JPH04113658A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH04113658A JPH04113658A JP2232658A JP23265890A JPH04113658A JP H04113658 A JPH04113658 A JP H04113658A JP 2232658 A JP2232658 A JP 2232658A JP 23265890 A JP23265890 A JP 23265890A JP H04113658 A JPH04113658 A JP H04113658A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ目次〕
・ＩＩ＆要
・産業上の利用分野
・従来の技術（第３図）
・発明が解決しようとする課題
・課題を解決するための手段
・作用
・実施例（第１図、第２図）
・発明の効果
〔概要〕
半導体装置に関し、更に詳しく言えば、チップと直接接
着されたヒートシンクを備えた半導体装置に関し、
機械的強度や密封性を向上することができる半導体装置
を提供することを目的とし、
第１に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前記
素子設置部に設置されたチップと、前記基台に取りつけ
られた開口部を有するキャップと、前記開口部を介して
前記チップと直接接着され、かつ前記開口部の周縁部で
前記キャップと接着されたヒートシンクとからなり、前
記キャップが切削加工により作成されていることを含み
構成し、第２に、素子設置部を有するパッケージの基台
と、前記素子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着
部を有し、該封着部を介して基台に取りつけられた開口
部を有するキャップと、前記開口部を介して前記チップ
と直接接着され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャッ
プと接着された接着部を有するヒートシンクとからなり
、前記ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封
着部まで延在され、かつ前記基台の方に向くように形成
されている前記延在部の端部により前記封着部が前記基
台に押し付けられていることを含み構成し、第３に、素
子設置部を有するパッケージの基台と、前記素子設置部
に設置されたチップと、前記チップと直接接着された接
着部を有するヒートシンクとからなり、前記接着部の側
部が前記基台の周縁部まで延在され、かつ前記基台の方
に向くように形成されている前記延在部の端部が前記基
台に接着されていることを含み構成し、
第４に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前記
素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接接
着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前記
基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側部が
前記基台の周縁部まで延在して前記枠に接着されている
ことを含み構成する。[Detailed Description of the Invention] Table of Contents C] ・II & Main Fields of Industrial Applications ・Prior Art (Fig. 3) ・Problems to be Solved by the Invention, Means for Solving the Problems, Actions, and Examples ( (Figures 1 and 2) ・Effects of the invention [Summary] Regarding semiconductor devices, more specifically, regarding semiconductor devices equipped with a heat sink directly bonded to a chip, the mechanical strength and sealing performance can be improved. The object of the present invention is to provide a semiconductor device, firstly, a package base having an element installation part, a chip installed in the element installation part, and a cap having an opening attached to the base; a heat sink directly bonded to the chip through the opening and bonded to the cap at the peripheral edge of the opening, the cap being made by cutting; The package has a base having an element installation part, a chip installed in the element installation part, a flange-like sealing part, and an opening attached to the base through the sealing part. and a heat sink having an adhesive part that is directly adhered to the chip through the opening and adhered to the cap at a peripheral edge of the opening, and a side part of the adhesive part of the heat sink is attached to the chip. The sealing part is pressed against the base by an end of the extending part that extends to the sealing part of the cap and is formed to face the base. , thirdly, the package includes a base of the package having an element installation part, a chip installed in the element installation part, and a heat sink having an adhesive part directly adhered to the chip, and the side part of the adhesive part is A fourth aspect of the present invention includes: an end of the extending portion extending to a peripheral edge of the base and facing toward the base is bonded to the base; , consisting of a package base having an element installation part, a chip installed in the element installation part, and a heat sink having an adhesive part directly adhered to the chip, and a frame is provided at the periphery of the base. , and a side portion of the adhesive portion extends to a peripheral edge of the base and is bonded to the frame.
本発明は、半導体装置に関し、更に詳しく言えば、チッ
プと直接接着されたヒートシンクを備えた半導体装置に
関する。The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device including a heat sink directly bonded to a chip.
近年、半導体装置においては高密度化のため、ＴＡＢ方
式が用いられているが、そのまま使用すると熱抵抗が高
いので、半導体装置の大電力化に伴いヒートシンクをチ
ップに直接接着して用いるようになっている。In recent years, the TAB method has been used to increase the density of semiconductor devices, but if used as is, the thermal resistance is high, so as semiconductor devices become more powerful, heat sinks are now being used by bonding them directly to the chip. ing.
〔従来の技術］
第５図（ａ）〜（ｄ）は、従来の半導体装置を説明する
図である。[Prior Art] FIGS. 5(a) to 5(d) are diagrams illustrating a conventional semiconductor device.
同図（ａ）は半導体装置の断面図、同図（ｂ）は上面図
で、同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図が同図（ａ）に相当す
る。また、同図（Ｃ）はヒートシンクの底面を示す図、
同図（ｄ）はヒートシンクを取りつける前の半導体装置
の上面図である。3A is a cross-sectional view of the semiconductor device, FIG. 1B is a top view, and the sectional view taken along the line A--A in FIG. 1B corresponds to FIG. In addition, the same figure (C) is a diagram showing the bottom surface of the heat sink,
FIG. 4(d) is a top view of the semiconductor device before a heat sink is attached.
同図（ａ）〜（ｄ）において、１は素子設置部２ををす
るパッケージの基台、３は基台ｌに設けられた外部リー
ド、４は同図（ｄ）に示すようなチップを挿入できる必
要最小限の開口部５が設けられているキャップで、薄い
コバールの板を帽子状の形状に折り曲げ加工により成形
している。・また、６はＴＡＢに組み立てられたチップ
で、ＴＡＢの内部リード７を素子設置部２に接続し、か
つチップ６を開口部５に露出するように組み立てられる
。In the same figure (a) to (d), 1 is the base of the package which has the element installation part 2, 3 is the external lead provided on the base l, and 4 is the chip shown in the same figure (d). The cap is provided with the minimum necessary opening 5 for insertion, and is formed by bending a thin Kovar plate into a hat-like shape. - Also, 6 is a chip assembled in the TAB, which is assembled so that the internal leads 7 of the TAB are connected to the element installation part 2 and the chip 6 is exposed to the opening 5.
そして、この開口部５を介して半田８によりヒートシン
ク１１の接着部９と接着される。更に、ヒートシンク１
１とキャップ４とは半田８により接着されてキャップ４
の内部が密封される。なお、１０は放熱を行うためのヒ
ートシンク１１のフィンである。Then, it is bonded to the bonding portion 9 of the heat sink 11 with solder 8 through this opening 5 . Furthermore, heat sink 1
1 and cap 4 are bonded together with solder 8 to form cap 4.
The inside of is sealed. Note that 10 is a fin of a heat sink 11 for dissipating heat.
ところで、第５図（ａ）に示すように、キャップ４と接
着部９との接着は溶融半田８により行われるので、キャ
ップ４の上表面と接着部９の底面との間の接着面積が大
きいと、ボイドなどが発生する場合があり、後の温度サ
イクル試験等によりボイドから亀裂が入り、密封性が悪
化するため、できるだけ接着面積を小さくしている。By the way, as shown in FIG. 5(a), since the cap 4 and the adhesive part 9 are bonded by molten solder 8, the adhesive area between the upper surface of the cap 4 and the bottom surface of the adhesive part 9 is large. If this occurs, voids may occur, and cracks may form from the voids during subsequent temperature cycle tests, resulting in poor sealing, so the bonding area is made as small as possible.
このようにして作成された半導体装置の電気的特性を試
験する際など、測定器の測定端子と外部リード３とを接
触させるためヒートシンク１１のフィン１０の上から半
導体装置を押さえる場合がある。When testing the electrical characteristics of a semiconductor device produced in this manner, the semiconductor device may be held down from above the fins 10 of the heat sink 11 in order to bring the measurement terminals of the measuring device into contact with the external leads 3.
ところで、このようにして作成された半導体装置の電気
的特性を試験する際など、測定端子と外部リード３とを
接触させるためフィン１０の上から半導体装置を押さえ
る場合がある。また、ヒートシンク１１そのものの自重
もある。By the way, when testing the electrical characteristics of a semiconductor device produced in this manner, the semiconductor device may be pressed from above the fins 10 in order to bring the measurement terminals into contact with the external leads 3. Furthermore, there is also the weight of the heat sink 11 itself.
更に、ヒートシンク１１の支持がキャップ４の開口部５
の周縁部のみで行われているので、バ。Furthermore, the heat sink 11 is supported by the opening 5 of the cap 4.
Since it is carried out only at the periphery of the
ケージが大きくなるに従い、ヒートシンク１１からの応
力によりキャップ４の折り曲げ部分に生ずる歪みが増大
してキャップ４とヒートシンク１１の接着部９との間の
接着部分や、キャップ４の鍔状の封着部４ａと基台−１
との接着部分が剥離し、密封性を悪化させるという問題
がある。As the cage becomes larger, the stress from the heat sink 11 causes more strain on the bent portion of the cap 4, causing damage to the adhesive portion between the cap 4 and the adhesive portion 9 of the heat sink 11 and the brim-shaped sealing portion of the cap 4. 4a and base-1
There is a problem in that the adhesive part of the product peels off, deteriorating the sealing performance.
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、機械的強度や密封性を向上することができる半導体装
置を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of such conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor device that can improve mechanical strength and sealing performance.
上記課題は、第１に、素子設置部を有するパ。 The above-mentioned problem is, firstly, a package having an element installation part.
ケージの基台と、前記素子設置部に設置されたチップと
、前記基台に取りつけられた開口部を有するキャップと
、前記開口部を介して前記チップと直接接着され、かつ
前記開口部の周縁部で前記キャップと接着されたヒート
シンクとからなり、前記キャップが切削加工により作成
されていることを特徴とする半導体装置によって達成さ
れ、第２に、素子設置部を有するパッケージの基台と、
前記素子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着部を
有し、該封着部を介して基台に取りつけられた開口部を
有するキャップと、前記開口部を介して前記チップと直
接接着され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャップと
接着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前
記ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封着部
まで延在され、かつ前記基台の方に向くように形成され
ている前記延在部の端部により前記封着部が前記基台に
押し付けられていることを特徴とする半導体装置によっ
て達成され、
第３に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前記
素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接接
着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前記
接着部の側部が前記基台の周縁部まで延在され、かつ前
記基台の方に向くように形成されている前記延在部の端
部が前記基台に接着されていることを特徴とする半導体
装置によって達成され、
第４に、素子設置部を有するパッケージの基台と、前記
素子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接接
着された接着部を有するヒートシンクとからなり、前記
基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側部が
前記基台の周縁部まで延在して前記枠に接着されている
ことを特徴とする半導体装置によって達成される。a base of a cage, a chip installed in the element installation section, a cap attached to the base and having an opening, and a cap that is directly bonded to the chip through the opening and a periphery of the opening. A semiconductor device comprising a heat sink bonded to the cap, the cap being made by cutting; and a second part, a package base having an element mounting part;
A chip installed in the element installation part, a cap having a brim-shaped sealing part and having an opening attached to the base through the sealing part, and a cap having a cap with an opening attached to the base through the opening. a heat sink having an adhesive portion directly adhered to the cap at a peripheral edge of the opening, a side portion of the adhesive portion of the heat sink extending to a sealed portion of the cap; Achieved by a semiconductor device characterized in that the sealing part is pressed against the base by an end of the extension part formed to face the base, and thirdly, the element mounting part a heat sink having an adhesive part directly adhered to the chip, the side part of the adhesive part extending to the periphery of the base. The semiconductor device is achieved by a semiconductor device characterized in that an end portion of the extension portion, which is located on the substrate and is formed to face the base, is bonded to the base, and fourthly, element installation. A package base includes a package base having a part, a chip installed in the element installation part, and a heat sink having an adhesive part directly adhered to the chip, and a frame is provided at the periphery of the base; This is achieved by a semiconductor device characterized in that a side portion of the adhesive portion extends to the peripheral edge of the base and is bonded to the frame.
［作用］
第１の発明の半導体装置によれば、キャップが切削加工
により作成されているので、従来の折り曲げ加工による
成形の場合と比較して、キャップに生じる歪を低減する
ことができる。[Function] According to the semiconductor device of the first aspect of the invention, since the cap is formed by cutting, distortion occurring in the cap can be reduced compared to the conventional case of forming by bending.
また、第２の発明の半導体装置によれば、ヒートシンク
の接着部の側部が延在され、かつ基台の方に向くように
形成されている延在部の端部によりキャップの鍔状の封
着部が基台に押し付けられているので、たとえ接着部に
よりキャップの中央部が押下げられて折り曲げ部の歪み
が増大しても、封着部の剥離を防止することができる。Further, according to the semiconductor device of the second aspect of the invention, the side portion of the adhesive portion of the heat sink is extended, and the end portion of the extending portion is formed to face the base. Since the sealed portion is pressed against the base, even if the center portion of the cap is pressed down by the adhesive portion and distortion of the bent portion increases, peeling of the sealed portion can be prevented.
更に、この場合には、延在部がヒートシンクにかかる応
力を支持する働きを有し、キャップへの応力を緩和して
いる。これにより、より一層封着部の剥離を防止するこ
とができる。Furthermore, in this case, the extension part has the function of supporting the stress applied to the heat sink, and relieves the stress applied to the cap. Thereby, peeling of the sealed portion can be further prevented.
更に、第３の発明の半導体装置によれば、キャップを用
いずに、ヒートシンクの接着部の側部がパッケージの基
台の周縁部まで延在され、かつ基台の方に向くように形
成されている延在部の端部がパッケージの基台に接着さ
れている。従って、ヒートシンクからの応力は側部の端
部を介して直接基台によって支持されることになるので
、キャップを用いた場合よりも機械的な強度を増すこと
ができ、密封性を向上することができる。Furthermore, according to the semiconductor device of the third invention, the side part of the adhesive part of the heat sink is formed to extend to the peripheral edge of the base of the package and face the base without using a cap. The end of the extension is glued to the base of the package. Therefore, the stress from the heat sink is directly supported by the base through the side edges, which increases mechanical strength and improves sealing performance compared to when a cap is used. I can do it.
また、第４の発明の半導体装置によれば、キャップを用
いずに、ヒートシンクの接着部の側部が延在され、かつ
この延在部の周縁部が基台の周縁部Ｓこ設けられた枠と
接着されているので、ヒートシンクからの応力は枠によ
って支持されることになる。このため、キャップを用い
た場合よりも機械的な強度を増すことができ、密封性を
向上することができる。Further, according to the semiconductor device of the fourth invention, the side portion of the adhesive portion of the heat sink is extended without using a cap, and the peripheral edge of this extended portion is provided as the peripheral edge S of the base. Since it is bonded to the frame, the stress from the heat sink will be supported by the frame. Therefore, mechanical strength can be increased compared to when a cap is used, and sealing performance can be improved.
〔実施例］
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
■第１の発明の実施例
第１図（ａ）〜（ｄ）は、第１の発明の実施例の半導体
装置について説明する図である。(1) Embodiment of the first invention FIGS. 1(a) to 1(d) are diagrams illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the first invention.
同図（ａ）は半導体装置の断面図、同１１Ｆ（ｂ）は上
面図で、同図（ｂ）のＢ−Ｂ線断面Ｖが同図（ａ）に相
当する。また、同図（ｃ）はヒートシンクの底面を示す
図、同図（ｄ）はヒートシンクを取りつける前の半導体
装置の上面図である。11A is a cross-sectional view of the semiconductor device, 11F (b) is a top view, and the cross section V taken along line BB in FIG. 11B corresponds to FIG. 11A. Further, FIG. 3C is a diagram showing the bottom surface of the heat sink, and FIG. 1D is a top view of the semiconductor device before the heat sink is attached.
同図（ａ）〜（ｄ）において、１２は一辺が約４３ｍｍ
のアルミナセラミンクからなるパッケージの基台で、導
電膜の形成された素子設置部Ｉ３を有する。また、１４
は基台１２に設けられた外部リードである。In the same figures (a) to (d), 12 has a side of approximately 43 mm.
The package base is made of alumina ceramic and has an element mounting portion I3 on which a conductive film is formed. Also, 14
is an external lead provided on the base 12.
更に、１５は同図（ｄ）に示すような一辺が約１４ｍｍ
の開口部１６が設けられている銅・タングステン（Ｃｕ
Ｗ）からなるキャップで、切削加工により作成されてい
る。Furthermore, 15 has a side of about 14 mm as shown in the same figure (d).
Copper-tungsten (Cu
W) is made by cutting.
また、１７はＴＡＢに組み立てられた一辺が約１４ｍｍ
のＳｉからなるチップで、ＴＡＢの内部リード１８を素
子設置部１１に接続し、かつチップ１７を開口部１６に
露出するように組み立てられている。２２はアルミニウ
ム（Ａｎ）からなるヒトシンクで、チップ１７やキャッ
プ１５との間の熱応力を低減するためこれらに熱膨張係
数の近いＣｕＭｏを用いた、チップ１７と対向する面に
摩擦圧接により形成された一辺が約２０ｍｍの角部が丸
められている接着部２０を有する。そして、この接着部
２０は開口部１６を介して半田１９によりチップ１７と
接着されている。また、ヒートシンク２２の接着部２０
の周縁部とキャップ１５の開口部１５の周縁部とが半田
１９により接着されてキャップ１５の内部が密封される
。Also, one side of 17 assembled to TAB is approximately 14mm.
This chip is made of Si and is assembled so that the internal leads 18 of the TAB are connected to the element mounting portion 11 and the chip 17 is exposed through the opening 16. Reference numeral 22 denotes a human sink made of aluminum (An), which is formed by friction welding on the surface facing the chip 17 using CuMo, which has a coefficient of thermal expansion similar to that of the chip 17 and the cap 15, in order to reduce thermal stress between them. The adhesive portion 20 has rounded corners and is approximately 20 mm on one side. This adhesive portion 20 is bonded to the chip 17 through the opening 16 with solder 19. In addition, the adhesive part 20 of the heat sink 22
The peripheral edge of the opening 15 of the cap 15 is bonded to the peripheral edge of the opening 15 of the cap 15 with solder 19, and the inside of the cap 15 is sealed.
以上のように、第１の発明の実施例によれば、キャップ
１５が切削加工により作成されているので、従来の折り
曲げ加工による成形の場合と比較して、キャップ１５に
生しる歪みを低減することができる。これにより、キャ
ップ１５の歪みに起因する密封性の低下を防止すること
ができる。As described above, according to the embodiment of the first invention, since the cap 15 is created by cutting, the distortion that occurs in the cap 15 is reduced compared to the conventional case of forming by bending. can do. Thereby, deterioration in sealing performance due to distortion of the cap 15 can be prevented.
■第２の発明の実施例
第２図は、第２の発明の実施例の半導体装置の断面図で
ある。■Embodiment of the second invention FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the second invention.
同図において、第１図（ａ）〜（ｄ）に示す第１の発明
の実施例と異なるところは、通常の折り曲げ加工により
作成された、周縁部に鍔状の封着部２３ａを有するコバ
ールからなる組子状のキヤ。In the same figure, the difference from the embodiment of the first invention shown in FIGS. 1(a) to 1(d) is that the kovar has a brim-shaped sealing part 23a on the peripheral edge, which is created by normal bending. A muntin-like kiya consisting of.
プ２３が用いられていることと、ヒートシンク２５の接
着部２４の側部が基台１２の周縁部まで延在され、かつ
接着部２４の底面に垂直な方向であってフィン２１のあ
る方と反対方向に向いた延在部２４ａの端部により鍔状
の封着部２３ａが基台１２に押し付けられていることで
ある。なお、この延在部２４ａは接着部２４の全周辺に
わたって設けられてもよいし、接着部２４の周辺の一部
に設けられてもよい。図中他の符号については、第１図
（ａ）〜（ｄ）と同一の符号で示すものは第１図（ａ）
〜（ｄ）と同一のものを示す。The side part of the adhesive part 24 of the heat sink 25 is extended to the peripheral edge of the base 12, and the side part of the adhesive part 24 of the heat sink 25 is perpendicular to the bottom surface of the adhesive part 24, and the side part where the fin 21 is located. The brim-shaped sealing portion 23a is pressed against the base 12 by the end portion of the extending portion 24a facing in the opposite direction. Note that the extending portion 24a may be provided over the entire periphery of the adhesive portion 24, or may be provided on a part of the periphery of the adhesive portion 24. Regarding other symbols in the figures, those indicated by the same symbols as in Fig. 1 (a) to (d) are shown in Fig. 1 (a).
- Shows the same thing as (d).
以上のように、第２の発明の実施例によれば、接着部２
４の延在部２４ａの端部ｌこよりキャップ２３の鍔状の
封着部２３ａが基台１２に押し付けられているので、た
とえキャップ２３の中央部が押下げられ折り曲げ部の歪
みが増大しても、封着部２３ａの剥離を防止することが
できる。更に、この場合には、延在部２４ａがヒートシ
ンク２５にかかる応力を支持する働きを有し、キャップ
２３への応力を緩和している。これにより、より一層封
着部２３ａの剥離を防止することができる。As described above, according to the embodiment of the second invention, the adhesive part 2
Since the brim-shaped sealing part 23a of the cap 23 is pressed against the base 12 from the end l of the extending part 24a of the cap 23, even if the center part of the cap 23 is pushed down and the distortion of the bent part increases. Also, peeling of the sealing portion 23a can be prevented. Further, in this case, the extension portion 24a has a function of supporting the stress applied to the heat sink 25, and relieves the stress applied to the cap 23. Thereby, peeling of the sealing portion 23a can be further prevented.
■第３の発明の実施例
第３図は、第３の発明の実施例の半導体装置の断面図で
ある。■Embodiment of the third invention FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the third invention.
同図において、第１及び第２の発明の実施例と異なると
ころは、キャップを用いずに、ヒートシンク２８の接着
部２６の側部が接着部２６の全周辺にわたって延在され
、かつ接着部２６の底面に垂直な方向であってフィン２
１のある方と反対方向に向いた延在部２６ａの端部が基
台１２の周縁部で接着されて、チップ１７が密封されて
いることである。In the figure, the difference from the embodiments of the first and second inventions is that the side part of the adhesive part 26 of the heat sink 28 extends over the entire periphery of the adhesive part 26 without using a cap, and the adhesive part 26 in the direction perpendicular to the bottom of the fin 2
The end portion of the extension portion 26a facing in the opposite direction to the direction in which the chip 17 is located is adhered to the peripheral edge of the base 12, and the chip 17 is sealed.
また、接着部２６の底面であって、チップ１７と接着さ
れる領域の周辺部には溝２７が設けられている。これに
より、チップ１７と接着部２６とを接着する半田１９の
うち過剰なものをこの溝２７に溜めて半田１９の広がり
を防止するとともに、過剰半田の落下を防止することが
できる。Further, a groove 27 is provided on the bottom surface of the bonding portion 26 around the area where the chip 17 is bonded. As a result, excess solder 19 for bonding chip 17 and adhesive portion 26 can be collected in groove 27 to prevent spread of solder 19 and to prevent excess solder from falling.
なお、図中他の符号については、第１図（ａ）〜（ｄ）
と同一の符号で示すものは第１図（ａ）〜（ｄ）と同一
のものを示す。In addition, regarding other symbols in the figures, refer to Figures 1(a) to (d).
The same reference numerals as in FIG. 1(a) to (d) indicate the same components.
以上のように、第３の発明の実施例によれば、キャップ
を用いずに接着部２６の全周辺にわたって設けられた延
在部２６ａの端部を直接基台１２に接着してチップ１７
を密封しているので、キャップとヒートシンク２２とが
一体的に形成された構造となり、ヒートシンク２２から
の応力は延在部２６ａを介して基台１２に支持される。As described above, according to the third embodiment of the invention, the end portion of the extending portion 26a provided over the entire periphery of the adhesive portion 26 is directly adhered to the base 12 without using a cap, and the chip 17 is bonded directly to the base 12.
Since the cap and the heat sink 22 are sealed, the structure is such that the cap and the heat sink 22 are integrally formed, and the stress from the heat sink 22 is supported by the base 12 via the extension portion 26a.
従って、キャップとヒートシンクとを別々に用いた場合
よりも機械的な強度を増すことができ、密封性を向上す
ることができる。更に、第２の実施例と同様に、延在部
２６ａがヒートシンク２８にかかる応力を支持する働き
を有しているので、より一雇機械的な強度を増すことが
でき、密封性を向上することができる。Therefore, the mechanical strength can be increased compared to when the cap and the heat sink are used separately, and the sealing performance can be improved. Furthermore, as in the second embodiment, since the extending portion 26a has the function of supporting the stress applied to the heat sink 28, the mechanical strength can be further increased, and the sealing performance can be improved. be able to.
なお、第３の発明の実施例では、接着部２６の全周辺に
わたって延在部２６ａが設けられているが、気密性を要
しない場合には、接着部２６の一部に延在部が設けられ
てもよい。Note that in the embodiment of the third invention, the extending portion 26a is provided over the entire periphery of the bonded portion 26, but if airtightness is not required, the extending portion may be provided in a part of the bonded portion 26. It's okay to be hit.
また、延在部２６ａは切削加工により形成されてもよい
し、折り曲げ加工により作成されてもよい。Further, the extending portion 26a may be formed by cutting or by bending.
■本発明の第４の実施例
第４図は、第４の発明の実施例の半導体装置の断面図で
ある。4. Fourth Embodiment of the Present Invention FIG. 4 is a sectional view of a semiconductor device according to a fourth embodiment of the invention.
同図において、第３の発明の実施例と異なるところは、
延在部３０ａが折り曲げられずに、基台１２の周縁部に
設けられた枠２９の上部と接着されることにより枠２９
の内側のチップ１７を密封していることである。図中他
の符号３０はチップ１７と直接接着されるヒートシンク
３２の接着部、３１は接着部３０の底面であって、チッ
プ１７と接着される領域の周辺部に設けられた溝で、第
３の発明の実施例の溝２７と同様な目的で形成されてい
る。なお、図中他の符号については、第１図（ａ）〜（
ｄ）と同一の符号で示すものは第１図（ａ）〜（ｄ）と
同一のものを示す。In the figure, the differences from the embodiment of the third invention are as follows.
The frame 29 is formed by adhering the extending portion 30a to the upper part of the frame 29 provided at the peripheral edge of the base 12 without being bent.
The inner chip 17 is sealed. The other reference numeral 30 in the figure is an adhesive part of the heat sink 32 that is directly adhered to the chip 17, and 31 is a groove provided on the bottom surface of the adhesive part 30 at the periphery of the area to be adhered to the chip 17. The groove 27 is formed for the same purpose as the groove 27 in the embodiment of the invention. Note that other symbols in the figure are shown in Figure 1 (a) to (
The same reference numerals as in d) indicate the same parts as in FIGS. 1(a) to 1(d).
以上のように、第４の発明の実施例によれば、ヒートシ
ンク３２の接着部３０の側部が全周辺にわたって延在さ
れ、かつ基台１２の周縁部に設けられた枠２９と接着さ
れているので、第２及び第３の実施例と同様に、枠２９
によってヒートシンり３２にかかる応力が支持されるこ
とになる。これにより、機械的な強度を増すことができ
、密封性を向上することができる。As described above, according to the fourth embodiment of the invention, the side portion of the adhesive portion 30 of the heat sink 32 extends over the entire periphery and is adhered to the frame 29 provided at the peripheral portion of the base 12. Therefore, as in the second and third embodiments, the frame 29
The stress applied to the heat sink 32 is supported by this. Thereby, mechanical strength can be increased and sealing performance can be improved.
〔発明の効果］
以上のように、第１の発明の半導体装置によれば、キャ
ップが切削加工により作成されているので、従来の折り
曲げ加工による成形の場合と比較して、歪みを低減して
密封性を向上させることができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the semiconductor device of the first invention, since the cap is made by cutting, distortion is reduced compared to the case of forming by conventional bending. Sealing performance can be improved.
また、第２の発明の半導体装置によれば、ヒトシンクの
接着部の側部が延在し、この延在部によりキャップの鍔
状の封着部が基台に押し付けられているので、封着部の
剥離を防止して密封性を向上させることができる。更に
、この場合には、延在部がヒートシンクにかかる応力を
支持する働きを存し、キャップへの応力が緩和されるの
で、より一層機械的な強度を向上させることができる。Further, according to the semiconductor device of the second invention, the side portion of the adhesive portion of the human sink extends, and the brim-shaped sealing portion of the cap is pressed against the base by this extending portion, so that the sealing It is possible to prevent the parts from peeling off and improve the sealing performance. Furthermore, in this case, the extending portion has a function of supporting the stress applied to the heat sink, and the stress on the cap is alleviated, so that the mechanical strength can be further improved.
更に、第３の発明の半導体装置によれば、キャップを用
いずに、ヒートシンクの接着部の側部の接延在部の端部
がパッケージの基台に接着されているので、ヒートシン
クからの応力は延在部を介して基台によって支持され、
従って、キャップを用いた場合よりも機械的な強度を増
すことができる。更に、気密性を要する場合にも充分に
対応できる。Furthermore, according to the semiconductor device of the third aspect of the invention, the end portion of the side extension portion of the adhesive portion of the heat sink is adhered to the base of the package without using a cap, so that stress from the heat sink is reduced. is supported by the base via the extension,
Therefore, mechanical strength can be increased compared to when a cap is used. Furthermore, it can also be used in cases where airtightness is required.
また、第４の発明の半導体装置によれば、キャップを用
いずに、ヒートシンクの接着部の側部の延在部が基台の
周縁部に設けられた枠と接着されているので、ヒートシ
ンクからの応力は枠によって支持され、従って、キャッ
プを用いた場合よりも機械的な強度を増すことができ、
密封性を向上することができる。Further, according to the semiconductor device of the fourth aspect of the invention, since the side extension of the adhesive portion of the heat sink is adhered to the frame provided on the peripheral edge of the base without using a cap, the heat sink can be easily removed from the heat sink. stress is supported by the frame, thus increasing the mechanical strength compared to using a cap,
Sealing performance can be improved.
第１図は、第１の発明の実施例の半導体装置について説
明する図、
第２図は、第２の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、
第３図は、第３の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、
第４図は、第４の発明の実施例の半導体装置について説
明する断面図、
第５図は、従来例の半導体装置について説明する図であ
る。
〔符号の説明］
１．１２・・・基台、
２．１３・・・素子設置部、
３、１４・・・外部リード、
４．１５．２３・・・キャップ、
４ａ、２３ａ・・・封着部、
５．１６・・・開口部、
６１７・・・チップ、
７、１８・・・内部リード、
８．１９・・・半田、
９．２０．２４，２６．３０・・・接着部、１０．２１
・・・フィン、
１１．２２．２５，２８．３２・・・ヒートシンク、２
４ａ 、 ２６ａ 、 ３０ａ −・−延在部、２７．
３１・・・溝、
２９・・・枠。
第１の発明の実施例の半導体装置について説明する２第
１ 図 （そのｌ〉
第２の発明の実施例の半導体装置について説明する断面
図第２図
第１の発明の実施例の半導体装置について説明する図ｊ
第
図
（その２）
第３の発明の実施例の半導体装置について説明する断面
図第３図
ｊ
第４の発明の実施例の半導体装置について説明する断面
図第４図
従来例の半導体装置について説明する口笛
図（その１）1 is a diagram illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the first invention, FIG. 2 is a sectional view illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the second invention, and FIG. 3 is a diagram illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the second invention. FIG. 4 is a sectional view illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the fourth invention; FIG. 5 is a sectional view illustrating a conventional semiconductor device. [Explanation of symbols] 1.12... Base, 2.13... Element installation part, 3, 14... External lead, 4.15.23... Cap, 4a, 23a... Seal 5.16... Opening part, 617... Chip, 7, 18... Internal lead, 8.19... Solder, 9.20.24, 26.30... Adhesive part, 10.21
...Fin, 11.22.25,28.32...Heat sink, 2
4a, 26a, 30a --- extension part, 27.
31...Groove, 29...Frame. FIG. 2 Describing the semiconductor device according to the embodiment of the first invention FIG. 1 (Part 1) Cross-sectional view explaining the semiconductor device according to the embodiment of the second invention FIG. Figure j Figure 2 (Part 2) Cross-sectional view explaining the semiconductor device according to the embodiment of the third invention Figure 3 j Cross-sectional view explaining the semiconductor device according to the embodiment of the fourth invention Figure 4 Whistle diagram explaining semiconductor devices (Part 1)
Claims (4)
子設置部に設置されたチップと、前記基台に取りつけら
れた開口部を有するキャップと、前記開口部を介して前
記チップと直接接着され、かつ前記開口部の周縁部で前
記キャップと接着されたヒートシンクとからなり、 前記キャップが切削加工により作成されていることを特
徴とする半導体装置。(1) A base of a package having an element installation part, a chip installed in the element installation part, a cap attached to the base and having an opening, and directly bonded to the chip through the opening. and a heat sink bonded to the cap at a peripheral edge of the opening, the cap being made by cutting.
子設置部に設置されたチップと、鍔状の封着部を有し、
該封着部を介して基台に取りつけられた開口部を有する
キャップと、前記開口部を介して前記チップと直接接着
され、かつ前記開口部の周縁部で前記キャップと接着さ
れた接着部を有するヒートシンクとからなり、 前記ヒートシンクの接着部の側部が前記キャップの封着
部まで延在され、かつ前記基台の方に向くように形成さ
れている前記延在部の端部により前記封着部が前記基台
に押し付けられていることを特徴とする半導体装置。(2) a package base having an element installation part, a chip installed in the element installation part, and a flange-shaped sealing part;
A cap having an opening attached to the base via the sealing part, and an adhesive part directly bonded to the chip through the opening and bonded to the cap at the peripheral edge of the opening. a heat sink having a heat sink, the side part of the adhesive part of the heat sink extends to the sealing part of the cap, and the end part of the extending part is formed so as to face the base. A semiconductor device, wherein a mounting portion is pressed against the base.
子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接接着
された接着部を有するヒートシンクとからなり、 前記接着部の側部が前記基台の周縁部まで延在され、か
つ前記基台の方に向くように形成されている前記延在部
の端部がが前記基台に接着されていることを特徴とする
半導体装置。(3) The base of the package has an element installation part, a chip installed in the element installation part, and a heat sink having an adhesive part directly adhered to the chip, and a side part of the adhesive part is attached to the base. A semiconductor device, wherein an end portion of the extension portion extending to a peripheral edge of the stand and facing toward the base is bonded to the base.
子設置部に設置されたチップと、前記チップと直接接着
された接着部を有するヒートシンクとからなり、 前記基台の周縁部に枠が設けられ、かつ前記接着部の側
部が前記基台の周縁部まで延在されて前記枠に接着され
ていることを特徴とする半導体装置。(4) The package includes a base of the package having an element installation part, a chip installed in the element installation part, and a heat sink having an adhesive part directly adhered to the chip, and a frame is attached to the periphery of the base. A semiconductor device, wherein a side portion of the adhesive portion extends to a peripheral edge of the base and is bonded to the frame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232658A JP2868868B2 (en) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | Semiconductor device |
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|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113658A true JPH04113658A (en) | 1992-04-15 |
| JP2868868B2 JP2868868B2 (en) | 1999-03-10 |
Family
ID=16942760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2232658A Expired - Fee Related JP2868868B2 (en) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7595991B2 (en) | 2001-06-29 | 2009-09-29 | Intel Corporation | Using the wave soldering process to attach motherboard chipset heat sinks |
| JP2018037212A (en) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | コイト電工株式会社 | Floodlight device |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2232658A patent/JP2868868B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7595991B2 (en) | 2001-06-29 | 2009-09-29 | Intel Corporation | Using the wave soldering process to attach motherboard chipset heat sinks |
| JP2018037212A (en) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | コイト電工株式会社 | Floodlight device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2868868B2 (en) | 1999-03-10 |
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