JPH04111727U - Stepper alignment device - Google Patents

Stepper alignment device

Info

Publication number
JPH04111727U
JPH04111727U JP2230991U JP2230991U JPH04111727U JP H04111727 U JPH04111727 U JP H04111727U JP 2230991 U JP2230991 U JP 2230991U JP 2230991 U JP2230991 U JP 2230991U JP H04111727 U JPH04111727 U JP H04111727U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
laser
stepper
alignment mark
laser device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2230991U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
智之 松田
Original Assignee
関西日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 関西日本電気株式会社 filed Critical 関西日本電気株式会社
Priority to JP2230991U priority Critical patent/JPH04111727U/en
Publication of JPH04111727U publication Critical patent/JPH04111727U/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体ウェーハに形成される各パターン形成の
目合わせ精度の向上をはかることを目的とする。 【構成】半導体ウェーハWに予め形成されたアライメン
トマーク10を三分割してそれぞれにレーザ照射装置2
1と受光部22よりなるレーザ装置2を配置し、各レー
ザ装置2で検出される出力を判別部3で加算し、比較判
別して元のアライメントマーク10の位置を精度良く割
り出す。
(57) [Summary] [Purpose] The purpose is to improve the alignment accuracy of each pattern formed on a semiconductor wafer. [Structure] An alignment mark 10 formed in advance on a semiconductor wafer W is divided into three parts, and a laser irradiation device 2 is attached to each part.
A laser device 2 consisting of a laser device 1 and a light receiving portion 22 is arranged, and the outputs detected by each laser device 2 are added in a discriminating portion 3 and compared and discriminated to accurately determine the position of the original alignment mark 10.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed explanation of the idea]

【0001】0001

【産業上の利用分野】[Industrial application field]

本考案は、半導体ウェーハに多数の処理や配線パターン等の形成時に行われる 露光等のステッパの目合わせを行う装置に関する。 This invention is applied to semiconductor wafers during numerous processes and when forming wiring patterns, etc. The present invention relates to a device for aligning steppers for exposure, etc.

【0002】0002

【従来の技術】[Conventional technology]

半導体ウェーハの各半導体ペレットには各種の処理が順次施されて形成されて いる。例えば、全面にレジスト膜や導電膜を塗布して所定のパターンを露光して 窓開けや配線が行なわれており、このような工程が何度も繰り返されるので、そ れぞれの工程におけるパターン形成等の精度、即ち、ステッパの目合わせ精度が 要求されている。 Each semiconductor pellet on a semiconductor wafer is formed by sequentially performing various treatments. There is. For example, a resist film or conductive film is applied to the entire surface and a predetermined pattern is exposed. Windows are opened and wiring is done, and these processes are repeated many times, so The accuracy of pattern formation etc. in each process, that is, the alignment accuracy of the stepper requested.

【0003】 このようなステッパの目合わせを行うために、例えば、図4に示すように半導 体ウェーハWの表面の一部に初期の段階で平面視の状態で多数の同一形状で突出 させたアライメントマーク10が形成されており、この多数のアライメントマー ク10の位置にレーザ照射部20よりレーザ光をスキャンさせながら全体に照射 し、その反射光を受光部30にて検出して各アライメントマーク10の凹凸を判 別し、アライメントマーク10の位置を割り出して各パターン形成の目合わせを 行っていた。0003 In order to align such steppers, for example, as shown in Figure 4, a semiconductor A large number of identical shapes protrude on a part of the surface of the body wafer W in the initial stage when viewed from above. alignment mark 10 is formed, and this large number of alignment marks Irradiate the entire area while scanning the laser beam from the laser irradiation unit 20 at the position of the hole 10. The reflected light is detected by the light receiving unit 30 to determine the unevenness of each alignment mark 10. Then, determine the position of the alignment mark 10 and align each pattern formation. I was going.

【0004】0004

【考案が解決しようとする課題】[Problem that the idea aims to solve]

しかしながらアライメントマーク10にレーザ光を照射してその反射光を検出 する場合、例えば、電極となるアルミニウム等を全面に蒸着するとアライメント マーク10が均一に覆われ難くなって部分的に付着状態がばらつき、この部分の 凹凸レベルLが正確に検出できなくなって図5に示すようなノイズNとして検出 され、半導体ウェーハ全体としての正確なアライメントマーク10の位置を割り 出すことができず、各パターン形成の目合わせ精度が低下するといった問題があ った。 However, the alignment mark 10 is irradiated with a laser beam and the reflected light is detected. For example, if aluminum, etc., which will become the electrode, is vapor-deposited over the entire surface, the alignment will be improved. It becomes difficult to cover the mark 10 uniformly, and the adhesion state is uneven in some parts. The unevenness level L cannot be detected accurately and is detected as noise N as shown in Figure 5. and determine the exact position of the alignment mark 10 on the entire semiconductor wafer. There is a problem that the alignment accuracy of each pattern formation decreases. It was.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

上記課題を解決するため、本考案のステッパの目合わせ装置は、半導体ウェー ハに形成された多数の同一形状の凹凸アライメントマークを用いてステッパの目 合わせを行なうステッパの目合わせ装置において、上記アライメントマークを複 数部分に分割した状態としてレーザ光を照射し反射光をそれぞれ検出する複数の レーザ装置と、各レーザ装置によって検出された反射光のデータを比較判別する 判別部とを設けたことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the stepper alignment device of the present invention The eye of the stepper is The above alignment mark is duplicated on the alignment device of the stepper that performs alignment. Multiple laser beams are irradiated with a laser beam divided into several parts and each reflected light is detected. Compare and determine the data of the laser device and the reflected light detected by each laser device. The present invention is characterized by being provided with a discrimination section.

【0006】[0006]

【作用】[Effect]

上記構成のステッパの目合わせ装置では、多数の同一形状の凹凸アライメント マークを、複数部分に分割した状態でそれぞれにレーザ装置にてレーザ光を照射 してその反射光を検出するため、各レーザ装置毎に得られる反射光のデータによ りそれぞれの凹凸アライメントマークの認識が行なえる。各レーザ装置で得られ たデータはそれぞれ判別部に送られ、該判別部によって各データが比較される。 このとき、半導体ウェーハに形成されたアライメントマークは同一形状であるた め、各レーザ装置で検出されるアライメントマークの認識は基本的に一致するも のであるため、一部のアライメントマークの凹凸が検出されなくても他のデータ より半導体ウェーハに形成されたアライメントマーク全体を推定することが可能 となり、露光等のステッパの目合わせ精度が向上する。 In the stepper alignment device with the above configuration, many unevenness alignments with the same shape can be performed. The mark is divided into multiple parts and each part is irradiated with laser light using a laser device. In order to detect the reflected light, we use the reflected light data obtained for each laser device. It is possible to recognize each uneven alignment mark. obtained with each laser device. Each piece of data is sent to a discriminating unit, and each data is compared by the discriminating unit. At this time, since the alignment marks formed on the semiconductor wafer have the same shape, Therefore, the recognition of alignment marks detected by each laser device is basically the same. Therefore, even if some alignment mark irregularities are not detected, other data It is possible to estimate the entire alignment mark formed on a semiconductor wafer. This improves the accuracy of stepper alignment for exposure, etc.

【0007】[0007]

【実施例】【Example】

以下、図面を参照して本考案の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0008】 図1は本考案の一実施例に係るステッパの目合わせ装置の概略図である。本考 案のステッパの目合わせ装置は、レーザ光を照射するレーザ照射装置21とその 反射光を受ける受光部22とよりなるレーザ装置2が三組設けられており、各レ ーザ装置2の出力はそれぞれを比較判別する判別部3に送出される構成となって いる。[0008] FIG. 1 is a schematic diagram of a stepper alignment device according to an embodiment of the present invention. main idea The proposed stepper alignment device includes a laser irradiation device 21 that irradiates laser light and its Three sets of laser devices 2 are provided, each consisting of a light receiving section 22 that receives reflected light. The output of the user device 2 is sent to a discriminator 3 that compares and discriminates each. There is.

【0009】 半導体ウェーハWには製造時の初期の段階で、一部に平面視状態で正方形を呈 し縦横に一定配列で多数の四角柱状の従来と同様のアライメントマーク10が形 成されている。このアライメントマーク10は三分割されてそれぞれのブロック にレーザ装置2が配置されている。[0009] At the initial stage of manufacturing, a part of the semiconductor wafer W has a square shape when viewed from above. A large number of rectangular prism-like alignment marks 10 similar to conventional ones are arranged vertically and horizontally in a constant manner. has been completed. This alignment mark 10 is divided into three blocks and each A laser device 2 is arranged at.

【0010】 各レーザ装置2では、対応する分割部分に配置されているアライメントマーク 10に、レーザ照射装置21によりレーザ光をスキャンさせて受光部22で反射 光を検出するものである。従って、アライメントマーク10が同一形状であるた め、通常状態で検出されるデータは各レーザ装置2も同一となる。0010 In each laser device 2, the alignment mark placed in the corresponding divided portion 10, the laser beam is scanned by the laser irradiation device 21 and reflected by the light receiving section 22. It detects light. Therefore, since the alignment marks 10 have the same shape, Therefore, the data detected in the normal state is the same for each laser device 2.

【0011】 各レーザ装置2の出力が送出される判別部3は、例えば、各レーザ装置2で得 られる出力をそれぞれ加算し、基準となる出力波形と比較判別するものである。 上記構成のステッパの目合わせ装置では、各レーザ装置2の各レーザ照射装置 21により対応する半導体ウェーハWのアライメントマーク10の分割部分をス キャンしながら同時に走査し、その反射光を対応する各受光部22で検出するた め、例えば、アルミニウム等の電極を形成したときに、アライメントマーク10 の一部の凹凸がアルミニウムで埋まると、例えば、図2に示すような出力O1 が 一つのレーザ装置2で検出される。しかし、他のレーザ装置2の受光部22で検 出したデータは正確に凹凸を検出するので、各データを判別部3でそれぞれ加算 すると、例えば、図3に示すように、凹部は低く出力O2 が表われて全体として のノイズが目立ち難くなる。従って、図3で示すようなデータでは、半導体ウェ ーハWに形成されたアライメントマーク10の凹凸が判断でき、その位置を精度 良く検出することができるようになる。[0011] For example, the determination unit 3 to which the output of each laser device 2 is sent out is configured to The resulting outputs are added together and compared with a reference output waveform to make a determination. In the stepper alignment device having the above configuration, each laser irradiation device of each laser device 2 is 21, the corresponding divided portion of the alignment mark 10 of the semiconductor wafer W is scanned. In order to simultaneously scan and scan, and detect the reflected light with each corresponding light receiving section 22. For example, when forming an electrode made of aluminum or the like, the alignment mark 10 If some of the irregularities are filled with aluminum, for example, the output O1 as shown in Fig. 2 will be reduced. It is detected by one laser device 2. However, the light receiving section 22 of another laser device 2 detects The output data accurately detects unevenness, so each data is added up in the discrimination section 3. Then, for example, as shown in Fig. 3, a low output O2 appears in the concave part, and the overall output becomes lower. noise becomes less noticeable. Therefore, with the data shown in Figure 3, the semiconductor wafer - The unevenness of the alignment mark 10 formed on the It becomes possible to detect it better.

【0012】 このように、各レーザ装置2の出力O2 を判別部3で比較判別することによっ てアライメントマーク10の位置が正確に検出できるので、各工程での配線パタ ーン等が位置ずれなく精度良く露光等により形成できる。0012 In this way, by comparing and determining the output O2 of each laser device 2 in the determining section 3, Since the position of the alignment mark 10 can be detected accurately, the wiring pattern in each process can be accurately detected. It is possible to form a pattern by exposure, etc. with high precision without positional deviation.

【0013】 尚、レーザ装置2は半導体ウェーハWのアライメントマーク10に対して分割 した分割部分数に応じて配置すればよく、多ければそれだけ正確な位置決めが行 えるようになるが、コスト的な面を考慮すると三〜四分割程度でよい。また、実 施例の判別部3では、各レーザ装置2で検出した出力を加算したが、その判断方 法としては、例えば、画像処理等の他の手段であってもよい。[0013] Note that the laser device 2 is divided into alignment marks 10 on the semiconductor wafer W. All you have to do is place them according to the number of divided parts you have created; the more parts you have, the more accurate the positioning will be. However, considering the cost, it is sufficient to divide it into three to four parts. Also, fruit The determination unit 3 in the example added the outputs detected by each laser device 2, but the determination method For example, other means such as image processing may be used as the method.

【0014】[0014]

【考案の効果】[Effect of the idea]

以上の説明から明らかなように、本考案のステッパの目合わせ装置では、半導 体ウェーハに形成されたアライメントマークを複数に分割してそれぞれにレーザ 装置よりレーザ光を照射・受光して判別部によって正確にアライメントマークの 位置を判別できるようになり、露光等を行なうステッパの目合わせ精度が向上す るといった効果を奏する。 As is clear from the above explanation, in the stepper alignment device of the present invention, the semiconductor The alignment mark formed on the body wafer is divided into multiple parts and laser is applied to each part. The device emits and receives a laser beam, and the identification unit accurately marks the alignment mark. The position can now be determined, improving the alignment accuracy of the stepper used for exposure, etc. It has the effect of

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本考案の一実施例に係るステッパの目合わせ装
置の概略説明図。
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram of a stepper alignment device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本考案のステッパの目合わせ装置の一レーザ装
置での検出されるノイズの検出例図。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of noise detected by a laser device of the stepper alignment device of the present invention.

【図3】本考案の判別部での検出例図。FIG. 3 is a diagram showing an example of detection by the discriminator of the present invention.

【図4】従来のステッパの目合わせ装置の概略説明図。FIG. 4 is a schematic explanatory diagram of a conventional stepper alignment device.

【図5】従来のステッパの目合わせ装置による検出例
図。
FIG. 5 is a diagram showing an example of detection by a conventional stepper alignment device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アライメントマーク 2 レーザ装置 3 判別部 10 アライメントマーク 1 Alignment mark 2 Laser device 3 Discrimination section 10 Alignment mark

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】半導体ウェーハに形成された多数の同一形
状の凹凸アライメントマークを用いてステッパの目合わ
せを行なうステッパの目合わせ装置において、上記アラ
イメントマークを複数部分に分割した状態としてレーザ
光を照射し反射光をそれぞれ検出する複数のレーザ装置
と、各レーザ装置によって検出された反射光のデータを
比較判別する判別部とを設けたことを特徴とするステッ
パの目合わせ装置。
1. A stepper alignment device that aligns a stepper using a large number of uneven alignment marks of the same shape formed on a semiconductor wafer, wherein the alignment mark is divided into a plurality of parts and irradiated with a laser beam. What is claimed is: 1. A stepper alignment device comprising: a plurality of laser devices that respectively detect reflected light; and a discrimination section that compares and discriminates data of the reflected light detected by each laser device.
JP2230991U 1991-03-12 1991-03-12 Stepper alignment device Withdrawn JPH04111727U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2230991U JPH04111727U (en) 1991-03-12 1991-03-12 Stepper alignment device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2230991U JPH04111727U (en) 1991-03-12 1991-03-12 Stepper alignment device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04111727U true JPH04111727U (en) 1992-09-29

Family

ID=31907834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2230991U Withdrawn JPH04111727U (en) 1991-03-12 1991-03-12 Stepper alignment device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04111727U (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050181575A1 (en) Semiconductor structures and manufacturing methods
US10416578B2 (en) Substrate pre-alignment method
KR930002347B1 (en) Pattern position recognition apparatus
JPH04111727U (en) Stepper alignment device
JP3615430B2 (en) Recognition mark
JPS6352328B2 (en)
JPH0897114A (en) Alignment method
JPH1032158A (en) Detection method for position
JPH0416707A (en) Pattern recognizing method by electron beam
JPH06204308A (en) Recognizing method for position of special pattern of semiconductor wafer
US6750554B2 (en) Mark configuration, wafer with at least one mark configuration and method for the fabrication of at least one mark configuration
US6982495B2 (en) Mark configuration, wafer with at least one mark configuration, and a method of producing at least one mark configuration
CN112213922B (en) Method for setting photoetching exposure conditions
JPS5835915A (en) Discrimination of substrate for semiconductor device
JPH0571166B2 (en)
KR970003688B1 (en) Prealignment method of wafer in exposure apparatus
JPS63154948A (en) Dust detection
JPH0352211B2 (en)
JPS60246645A (en) Alignment method for semiconductor wafer chip
JP2797195B2 (en) Semiconductor wafer alignment method
JPS63100719A (en) Position detecting system
US6889162B1 (en) Wafer target design and method for determining centroid of wafer target
JPS61207017A (en) Electron beam exposure method
CN108490742A (en) Exposure sources and exposure method
JPH0663729B2 (en) Position detector

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19950615