JPH0413853Y2 - - Google Patents

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JPH0413853Y2
JPH0413853Y2 JP1979022667U JP2266779U JPH0413853Y2 JP H0413853 Y2 JPH0413853 Y2 JP H0413853Y2 JP 1979022667 U JP1979022667 U JP 1979022667U JP 2266779 U JP2266779 U JP 2266779U JP H0413853 Y2 JPH0413853 Y2 JP H0413853Y2
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【考案の詳細な説明】 本考案はターンオン時間に比べ、ターンオフ時
間を遅くしたバイポーラ飽和形論理回路に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a bipolar saturated logic circuit with a turn-off time that is slower than a turn-on time.

従来より多用されている論理回路にはダイオー
ド・トランジスタ・ロジツク(以下DTLと略
記)、トランジスタ・トランジスタ・ロジツク
(以下TTLと略記)などがある。
Logic circuits that have been widely used in the past include diode-transistor logic (hereinafter abbreviated as DTL) and transistor-transistor logic (hereinafter abbreviated as TTL).

第1図にTTLの基本回路であるNAND回路を
示す。
Figure 1 shows a NAND circuit, which is the basic circuit of TTL.

この種の回路の伝搬遅延時間は、出力トランジ
スタQ3がオンして出力レベルが高レベルから低
レベルに変わるターンオン時間と出力トランジス
タQ3がオフして出力レベルが低レベルから高レ
ベルに変わるターンオフ時間がほぼ等しい。した
がつて片方の遅延時間がもう一方の遅延時間より
あきらかに遅い、もしくは速い回路が必要な場
合、第1図の回路を使用することは望ましくな
い。
The propagation delay time of this type of circuit is the turn-on time when the output transistor Q3 is turned on and the output level changes from a high level to a low level, and the turn-off time when the output transistor Q3 is turned off and the output level changes from a low level to a high level. Almost equal. Therefore, if a circuit in which one delay time is clearly slower or faster than the other delay time is required, it is not desirable to use the circuit shown in FIG. 1.

例えば“1”レベル、“0”レベルおよび“高
インピーダンス”の3つの状態をとり得るいわゆ
る3−ステート出力回路と、その出力制御用回路
からなる論理回路に於いて、出力が“1”または
“0”レベルから“高インピーダンス”状態に変
化する時間tpHZ、tpLZを速くし、逆に出力が
“高インピーダンス”状態から“1”または“0”
レベルに変化する時間tpZH、tpZLを遅くする必
要がしばしば生ずる。このような場合上記出力制
御用回路として、第1図の回路を用いるかわり
に、インバータ2個と否定論理和回路の計3個の
ゲート回路を第2図に示すように構成して3−ス
テート回路を制御する。すなわち、インバータ2
段の遅延時間を利用してこの機能を得ることが多
い。
For example, in a logic circuit consisting of a so-called 3-state output circuit that can take three states: "1" level, "0" level, and "high impedance" and its output control circuit, the output is "1" or " Speed up the time tpHZ and tpLZ to change from "0" level to "high impedance" state, and conversely change the output from "high impedance" state to "1" or "0".
It is often necessary to slow down the time tpZH and tpZL change to the level. In such a case, instead of using the circuit shown in Fig. 1 as the output control circuit, a total of three gate circuits, two inverters and a NOR circuit, are configured as shown in Fig. 2 to achieve a 3-state control circuit. Control the circuit. That is, inverter 2
This function is often achieved by using the delay time of the stages.

上述のごとく両者の遅延時間に差をもたすに
は、少なくともゲート2個余分に必要であつた。
As mentioned above, at least two additional gates are required to provide a difference in delay time between the two.

本考案の目的は、通常の飽和形論理回路に数個
の素子を追加するのみで出力が低レベルから高レ
ベルに変わるターンオフ時間が出力が高レベルか
ら低レベルに変わるターンオン時間に対して一定
の遅延時間を有する出力を提供するようにしたバ
イポーラ飽和形論理回路を提供することである。
The purpose of this invention is to make the turn-off time when the output changes from low level to high level constant with respect to the turn-on time when the output changes from high level to low level by simply adding a few elements to a normal saturation type logic circuit. An object of the present invention is to provide a bipolar saturation type logic circuit that provides an output having a delay time.

本考案によれば、ベースが入力端子に接続さ
れ、コレクタが負荷を介して電源の一方の端子に
接続された第1のトランジスタと、ベースがこの
第1のトランジスタのコレクタに接続され、コレ
クタが電源の一方の端子に接続され、エミツタが
出力端子に接続された第2のトランジスタと、ベ
ースが第1のトランジスタのエミツタに接続さ
れ、エミツタが電源の他方の端子に接続され、コ
レクタが出力端子に接続された第3のトランジス
タと、エミツタが第1のトランジスタのコレクタ
に接続され、ベースが第1の抵抗を介して電源の
一方の端子に接続された第4のトランジスタと、
ベースが第4のトランジスタのコレクタに直流的
に接続され、エミツタが電源の他方の端子に直流
的に接続され、コレクタが電源の一方の端子に第
2の抵抗を介して接続された第5のトランジスタ
と、第3のトランジスタのベースと第5のトラン
ジスタのコレクタとの間に接続されたダイオード
とを有し、第4のトランジスタのコレクタと接地
点との間に容量成分を持たせることにより、第1
のトランジスタがオフしてから所定時間後に第3
のトランジスタがオフするようにしたことを特徴
とするバイポーラ飽和形論理回路が得られる。
According to the present invention, there is provided a first transistor whose base is connected to an input terminal and whose collector is connected to one terminal of a power supply via a load; a second transistor connected to one terminal of the power supply and having its emitter connected to the output terminal; a second transistor having its base connected to the emitter of the first transistor, its emitter connected to the other terminal of the power supply and its collector connected to the output terminal; a fourth transistor whose emitter is connected to the collector of the first transistor and whose base is connected to one terminal of the power supply via the first resistor;
A fifth transistor whose base is DC connected to the collector of the fourth transistor, whose emitter is DC connected to the other terminal of the power supply, and whose collector is connected to one terminal of the power supply via the second resistor. By having a transistor, a diode connected between the base of the third transistor and the collector of the fifth transistor, and having a capacitive component between the collector of the fourth transistor and the ground point, 1st
After a predetermined time after the third transistor is turned off, the third transistor is turned off.
A bipolar saturation type logic circuit is obtained, which is characterized in that the transistors are turned off.

次に本考案の実施例を説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described.

第3図は本考案の一実施例を示す回路接続図
で、TTL NAND回路に本考案を適用したもの
であるが、位相分割段トランジスタQ2のコレク
タ3に新たにトランジスタQ7のエミツタを接続
し、トランジスタQ7のベースは抵抗R7を介して
電源6に接続され、コレクタはトランジスタQ8
のベースに直接接続されるとともにコンデンサC
1を介して接地されている。トランジスタQ8
エミツタはレベルシフトダイオードD1を介して
接地され、コレクタは抵抗R8を介して電源6に、
又ダイオードD2を介してトランジスタQ2のエミ
ツタとトランジスタQ3のベースの接続点4に接
続されている。すなわち、出力トランジスタQ3
のベース(制御電極)には位相分割段トランジス
タQ2と並行して抵抗R8およびダイオードD2によ
り電流を供給する手段が設けられている。
Figure 3 is a circuit connection diagram showing one embodiment of the present invention, in which the present invention is applied to a TTL NAND circuit, but the emitter of transistor Q 7 is newly connected to collector 3 of phase division stage transistor Q 2 . The base of transistor Q7 is connected to power supply 6 through resistor R7 , and the collector is connected to transistor Q8.
connected directly to the base of the capacitor C
It is grounded via 1. The emitter of the transistor Q 8 is grounded through the level shift diode D 1 , the collector is connected to the power supply 6 through the resistor R 8 ,
It is also connected to a connection point 4 between the emitter of the transistor Q 2 and the base of the transistor Q 3 via a diode D 2 . i.e. output transistor Q 3
At the base (control electrode) of, in parallel with the phase-dividing stage transistor Q 2 , means are provided for supplying current by means of a resistor R 8 and a diode D 2 .

第3図においていま入力1が“1”レベルであ
る時、トランジスタQ2およびQ3は共に導通して
おり、3の電位はVBEQ3(on)+VCEQ2(on)
(たゞし、VBEQ3(on)はトランジスタQ3の導通
時のベース・エミツタ間電圧、VCEQ2(on)はト
ランジスタQ2の導通時のコレクタ・エミツタ間
電圧)であるから、トランジスタQ7は導通状態、
トランジスタQ8は遮断状態にあり、抵抗R8を流
れる電流i1は、ダイオードD2を流れ、出力トラン
ジスタQ3のベースに供給されている。
In Fig. 3, when input 1 is at the "1" level, both transistors Q 2 and Q 3 are conducting, and the potential of 3 is VBEQ 3 (on) + VCEQ 2 (on).
(However, VBEQ 3 (on) is the base-emitter voltage when transistor Q 3 is conductive, and VCEQ 2 (on) is the collector-emitter voltage when transistor Q 2 is conductive.) Therefore, transistor Q 7 is a conductive state,
Transistor Q 8 is in the cut-off state, and the current i 1 flowing through resistor R 8 flows through diode D 2 and is supplied to the base of output transistor Q 3 .

ここで入力1が“1”レベルから“0”レベル
に立下つた場合を考える。第1図の従来回路にお
いては、トランジスタQ2、およびQ3は比較的速
やかに遮断し、出力5の電位は、トランジスタ
Q2のコレクタ3の立ち上がりに伴つて上昇する。
Let us now consider the case where input 1 falls from the "1" level to the "0" level. In the conventional circuit shown in FIG. 1, transistors Q 2 and Q 3 are cut off relatively quickly, and the potential of output 5 is
It rises as collector 3 of Q2 rises.

しかし第3図の本考案回路においては、トラン
ジスタQ2が遮断しても、トランジスタQ8が遮断
状態から導通状態に切り換わるまでは、電流i1
は、まだトランジスタQ3のベースに流れていて、
出力は“0”レベルを保持している。
However, in the circuit of the present invention shown in FIG. 3, even if transistor Q 2 is cut off, the current i 1 remains until transistor Q 8 switches from the cut-off state to the conduction state.
is still flowing to the base of transistor Q3 ,
The output maintains the "0" level.

詳述すると、トランジスタQ2が遮断状態にな
ると抵抗R7を流れる電流i2はまずはじめはトラン
ジスタQ7のベース・エミツタの経路で流れてい
るため、トランジスタQ2のコレクタ3の電位は
抵抗R2、およびR7によつて上昇する。この点が
上昇してゆくと、トランジスタQ7はしだいに逆
方向トランジスタ動作となり、電流i2はこんどは
トランジスタQ7のベース・コレクタの経路を流
れ、トランジスタQ7のコレクタと接地点との間
に接続されているコンデンサC1の容量が充電さ
れた後、トランジスタQ8のベース7の電位が上
昇する。その後、7の電位がVD1(on)+VBEQ8
(on)(ただし、VD1(on)およびVBEQ8(on)は
それぞれダイオードD1の順方向電圧およびトラ
ンジスタQ8の導通時のベース・エミツタ間電圧
である。)まで達すると、トランジスタQ8が導通
し、電流i1はバイパスしてトランジスタQ8のコレ
クタ電流となるため、出力トランジスタQ3は遮
断状態となる。
To explain in detail, when the transistor Q 2 is cut off, the current i 2 flowing through the resistor R 7 first flows through the base-emitter path of the transistor Q 7 , so the potential of the collector 3 of the transistor Q 2 is changed to the resistor R 7. 2 , and R 7 . As this point rises, transistor Q 7 gradually becomes a reverse transistor, and current i 2 now flows through the base-collector path of transistor Q 7 and between the collector of transistor Q 7 and ground. After the capacitance of the connected capacitor C1 is charged, the potential of the base 7 of the transistor Q8 rises. After that, the potential of 7 becomes VD 1 (on) + VBEQ 8
(on) (where VD 1 (on) and VBEQ 8 (on) are the forward voltage of diode D 1 and the base-emitter voltage of transistor Q 8 when it is conductive, respectively). conducts, and the current i1 bypasses and becomes the collector current of the transistor Q8 , so the output transistor Q3 is cut off.

したがつてトランジスタQ2が遮断状態となつ
ても出力5の電位はトランジスタQ2のコレクタ
3の電位に追随して上昇はせず、所定の遅延時間
の後上昇することになる。
Therefore, even if the transistor Q2 is cut off, the potential of the output 5 does not rise following the potential of the collector 3 of the transistor Q2 , but rises after a predetermined delay time.

すなわち、本考案回路によれば、第1図の回路
より出力トランジスタの遮断状態となるのが遅く
なり、それだけターンオフ時間を遅らせることが
できる。また、抵抗R2,R7,R8の抵抗値および
コンデンサC1の容量値を適当に選べば、所望の
遅延時間を得ることができる。入力1が“1”レ
ベルから“0”レベルに変化して上記所定の遅延
時間が経過した後は、トランジスタQ2はオフし
ており、抵抗R8からの電流I1はトランジスタQ8
を介して流れているのでトランジスタQ3のベー
ス電流はなく、トランジスタQ3もオフしている。
この状態で入力1が“0”レベルから“1”レベ
ルに変化すると、トランジスタQ2はオンしてト
ランジスタQ3にベース電流を供給しはじめるの
でトランジスタQ3はオンする。この時、抵抗R8
からの電流I1はまだトランジスタQ3のベースに流
れていないが、トランジスタQ3はトランジスタ
Q2からの電流でオンするので、このターンオン
時間は第1図の従来例のターンオン時間と変わる
ことはない。
That is, according to the circuit of the present invention, the output transistor is turned off later than the circuit shown in FIG. 1, and the turn-off time can be delayed accordingly. Further, by appropriately selecting the resistance values of the resistors R 2 , R 7 , and R 8 and the capacitance value of the capacitor C 1 , a desired delay time can be obtained. After input 1 changes from the "1" level to the "0" level and the above-mentioned predetermined delay time has elapsed, the transistor Q2 is off, and the current I1 from the resistor R8 flows through the transistor Q8.
There is no base current of transistor Q3 , and transistor Q3 is also off.
When the input 1 changes from the "0" level to the "1" level in this state, the transistor Q 2 turns on and starts supplying base current to the transistor Q 3 , so the transistor Q 3 turns on. At this time, the resistance R 8
The current from I 1 is not yet flowing into the base of transistor Q 3 , but transistor Q 3 is a transistor
Since it is turned on by the current from Q2 , this turn-on time is no different from the turn-on time of the conventional example shown in FIG.

本考案はTTL回路のみでなく、シヨツトキー
TTL、DTL回路あるいは回路を構成するトラン
ジスタに必要に応じてシヨツトキーバリヤクラン
プを設けたものなどに適用でき、また、この回路
は前述した3−ステート出力の出力制御用回路の
ほかに、狹いクロツク最小パルス幅が要求される
順序回路のクロツク入力回路等に利用できる。
This invention is applicable not only to TTL circuits but also to shortcut keys.
It can be applied to TTL, DTL circuits, or those in which shot key barrier clamps are provided as necessary to the transistors that make up the circuit.In addition to the aforementioned 3-state output control circuit, this circuit can also be used for It can be used in clock input circuits of sequential circuits that require a minimum clock pulse width.

以上の説明の如く、位相分割段トランジスタの
コレクタ接地電位および電源との間に上述の素子
を追加するのみで出力のターンオン時間を遅らせ
ることなしにターンオフ時間を容易に遅らせるこ
とができる。したがつて、従来のように個別に回
路を設ける必要がなく、回路を構成する素子数を
大幅に削減でき、その効果は大きいものである。
As described above, the turn-off time can be easily delayed without delaying the output turn-on time by simply adding the above-mentioned element between the collector ground potential of the phase division stage transistor and the power supply. Therefore, there is no need to provide individual circuits as in the conventional case, and the number of elements constituting the circuit can be significantly reduced, which has a great effect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はTTL NAND回路の回路接続図の一
例、第2図は3−ステート出力回路とそれを制御
する回路の論理図の一例、第3図は本考案の実施
例を示すTTL NAND回路の接続図である。 符号の説明、Q1〜Q8……トランジスタ、D1
D2……ダイオード、R1〜R8……抵抗、1……入
力端子、5……出力端子、6……電源端子。
Fig. 1 is an example of a circuit connection diagram of a TTL NAND circuit, Fig. 2 is an example of a logic diagram of a 3-state output circuit and a circuit that controls it, and Fig. 3 is an example of a TTL NAND circuit showing an embodiment of the present invention. It is a connection diagram. Explanation of symbols, Q 1 to Q 8 ...transistor, D 1 ,
D 2 ... Diode, R 1 to R 8 ... Resistor, 1 ... Input terminal, 5 ... Output terminal, 6 ... Power supply terminal.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] ベースが入力端子に接続され、コレクタが負荷
を介して電源の一方の端子に接続された第1のト
ランジスタと、ベースが該第1のトランジスタの
コレクタに接続され、コレクタが前記電源の前記
一方の端子に接続され、エミツタが出力端子に接
続された第2のトランジスタと、ベースが前記第
1のトランジスタのエミツタに接続され、エミツ
タが前記電源の他方の端子に接続され、コレクタ
が前記出力端子に接続された第3のトランジスタ
と、エミツタが前記第1のトランジスタのコレク
タに接続され、ベースが第1の抵抗を介して前記
電源の前記一方の端子に接続された第4のトラン
ジスタと、ベースが前記第4のトランジスタのコ
レクタに直流的に接続され、エミツタが前記電源
の前記他方の端子に直流的に接続され、コレクタ
が前記電源の前記一方の端子に第2の抵抗を介し
て接続された第5のトランジスタと、前記第3の
トランジスタのベースと前記第5のトランジスタ
のコレクタとの間に接続されたダイオードとを有
し、前記第4のトランジスタのコレクタと接地点
との間に容量成分を持たせることにより、前記第
1のトランジスタがオフしてから所定時間後に前
記第3のトランジスタがオフするようにしたこと
を特徴とするバイポーラ飽和形論理回路。
a first transistor having a base connected to an input terminal and a collector connected to one terminal of the power supply via a load; a base connected to the collector of the first transistor; a second transistor whose base is connected to the emitter of the first transistor, whose emitter is connected to the other terminal of the power supply, and whose collector is connected to the output terminal; a fourth transistor whose emitter is connected to the collector of the first transistor and whose base is connected to the one terminal of the power supply via a first resistor; a collector of the fourth transistor, an emitter connected to the other terminal of the power source, and a collector connected to the one terminal of the power source via a second resistor; a fifth transistor; a diode connected between the base of the third transistor and the collector of the fifth transistor; and a capacitive component between the collector of the fourth transistor and a ground point. A bipolar saturation type logic circuit, wherein the third transistor is turned off a predetermined time after the first transistor is turned off.
JP1979022667U 1979-02-22 1979-02-22 Expired JPH0413853Y2 (en)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5194753A (en) * 1975-02-18 1976-08-19

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5194753A (en) * 1975-02-18 1976-08-19

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