JPH04125447A - プラスチック表面ブリード物の分析方法 - Google Patents
プラスチック表面ブリード物の分析方法Info
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- JPH04125447A JPH04125447A JP2246351A JP24635190A JPH04125447A JP H04125447 A JPH04125447 A JP H04125447A JP 2246351 A JP2246351 A JP 2246351A JP 24635190 A JP24635190 A JP 24635190A JP H04125447 A JPH04125447 A JP H04125447A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラスチックシート又は板状プラスチックの
表面ブリード物を分析するため微量ブリド物の分析可能
な偏光正反射赤外分光分析方法に関するものである。
表面ブリード物を分析するため微量ブリド物の分析可能
な偏光正反射赤外分光分析方法に関するものである。
各種プラスチック表面のブリード物にはその配合成分、
添加剤もしくはプラスチック本来持っている性質により
、可ソ剤、滑剤、帯電防止剤、オリゴマーなどがある。
添加剤もしくはプラスチック本来持っている性質により
、可ソ剤、滑剤、帯電防止剤、オリゴマーなどがある。
さらにその製造工程中の雰囲気、接触ロール等による汚
れもある。実際にはこれらのうち単一物質であることは
ほとんどなく、いくつかの物質が混在している場合が多
い。また、本発明において分析検討されるプラスチック
表面のブリード物の厚みは通常Ｏ１１μ以下の薄い層で
あるため、試料表面に関する情報を得るための方法とし
て従来から多用されてきたＡ Ｔ Ｒ（Ａｔｔｅｎｎａ
ｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ ）法に
よってブリード物の拭き取り又は洗浄前後の差スペクト
ルによる赤外分光分析も困難である。
れもある。実際にはこれらのうち単一物質であることは
ほとんどなく、いくつかの物質が混在している場合が多
い。また、本発明において分析検討されるプラスチック
表面のブリード物の厚みは通常Ｏ１１μ以下の薄い層で
あるため、試料表面に関する情報を得るための方法とし
て従来から多用されてきたＡ Ｔ Ｒ（Ａｔｔｅｎｎａ
ｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ ）法に
よってブリード物の拭き取り又は洗浄前後の差スペクト
ルによる赤外分光分析も困難である。
しかし最近のプラスチック材料の多機能化、高品質化に
伴い印刷、メツキ適性あるいは接着性の向上のためプラ
スチック表面ブリード物の分析の要求が高くなってきて
いる。
伴い印刷、メツキ適性あるいは接着性の向上のためプラ
スチック表面ブリード物の分析の要求が高くなってきて
いる。
一方金属表面すなわち赤外光反射層上では被分析層厚が
数ｎｍ程度の極薄層でも偏光−正反射赤外分光分析法に
より測定可能である。
数ｎｍ程度の極薄層でも偏光−正反射赤外分光分析法に
より測定可能である。
その目的とするところはプラスチック表面にブリードし
た物質を分析するために赤外光反射層上に該ブリード物
質を転移させ偏光正反射赤外分光分析を可能にすること
にある。
た物質を分析するために赤外光反射層上に該ブリード物
質を転移させ偏光正反射赤外分光分析を可能にすること
にある。
本発明は、プラスチックシート又は板状プラスチックの
表面ブリード物を赤外分光分析するため該プラスチック
表面上にＡ １． Ａ ｇ、 Ａ ｕ、 Ｃｕ等の金属
薄膜を真空蒸着法によって０．０５μ以上、５μ以下の
厚さに成膜し、その後で支持体に該金属薄膜を転写し、
同時に転移した該プラスチック表面ブリード物を偏光正
反射赤外分光分析することを特徴とするプラスチック表
面ブリード物の分析方法である。
表面ブリード物を赤外分光分析するため該プラスチック
表面上にＡ １． Ａ ｇ、 Ａ ｕ、 Ｃｕ等の金属
薄膜を真空蒸着法によって０．０５μ以上、５μ以下の
厚さに成膜し、その後で支持体に該金属薄膜を転写し、
同時に転移した該プラスチック表面ブリード物を偏光正
反射赤外分光分析することを特徴とするプラスチック表
面ブリード物の分析方法である。
本発明において赤外光反射層として用いられる金属薄膜
としてはＡ１．Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等があげられるが、赤
外光を良く反射し、成膜しやすいものてあれば良く、特
に限定するものではない。
としてはＡ１．Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等があげられるが、赤
外光を良く反射し、成膜しやすいものてあれば良く、特
に限定するものではない。
これらを成膜する手段としては抵抗加熱法および電子ビ
ーム法による、真空蒸着やスパッタリングがある。ここ
で気を付けなければいけないのは、成膜時に温度が上が
ることによって分析ブリード物の揮発成分が、蒸発して
しまうことである。した、かって成膜時の被分析プラス
チック温度は、分析ブリード物の気化温度よりも低くす
る必要がある。
ーム法による、真空蒸着やスパッタリングがある。ここ
で気を付けなければいけないのは、成膜時に温度が上が
ることによって分析ブリード物の揮発成分が、蒸発して
しまうことである。した、かって成膜時の被分析プラス
チック温度は、分析ブリード物の気化温度よりも低くす
る必要がある。
さらに成膜する金属薄膜の厚みは薄すぎると、正反射赤
外分光分析時の赤外光の反射が不十分になる。逆に厚す
ぎると、成膜方法、条件に大きく依存するが、内部応力
によるクラックや、温度上昇の原因になり好ましくない
。したがってその厚みは０．０５μ以上５μ以下である
ことが望ましい。
外分光分析時の赤外光の反射が不十分になる。逆に厚す
ぎると、成膜方法、条件に大きく依存するが、内部応力
によるクラックや、温度上昇の原因になり好ましくない
。したがってその厚みは０．０５μ以上５μ以下である
ことが望ましい。
金属薄膜成膜後、該金属薄膜の支持体への転写方法は接
着剤を用いて支持体と該金属薄膜とを硬化接着後支持体
と被分析プラスチックとをひき離すことによって支持体
へ該金属薄膜を転写し、同時に該プラスチック表面ブリ
ード物を転移させる。
着剤を用いて支持体と該金属薄膜とを硬化接着後支持体
と被分析プラスチックとをひき離すことによって支持体
へ該金属薄膜を転写し、同時に該プラスチック表面ブリ
ード物を転移させる。
ここで用いられる支持体は表面形状が正反射赤外分光分
析に適した鏡面であり該金属薄膜の転写に際して被分析
プラスチック上に成膜した該金属薄膜面に接着可能であ
ればその材質は特に限定するものではないが例えばガラ
ス板、石英板、フェノール積層板、各種プラスチックの
成形品などを挙げることがてきる。
析に適した鏡面であり該金属薄膜の転写に際して被分析
プラスチック上に成膜した該金属薄膜面に接着可能であ
ればその材質は特に限定するものではないが例えばガラ
ス板、石英板、フェノール積層板、各種プラスチックの
成形品などを挙げることがてきる。
このようにして用意された試料を通常の偏光正反射赤外
分光分析をすることによって、ごく微量のブリード物て
も分析可能となる。
分光分析をすることによって、ごく微量のブリード物て
も分析可能となる。
赤外光反射層として用いられる金属薄膜は真空蒸着によ
って直接被分析プラスチック表面に成膜されるため汚染
の心配がないばかりか該プラスチック表面に密着した状
態で成膜されるので金属薄膜の支持体への転写と同時に
行なわれるプラスチック表面ブリード物の転移が容易で
ある。
って直接被分析プラスチック表面に成膜されるため汚染
の心配がないばかりか該プラスチック表面に密着した状
態で成膜されるので金属薄膜の支持体への転写と同時に
行なわれるプラスチック表面ブリード物の転移が容易で
ある。
またブリード物は極微量の場合が多い。すなわち被分析
ブリード物層厚が薄〈従来の赤外分光分析たとえばＡＴ
Ｒ法では分析不可能なことが多い。
ブリード物層厚が薄〈従来の赤外分光分析たとえばＡＴ
Ｒ法では分析不可能なことが多い。
しかし本発明によって蒸着金属薄膜上に転移された被分
析ブリード物は偏光正反射赤外分光分析法による分析が
可能となる。
析ブリード物は偏光正反射赤外分光分析法による分析が
可能となる。
以下本発明の実施例を示す。
被分析物として市販の軟質塩化ビニルシートに真空蒸着
にてアルミニウムを約３０００人成膜した。
にてアルミニウムを約３０００人成膜した。
−力支持体としてフェノール積層板にスピンナーにて２
液反応性アクリル系接着剤を約５μ厚に塗布した。加熱
して溶剤等の揮発成分を除去した後、上記被分析軟質塩
化ビニルシートのアルミニウム面に加熱圧着した。
液反応性アクリル系接着剤を約５μ厚に塗布した。加熱
して溶剤等の揮発成分を除去した後、上記被分析軟質塩
化ビニルシートのアルミニウム面に加熱圧着した。
２液反応性アクリル系接着剤が充分硬化した後フェノー
ル積層板から被分析軟質塩化ビニルシートをひきはがす
ことによりフェノール積層板に真空蒸着アルミニウムと
被分析軟質塩化ビニルシートのブリード物が転写され、
偏光正反射赤外分光分析用サンプルを得た。
ル積層板から被分析軟質塩化ビニルシートをひきはがす
ことによりフェノール積層板に真空蒸着アルミニウムと
被分析軟質塩化ビニルシートのブリード物が転写され、
偏光正反射赤外分光分析用サンプルを得た。
このサンプルの偏光正反射赤外分光スペクトルを第１図
及び第２図に示す。
及び第２図に示す。
ともにフタレート物質が検出され被分析軟質塩化ビニル
シートのブリード物がフタレート物質であることがわか
った。
シートのブリード物がフタレート物質であることがわか
った。
本発明に従うとプラスチックシート又は板状プラスチッ
クの表面ブリード物の偏光、正反射赤外分光分析が可能
となる。
クの表面ブリード物の偏光、正反射赤外分光分析が可能
となる。
第１図は実施例の偏光正反射赤外分光分析による偏光角
度０°入射角度８０°の分光スペクトル、第２図は実施
例の偏光正反射赤外分光分析による偏光角度０°入射角
度８０°の分光スペクトルである。
度０°入射角度８０°の分光スペクトル、第２図は実施
例の偏光正反射赤外分光分析による偏光角度０°入射角
度８０°の分光スペクトルである。
Claims (1)
- （１）プラスチックシート又は板状プラスチックの表面
ブリード物を赤外分光分析するため該プラスチック表面
上にＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属薄膜を真空蒸着法
によって０．０５μ以上、５μ以下の厚さに成膜し、そ
の後で支持体に該金属薄膜を転写し、同時に転移した該
プラスチック表面ブリード物を偏光正反射赤外分光分析
することを特徴とするプラスチック表面ブリード物の分
析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2246351A JPH04125447A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | プラスチック表面ブリード物の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2246351A JPH04125447A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | プラスチック表面ブリード物の分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125447A true JPH04125447A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17147268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2246351A Pending JPH04125447A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | プラスチック表面ブリード物の分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125447A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015094667A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 富士通株式会社 | 分析試料の作製方法、分析試料及び分析方法 |
| CN109581573A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-05 | 深圳市三利谱光电科技股份有限公司 | 一种剥离偏光片的方法和鉴定偏光片类型的方法及其系统 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP2246351A patent/JPH04125447A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015094667A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 富士通株式会社 | 分析試料の作製方法、分析試料及び分析方法 |
| CN109581573A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-05 | 深圳市三利谱光电科技股份有限公司 | 一种剥离偏光片的方法和鉴定偏光片类型的方法及其系统 |
| CN109581573B (zh) * | 2018-12-18 | 2021-12-17 | 深圳市三利谱光电科技股份有限公司 | 一种剥离偏光片的方法和鉴定偏光片类型的方法及其系统 |
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