JPH04122045A - Clamp device of wafer and lamp method - Google Patents

Clamp device of wafer and lamp method

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JPH04122045A
JPH04122045A JP2243514A JP24351490A JPH04122045A JP H04122045 A JPH04122045 A JP H04122045A JP 2243514 A JP2243514 A JP 2243514A JP 24351490 A JP24351490 A JP 24351490A JP H04122045 A JPH04122045 A JP H04122045A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
bellows
pressure
clamp ring
movable plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2243514A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Futoshi Kadou
賀堂 太志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04122045A publication Critical patent/JPH04122045A/en
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Abstract

PURPOSE:To make heat transmission conditions fixed by changing a contact pressure between a wafer and a fixing base in accordance with a pressure difference between an atmospheric pressure of an inside of a bellows and that of an outside thereof. CONSTITUTION:A movable board 4 and a clamp ring 2 are connected to both ends of a rod 3 which passes through a fixing base 1 which is provided with a temperature controlling medium flow path 1a. A bellows 5 is interposed between the base 1 and board 4, and the ring 2 brings a wafer 6 into contact with the fixing base 1 by pressure difference between an atmospheric pressure of an inside of the bellows 5 and that of a periphery thereof. When an atmospheric pressure outside the bellows 5 lowers and vacuum degree increases, a contact pressure between the wafer 6 and the base 1 increases, thereby reducing the contact pressure in accordance with lowering of vacuum degree. Therefore, the higher vacuum degree is, the more effectively it compensates for lowering of heat transmission between the wafer 6 and the base 1. It is therefore possible to correct change of heat transmission in accordance with vacuum degree if conditions are adjusted.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ウェーハの周囲の気圧に応じてクランプ圧を変化させる
、ウェーハのクランプ装置及びクランプ方法の改良に関
し、 半導体ウェーハと固定台との接触部の真空度が変化した
場合においても、この間の熱の伝導状態を一定にするこ
とが可能となるウェーハのクランプ装置及びクランプ方
法の提供を目的とし、(1)固定台にクランプリングを
用いてウェーハをクランプするクランプ装置において、
内部に温調媒体流路を具備する固定台と、前記固定台を
貫通するロッドと、前記ロッドの両端に結合されている
可動板とクランプリングと、前記固定台と前記可動板と
にそれぞれ両端部が気密に固定され、前記固定台と前記
可動板との間に介在するベローズとを有するよう構成す
る。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the improvement of a wafer clamping device and clamping method that changes the clamping pressure according to the atmospheric pressure around the wafer, the degree of vacuum at the contact area between the semiconductor wafer and the fixing table changes. The purpose of the present invention is to provide a wafer clamping device and clamping method that makes it possible to keep the heat conduction state constant during this time even in the case of In,
A fixed base having a temperature control medium flow path therein, a rod passing through the fixed base, a movable plate and a clamp ring coupled to both ends of the rod, and both ends of the fixed base and the movable plate, respectively. The movable plate is airtightly fixed and includes a bellows interposed between the fixed base and the movable plate.

〔2〕請求項1記載のウェーハのクランプ装置を用い、
前記ベローズ内部の気圧と前記ベローズ外部の気圧との
差圧に応じて、前記クランプリングによる前記ウェーハ
と前記固定台との接触圧を変化させるよう構成する。
[2] Using the wafer clamping device according to claim 1,
The contact pressure between the wafer and the fixing table by the clamp ring is configured to be changed depending on the pressure difference between the air pressure inside the bellows and the air pressure outside the bellows.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、ウェーハの周囲の気圧に応じてクランプ圧を
変化させる、ウェーハのクランプ装置及びクランプ方法
の改良に関するものである。
The present invention relates to improvements in a wafer clamping device and clamping method that change clamping pressure depending on the atmospheric pressure around the wafer.

その温度が温調されている固定台に接触しているウェー
ハとこの固定台との接触圧が一定の場合には、ウェーハ
と固定台との接触部の真空度が異なると、この間の熱の
伝達に変化が生じる。
If the contact pressure between a wafer in contact with a fixed table whose temperature is regulated and this fixed table is constant, if the degree of vacuum at the contact area between the wafer and the fixed table is different, the heat between them will increase. Changes occur in transmission.

以上のような状況から、ウェーハと固定台との接触部の
真空度が異なる場合においても、この間の熱の伝達を一
定にすることが可能となるウェーハのクランプ装置及び
クランプ方法が要望されている。
Under the above circumstances, there is a need for a wafer clamping device and clamping method that can maintain constant heat transfer even when the degree of vacuum at the contact area between the wafer and the fixing table is different. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のウェーハのクランプ装置及びクランプ方法につい
て第2図により詳細に説明する。
A conventional wafer clamping device and method will be explained in detail with reference to FIG.

従来のウェーハのクランプ装置は第2図に示すように、
温調媒体流路11aが設けられている固定台11を貫通
するロッドの両端には可動板14とクランプリング12
とが結合されており、この固定台11と可動板14との
間にスプリング15が介在されており、このスプリング
15の圧縮力によってクランプリングI2がウェーハ、
例えば半導体ウェーハ6を固定台11に接触させている
The conventional wafer clamping device, as shown in Figure 2,
A movable plate 14 and a clamp ring 12 are attached to both ends of the rod that passes through the fixed base 11 in which the temperature control medium flow path 11a is provided.
A spring 15 is interposed between the fixed table 11 and the movable plate 14, and the compressive force of the spring 15 causes the clamp ring I2 to clamp the wafer,
For example, the semiconductor wafer 6 is brought into contact with the fixing table 11.

このようなウェーハのクランプ装置においては、スプリ
ング15により加勢されているクランプリング12で半
導体ウェーハ6を固定金工1に接触させているので、そ
の間の接触圧は一定である。
In such a wafer clamping device, the semiconductor wafer 6 is brought into contact with the fixed metalwork 1 by the clamp ring 12 which is biased by the spring 15, so that the contact pressure therebetween is constant.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

以上説明した従来のウェーハのクランプ装置及びクラン
プ方法は、スプリングの圧縮応力によって半導体ウェー
ハと固定台とをクランプリングによって接触させている
ので、接触圧は常に一定であり、この接触部の真空度に
変化が生じた場合には熱の伝達状態が変動するという問
題点があった。
In the conventional wafer clamping device and clamping method described above, the semiconductor wafer and the fixing table are brought into contact with the clamp ring by the compressive stress of the spring, so the contact pressure is always constant and the degree of vacuum at this contact area There is a problem in that when a change occurs, the state of heat transfer fluctuates.

本発明は以上のような状況から、半導体ウェーハと固定
台との接触部の真空度が変化した場合においても、この
間の熱の伝達状態を一定にすることが可能となるウェー
ハのクランプ装置及びクランプ方法の提供を目的とした
ものである。
In view of the above-mentioned circumstances, the present invention provides a wafer clamping device and a clamp that make it possible to keep the heat transfer state constant even when the degree of vacuum at the contact area between the semiconductor wafer and the fixing table changes. It is intended to provide a method.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のウェーハのクランプ装置は、 固定台にクランプリングを用いてウェーハをクランプす
るクランプ装置において、内部に温調媒体流路を具備す
る固定台と、この固定台を貫通するロッドと、このロッ
ドの両端に結合されている可動板とクランプリングと、
この固定台とこの可動板とにそれぞれ両端部が気密に固
定され、この固定台とこの可動板との間に介在するベロ
ーズとを有するよう構成する。
A wafer clamp device of the present invention clamps a wafer using a clamp ring on a fixing base, and includes: a fixing base having a temperature regulating medium flow path inside, a rod passing through the fixing base, and the rod. a movable plate and a clamp ring connected to both ends of the
Both ends of the fixed base and the movable plate are hermetically fixed, respectively, and a bellows is interposed between the fixed base and the movable plate.

本発明のウェーハのクランプ方法は、 上記のウェーハのクランプ装置を用い、このベローズ内
部の気圧とこのベローズ外部の気圧との差圧に応じて、
このクランプリングによるこのウェーハとこの固定台と
の接触圧を変化させるよう構成する。
The wafer clamping method of the present invention uses the above-mentioned wafer clamping device, and depending on the pressure difference between the internal pressure of the bellows and the pressure outside the bellows,
The clamp ring is configured to change the contact pressure between the wafer and the fixing table.

〔作用〕[Effect]

即ち本発明のクランプ装置においては、固定台の内部に
温調媒体を流す流路を備えており、この温調によって一
定温度に保たれている固定台をロッドが貫通している。
That is, in the clamp device of the present invention, a flow path for flowing a temperature regulating medium is provided inside the fixed base, and the rod passes through the fixed base, which is maintained at a constant temperature by this temperature regulation.

このロフトの両端には可動板とクランプリングとが結合
されており、この可動板と固定台にはベローズ5の両端
部が固定されている。
A movable plate and a clamp ring are connected to both ends of the loft, and both ends of the bellows 5 are fixed to the movable plate and the fixed base.

このクランプリングと固定台との間に保持されているウ
ェーハは固定台によって保温されているが、このウェー
ハと画定台との接触部の真空度が異なる場合には、ベロ
ーズの内外の圧力差によりクランプリングがウェーハに
加える圧力が変化するので、このウェーハと固定台との
接触部の真空度に対応して接触圧を調節することが可能
となる。
The wafer held between the clamp ring and the fixing table is kept warm by the fixing table, but if the degree of vacuum at the contact area between the wafer and the delimiting table is different, the pressure difference between the inside and outside of the bellows will cause Since the pressure applied to the wafer by the clamp ring changes, it becomes possible to adjust the contact pressure in accordance with the degree of vacuum at the contact area between the wafer and the fixing table.

〔実施例〕〔Example〕

以下第1図により本発明による一実施例の半導体ウェー
ハのクランプ装置について詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor wafer clamping device according to an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIG.

本実施例のウェーハのクランプ装置は第1図に示すよう
に、温調媒体流路1aが設けられている固定台1を貫通
するロフト3の両端には可動板4とクランプリング2と
が結合されており、この固定台1と可動板4との間にベ
ローズ5が介在されており、このベローズ5の内部の空
気圧と周囲の空気圧との差圧によってクランプリング2
がウェーハ、例えば半導体ウェーハ6を固定台1に接触
させている。
As shown in FIG. 1, in the wafer clamping device of this embodiment, a movable plate 4 and a clamp ring 2 are connected to both ends of a loft 3 that passes through a fixed table 1 in which a temperature control medium flow path 1a is provided. A bellows 5 is interposed between the fixed base 1 and the movable plate 4, and the difference between the air pressure inside the bellows 5 and the surrounding air pressure causes the clamp ring 2 to
A wafer, for example a semiconductor wafer 6, is brought into contact with the fixing table 1.

本実施例のウェーハのクランプ装置においては、ベロー
ズ5の両端部が固定台1及び可動板4に気密になるよう
蝋づけされているので、その内部に封じ込められている
気体、例えば空気の量は一定に保持されている。
In the wafer clamping device of this embodiment, both ends of the bellows 5 are soldered to the fixed table 1 and the movable plate 4 so as to be airtight, so the amount of gas, for example, air, sealed inside the bellows 5 is reduced. is held constant.

したがって半導体ウェーハ6と固定台lとの接触部等の
ベローズ5の外部の空気の圧力の変化に応じて、ベロー
ズ5により可動板4及びロッド3を介してクランプリン
グ2に加えられる半導体ウェーハ6と固定台1との接触
状態が変化する。
Therefore, the semiconductor wafer 6 applied to the clamp ring 2 by the bellows 5 via the movable plate 4 and the rod 3 depends on the change in the pressure of the air outside the bellows 5, such as at the contact area between the semiconductor wafer 6 and the fixed base l. The contact state with the fixed base 1 changes.

即ち、ベローズ5外の空気の圧力が低くなり、真空度が
高くなると半導体ウェーハ6と固定台1との接触圧が大
きくなり、真空度が低下するのに応じてこの接触圧が小
さくなる。
That is, as the pressure of the air outside the bellows 5 decreases and the degree of vacuum increases, the contact pressure between the semiconductor wafer 6 and the fixing table 1 increases, and as the degree of vacuum decreases, this contact pressure decreases.

このことは、真空度が高い程半導体ウェーハ6と固定台
1との間の熱伝達が悪くなるのを補う効果があり、条件
を調整すれば真空度による熱伝達の変動を補正すること
が可能となる。
This has the effect of compensating for the fact that the higher the degree of vacuum, the worse the heat transfer between the semiconductor wafer 6 and the fixing table 1. By adjusting the conditions, it is possible to compensate for variations in heat transfer due to the degree of vacuum. becomes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な構造の変更により、真空中における真空度の変化に
応じて、加熱体と被加熱物との接触状態を変化させるこ
とが可能となり、熱伝達状態を安定させることが可能と
なる等の利点があり、著しい経済的及び、信鯨性向上の
効果が期待できるウェーハのクランプ装置及びクランプ
方法の提供が可能となる。
As is clear from the above description, according to the present invention, by extremely simple structural changes, it is possible to change the contact state between the heating body and the heated object according to the change in the degree of vacuum in a vacuum. It is possible to provide a wafer clamping device and a clamping method that have advantages such as being able to stabilize the heat transfer state and can be expected to have significant economic and reliability improvement effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による一実施例の半導体ウェーハのクラ
ンプ装置を示す図、 第2図は従来の半導体ウェーハのクランプ装置を示す図
、である。 図において、 1は固定台、    laは温調媒体流路、2はクラン
プリング、3はロッド、 4は可動板、    5はベローズ、 6は半導体ウェーハ、 である。
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor wafer clamping device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a conventional semiconductor wafer clamping device. In the figure, 1 is a fixed base, la is a temperature control medium flow path, 2 is a clamp ring, 3 is a rod, 4 is a movable plate, 5 is a bellows, and 6 is a semiconductor wafer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 〔1〕固定台(1)にクランプリング(2)を用いてウ
ェーハ(6)をクランプするクランプ装置において、 内部に温調媒体流路(1a)を具備する固定台(1)と
、 前記固定台(1)を貫通するロッド(3)と、前記ロッ
ド(3)の両端に結合されている可動板(4)とクラン
プリング(2)と、 前記固定台(1)と前記可動板(4)とにそれぞれ両端
部が気密に固定され、前記固定台(1)と前記可動板(
4)との間に介在するベローズ(5)と、を有すること
を特徴とするウェーハのクランプ装置。 〔2〕請求項1記載のウェーハのクランプ装置を用い、
前記ベローズ(5)内部の気圧と前記ベローズ(5)外
部の気圧との差圧に応じて、前記クランプリング(2)
による前記ウェーハ(6)と前記固定台(1)との接触
圧を変化させることを特徴とするウェーハのクランプ方
法。
[Scope of Claims] [1] A clamp device for clamping a wafer (6) on a fixing table (1) using a clamp ring (2), which comprises a fixing table (1) having a temperature regulating medium flow path (1a) inside. 1), a rod (3) passing through the fixed base (1), a movable plate (4) and a clamp ring (2) coupled to both ends of the rod (3), and the fixed base (1). and the movable plate (4), both ends of which are airtightly fixed to the fixed base (1) and the movable plate (4).
4) A wafer clamping device characterized in that it has a bellows (5) interposed between the wafer clamping device and the bellows (5). [2] Using the wafer clamping device according to claim 1,
The clamp ring (2) is adjusted depending on the pressure difference between the air pressure inside the bellows (5) and the air pressure outside the bellows (5).
A method for clamping a wafer, characterized in that the contact pressure between the wafer (6) and the fixing table (1) is changed.
JP2243514A 1990-09-12 1990-09-12 Clamp device of wafer and lamp method Pending JPH04122045A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979251A (en) * 2015-07-16 2015-10-14 海迪科(南通)光电科技有限公司 Integral PSS etching tray fixture
CN110346609A (en) * 2018-04-03 2019-10-18 爱思开海力士有限公司 Chip gripping mechanism and wafer testing apparatus including it

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