JPH04130645A - 半導体レーザ素子の測定方法および測定装置 - Google Patents

半導体レーザ素子の測定方法および測定装置

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Publication number
JPH04130645A
JPH04130645A JP25125990A JP25125990A JPH04130645A JP H04130645 A JPH04130645 A JP H04130645A JP 25125990 A JP25125990 A JP 25125990A JP 25125990 A JP25125990 A JP 25125990A JP H04130645 A JPH04130645 A JP H04130645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
laser element
semiconductor laser
directions
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25125990A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuaki Hasegawa
長谷川 安昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP25125990A priority Critical patent/JPH04130645A/ja
Publication of JPH04130645A publication Critical patent/JPH04130645A/ja
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、半導体レーザ素子の測定方法および測定装置
に関し、特に、レーザ・バーと呼ばれる短冊状に連らね
られた状態のレーザ素子の特性を測定する方法および装
置に関する。
[従来の技術] 従来の測定方法は、第2図に示されるように、まず、レ
ーザ・バー6中の特定のレーザ素子をプロービングして
発振させ、レーザビームを収束レンズ4を介して、ホル
ダ5aに保持された光ファイバ5に入射し、光ファイバ
に接続された光スペクトラム・アナライザ(図示なし)
によって波長測定を行い、続いて、レーザ・バーを移動
させ、2回目のブロービングを行って受光素子3によっ
て光出力(光強度)の測定を行っていた。
第3図は、他の従来例を示す光学系の配置図である。こ
の従来例では、レーザビ−ムをレーザ0バー載置台7の
上に配置してブロービングし、レーザ素子の一方の側(
例えば、前面側)に配置された受光素子3により光出力
を測定し、レーザ素子の他方の側(例えば、後方側)に
配置された収束レンズ4と、ホルダ5aに保持された光
ファイバとを介してレーザ光を光スペクトラム書アナラ
イザ(図示なし)へ導きレーザ光の波長測定を行ってい
た。
[発明が解決しようとする課題] 前述した第1の従来方法では、半導体レーザ素子を2回
発振させなければならず、レーザ素子に対する位置合わ
せ、ブロービングに多大の時間を要する。また、発振さ
せるために素子に2回プローブ針を接触させるため、電
極面の受ける損傷が多くなるという問題がある。
半導体レーザ素子の前後で測定を行う第2の従来例では
、半導体レーザ素子の一方の光出射面がレーザ・バー載
置台7の上に存在するようになるため、出射光の一部は
載置台に入射してしまい測定器に入射されないことにな
る。また、−船釣に後方側の出射光は前面出射光より光
量が少ない。
そのため、第2の従来例では、少なくとも一方の側は光
量が不足してしまい測定が不可能となったり測定値が不
正確なものとなったりした。
[課題を解決するための手段] 本発明による半導体レーザ素子の測定方法は、レーザ・
バーの中の一つのレーザ素子をブロービングにより発振
させ、レーザ出射光を平行光束とした後ビームスプリッ
タ等により2方向に分岐させ、分岐された一方のレーザ
ビームを用いて光出力の測定を行い、分岐された他方の
レーザビームを用いて光波長の測定を行うものである。
[実施例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の一実施例を示す光学測定系の構成図で
ある。レーザ9バー6内の一つのレーザ素子に対してブ
ロービングを行い該レーザ素子を発振させる。該レーザ
素子から放射されたレーザビームをコリメートレンーズ
1で平行ビームとし、この平行ビームをビームスプリッ
タ2で2方向に分岐させる。ビームスプリッタ2を直進
したレーザビームは受光素子に入射し、ここで光強度の
測定が行われる。一方、進行方向を90″曲げられてビ
ームスプリッタ2を出射した光は収束レンズ4で収束さ
れ、光ファイバ5の先端に取り付けられたレンズ部5b
に入射する。そして光ファイバ5に接続された光スペク
トラム・アナライザ(図示なし)によって波長の測定杆
われる。
本実施例によれば、レーザ素子の光学系に対する位置合
わせおよびブロービングが1回で済み、2種の測定を同
時に行えることから測定時間が大幅に短縮される。また
、ブロービングが1回だけであることから、レーザ素子
を傷つける可能性が低下する。さらに、レーザ素子の前
面出射光のみをしかもその進路がレーザ・バー載置台に
よって妨げられることのない状態で測定に利用している
ので、光量不足の事態を回避することができる。
[発明の効果] 以上説明したように、゛本発明は、レーザ・バーの中の
半導体レーザ素子をブロービングにより発振させ、レー
ザビームをビームスプリッタ等により2方向に分岐させ
て、分岐された2つのレーザビームにより光出力の測定
と光波長の測定とを同時に行うものであるので、本発明
によれば、レーザ素子の光学系に対する位置合わせおよ
びレーザ素子の電極に対するブロービングが1回で済み
、測定時間を短縮できまたプローブ針による電極損傷の
可能性を低下させることができる。
また、本発明はレーザ素子の前方側の出射光のみを利用
するものであり、さらにレーザビームの進路がレーザ・
バーを載置する台によって妨げられないようにすること
ができるので、十分の光量のレーザビームを測定のため
に利用することができる。したがって、本発明によれば
、光量不足による測定不可能の事態を招くことがなくな
りまた精度の高い測定を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す光学系の配置図、第
2図、第3図は、従来例の光学系の配置図である。 ■・・・コリメートレンズ、   2・・・ビームスプ
リッタ、  3・・・受光素子、  4・・・収束レン
ズ、5・・・光ファイバ、   5a・・・ホルダ、 
  5b・・・レンズ部、  6・・・レーザ・バー 
  7・・・レーザ・バー載置台。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の半導体レーザが短冊状に連なっているレー
    ザ・バーの中の一つの半導体レーザ素子に給電して該半
    導体レーザ素子を発振せしめ、得られたレーザビームを
    2方向に分岐させ、分岐された一方のレーザビームを光
    強度測定装置に入力し、分岐された他方のレーザビーム
    を波長測定装置に入力する半導体レーザ素子の測定方法
  2. (2)レーザ・バー内の一つの半導体レーザ素子に給電
    する給電手段と、該半導体レーザ素子の放出光を2方向
    に分岐するビームスプリッタと、分岐された一方のレー
    ザビームが入力される光強度測定手段と、分岐された他
    方のレーザビームが入力される光波長測定手段と、を具
    備する半導体レーザ素子の測定装置。
  3. (3)レーザ・バー内の一つの半導体レーザ素子に給電
    する給電手段と、該半導体レーザ素子の放出光を平行光
    束とするコリメートレンズと、得られた平行光束を2方
    向に分岐するビームスプリッタと、分岐された一方のレ
    ーザビームが入力される光強度測定手段と、分岐された
    他方のレーザビームが入力される光波長測定手段と、を
    具備する半導体レーザ素子の測定装置。
JP25125990A 1990-09-20 1990-09-20 半導体レーザ素子の測定方法および測定装置 Pending JPH04130645A (ja)

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JP25125990A Pending JPH04130645A (ja) 1990-09-20 1990-09-20 半導体レーザ素子の測定方法および測定装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11769984B2 (en) 2021-07-30 2023-09-26 Panasonic Holdings Corporation Laser module, laser oscillator and laser processing system

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