarity is applied to the gate electrode every frame, and the overall shift voltage Δ
■1C is canceled by positive and negative, making it almost symmetrical, but if you look at each frame, the shift voltage Δ■i! , C still occurs.

したがって、この直流成分によって、各フレームについ
ての画像濃度が変化してしまうこととなり、画像再生の
忠実度が低下するという問題がある。
Therefore, this direct current component causes the image density of each frame to change, resulting in a problem of lowering the fidelity of image reproduction.

さらに、例えば動画のように1フレーム毎にデータ信号
S12が変化する場合には、全体としても直流成分を完
全に除去することができないという問題がある。
Furthermore, when the data signal S12 changes every frame, as in the case of a moving image, for example, there is a problem that the DC component cannot be completely removed as a whole.

本発明は、上述の問題に鑑み、TFTなどスイッチング
素子の寄生容量に起因するシフト電圧の発生を防止し、
表示セルに印加される交流電圧中の直流成分の発生を防
止することのできるアクティブマトリクス型表示装!及
びその制御方法を提供することを目的としている。
In view of the above-mentioned problems, the present invention prevents the generation of shift voltage caused by the parasitic capacitance of switching elements such as TFTs, and
An active matrix display device that can prevent the generation of DC components in the AC voltage applied to display cells! The purpose of this invention is to provide a method for controlling the same.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

請求項1の発明に係る表示装置は、上述の課題を解決す
るため、第1図〜第8図に示すように、スイッチング素
子14.15として、制御電極3Iに正方向の電圧を印
加することによって導通状態となるスイッチング素子1
4と、制御電極31に負方向の電圧を印加することによ
って導通状態となるスイッチング素子15との2種類が
用いられ、各画素電極21には、前記2種類のスイッチ
ング素子を含む複数のスイッチング素子14.15が接
続され、前記各画素電極21に接続された複数のスイッ
チング素子14.15は、その種類毎に独立して制御電
圧Slの印加が可能に構成されてなる。
In order to solve the above-mentioned problem, the display device according to the invention of claim 1 applies a voltage in the positive direction to the control electrode 3I as the switching element 14, 15, as shown in FIGS. 1 to 8. Switching element 1 becomes conductive due to
4 and a switching element 15 that becomes conductive by applying a negative voltage to the control electrode 31. Each pixel electrode 21 has a plurality of switching elements including the above two types of switching elements. The plurality of switching elements 14.15 connected to each pixel electrode 21 are configured such that a control voltage Sl can be applied independently to each type of switching element 14.15.

請求項2の発明に係る表示装置は、各画素電極21に接
続された2種類のスイッチング素子1415が、その各
制御電極31が互いに独立したスキャンバスラインSN
とSP、Snと5nl−ISn−1とSnに接続されて
なる。
In the display device according to the invention of claim 2, the two types of switching elements 1415 connected to each pixel electrode 21 are scanned line SN in which each control electrode 31 is independent from each other.
and SP, Sn and 5nl-ISn-1 and Sn are connected.

請求項3の発明に係る表示装置は、1つのスキャンバス
ライン11に、当該スキャンバスライン11を挟んで配
置された2個の画素1t8i21に接続された互いに種
類の異なるスイッチング素子14.15の制′a電極3
1が接続されてなる。
In the display device according to the third aspect of the invention, switching elements 14 and 15 of different types connected to one scan canvas line 11 and two pixels 1t8i21 arranged with the scan canvas line 11 in between are controlled. 'a electrode 3
1 is connected.

請求項4の発明に係る制御方法は、前記各画素電極21
に接続された2種類のスイッチング素子14.15の各
制御電極31に、互いに逆極性のパルス信号+VGN、
   VGPを同時に印加して同時に導通させる。
In the control method according to the invention of claim 4, each of the pixel electrodes 21
Pulse signals +VGN, with opposite polarities to each control electrode 31 of two types of switching elements 14 and 15 connected to
Apply VGP at the same time to make them conductive at the same time.

請求項5の発明に係る制御方法は、前記スキャンバスラ
イン11に、互いに逆極性の連続する2つのパルス信号
子VG N + −VG Pを印加し、前記各画素電極
21に接続された2種類のスイッチング素子14.15
を同時に導通させる。
In the control method according to the invention of claim 5, two consecutive pulse signal elements VG N + -VG P having mutually opposite polarities are applied to the scan canvas line 11, and two types of pulse signal elements VG N + -VG P connected to each of the pixel electrodes 21 are applied. Switching element 14.15
conduct at the same time.

請求項6の発明に係る制御方法は、1つの表示セル17
にNチャネル型のスイッチング素子14とPチャネル型
のスイッチング素子15とを接続し、これらのスイッチ
ング素子14.15に互いに逆極性のパルス信号+■い
+   ” G Pを同時に印加し、前記表示セル17
を2つのスイッチング素子14.15によって同時に駆
動する。
In the control method according to the invention of claim 6, one display cell 17
An N-channel switching element 14 and a P-channel switching element 15 are connected to the switching elements 14 and 15, and pulse signals of opposite polarity to each other are simultaneously applied to the display cell. 17
are simultaneously driven by two switching elements 14 and 15.

〔作 用] 次に、スイッチング素子14.15としてTPTを、電
気光学素子として液晶を用いた場合について、特に第1
図を参照してシフト電圧ΔVj2cの状態を中心にその
作用を説明する。
[Function] Next, regarding the case where TPT is used as the switching element 14.15 and liquid crystal is used as the electro-optical element, especially the first
The operation will be explained focusing on the state of shift voltage ΔVj2c with reference to the figure.

Nチャネル型のTFTl 4を通じて液晶セル17に信
号電圧(表示データ)を書き込んだ後のシフト電圧ΔV
j!c、は、上述の(1)式に基づいて、ΔVI!cN
 = (−CgsnXΔVGN)+  (C1c+Cg
 s n+Cg s p)・・・・・・(2) ここで、Cff1cは液晶セル容量、Cgsnはスキャ
ンバスライン11と画素電極21との間の寄生容量を含
むNチャネル型のTFT14のゲート・ソース間容量、
Cgspは同じくPチャネル型のTFT15のゲート・
ソース間容量、ΔVGNはNチャネル型のTFT14の
アドレス後のゲート電圧変化幅である。
Shift voltage ΔV after writing the signal voltage (display data) to the liquid crystal cell 17 through the N-channel TFT 4
j! c, is ΔVI! based on the above equation (1). cN
= (-CgsnXΔVGN)+ (C1c+Cg
s n + Cg s p) (2) Here, Cff1c is the liquid crystal cell capacitance, and Cgsn is the gate/source of the N-channel TFT 14 including the parasitic capacitance between the scan canvas line 11 and the pixel electrode 21. capacity,
Cgsp is also the gate of P-channel type TFT15.
The source-to-source capacitance ΔVGN is the width of gate voltage change after addressing of the N-channel TFT 14.

また、同様に、Pチャネル型のTFT15を通じて液晶
セル17に信号電圧を書き込んだ後のシフト電圧ΔVf
c、は、 ΔVj! c、−(+Cg s pXΔv a P )
÷(Cj! c+Cg s n+Cg s p)・・・
・・・(3) ここで、Δ■。、はPチャネル型のTFT15のアドレ
ス後のゲート電圧変化幅である。
Similarly, the shift voltage ΔVf after writing the signal voltage to the liquid crystal cell 17 through the P-channel TFT 15 is
c, ΔVj! c, -(+Cg s pXΔva P )
÷(Cj! c+Cg s n+Cg s p)...
...(3) Here, Δ■. , is the width of gate voltage change after addressing of the P-channel TFT 15.

これら(2)(3)式から得られるΔVjl!c、及び
Δ■Itcpの絶対値を等しくすることによって、これ
らが互いに打ち消し合ってシフト電圧Δ■lcが零とな
り、データ信号によって書き込まれた信号電圧士■。が
そのまま次のアドレス信号まで保持される。
ΔVjl! obtained from these equations (2) and (3)! By making the absolute values of c and Δ■Itcp equal, they cancel each other out and the shift voltage Δ■lc becomes zero, resulting in the signal voltage value written by the data signal. is held as is until the next address signal.

これによって、液晶セルに印加される交流電圧中の直流
成分の発生が防止される。
This prevents the generation of a DC component in the AC voltage applied to the liquid crystal cell.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は本発明に係るアクティブ型液晶パネル1の等価
回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the active type liquid crystal panel 1 according to the present invention.

アクティブ型液晶パネルlは、一定の間隔を存して対向
する図示しないガラス基板の一方側に、互いに直交する
方向に延びる複数のスキャンバスライン11.11・・
・及びデータバスライン1313・・・が形成されてお
り、これらスキャンバスライン11及びデータバスライ
ン13によりマトリクス状に区画される各画素領域に、
画素電極21がそれぞれ設けられている。
The active liquid crystal panel l has a plurality of scan canvas lines 11, 11, .
. . , and data bus lines 1313 are formed, and in each pixel area partitioned in a matrix by these scan canvas lines 11 and data bus lines 13,
A pixel electrode 21 is provided respectively.

また、図示しない他方側のガラス基板には、全部の画素
電極21に対向する透明な対向電極22が共通に設けら
れている。
Further, a transparent counter electrode 22 facing all the pixel electrodes 21 is commonly provided on the other glass substrate (not shown).

これら両ガラス基板の間には液晶が充填され、画素電極
21毎に液晶セル17が形成されている。
Liquid crystal is filled between these two glass substrates, and a liquid crystal cell 17 is formed for each pixel electrode 21.

各液晶セル17を制御するために、Nチャネル型のTF
T14と、Pチャネル型のTFT15との2種類のTP
T14.15が、それぞれ液晶セル17毎に設けられて
いる。
In order to control each liquid crystal cell 17, an N-channel TF
Two types of TP: T14 and P-channel type TFT15
T14.15 is provided for each liquid crystal cell 17, respectively.

これらTPT14.15は、非晶質シリコンや多結晶シ
リコンを半導体層とし、そのソース・ドレン電極部を、
P型の場合にはポロンなどの不純物をドープしたP型半
導体とし、N型の場合にはリンや砒素などをドープした
N型半導体とすることによって構成することができる。
These TPT14.15 have a semiconductor layer made of amorphous silicon or polycrystalline silicon, and their source/drain electrodes are
In the case of a P-type, a P-type semiconductor doped with an impurity such as poron can be used, and in the case of an N-type, an N-type semiconductor doped with phosphorus, arsenic, etc. can be used.

またこれらの形成に当たっては、感光材、酸化膜、及び
窒化膜などをマスクとし、ソース・ドレン部の半導体層
にボロンや砒素を別々にイオン注入や拡散などの方法に
よってドーピングすることによって、これら2種類のT
PT14.15を形成することができる。
In addition, when forming these, these two layers are doped by separately doping boron or arsenic into the semiconductor layer of the source/drain region using methods such as ion implantation or diffusion using a photosensitive material, oxide film, nitride film, etc. as a mask. Type of T
PT14.15 can be formed.

スキャンバスライン11は、1ラインに対して、互いに
独立した2本のスキャンバスライン5NSPが設けられ
ており、上述したNチャスル型のTFT14のゲート電
極31はスキャンバスラインSNに、Pチャネル型のT
FT15のゲート電極31はスキャンバスラインSPに
、それぞれ接続されている。
In the scan canvas line 11, two mutually independent scan canvas lines 5NSP are provided for one line, and the gate electrode 31 of the N-channel type TFT 14 is connected to the scan canvas line SN, and the gate electrode 31 of the N-channel type TFT 14 is connected to the scan canvas line SN. T
The gate electrodes 31 of the FTs 15 are respectively connected to the scan canvas lines SP.

また、各TFT14 15のドレン電橋32はデータバ
スライン13に、ソース電極33は画素電極21に、そ
れぞれ接続されている。
Further, the drain bridge 32 of each TFT 14 15 is connected to the data bus line 13, and the source electrode 33 is connected to the pixel electrode 21, respectively.

以下の説明及び図面において、スキャンバスライン11
、データバスライン13、TFT1415、及び液晶セ
ル17のことを、それぞれ、スキャンバスラインSN、
SP、データバスラインD、TFT−N、TFT−P、
又は液晶セルEというように別の符号により表示し、又
はその符号のみで表示することがある。その場合におい
て、それぞれの要素のマトリクス上での位置に応して、
それぞれの符号に、rn、m」、’n+1.m+1」な
どの座標を示す符号を添えて表示することがある。
In the following description and drawings, the scan canvas line 11
, data bus line 13, TFT 1415, and liquid crystal cell 17 are respectively referred to as scan line SN,
SP, data bus line D, TFT-N, TFT-P,
Alternatively, it may be indicated by a different symbol, such as liquid crystal cell E, or may be indicated by only that symbol. In that case, depending on the position of each element on the matrix,
For each code, rn, m'', 'n+1. It may be displayed with a code indicating the coordinates, such as "m+1".

第4図は第2図のアクティブ型液晶パネル1を制御する
アドレス信号SIN、SIPの波形図である。
FIG. 4 is a waveform diagram of address signals SIN and SIP that control the active type liquid crystal panel 1 of FIG. 2.

スキャンバスラインSN、SPには、それぞれアドレス
信号SIN、SIPが印加され、データバスラインDに
はデータ信号S2が印加される。
Address signals SIN and SIP are applied to the scan bus lines SN and SP, respectively, and a data signal S2 is applied to the data bus line D.

なお、アドレス信号SIN、SIPをまとめてアドレス
信号S1ということがある。
Note that the address signals SIN and SIP may be collectively referred to as the address signal S1.

アドレス信号SIN、SIPは、互いに同期した逆極性
のパルス信号であり、その大きさ(電圧1)は、それぞ
れ、■い、■。、である。つまり、アドレス信号SIN
は電圧+VGHのパルス信号、アドレス信号SIPは電
圧−■。のパルス信号である。
Address signals SIN and SIP are mutually synchronized pulse signals of opposite polarity, and their magnitudes (voltage 1) are 1 and 2, respectively. , is. In other words, the address signal SIN
is a pulse signal of voltage +VGH, and address signal SIP is voltage -■. This is a pulse signal.

各ラインのスキャンバスライン11には、そのライン毎
に、はぼアドレス信号Slのパルス幅だけ遅れたアドレ
ス信号S1が順次印加され、これによって全部のスキャ
ンバスライン11のスキャンが行われる。
An address signal S1 delayed by the pulse width of the address signal Sl is sequentially applied to the scan canvas line 11 of each line, and thereby all the scan canvas lines 11 are scanned.

つまり、例えば、スキャンバスラインSNn。That is, for example, scan canvas line SNn.

SPnに印加されるアドレス信号5INn、5IPnが
、時間t0から時間t1の間に出力されるとすると、次
ラインのスキャンバスラインSNn十1.SPn+1に
印加されるアドレス信号5INn+1,5IPn+1は
、時間t1から時間t2の間に出力され、以下順次一定
の時間づつ遅れて出力されるのである。
Assuming that address signals 5INn and 5IPn applied to SPn are output between time t0 and time t1, the next scan line SNn11. The address signals 5INn+1 and 5IPn+1 applied to SPn+1 are output from time t1 to time t2, and thereafter are sequentially output after being delayed by a certain period of time.

データ信号S2は、その大きさがV、であり、アドレス
信号Slとほぼ同じタイミングで印加されるが、1フレ
ーム毎にその極性が正負逆となっているやまた、これに
限られるものではないが、この実施例においてはデータ
信号S2はアドレス信号S1よりもパルス幅が広くなっ
ている。
The data signal S2 has a magnitude of V and is applied at almost the same timing as the address signal Sl, but the polarity is not limited to this, as the polarity is reversed every frame. However, in this embodiment, the data signal S2 has a wider pulse width than the address signal S1.

さて、アドレス信号SLN、SIPによって、各画素に
おけるTFT−N、TFT−Pは同時にオンし、これに
よって、データ信号S2が両方のTFT−N、TFT−
Pを通して液晶セル已に印加されて書き込まれる。
Now, TFT-N and TFT-P in each pixel are turned on simultaneously by the address signals SLN and SIP, and thereby the data signal S2 is transmitted to both TFT-N and TFT-P.
It is applied to the liquid crystal cell through P and written.

このときに、TFT−N及びTFT−Pのゲート・ソー
ス間容量Cgsn、Cgsp、及びアドレス信号SIN
、SIPの電圧+VGNI   VGPの間に、 G g s n XVes=Cg s p XVGP 
 −−(4)の関係が成立するよう、電圧+VGN、−
V、pの大きさが設定されている。
At this time, the gate-source capacitances Cgsn and Cgsp of TFT-N and TFT-P, and the address signal SIN
, between the voltage of SIP + VGNI VGP, G g s n XVes=Cg sp XVGP
--In order to hold the relationship (4), the voltage +VGN, -
The magnitudes of V and p are set.

したがって、上述の作用の項で説明したΔV2c8及び
ΔVj!crの絶対値が等しくなり、これらが互いに打
ち消し合ってシフト電圧ΔVfcが零となる。そのため
、データ信号S2によって書き込まれた信号電圧上■。
Therefore, ΔV2c8 and ΔVj! explained in the section on effects above. The absolute values of cr become equal, and they cancel each other out, so that the shift voltage ΔVfc becomes zero. Therefore, above the signal voltage written by the data signal S2.

がそのまま次のアドレス信号S1まで保持される。is held as is until the next address signal S1.

これによって、液晶セル17に印加される交流電圧中の
直流成分の発生が防止される。
This prevents generation of a DC component in the AC voltage applied to the liquid crystal cell 17.

第3図は本発明に係る他の実施例のアクティブ型液晶パ
ネル2を示す等価回路図である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an active type liquid crystal panel 2 according to another embodiment of the present invention.

このアクティブ型液晶パネル2は、データバスライン(
図示せず)を、スキャンバスライン11とは別のガラス
基板に設け、且つ画素電極21と対向するように配置し
て構成した、いわゆる対向マトリクス方式のアクティブ
型液晶パネルである。
This active type liquid crystal panel 2 has a data bus line (
This is a so-called facing matrix type active liquid crystal panel in which a panel (not shown) is provided on a glass substrate separate from the scan canvas line 11 and arranged to face the pixel electrode 21.

すなわち、画素を構成する各液晶セル17を制御するた
めに、Nチャネル型のTFT14とPチャネル型のTF
T15との2種類のTPT1415が設けられ、それぞ
れのゲート電極31がスキャンバスラインSN  SP
に、ソース電極33が液晶セル17に、それぞれ接続さ
れている点は上述したアクティブ型液晶パネル1と同様
であるが、各TFT14,15のドレン電極32が、ス
キャンバスラインSN、SPと平行に設けられた接地パ
スライン19に接続され、一定の基準電位(本実施例で
は接地電位)が与えられている点が異なっている。
That is, in order to control each liquid crystal cell 17 constituting a pixel, an N-channel type TFT 14 and a P-channel type TF
Two types of TPT1415 are provided, and each gate electrode 31 is connected to the scan canvas line SN SP.
The source electrodes 33 are connected to the liquid crystal cells 17, respectively, as in the active type liquid crystal panel 1 described above, but the drain electrodes 32 of each TFT 14, 15 are connected in parallel to the scan canvas lines SN, SP. The difference is that it is connected to the provided ground path line 19 and is supplied with a constant reference potential (ground potential in this embodiment).

このアクティブ型液晶パネル2の制御に当たっては、上
述した第4図に示すアドレス信号5INSIPが用いら
れる。
In controlling this active type liquid crystal panel 2, the address signal 5INSIP shown in FIG. 4 mentioned above is used.

すなわち、アドレス信号SIN、SIPが、1つの画素
電極21に接続された2種類のTPT−N、TPT−P
のゲート電極31に同時に印加されることにより、これ
らTFT−N、TFT−Pは同時にオンする。
That is, the address signals SIN and SIP are applied to two types of TPT-N and TPT-P connected to one pixel electrode 21.
These TFT-N and TFT-P are turned on at the same time by simultaneously applying voltage to the gate electrodes 31 of the TFT-N and TFT-P.

したがって、上述の(4)式の関係が成立するよう、電
圧+V GMT   V GPの大きさを設定しておく
ことにより、シフト電圧ΔVlCが零となり、液晶セル
17に印加される交流電圧中の直流成分の発生が防止さ
れる。
Therefore, by setting the magnitude of the voltage +V GMT V GP so that the relationship in equation (4) above is established, the shift voltage ΔVlC becomes zero, and the DC voltage in the AC voltage applied to the liquid crystal cell 17 becomes zero. Generation of components is prevented.

第5図は本発明に係る他の実施例のアクティブ型液晶パ
ネル3を示す等価回路図である。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing an active type liquid crystal panel 3 according to another embodiment of the present invention.

このアクティブ型液晶パネル3では、各ラインについて
、1本のスキャンバスライン11のみが設けられており
、この1本のスキャンバスライン11に、当該スキャン
バスライン11を挟んで配置された2個の画素電極21
.21に接続された互いに種類の異なるTFT−N、T
FT−Pのゲート電極31.31が接続されている。
In this active type liquid crystal panel 3, only one scan canvas line 11 is provided for each line, and this one scan canvas line 11 has two scan canvas lines arranged on both sides of the scan canvas line 11. Pixel electrode 21
.. TFT-N, TFT-N and TFT-N, which are different in type from each other, are connected to 21.
Gate electrodes 31.31 of FT-P are connected.

換言すれば、1つの画素電極21に接続された一方の種
類のTPT−N(又はTPT−P)のゲート電極31と
、当該Wi素電極21に対しデータバスライン13の方
向に沿って隣接する他の画素電極21に接続された他方
の種類のTPT−P(又はTPT−N)のゲート電極3
1とが、同一のスキャンバスライン11に接続されてい
る。
In other words, the gate electrode 31 of one type of TPT-N (or TPT-P) connected to one pixel electrode 21 and the gate electrode 31 of one type of TPT-N (or TPT-P) connected to the corresponding Wi element electrode 21 along the direction of the data bus line 13 Gate electrode 3 of the other type of TPT-P (or TPT-N) connected to the other pixel electrode 21
1 are connected to the same scan canvas line 11.

第6図は第5図のアクティブ型液晶パネル3を制御する
アドレス信号S1の波形図である。
FIG. 6 is a waveform diagram of the address signal S1 that controls the active liquid crystal panel 3 of FIG.

スキャンバスライン5n−1,Sn、Sr+4−1・・
・には、それぞれアドレス信号5in−1,Sln、S
1n+1・・・が印加される。
Scan canvas line 5n-1, Sn, Sr+4-1...
・are respectively address signals 5in-1, Sln, S
1n+1... is applied.

各アドレス信号S1は、互いに逆極性で且つパルス幅の
等しい連続する2つのパルス信号からなり、それぞれの
大きさは、VCS、VGPである。
Each address signal S1 consists of two consecutive pulse signals having mutually opposite polarities and equal pulse widths, and the respective magnitudes are VCS and VGP.

また、各アドレス信号5in−1,S1n、S1n+1
・・・は、それぞれ1つのパルス幅の分だけ順次遅れて
おり、その正極性のパルス信号は1ライン前に印加され
たアドレス信号の負極性のパルス信号と、その負極性の
パルス信号は1ライン後に印加されるアドレス信号の正
極性のパルス信号と、それぞれ同期している。
In addition, each address signal 5in-1, S1n, S1n+1
... are sequentially delayed by one pulse width, and the positive pulse signal is delayed by the negative pulse signal of the address signal applied one line before, and the negative pulse signal is delayed by one pulse width. They are each synchronized with the positive polarity pulse signal of the address signal applied after the line.

つまり、例えば、スキャンバスラインSnに印加される
アドレス信号Sinによって、時間t0から時間1.の
間にTFT−Nn−1,mがオンし、時間1.から時間
t2の間にTPT−Pnmがオンする。なお、−旦オン
したTPT−Nn1は、時間t1においてゲート電極3
1に負極性のパルス信号が印加されることによってオフ
となる。
That is, for example, depending on the address signal Sin applied to the scan canvas line Sn, from time t0 to time 1. TFT-Nn-1,m is turned on during time 1. TPT-Pnm is turned on between time t2 and time t2. Note that the TPT-Nn1 that has been turned on once is connected to the gate electrode 3 at time t1.
1 is turned off by applying a negative pulse signal to it.

したがって、各画素電極21に接続された2種類のTF
T−N、TFT−Pは、同時にオンするので、上述の(
4)式の関係が成立するよう、電圧+vcs、   V
GPの大きさを設定しておくことにより、シフト電圧Δ
■lCが零となり、液晶セル17に印加される交流電圧
中の直流成分の発生が防止される。
Therefore, two types of TFs connected to each pixel electrode 21
Since TN and TFT-P are turned on at the same time, the above (
4) Voltage +vcs, V so that the relationship in formula holds true.
By setting the magnitude of GP, the shift voltage Δ
(2) 1C becomes zero, and generation of a DC component in the AC voltage applied to the liquid crystal cell 17 is prevented.

また、このアクティブ型液晶パネル3によると、スキャ
ンバスライン11の本数を半分に減少することができる
ので、スキャンバスライン11及びその接続のための電
極の占める面積が減少し、制御のための線数が減少する
など、基板の構造や制御回路などの簡素化を図ることが
できる。
Further, according to this active type liquid crystal panel 3, the number of scan canvas lines 11 can be reduced by half, so the area occupied by the scan canvas lines 11 and the electrodes for connecting them is reduced, and the control lines It is possible to simplify the substrate structure, control circuit, etc. by reducing the number of substrates.

第7図は本発明に係る他の実施例のアクティブ型液晶パ
ネル4を示す等価回路図である。
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram showing an active type liquid crystal panel 4 according to another embodiment of the present invention.

二のアクティブ型液晶パネル4は、第3図の対向マトリ
クス方式のアクティブ型液晶パネル2に対応するもので
、スキャンバスライン11の本数を減少させるように構
成したものである。
The second active type liquid crystal panel 4 corresponds to the facing matrix type active type liquid crystal panel 2 shown in FIG. 3, and is configured to reduce the number of scan canvas lines 11.

すなわち、画素を構成する各液晶セル17を制御するた
めに、Nチャネル型のTFT14とPチャネル型のTF
T15との2種類のTFT1415が設けられ、それぞ
れのゲート電極31が1ライン飛びに設けられた2本の
各スキャンバスライン11に、ドレン電極32が接地パ
スライン19に、ソース電極33が液晶セル17に、そ
れぞれ接続されている。
That is, in order to control each liquid crystal cell 17 constituting a pixel, an N-channel type TFT 14 and a P-channel type TF
Two types of TFTs 1415 are provided, each gate electrode 31 is provided on each of the two scan canvas lines 11 provided one line apart, the drain electrode 32 is provided on the ground pass line 19, and the source electrode 33 is provided on the liquid crystal cell. 17, respectively.

例えば、スキャンバスライン5n−1には、TPT−P
n−1,m及びTFT−Nn、mのゲート電極31が、
スキャンバスラインSnには、TPT−Nn−1,m及
びTFT−Pn、mのゲート電極31が、それぞれ接続
されている。
For example, scan canvas line 5n-1 includes TPT-P
The gate electrode 31 of n-1,m and TFT-Nn,m is
The gate electrodes 31 of the TPT-Nn-1,m and the TFT-Pn,m are respectively connected to the scan canvas line Sn.

第8図は第7図のアクティブ型液晶パネル4を制御する
アドレス信号S1の波形図である。
FIG. 8 is a waveform diagram of the address signal S1 that controls the active type liquid crystal panel 4 of FIG.

スキャンバスライン5n−1,3n、Sn+1・・・に
は、それぞれアドレス信号5in−1,5tn、S1n
+1・・・が印加される。
The scan canvas lines 5n-1, 3n, Sn+1, . . . have address signals 5in-1, 5tn, S1n, respectively.
+1... is applied.

各アドレス信号S1は、互いに逆極性で且つパルス幅の
等しい連続する2つのパルス信号からなる。
Each address signal S1 consists of two consecutive pulse signals having mutually opposite polarities and equal pulse widths.

2本1組のスキャンバスライン11に印加するアドレス
信号5in−1とSln、S1n+1と51 n+2・
・・は、それぞれ互いに逆極性のパルスが同期するよう
になっている。例えば、アドレス信号5in−1は、電
圧−VGPのパルス信号と電圧V。のパルス信号とから
なり、アドレス信号S1nは、これらと同期した電圧V
GHのパルス信号と電圧−VGPのパルス信号とからな
る。また、2つ1組のアドレス信号S1毎に、2つのパ
ルス幅の分だけ順次遅れている。
Address signals 5in-1 and Sln, S1n+1 and 51n+2 applied to a pair of scan canvas lines 11.
. . . are synchronized with pulses of opposite polarity. For example, the address signal 5in-1 is a pulse signal of voltage -VGP and voltage V. The address signal S1n consists of a voltage V synchronized with these pulse signals.
It consists of a pulse signal of GH and a pulse signal of voltage -VGP. Further, each pair of address signals S1 is sequentially delayed by two pulse widths.

つまり、例えば、スキャンバスライン5n−1に印加さ
れるアドレス信号5in−1の電圧■。、のパルス信号
によって、時間t0から時間t、の間にTFT−Nn、
mがオンし、これと同時に、スキャンバスラインSnに
印加されるアドレス信号Sinの電圧−VGPのパルス
信号によって、TPT−Pn、mがオンする。
That is, for example, the voltage ■ of the address signal 5in-1 applied to the scan canvas line 5n-1. , between time t0 and time t, TFT-Nn,
m is turned on, and at the same time, TPT-Pn,m is turned on by a pulse signal of the voltage -VGP of the address signal Sin applied to the scan canvas line Sn.

したがって、各画素電極21に接続された2種類のTF
T−N、TFT−Pは、同時にオンするので、上述の(
4)式の関係が成立するよう、電圧子vG N + −
vG Fの大きさを設定しておくことにより、シフト電
圧ΔV1cが零となり、液晶セル17に印加される交流
電圧中の直流成分の発生が防止される。
Therefore, two types of TFs connected to each pixel electrode 21
Since TN and TFT-P are turned on at the same time, the above (
4) The voltage element vG N + −
By setting the magnitude of vG F, the shift voltage ΔV1c becomes zero, and generation of a DC component in the AC voltage applied to the liquid crystal cell 17 is prevented.

また、このアクティブ型液晶パネル4によると、第3図
のアクティブ型液晶パネル2に比較してスキャンバスラ
イン11の本数を減少させることができる。
Further, according to this active type liquid crystal panel 4, the number of scan canvas lines 11 can be reduced compared to the active type liquid crystal panel 2 shown in FIG.

また、上述したいずれのアクティブ型液晶パネル1〜4
においても、1つの液晶セル17を2つのTPT14.
15によって駆動する冗長構成となっているので、TP
T14.15の一方に不良が発生して開放状態になった
場合、又は短絡状態になってレーザによる切断を行りた
場合であっても、他方のTFTI4,15によって液晶
セル17を駆動することができ、表示機能を維持するこ
とができる。
In addition, any of the active type liquid crystal panels 1 to 4 described above
Also, one liquid crystal cell 17 is connected to two TPTs 14.
Since it has a redundant configuration driven by 15, the TP
Even if one of the TFTs 4 and 15 becomes defective and becomes open, or even if it becomes short-circuited and is cut by laser, the liquid crystal cell 17 can be driven by the other TFTI 4, 15. The display function can be maintained.

上述の実施例においては、各液晶セル17について2つ
のTPT14.15を用いたが、3個以上を用いてもよ
い。TPT14.15に代えて、半導体基板を用いたP
チャネル型又はNチャネル型のMOSトランジスタなど
としてもよい。また、Pチャネル型とNチャネル型の接
続を入れ換えるとともに、パルス信号の極性を入れ換え
たアドレス信号S1によって制御を行ってもよい。
In the above embodiment, two TPTs 14.15 were used for each liquid crystal cell 17, but three or more may be used. P using a semiconductor substrate instead of TPT14.15
It may also be a channel type or N channel type MOS transistor. Alternatively, control may be performed by switching the connections between the P-channel type and the N-channel type, and using the address signal S1 with the polarity of the pulse signal switched.

上述の実施例においては、電気光学素子として液晶を用
いたが、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロク
ロミンク素子など、他の種々の素子を用いることができ
る。アクティブ型液晶パネル1〜4及びその各部の構造
、形状、材質などは、上述した以外の種々のものとする
ことができる。
In the embodiments described above, a liquid crystal was used as the electro-optical element, but various other elements such as an electroluminescent element and an electrochromic element can be used. The structures, shapes, materials, etc. of the active liquid crystal panels 1 to 4 and their respective parts may be various other than those described above.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によると、TPTなどスイッチング素子の寄生容
量などに起因するシフト電圧の発生を防止し、表示セル
に印加される交流電圧中の直流成分の発生を防止するこ
とができる。
According to the present invention, it is possible to prevent the generation of a shift voltage due to the parasitic capacitance of a switching element such as a TPT, and to prevent the generation of a DC component in an AC voltage applied to a display cell.

したがって、寿命が長く表示特性の優れたアクティブマ
トリクス型表示装置を提供することができる。
Therefore, it is possible to provide an active matrix display device that has a long life and excellent display characteristics.

また、スイッチング素子について冗長性を存しているの
で、スイッチング素子の一方に不良が発生した場合であ
っても、他方のスイッチング素子によって表示セルを駆
動し表示機能を維持することが可能である。
Further, since there is redundancy in the switching elements, even if one of the switching elements becomes defective, the display cell can be driven by the other switching element and the display function can be maintained.

さらに、請求項3の発明によると、スキャンバスライン
の本数が減少し、基板の構造や制御回路などの簡素化を
図ることができる。
Furthermore, according to the third aspect of the present invention, the number of scan canvas lines is reduced, and the structure of the board, control circuit, etc. can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の詳細な説明するための等価回路図、 第2図は本発明に係るアクティブ型液晶パネルを示す等
価回路図、 第3図は本発明に係る他の実施例のアクティブ型液晶パ
ネルを示す等価回路図、 第4図は第2図及び第3図のアクティブ型液晶パネルを
制御するアドレス信号の波形図、第5図は本発明に係る
他の実施例のアクティブ型液晶パネルを示す等価回路図
、 第6図は第5図のアクティブ型液晶パネルを制御するア
ドレス信号の波形図、 第7図は本発明に係る他の実施例のアクティブ型液晶パ
ネルを示す等価回路図、 第8図は第7図のアクティブ型液晶パネルを制御するア
ドレス信号の波形図、 第9図は従来の一般的なアクティブ型液晶パネルの等価
回路図である。 15はTPT (スイッチング素子)、17は液晶セル
(表示セル)、 21は画素電極、 31はゲート電極(制御ii t!ii )、Slはア
ドレス信号(制御電圧)、 SN  SP  5n−I  Sn、Sn+1はスキャ
ンバスライン、 ■GN+ ■GFは電圧(パルス信号)である。 図において、 1〜4はアクティブ型液晶パネル(アクティブマトリク
ス型表示装置)、 11はスキャンバスライン、 13はデータバスライン、 14はTPT (スイッチング素子)、l アクティブ
型液晶パネル 本発明に係るアクティブ型液晶パネルを示す等価回路図
第 図 本発明に係る他の実施例のアクティブ型液晶パネルを示
す等画回路図第 図 3アクテイブ型液晶パネル 第 図 t−+  to  t+  b  h 第7図のアクティブ型液晶パネルを制御するアドレス信
号の波形間第 図 ニアクチイブ型液晶ノ免ル 第 図 第 図
Fig. 1 is an equivalent circuit diagram for explaining the present invention in detail, Fig. 2 is an equivalent circuit diagram showing an active type liquid crystal panel according to the present invention, and Fig. 3 is an active type liquid crystal panel of another embodiment according to the present invention. An equivalent circuit diagram showing a liquid crystal panel, FIG. 4 is a waveform diagram of an address signal that controls the active type liquid crystal panel of FIGS. 2 and 3, and FIG. 5 is an active type liquid crystal panel of another embodiment according to the present invention. 6 is a waveform diagram of an address signal that controls the active type liquid crystal panel of FIG. 5. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram showing an active type liquid crystal panel of another embodiment according to the present invention. FIG. 8 is a waveform diagram of an address signal that controls the active type liquid crystal panel of FIG. 7, and FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a conventional general active type liquid crystal panel. 15 is a TPT (switching element), 17 is a liquid crystal cell (display cell), 21 is a pixel electrode, 31 is a gate electrode (control ii t! ii), SL is an address signal (control voltage), SN SP 5n-I Sn, Sn+1 is a scan canvas line, and GN+ and GF are voltages (pulse signals). In the figure, 1 to 4 are active type liquid crystal panels (active matrix type display device), 11 is a scan canvas line, 13 is a data bus line, 14 is TPT (switching element), l is an active type liquid crystal panel according to the present invention Equivalent circuit diagram showing a liquid crystal panel Fig. 3 An equivalent circuit diagram showing an active type liquid crystal panel of another embodiment according to the present invention Fig. 3 Active type liquid crystal panel Fig. t-+ to t+ b h Fig. 7 Active type Waveform diagram of the address signal that controls the liquid crystal panel Near active type liquid crystal display diagram

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)互いに直交する方向に延びる複数のスキャンバス
ライン(11)及びデータバスライン(13)と、 マトリクス状に配置された画素電極(21)及び電気光
学素子によって形成される複数の表示セル(17)と、 前記各表示セル(17)を制御するためのスイッチング
素子(14)(15)と を有してなるアクティブマトリクス型表示装置(1)〜
(4)であって、 前記スイッチング素子(14)(15)は、制御電極(
31)に正方向の電圧を印加することによって導通状態
となるスイッチング素子(14)と、制御電極(31)
に負方向の電圧を印加することによって導通状態となる
スイッチング素子(15)との2種類からなり、 前記各画素電極(21)には、前記2種類のスイッチン
グ素子を含む複数のスイッチング素子(14)(15)
が接続され、 前記各画素電極(21)に接続された複数のスイッチン
グ素子(14)(15)は、その種類毎に独立して制御
電圧(S1)の印加が可能に構成されてなる ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
(1) A plurality of scan canvas lines (11) and data bus lines (13) extending in directions orthogonal to each other, and a plurality of display cells (formed by pixel electrodes (21) and electro-optical elements arranged in a matrix) 17); and switching elements (14) and (15) for controlling each of the display cells (17).
(4), wherein the switching elements (14) and (15) include control electrodes (
A switching element (14) that becomes conductive by applying a positive voltage to 31), and a control electrode (31)
and a switching element (15) that becomes conductive when a negative voltage is applied to the pixel electrode (21). )(15)
The plurality of switching elements (14) and (15) connected to each pixel electrode (21) are configured such that a control voltage (S1) can be applied independently for each type. Features an active matrix type display device.
(2)互いに直交する方向に延びる複数のスキャンバス
ライン(11)及びデータバスライン(13)と、 マトリクス状に配置された画素電極(21)及び電気光
学素子によって形成される複数の表示セル(17)と、 前記各表示セル(17)を制御するためのスイッチング
素子(14)(15)と を有してなるアクティブマトリクス型表示装置(1)〜
(4)であって、 前記各画素電極には、制御電極(31)に正方向の電圧
を印加することによって導通状態となるスイッチング素
子(14)と制御電極(31)に負方向の電圧を印加す
ることによって導通状態となるスイッチング素子(15
)との2種類のスイッチング素子(14)(15)が接
続されており、 前記各画素電極(21)に接続された2種類のスイッチ
ング素子(14)(15)は、各制御電極(31)が互
いに独立したスキャンバスライン(SN)(SP),(
Sn) (Sn+1),(Sn−1)(Sn)に接続されてなる ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
(2) A plurality of scan canvas lines (11) and a data bus line (13) extending in directions orthogonal to each other, and a plurality of display cells (formed by pixel electrodes (21) and electro-optical elements arranged in a matrix) 17); and switching elements (14) and (15) for controlling each of the display cells (17).
(4) Each of the pixel electrodes includes a switching element (14) that becomes conductive by applying a positive voltage to the control electrode (31), and a negative voltage to the control electrode (31). A switching element (15
) are connected to each control electrode (31), and the two types of switching elements (14) (15) connected to each pixel electrode (21) are connected to each control electrode (31). are mutually independent scan canvas lines (SN) (SP), (
An active matrix type display device characterized in that the display device is connected to (Sn) (Sn+1), (Sn-1) (Sn).
(3)1つのスキャンバスライン(11)に、当該スキ
ャンバスライン(11)を挟んで配置された2個の画素
電極(21)に接続された互いに種類の異なるスイッチ
ング素子(14)(15)の制御電極(31)が接続さ
れてなる ことを特徴とする請求項2又は3記載のアクティブマト
リクス型表示装置。
(3) Switching elements (14) (15) of different types connected to one scan canvas line (11) and two pixel electrodes (21) arranged across the scan canvas line (11) 4. The active matrix display device according to claim 2, wherein the control electrodes (31) are connected to each other.
(4)前記各画素電極(21)に接続された2種類のス
イッチング素子(14)(15)の各制御電極(31)
に、互いに逆極性のパルス信号(+V_G_N)(−V
_G_P)を同時に印加して同時に導通させる ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項
に記載のアクティブマトリクス型表示装置の制御方法。
(4) Each control electrode (31) of two types of switching elements (14) (15) connected to each pixel electrode (21)
, pulse signals (+V_G_N) (-V
4. The method for controlling an active matrix display device according to claim 1, further comprising simultaneously applying _G_P) and making the display conductive at the same time.
(5)前記スキャンバスライン(11)に、互いに逆極
性の連続する2つのパルス信号(+V_G_N)(−V
_G_P)を印加し、 前記各画素電極(21)に接続された2種類のスイッチ
ング素子(14)(15)を同時に導通させる ことを特徴とする請求項3記載のアクティブマトリクス
型表示装置の制御方法。
(5) Two consecutive pulse signals (+V_G_N) (-V
_G_P) to simultaneously make two types of switching elements (14) and (15) conductive connected to each of the pixel electrodes (21). .
(6)1つの表示セル(17)にNチャネル型のスイッ
チング素子(14)とPチャネル型のスイッチング素子
(15)とを接続し、 これらのスイッチング素子(14)(15)に互いに逆
極性のパルス信号(+V_G_N)(−V_G_P)を
同時に印加し、 前記表示セル(17)を2つのスイッチング素子(14
)(15)によって同時に駆動する ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の制
御方法。
(6) Connect an N-channel type switching element (14) and a P-channel type switching element (15) to one display cell (17), and connect these switching elements (14) and (15) with opposite polarities. Pulse signals (+V_G_N) (-V_G_P) are applied simultaneously, and the display cell (17) is connected to the two switching elements (14).
) (15).
JP11834690A 1990-05-07 1990-05-07 Active matrix display device and control method thereof Expired - Lifetime JP2637835B2 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11834690A JP2637835B2 (en) 1990-05-07 1990-05-07 Active matrix display device and control method thereof
EP91304088A EP0456453B1 (en) 1990-05-07 1991-05-07 High quality active matrix-type display device
KR1019910007376A KR940005240B1 (en) 1990-05-07 1991-05-07 Display apparatus of active matrix for high faculty
DE69112698T DE69112698T2 (en) 1990-05-07 1991-05-07 High quality display device with active matrix.
US08/203,293 US5432527A (en) 1990-05-07 1994-03-01 High quality active matrix-type display device
US08/455,726 US5515072A (en) 1990-05-07 1995-05-31 High quality active matrix-type display device
US08/789,688 US6011532A (en) 1990-05-07 1997-01-27 High quality active matrix-type display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11834690A JP2637835B2 (en) 1990-05-07 1990-05-07 Active matrix display device and control method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0414091A true JPH0414091A (en) 1992-01-20
JP2637835B2 JP2637835B2 (en) 1997-08-06

Family

ID=14734422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11834690A Expired - Lifetime JP2637835B2 (en) 1990-05-07 1990-05-07 Active matrix display device and control method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2637835B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0667624A (en) * 1991-07-25 1994-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Image display method for electrooptic device
US5369512A (en) * 1991-07-24 1994-11-29 Fujitsu Limited Active matrix liquid crystal display with variable compensation capacitor
US5408252A (en) * 1991-10-05 1995-04-18 Fujitsu Limited Active matrix-type display device having a reduced number of data bus lines and generating no shift voltage
US7375712B2 (en) 2002-02-05 2008-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with separate positive and negative driving circuits

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5999887A (en) * 1982-11-29 1984-06-08 Sony Corp Liquid crystal display device
JPS6436979A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Aisan Ind Installation structure of fuel injection valve
JPH0350528A (en) * 1989-07-18 1991-03-05 Nec Corp Active matrix substrate for liquid crystal display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5999887A (en) * 1982-11-29 1984-06-08 Sony Corp Liquid crystal display device
JPS6436979A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Aisan Ind Installation structure of fuel injection valve
JPH0350528A (en) * 1989-07-18 1991-03-05 Nec Corp Active matrix substrate for liquid crystal display device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5369512A (en) * 1991-07-24 1994-11-29 Fujitsu Limited Active matrix liquid crystal display with variable compensation capacitor
JPH0667624A (en) * 1991-07-25 1994-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Image display method for electrooptic device
US5408252A (en) * 1991-10-05 1995-04-18 Fujitsu Limited Active matrix-type display device having a reduced number of data bus lines and generating no shift voltage
US7375712B2 (en) 2002-02-05 2008-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with separate positive and negative driving circuits

Also Published As

Publication number Publication date
JP2637835B2 (en) 1997-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8248336B2 (en) Liquid crystal display device and operating method thereof
US5289174A (en) Liquid crystal display device
EP0536964B1 (en) Active matrix-type display device having a reduced number of data bus lines
KR101354406B1 (en) Liquid Crystal Display
US5193018A (en) Active matrix liquid crystal display system using complementary thin film transistors
JPH0476458B2 (en)
KR20050003813A (en) Method for driving In-Plane Switching mode Liquid Crystal Display Device
JPH07181927A (en) Image display device
JP3292520B2 (en) Liquid crystal display
US5369512A (en) Active matrix liquid crystal display with variable compensation capacitor
KR20000062798A (en) Liquid crystal display apparatus and driving method thereof
US8902147B2 (en) Gate signal line driving circuit and display device
US7728804B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JPH10123482A (en) Active matrix type liquid crystal display device and its driving system
JP3054913B2 (en) Active matrix liquid crystal display
JPH02216121A (en) Liquid crystal display device
KR100464206B1 (en) A 2-dot inversion liquid crystal display device
JPH0414091A (en) Active matrix type display device and its control method
JPH09189897A (en) Active matrix type liquid crystal display device and driving method therefor
JPH09152627A (en) Liquid crystal display element and method for driving liquid crystal display element
JP3297334B2 (en) Liquid crystal display
JP3132904B2 (en) Active matrix display
JP2861266B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and driving method thereof
JP2597034B2 (en) Active matrix display device and control method thereof
KR100830123B1 (en) Method for removing offset between channels of lcd panal