JPH04139064A - チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法 - Google Patents
チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法Info
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- JPH04139064A JPH04139064A JP2255376A JP25537690A JPH04139064A JP H04139064 A JPH04139064 A JP H04139064A JP 2255376 A JP2255376 A JP 2255376A JP 25537690 A JP25537690 A JP 25537690A JP H04139064 A JPH04139064 A JP H04139064A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は圧電磁器材料であるチタン酸ジルコン酸鉛(P
ZT)の製造方法、より詳しくはゾル−ゲル法を用いた
チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法に係る。
ZT)の製造方法、より詳しくはゾル−ゲル法を用いた
チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法に係る。
従来のPZTの製造方法としては酸化物混合法と、PV
D法、CVD法とがある。
D法、CVD法とがある。
酸化物混合法は、PbO、2rD2. TiO2を湿式
で混合させ、乾燥後に乾式でベレット成形したり、バイ
ンダ・溶剤を加えシート成形し、これらを1150℃以
上の高温で焼成する方法である。
で混合させ、乾燥後に乾式でベレット成形したり、バイ
ンダ・溶剤を加えシート成形し、これらを1150℃以
上の高温で焼成する方法である。
また、PVD法としてはスパッタ法、EB蒸着法、イオ
ンブレーティング法など、CVD法としては例えばプラ
ズマCVD法、MOCVD法などを用いる方法などが知
られている。
ンブレーティング法など、CVD法としては例えばプラ
ズマCVD法、MOCVD法などを用いる方法などが知
られている。
酸化物混合法では、PbOの揮散が生じ組成変動が起こ
るため、あらかじめ過剰のPbOを添加したり、PbO
雰囲気での焼成が不可欠となるが、PbO蒸気圧の制御
が困難である。また、粉末混合時のコンタミネーション
や凝集粒子の存在、さらにバインダ除去により空孔がセ
ラミックス内部に残留し、緻密化が妨げられ圧電特性の
劣化が生じてしまう問題がある。
るため、あらかじめ過剰のPbOを添加したり、PbO
雰囲気での焼成が不可欠となるが、PbO蒸気圧の制御
が困難である。また、粉末混合時のコンタミネーション
や凝集粒子の存在、さらにバインダ除去により空孔がセ
ラミックス内部に残留し、緻密化が妨げられ圧電特性の
劣化が生じてしまう問題がある。
また、PVD法、CVD法は、緻密な膜は作製できるが
、堆積させる基板を選択しなくてはならない。また、装
置の関係上高価なものとなり、大量生産も不可能である
。さらに気相などを経ているため、組成制御がかなり困
難となってしまうなどの問題がある。
、堆積させる基板を選択しなくてはならない。また、装
置の関係上高価なものとなり、大量生産も不可能である
。さらに気相などを経ているため、組成制御がかなり困
難となってしまうなどの問題がある。
本発明は、上記の如き従来技術の欠点を解決するために
、塩化物以外の鉛化合物及びジルコニウム化合物とチタ
ンアルコキシドを原料とし、酢酸及び水を溶媒としてゾ
ル溶液を作製し、これをゲル化した後、800℃以下の
温度で焼成することを特徴とするチタン酸ジルコン酸鉛
の製造方法を提供する。
、塩化物以外の鉛化合物及びジルコニウム化合物とチタ
ンアルコキシドを原料とし、酢酸及び水を溶媒としてゾ
ル溶液を作製し、これをゲル化した後、800℃以下の
温度で焼成することを特徴とするチタン酸ジルコン酸鉛
の製造方法を提供する。
チタン酸ジルコン酸鉛(PZT) はPb(ZrxT
tt−x)O8〔ただし、0≦X≦1〕で表わされる組
成を有する。
tt−x)O8〔ただし、0≦X≦1〕で表わされる組
成を有する。
先ず、PZT原料のゾル溶液を作製する。飴原料とジル
コニウム原料としては塩化物以外であれば有機、無機の
いずれの化合物でもよい。例えば、飴原料として酢酸鉛
、硝酸鉛、炭酸鉛、水酸化鉛、酸化鉛、ステアリン酸鉛
、ジルコニウム原料として硝酸シルコニノペ水酸化ジル
コニル、ジルコニウムアセチルアセトネートが好ましく
使用される。
コニウム原料としては塩化物以外であれば有機、無機の
いずれの化合物でもよい。例えば、飴原料として酢酸鉛
、硝酸鉛、炭酸鉛、水酸化鉛、酸化鉛、ステアリン酸鉛
、ジルコニウム原料として硝酸シルコニノペ水酸化ジル
コニル、ジルコニウムアセチルアセトネートが好ましく
使用される。
チタン原料としてはチタンアルコキシドを使用する。こ
のアルコキシドが後に重縮合してゲル化を可能にする。
のアルコキシドが後に重縮合してゲル化を可能にする。
チタンアルコキシドとしてはチタンブトキシド、チタン
イソプロポキシドが好ましく使用できる。
イソプロポキシドが好ましく使用できる。
これらの原料は酢酸と水を溶媒とすることによりゾル溶
液を作製することができる。飴原料、ジルコニウム原料
及びチタン原料は所望のPZT組成に応じて配合し、こ
れに酢酸右よび水を添加して透明なゾル溶液が得られる
まで撹拌する。アルコキシドは加水分解しやすいので最
後に添加するのがよい。酢酸の濃度はPb 1モルに対
して600〜1600m1.また原料組成物の濃度は溶
液1500〜3000−に対し1モルがよい。これらの
濃度から外れると、濃い場合には焼成時に膜やバルク体
にクラックが入り、均一なPZTが作製できない。逆に
、薄い場合は膜が薄すぎて成膜できなくなったり、バル
ク体では塊りにならず、膜状になってしまう。
液を作製することができる。飴原料、ジルコニウム原料
及びチタン原料は所望のPZT組成に応じて配合し、こ
れに酢酸右よび水を添加して透明なゾル溶液が得られる
まで撹拌する。アルコキシドは加水分解しやすいので最
後に添加するのがよい。酢酸の濃度はPb 1モルに対
して600〜1600m1.また原料組成物の濃度は溶
液1500〜3000−に対し1モルがよい。これらの
濃度から外れると、濃い場合には焼成時に膜やバルク体
にクラックが入り、均一なPZTが作製できない。逆に
、薄い場合は膜が薄すぎて成膜できなくなったり、バル
ク体では塊りにならず、膜状になってしまう。
ゾル溶液には溶液の粘度調整及び高安定化のためにエチ
レングリコール類を鉛1.0モルに対し0.5〜2.0
モル添加、撹拌することが望ましい。
レングリコール類を鉛1.0モルに対し0.5〜2.0
モル添加、撹拌することが望ましい。
このゾル溶液をゲル化する第1の方法は、デイツプコー
ティング法、スピンコーティング法、超音波コーティン
グ法などの方法で基板上に膜を形成するもので、製膜さ
れるときにゲル化する。また、ゾル溶液は乾燥すること
によってもゲル化する。
ティング法、スピンコーティング法、超音波コーティン
グ法などの方法で基板上に膜を形成するもので、製膜さ
れるときにゲル化する。また、ゾル溶液は乾燥すること
によってもゲル化する。
そこで、本発明により、ゾル溶液からPZTを製造する
第1の方法は、上記の如く基板上に各種コーティング法
でゲル膜を製膜した後、800℃以下、好ましくは60
0〜800℃の温度で焼成する方法である。
第1の方法は、上記の如く基板上に各種コーティング法
でゲル膜を製膜した後、800℃以下、好ましくは60
0〜800℃の温度で焼成する方法である。
第2の方法は、ゾル溶液が加熱中に飛散しないような容
器(例えばルツボ)に入れ500〜750℃で仮焼して
PZT粉末を得、これを成形し、焼成する方法である。
器(例えばルツボ)に入れ500〜750℃で仮焼して
PZT粉末を得、これを成形し、焼成する方法である。
焼成温度は800℃以下、好ましくは600〜800
℃とする。
℃とする。
第3の方法は、ゾル溶液をゆっくり乾燥して(例えば室
温に1週間放置後、35℃で2週間保持)ゲル化させ、
得られたゲル成形体を800℃以下の温度で焼成する方
法である。
温に1週間放置後、35℃で2週間保持)ゲル化させ、
得られたゲル成形体を800℃以下の温度で焼成する方
法である。
ゾル−ゲル法を用いたことにより、均一な組成のPZT
を低温で焼成できる。
を低温で焼成できる。
第1図にゾル溶液の作製工程の1例のフローチャートを
示す。この図のように、酢酸鉛3水和物と硝酸ジルコニ
ル2水和物を所定量秤量し、これに酢酸と純水を添加後
、溶液が完全に透明になるまで撹拌する。次に所定量の
チタンブトキシドモノマーをビユレット等を用いて滴下
する。この混合溶液に溶液の粘度調整並びに溶液の高安
定性化のためエチレングリコール類を鉛1.(1mol
に対し0゜5〜2,011101添加し、撹拌するこ
とでゾル溶液とする。
示す。この図のように、酢酸鉛3水和物と硝酸ジルコニ
ル2水和物を所定量秤量し、これに酢酸と純水を添加後
、溶液が完全に透明になるまで撹拌する。次に所定量の
チタンブトキシドモノマーをビユレット等を用いて滴下
する。この混合溶液に溶液の粘度調整並びに溶液の高安
定性化のためエチレングリコール類を鉛1.(1mol
に対し0゜5〜2,011101添加し、撹拌するこ
とでゾル溶液とする。
これに石英、ITO、ソーダガラス、Pt等の基板を浸
漬させ、5〜15cm/minのスピードで弓上げ基板
上にゲル膜を形成させる。この引上げ回数により所望の
膜厚を有するPZT膜を形成させる。ここで引上げ1回
当り約0.15jmの膜厚となり、引上げの操作回数に
より膜厚が容易に制御できた。
漬させ、5〜15cm/minのスピードで弓上げ基板
上にゲル膜を形成させる。この引上げ回数により所望の
膜厚を有するPZT膜を形成させる。ここで引上げ1回
当り約0.15jmの膜厚となり、引上げの操作回数に
より膜厚が容易に制御できた。
このようにして得た膜試料を試料Aとする。なお、ここ
で試料Aはスピンコーティング法や超音波コーティング
法による膜でもよく、スピン速度やスプレー時間により
、膜厚の制御が可能である。
で試料Aはスピンコーティング法や超音波コーティング
法による膜でもよく、スピン速度やスプレー時間により
、膜厚の制御が可能である。
また、上記作製したゾル溶液を乾燥後500〜800℃
で焼成した粉末試料を試料Bとする。
で焼成した粉末試料を試料Bとする。
薄膜および粉末X線回折の結果より、試料A・B共に5
00℃からペロブスカイト相が析出しはじ袷、600℃
の熱処理によりペロブスカイト単相となった。これによ
り600℃以上の熱処理によりPZT単相が得られるこ
とが分かった。
00℃からペロブスカイト相が析出しはじ袷、600℃
の熱処理によりペロブスカイト単相となった。これによ
り600℃以上の熱処理によりPZT単相が得られるこ
とが分かった。
次に、試料Aについて300〜800nmにおける透過
率を測定した結果、膜厚を約3−とした場合においても
600nm付近で50%以上の透過率を示した。
率を測定した結果、膜厚を約3−とした場合においても
600nm付近で50%以上の透過率を示した。
上記の工程で得られたPZTの代表的組成での誘電率の
例を表に示す。
例を表に示す。
表
表中のPZT組成は、
例えば5274Bは
Pb(2ro、5aT1o、 aa)03.53157
はPb(Zra、 53TIO,1t)Oaを示す。例
えば、52/48のPZTは、酢酸鉛3水和物3.79
g、硝酸ジルコニウム2水和物1.39gに酢酸10.
00−と純水10.00−を添加し、これにチタンブト
キシド1.50−を滴下し、さらにエチレングリコール
1.Omlを添加してゾル溶液を作製し、次いで、IT
Oと膜付けした石灰基板に16回浸漬して厚さ2.5声
のゲル膜を形成後、750℃の温度で2.0時間焼成し
て作製した。
はPb(Zra、 53TIO,1t)Oaを示す。例
えば、52/48のPZTは、酢酸鉛3水和物3.79
g、硝酸ジルコニウム2水和物1.39gに酢酸10.
00−と純水10.00−を添加し、これにチタンブト
キシド1.50−を滴下し、さらにエチレングリコール
1.Omlを添加してゾル溶液を作製し、次いで、IT
Oと膜付けした石灰基板に16回浸漬して厚さ2.5声
のゲル膜を形成後、750℃の温度で2.0時間焼成し
て作製した。
上記表に見られるように、焼成温度が800℃を越える
と、鉛成分が試料中から放出され組成変動が起こり特性
が劣化した。また、この理由のため、800℃までは多
少黄色味を帯びた透光性を有していた試料が800℃以
上の焼成により白色不透明となった。尚、800℃以下
の焼成においては雰囲気の制御を行わない大気中での焼
成にもかかわらず、従来法と同等の特性を示した。ここ
で、デイツプコーティング法、スピンコーティング法、
超音波スプレー法を用いた試料は、いずれも同等の特性
を示した。
と、鉛成分が試料中から放出され組成変動が起こり特性
が劣化した。また、この理由のため、800℃までは多
少黄色味を帯びた透光性を有していた試料が800℃以
上の焼成により白色不透明となった。尚、800℃以下
の焼成においては雰囲気の制御を行わない大気中での焼
成にもかかわらず、従来法と同等の特性を示した。ここ
で、デイツプコーティング法、スピンコーティング法、
超音波スプレー法を用いた試料は、いずれも同等の特性
を示した。
以上説明したように、本発明によりゾル−ゲル法を用い
ることによって800℃以下という低温で、雰囲気制御
をせずに従来法と同等の特性を有し、しかも安価で形状
の自由度が大きく、大量生産も可能なPZTが製造でき
るという効果がある。
ることによって800℃以下という低温で、雰囲気制御
をせずに従来法と同等の特性を有し、しかも安価で形状
の自由度が大きく、大量生産も可能なPZTが製造でき
るという効果がある。
第1図は本発明によるゾル溶液の作製工程の1例を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
Claims (2)
- 1.塩化物以外の鉛化合物及びジルコニウム化合物とチ
タンアルコキシドを原料とし、酢酸及び水を溶媒として
ゾル溶液を作製し、これをゲル化した後、800℃以下
の温度で焼成することを特徴とするチタン酸ジルコン酸
鉛の製造方法。 - 2.鉛化合物として酢酸鉛、硝酸鉛、炭酸鉛、水酸化鉛
、酸化鉛、ステアリン酸鉛のいずれか、ジルコニウム化
合物として硝酸ジルコニル、水酸化ジルコニル、ジルコ
ニウムアセチルアセトネートのいずれか、チタンアルコ
キシドとしてチタンブトキシド、チタンイソプロポキシ
ドのいずれかを用いる請求項1記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2255376A JPH0674173B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2255376A JPH0674173B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04139064A true JPH04139064A (ja) | 1992-05-13 |
JPH0674173B2 JPH0674173B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=17277909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2255376A Expired - Fee Related JPH0674173B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0674173B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5840615A (en) * | 1993-04-16 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming a ferroelectric material film by the sol-gel method, along with a process for a production of a capacitor and its raw material solution |
US6350486B2 (en) * | 1996-07-17 | 2002-02-26 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ferroelectric element and process for producing the same |
KR100416760B1 (ko) * | 2001-03-12 | 2004-01-31 | 삼성전자주식회사 | 졸겔공정을 이용한 지르콘산-티탄산 납 후막의 제조방법 |
JP2004168637A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-06-17 | Agency For Science Technology & Research | 基材上に圧電性厚膜を製造する方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62162670A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-18 | 住友金属鉱山株式会社 | チタン酸ジルコン酸鉛焼結体の製法 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2255376A patent/JPH0674173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62162670A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-18 | 住友金属鉱山株式会社 | チタン酸ジルコン酸鉛焼結体の製法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5840615A (en) * | 1993-04-16 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming a ferroelectric material film by the sol-gel method, along with a process for a production of a capacitor and its raw material solution |
US6350486B2 (en) * | 1996-07-17 | 2002-02-26 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ferroelectric element and process for producing the same |
KR100416760B1 (ko) * | 2001-03-12 | 2004-01-31 | 삼성전자주식회사 | 졸겔공정을 이용한 지르콘산-티탄산 납 후막의 제조방법 |
JP2004168637A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-06-17 | Agency For Science Technology & Research | 基材上に圧電性厚膜を製造する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0674173B2 (ja) | 1994-09-21 |
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