JPH04137616A - Device and method for applying resist film - Google Patents

Device and method for applying resist film

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JPH04137616A
JPH04137616A JP25908290A JP25908290A JPH04137616A JP H04137616 A JPH04137616 A JP H04137616A JP 25908290 A JP25908290 A JP 25908290A JP 25908290 A JP25908290 A JP 25908290A JP H04137616 A JPH04137616 A JP H04137616A
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JP
Japan
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mask blank
resist
resist film
sample
center
Prior art date
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Application number
JP25908290A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Suzuki
敏幸 鈴木
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To form a resist film of a constant thickness on a mask blank by providing a body section having a rotating table on which a sample is put with its center at the rotation axis, and a nozzle section for dripping a resist solution on to the center of the sample. CONSTITUTION:At first, a mask blank 16 is put on the rotating table 15 of a body section 11, and a resist scattering preventing cover 19 is closed. After that, a resist solution is dripped on to the center of the mask blank 16 from a resist solution dripping nozzle 20. On this occasion, the resist dripping nozzle 20 is so controlled that the resist solution may be dripped on the center of the mask blank 16 without fail. Next, a driver section 12 drives the rotating table 15 in order to rotate it at a constant low speed. And when the resist solution is dripped to a degree that it covers the surface of the mask blank 16, the rotating speed of the rotating table 15 is switched over to high-speed rotation. After that, the rotation is continued for a given time, and when the resist film is formed uniformly on the mask blank 16, the rotating table 15 is stopped.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、特にマスク作成工程においてマスクブランク
上にレジスト膜を形成するためのレジスト膜塗布装置及
び方法の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention particularly relates to improvements in a resist film coating apparatus and method for forming a resist film on a mask blank in a mask making process.

(従来の技術) 従来、半導体装置製造用のマスクを作成する場合には、
一般に、表面にレジスト膜が形成されたマスクブランク
が利用されている。つまり、このマスクブランクに、電
子ビーム露光装置からの電子ビームを照射し、かつ現像
することによって、所定のパターンを有するマスクが形
成される。
(Prior art) Conventionally, when creating a mask for semiconductor device manufacturing,
Generally, a mask blank having a resist film formed on its surface is used. That is, by irradiating this mask blank with an electron beam from an electron beam exposure device and developing it, a mask having a predetermined pattern is formed.

ここで、電子ビームに感応するレジスト(例えばポリメ
チルメタクリレート)膜をマスクマスクブランク表面に
形成するには、主に以下に示すような方法が用いられて
いる。
Here, the following method is mainly used to form a resist (for example, polymethyl methacrylate) film sensitive to electron beams on the surface of a mask blank.

まず、レジスト膜塗布装置の回転台にマスクブランクを
載置する。この後、マスクブランク上にレジスト液をラ
ンダム又は直線的に滴下する。
First, a mask blank is placed on a rotating table of a resist film coating device. After this, the resist solution is randomly or linearly dropped onto the mask blank.

また、ある一定速度(例えば101000rpで回転台
を回転させ、マスクブランク上に5000人程度0レジ
スト膜を形成する。
Further, the rotary table is rotated at a certain constant speed (for example, 101,000 rpm) to form a resist film of about 5,000 resists on the mask blank.

しかしながら、上記方法によれば、マスクブランク上に
は、ランダム又は直線的にレジスト液が滴下される。ま
た、回転台を一定速度で回転させることによってレジス
ト膜が形成される。このため、マスクブランク上には、
必ずしも一定膜厚のレジストが形成されず、その膜厚に
ムラが生じる場合が多いため、形成されるパターンに悪
影響を及ぼすという欠点があった。
However, according to the above method, the resist liquid is dropped randomly or linearly onto the mask blank. Further, a resist film is formed by rotating the turntable at a constant speed. For this reason, on the mask blank,
A resist having a constant thickness is not necessarily formed, and the thickness often becomes uneven, which has the drawback of adversely affecting the formed pattern.

具体的には、第6図に示すように、マスクブランク上に
形成されたレジスト膜の膜厚か、周辺部で薄かったり(
同図(a)参照)又は周辺部においてバラツキが生じて
いたり(同図(b)参照)していた。即ち、マスクブラ
ンクの表面全体においてレジスト膜の膜厚にバラツキが
生じていた。
Specifically, as shown in Figure 6, the thickness of the resist film formed on the mask blank may be thinner at the periphery (
(see figure (a)) or in the peripheral area (see figure (b)). That is, there were variations in the thickness of the resist film over the entire surface of the mask blank.

なお、上記レジスト膜の膜厚のバラツキは、第7図に示
すように、後工程を経て形成されたマスクブランク上の
パターン寸法にバラツキを生じさせる要因となっていた
。つまり、このパターン寸法のバラツキは、マスクブラ
ンク周辺部で顕著となっており、又レジスト膜の膜厚の
バラツキか大きな原因となっていた。
Incidentally, as shown in FIG. 7, the variation in the film thickness of the resist film causes variation in the pattern dimensions on the mask blank formed through the post-process. In other words, this variation in pattern dimensions is noticeable in the peripheral area of the mask blank, and is also a major cause of variation in the thickness of the resist film.

一方、レジスト塗布装置において、レジスト液を滴下す
るノズルも、回転台上の任意の位置に配置されていたた
め、マスクブランクにレジスト液を滴下する際には、滴
下位置の片寄り等が生じていた。また、このような状態
で回転台を回転させていたため、レジスト膜の膜厚のバ
ラツキの一因となっていた。
On the other hand, in resist coating equipment, the nozzle for dropping the resist solution was also placed at an arbitrary position on the rotary table, so when dropping the resist solution onto the mask blank, the dropping position was uneven. . Furthermore, since the rotary table was rotated in such a state, this was a cause of variations in the thickness of the resist film.

(発明が解決しようとする課題) このように、従来では、マスクブランク上にランダム又
は直線的にレジスト液が滴下され、又、回転台を一定速
度で回転させることによってレジスト膜を形成していた
。また、ノズルも、回転台上の任意の位置に配置されて
いた。このため、マスクブランク上には、必ずしも一定
膜厚のレジストが形成されず、その膜厚にムラが生じ、
パターン寸法に悪影響を及ぼすという欠点かあった。
(Problem to be Solved by the Invention) In this way, conventionally, a resist solution was dripped randomly or linearly onto a mask blank, and a resist film was formed by rotating a rotary table at a constant speed. . Further, the nozzle was also placed at an arbitrary position on the rotating table. For this reason, a resist film of a constant thickness is not necessarily formed on the mask blank, and the film thickness becomes uneven.
There was a drawback in that it had a negative effect on pattern dimensions.

本発明は、上記欠点を解決すべくなされたものであり、
マスクブランク上に一定膜厚のレジスト膜を形成するこ
とか可能なレジスト膜塗布装置及び方法を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made to solve the above drawbacks,
It is an object of the present invention to provide a resist film coating device and method capable of forming a resist film of a constant thickness on a mask blank.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、本発明のレジスト膜塗布装
置は、回転可能であって、その回転軸に試料の中心がく
るように前記試料が載置される回転台を有する本体部と
、前記回転台を駆動させる駆動部と、前記試料の中心上
にレジスト液を滴下するノズル部とを備えている。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the resist film coating device of the present invention is rotatable and coats the sample so that the center of the sample is aligned with the axis of rotation. The sample includes a main body portion having a rotary table on which the sample is placed, a drive portion for driving the rotary table, and a nozzle portion for dropping resist liquid onto the center of the sample.

また、前記回転台の回転速度を制御可能な制御部を備え
ている。
Further, a control section capable of controlling the rotational speed of the rotary table is provided.

本発明のレジスト膜塗布方法は、まず、試料の中心上に
Iノジスト液を滴下し、前記試料の中心を軸として、前
記試料を低速度で回転させる。
In the resist film coating method of the present invention, first, a resist solution is dropped onto the center of a sample, and the sample is rotated at a low speed about the center of the sample.

定時間経過した後、前記試料の回転速度を低速度から高
速度へ切り替え、前記試料上にレジスト膜を均一に塗布
するというものである。
After a certain period of time has elapsed, the rotation speed of the sample is switched from low speed to high speed, and a resist film is uniformly applied onto the sample.

(作用) 上記構成によれば、ノズル部により試料の中心上にレジ
スト液が滴下され、又、駆動部により回転台が駆動され
ている。また、制御部により回転台の回転速度か制御さ
れている。このため、マスクブランク表面上には、一定
膜厚のレジスト膜か形成され、パターン形成されたマス
クブランク上のパターン寸法のバラツキも改善ないし殆
ど無くすことかできる。
(Function) According to the above configuration, the resist liquid is dropped onto the center of the sample by the nozzle part, and the rotary table is driven by the drive part. Further, the rotation speed of the rotary table is controlled by the control section. Therefore, a resist film with a constant thickness is formed on the surface of the mask blank, and variations in pattern dimensions on the patterned mask blank can be improved or almost eliminated.

また、上記方法によれば、試料の中心上にレジスト液を
滴下し、回転台の回転速度を制御I7なからマスクブラ
ンク上にレジスト膜を形成している。このため、マスク
ブランク表面上には均一ナレジスト膜が形成され、パタ
ーン形成されたマスクブランク上のパターン寸法のバラ
ツキか改善される。
Further, according to the above method, a resist solution is dropped onto the center of the sample, and a resist film is formed on the mask blank by controlling the rotation speed of the rotary table I7. Therefore, a uniform resist film is formed on the surface of the mask blank, and variations in pattern dimensions on the patterned mask blank are improved.

(実施例) 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について詳
細に説明する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明のレジスト膜塗布装置の基本構成を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the basic configuration of a resist film coating apparatus of the present invention.

このレジスト膜塗布装置は、マスクブランク(試料)が
載置される回転台を有する本体部11と、前記回転台を
駆動させる駆動部12と、レジスト液をマスクブランク
上に滴下させるノズル部13とによって構成されている
。また、これら本体部11、駆動部12及びノズル部1
3は、制御部14によって制御されている。
This resist film coating apparatus includes a main body part 11 having a rotary table on which a mask blank (sample) is placed, a drive part 12 that drives the rotary table, and a nozzle part 13 that drips resist liquid onto the mask blank. It is made up of. Moreover, these main body part 11, drive part 12, and nozzle part 1
3 is controlled by the control section 14.

第2図は、本体$11を具体的に示すものである。なお
、第2図において、15は回転台、16はマスクブラン
ク、17はマスクブランク固定部材、18は回転台受は
外装質、19はレジスト散乱防止カバー 20はレジス
ト液注出ノズルである。
FIG. 2 specifically shows the main body $11. In FIG. 2, 15 is a rotary table, 16 is a mask blank, 17 is a mask blank fixing member, 18 is an exterior material of the rotary table holder, 19 is a resist scattering prevention cover, and 20 is a resist liquid pouring nozzle.

回転台15上には、マスクブランク16が載置されてい
る。マスクブランク上6は、その四方においてマスクブ
ランク固定部材17によって固定されている。なお、回
転台15の回転軸とマスクブランク16の中心とは一致
している。レジスト液注出ノズル20は、マスクブラン
ク16の中心、即ち回転台15の回転中心の真上にその
注出口が位置するように配置されている。また、回転台
15は、回転台受は外装質18上に配置され、レジスト
散乱防止カバー19によって覆われている。
A mask blank 16 is placed on the rotary table 15. The upper mask blank 6 is fixed by mask blank fixing members 17 on all sides thereof. Note that the rotation axis of the rotating table 15 and the center of the mask blank 16 coincide with each other. The resist liquid pouring nozzle 20 is arranged such that its spout is located at the center of the mask blank 16, that is, directly above the rotation center of the rotary table 15. Further, the rotary table holder of the rotary table 15 is disposed on the exterior material 18 and covered with a resist scattering prevention cover 19.

次に、本発明のレジスト膜塗布装置の基本的な動作につ
いて、前記第1図に示すブロック図、前記第2図に示す
外観図、及び第3図に示す流れ図を参照しながら詳細に
説明する。
Next, the basic operation of the resist film coating apparatus of the present invention will be explained in detail with reference to the block diagram shown in FIG. 1, the external view shown in FIG. 2, and the flowchart shown in FIG. 3. .

まず、本体部11の回転台15上にマスクブランク16
を載置する。なお、マスクブランク16は、ガラス層1
6a上にクロム層16bが形成された構成となっている
。また、レジスト散乱防止カバー19を閉じる。この後
、レジスト液注出ノズル20からマスクブランク16の
中心上へレジスト液が滴下される。ここで、レジスト液
注出ノズル20は、レジスト液が必ずマスクブランク1
6の中心上へ滴下されるように制御されている(ステッ
プ5TI)。次に、回転台15が一定かつ低速度回転(
300rpm前後)するように、駆動部12により回転
台15を駆動させる(ステップ5T2)。次に、この回
転によって、レジスト液がマスクブランク16表面上を
覆う程度になったら、今度は、回転台15の回転速度を
低速度回転から高速度回転(1000rprn前後)へ
切り替える(ステップ5T3)。この後、一定時間回転
を続け、マスクブランク16上に一様にレジスト膜が形
成されたら、回転台15を停止させる(ステップ5T4
)。
First, the mask blank 16 is placed on the rotating table 15 of the main body 11.
Place. Note that the mask blank 16 has a glass layer 1
A chromium layer 16b is formed on the chromium layer 6a. Additionally, the resist scattering prevention cover 19 is closed. Thereafter, the resist solution is dripped onto the center of the mask blank 16 from the resist solution pouring nozzle 20. Here, the resist liquid pouring nozzle 20 always supplies the resist liquid to the mask blank 1.
6 (step 5TI). Next, the turntable 15 rotates at a constant and low speed (
The rotating table 15 is driven by the driving unit 12 so that the rotation speed is around 300 rpm (step 5T2). Next, when the resist solution reaches a level that covers the surface of the mask blank 16 due to this rotation, the rotation speed of the rotary table 15 is switched from low speed rotation to high speed rotation (approximately 1000 rprn) (step 5T3). Thereafter, the rotation is continued for a certain period of time, and when a resist film is uniformly formed on the mask blank 16, the rotating table 15 is stopped (step 5T4).
).

上述したようなレジスト膜塗布装置及び方法を用いて、
マスクブランク16表面上にレジスト膜を形成したとこ
ろ、第4図に示すような結果が得られた。
Using the resist film coating device and method as described above,
When a resist film was formed on the surface of the mask blank 16, the results shown in FIG. 4 were obtained.

つまり、同図かられかるように、マスクブランク16の
中心部と周辺部とにおいて、又周辺部−帯においてレジ
スト膜の膜厚のバラツキが殆ど無くなっている。即ち、
レジスト膜をマスクブランク16上に均一に塗布するこ
とができる。従って、第5図に示すように、後工程を経
てパターン形成されたマスクブランク16上のパターン
寸法のバラツキも、改善ないし殆ど無くすことが可能に
なる。なお、パターン寸法のバラツキを改善ないし殆ど
無くすということは、今後、益々パターンが微細化する
半導体装置製造用マスクの作成において、大きな効力を
発揮できることは間違いなしである。
In other words, as can be seen from the figure, there is almost no variation in the thickness of the resist film between the center and the periphery of the mask blank 16, and between the periphery and the band. That is,
The resist film can be uniformly applied onto the mask blank 16. Therefore, as shown in FIG. 5, it is possible to improve or almost eliminate variations in pattern dimensions on the mask blank 16 that are patterned through post-processing. There is no doubt that improving or almost eliminating variations in pattern dimensions will be highly effective in the future in the production of masks for semiconductor device manufacturing, where patterns will become increasingly finer.

ところで、上記実施例では、マスクブランク16上にレ
ジスト膜を形成する場合について詳述したが、例えばウ
ェーハ上にレジスト膜を形成する場合についても、本発
明が適用できることは言うまでもない。
Incidentally, in the above embodiment, the case where a resist film is formed on the mask blank 16 has been described in detail, but it goes without saying that the present invention can also be applied to, for example, a case where a resist film is formed on a wafer.

[発明の効果コ 以上、説明したように、本発明のレジスト膜塗布装置及
び方法によれば、次のような効果を奏する。
[Effects of the Invention] As described above, the resist film coating apparatus and method of the present invention provides the following effects.

マスクブランク表面上には、一定膜厚のレジスト膜を形
成することか可能である。従って、パターン形成された
マスクブランク16上のパターン寸法のバラツキも、改
善ないし殆ど無くすことが可能になる。
It is possible to form a resist film with a constant thickness on the surface of the mask blank. Therefore, variations in pattern dimensions on the patterned mask blank 16 can also be improved or almost eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係わるレジスト膜塗布装置
の基本構成を示すブロック図、第2図は前記第1図の本
体部11を具体的に示す図、第3図は本発明のレジスト
膜塗布装置の基本動作を示す流れ図、第4図は本発明の
レジスト膜塗布装置及び方法を用いてレジスト膜を形成
した際のマスクブランク面内における膜厚変動を示す図
、第5図は本発明のレジスト膜塗布装置及び方法を用い
てレジスト膜を形成した際のマスクブランク面内におけ
るパターン寸法の変動を示す図、第6図は従来のマスク
ブランク面内における膜厚変動を示す図、第7図は従来
のマスクブランク面内におけるパターン寸法の変動を示
す図である。 11・・・本体部、12・・駆動部、13・・・ノズル
部、14・・・制御部、15・・・回転台、16・・・
マスクブランク、17・・・マスクブランク固定部材、
18・・・回転台受は外装置、19・・・レジスト散乱
防止カバー 20・・・レジスト液注出ノズル。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 第 図 第 図 ア 第 図 第 図 マスク均等分割数 第6 図 マスク均等分割数 マスク均等分割数 マスク均等分割− 第 図
FIG. 1 is a block diagram showing the basic configuration of a resist film coating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram specifically showing the main body portion 11 of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a flowchart showing the basic operation of the resist film coating device; FIG. 4 is a diagram showing film thickness variation within the mask blank surface when a resist film is formed using the resist film coating device and method of the present invention; FIG. A diagram showing variations in pattern dimensions within the plane of a mask blank when a resist film is formed using the resist film coating apparatus and method of the present invention, FIG. 6 is a diagram showing variations in film thickness within the plane of a conventional mask blank, FIG. 7 is a diagram showing variations in pattern dimensions within the plane of a conventional mask blank. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Main body part, 12... Drive part, 13... Nozzle part, 14... Control part, 15... Turntable, 16...
Mask blank, 17... mask blank fixing member,
18...Rotating table support is an external device, 19...Resist scattering prevention cover 20...Resist liquid pouring nozzle. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure Figure Figure A Figure Figure Mask equal division number Figure 6 Mask equal division number Mask equal division number Mask equal division - Figure

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)回転可能であって、その回転軸に試料の中心がく
るように前記試料が載置される回転台を有する本体部と
、前記回転台を駆動させる駆動部と、前記試料の中心上
にレジスト液を滴下するノズル部とを具備することを特
徴とするレジスト膜塗布装置。
(1) A main body part that is rotatable and has a turntable on which the sample is placed so that the center of the sample is aligned with the axis of rotation, a drive part that drives the turntable, and a drive part that drives the turntable, and 1. A resist film coating device comprising: a nozzle portion for dropping a resist solution;
(2)前記回転台の回転速度を制御可能な制御部を具備
することを特徴とする請求項1記載のレジスト塗布装置
(2) The resist coating apparatus according to claim 1, further comprising a control section capable of controlling the rotational speed of the rotary table.
(3)試料の中心上にレジスト液を滴下し、前記試料の
中心を軸として、前記試料を低速度で回転させ、一定時
間経過した後に前記試料の回転速度を低速度から高速度
へ切り替えることにより、前記試料上にレジスト膜を均
一に塗布することを特徴とするレジスト膜塗布方法。
(3) Dropping a resist solution onto the center of the sample, rotating the sample at a low speed about the center of the sample, and switching the rotation speed of the sample from low speed to high speed after a certain period of time has elapsed; A resist film coating method characterized by uniformly coating a resist film on the sample.
JP25908290A 1990-09-28 1990-09-28 Device and method for applying resist film Pending JPH04137616A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010198032A (en) * 2003-03-28 2010-09-09 Hoya Corp Mask blank and transfer mask

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