JPH04108609A - 超電導体 - Google Patents
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Classifications
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、核融合炉、電磁流体発電機、加速器、回転
電気機器(電動機や発電機など)、磁気分離機、磁気浮
上列車、磁気浮上自動車、磁気浮上エレベータ、核磁気
共鳴断層撮影診断装置、磁気推進船、電子ビーム露光装
置、単結晶製造装置、各種実験装置等のマグネットコイ
ル用材料として適し、また、送電線、電気エネルギー貯
蔵器、変圧器、整流器などの電力損失が問題になる用途
に適し、さらに、ジョセフソン素子、5QUID素子、
超電導トランジスタなどの各種素子として適し、さらに
また、赤外線探知材料、磁気遮蔽材料などの各種機能材
料として適した超電導体に関する。
電気機器(電動機や発電機など)、磁気分離機、磁気浮
上列車、磁気浮上自動車、磁気浮上エレベータ、核磁気
共鳴断層撮影診断装置、磁気推進船、電子ビーム露光装
置、単結晶製造装置、各種実験装置等のマグネットコイ
ル用材料として適し、また、送電線、電気エネルギー貯
蔵器、変圧器、整流器などの電力損失が問題になる用途
に適し、さらに、ジョセフソン素子、5QUID素子、
超電導トランジスタなどの各種素子として適し、さらに
また、赤外線探知材料、磁気遮蔽材料などの各種機能材
料として適した超電導体に関する。
〈従来の技術〉
超電導転移温度の高い超電導体としては、一連の銅複合
酸化物超電導体がある。これら一連の銅複合酸化物超電
導体におけるキャリア(電流を運ぶ担体)は、(Ln、
ε) 2Cub4や、Ln2Cub4−、F、(L
nはNd、Sm、EuおよびGdから選ばれた元素、ε
はCeおよびThから選ばれた元素)を除き、いずれも
正孔(ホール)である。しかしながら、電荷担体が正孔
であるとコヒーレント長が短くなるので、磁場中臨界電
流密度等の超電導特性がよくならない。
酸化物超電導体がある。これら一連の銅複合酸化物超電
導体におけるキャリア(電流を運ぶ担体)は、(Ln、
ε) 2Cub4や、Ln2Cub4−、F、(L
nはNd、Sm、EuおよびGdから選ばれた元素、ε
はCeおよびThから選ばれた元素)を除き、いずれも
正孔(ホール)である。しかしながら、電荷担体が正孔
であるとコヒーレント長が短くなるので、磁場中臨界電
流密度等の超電導特性がよくならない。
これに対して、上述した超電導体は、電荷担体が電子で
あり、コヒーレント長か長いので、磁場中臨界電流密度
等の超電導特性が向上するといわれている。しかしなが
ら、超電導転移温度は20に程度と低い。
あり、コヒーレント長か長いので、磁場中臨界電流密度
等の超電導特性が向上するといわれている。しかしなが
ら、超電導転移温度は20に程度と低い。
一方、発明者らは、先に、特願平1−250222号に
より、電荷担体が電子であり、かつ、高い超電導転移温
度を有するものとして、ζ8 η。
より、電荷担体が電子であり、かつ、高い超電導転移温
度を有するものとして、ζ8 η。
(:u207F、(ζはLa、Nd55m、Euおよび
Gdから選ばれた元素、ηはSrおよびCaから選ばれ
た元素)を提案したが、蒸発しゃすいFを含んでいるた
め、作製が難しいうえに装置の腐蝕が激しく1、工業性
がよくない。
Gdから選ばれた元素、ηはSrおよびCaから選ばれ
た元素)を提案したが、蒸発しゃすいFを含んでいるた
め、作製が難しいうえに装置の腐蝕が激しく1、工業性
がよくない。
〈発明が解決しようとする課題〉
この発明の目的は、超電導転移温度が高く、かつ、磁場
中臨界電流密度の高い超電導体を提供するにある。
中臨界電流密度の高い超電導体を提供するにある。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、この発明は、下記一般式で
表される超電導体を提供する。
表される超電導体を提供する。
(α1−9βp ) 2−Q
(γ1−7δv )In Cu、、o。
ただし、
a : Nd、Sm、Eu、Gd、Dy。
HoおよびYから選ばれた元素。
β:CeおよびThから選ばれた元素。
γ:CaおよびSrから選ばれた元素。
δ:Y、NdXSm、Eu、GdXDy。
Ho、Er、Tm、YbおよびLu
から選ばれた元素。
0≦p<0. 4
0≦q<0. 2
0≦r<0. 5
5.5<s≦6.0
以下においては、これを第1発明ということにする。
また、この発明は、下記一般式で表される超電導体を提
供する。
供する。
(α1−1 βり2−11
(γl−・ δ・ )2・・ Cu30−ただし、
α: N d N S m XE u z G d %
D y NHoおよびYから選ばれた元素。
D y NHoおよびYから選ばれた元素。
β:CeおよびThから選ばれた元素。
γ:CaおよびSrから選ばれた元素。
δ:Y、Nd55m、Eu、GdXDy。
Ho、%Er、Tm、YbおよびLu
から選ばれた元素。
0≦t<0. 4
0≦u<0. 2
0≦v<0. 5
7.5<w≦8.0
以下においては、これを第2発明ということにする。
第1、第2発明の超電導体は、それぞれ第1図、第2図
に示すような結晶構造を有する。元素α、β、γ、δは
、ただ1種を選択してもよく、2種以上を選択してもよ
い。
に示すような結晶構造を有する。元素α、β、γ、δは
、ただ1種を選択してもよく、2種以上を選択してもよ
い。
さて、第1−発明の超電導体は、構造が理想的に実現さ
れたとき、一般式においてSは6.0となるか、通常は
酸素量の不足があるから、5.5〈S≦6.0という組
成範囲が許される。また、pについては、CeおよびT
hの固溶限界から、0≦p<0.4という制限が加わる
。
れたとき、一般式においてSは6.0となるか、通常は
酸素量の不足があるから、5.5〈S≦6.0という組
成範囲が許される。また、pについては、CeおよびT
hの固溶限界から、0≦p<0.4という制限が加わる
。
第1発明の超電導体は、電荷は電子で与えられ、既知の
電子系銅複合酸化物超電導体である(L n。
電子系銅複合酸化物超電導体である(L n。
ε)2CuO4やL n 2Cu O4−、F 、と同
じく、電子濃度かCu1個あたり0.1以上、0.3以
下のときに超電導体となる。そうして、Cu1個あたり
の電子濃度は(3x (1−p)+4xp)x (2−
q)/2+ (2x (1−r)+3xr)x (1+
q)/2+2−sで与えられるから、1゜7<−(3X
(1−p)+4xp)X (2−Q)/2−(2X
(1−r)+3Xr)X (1+q)/2+8<1..
9である。
じく、電子濃度かCu1個あたり0.1以上、0.3以
下のときに超電導体となる。そうして、Cu1個あたり
の電子濃度は(3x (1−p)+4xp)x (2−
q)/2+ (2x (1−r)+3xr)x (1+
q)/2+2−sで与えられるから、1゜7<−(3X
(1−p)+4xp)X (2−Q)/2−(2X
(1−r)+3Xr)X (1+q)/2+8<1..
9である。
元素αは、構造を安定にするためのイオン半径の大小関
係によるバッキングの要請から、Nd。
係によるバッキングの要請から、Nd。
Sm、Eu、Gdを選択するのが好ましい。
一方、1.7<−(3x (1−p)+4xp)x
(2−q)、/2− (2X (1−r)+3xr
)X (1+q)、’2+s<1.9という制限を容易
に満たすためには、Sは構造が理想的に実現された場合
の値よりも小さいほうかよい。この意味からも5.5<
s≦6.0なる制限か加わる。
(2−q)、/2− (2X (1−r)+3xr
)X (1+q)、’2+s<1.9という制限を容易
に満たすためには、Sは構造が理想的に実現された場合
の値よりも小さいほうかよい。この意味からも5.5<
s≦6.0なる制限か加わる。
元素δは、第1図に示すように、元素δが存在する面(
ab面)内に酸素が存在できないようにするために、イ
オン半径が約1100pと小さくなければならない。こ
の条件から、元素δは、YlNd、Sm、Eu、GdX
Dy、Ho、ErXTm、Yb、Luでなければならな
いが、構造を安定にするためには、Y、Dy、Ho、E
r、Yb。
ab面)内に酸素が存在できないようにするために、イ
オン半径が約1100pと小さくなければならない。こ
の条件から、元素δは、YlNd、Sm、Eu、GdX
Dy、Ho、ErXTm、Yb、Luでなければならな
いが、構造を安定にするためには、Y、Dy、Ho、E
r、Yb。
が好ましい。また、元素δの固溶限界から、0≦r<0
.5という制限が加わる。さらに、qには、第1図に示
す構造を安定にするために、0≦q〈0.2なる制限が
加えられる。
.5という制限が加わる。さらに、qには、第1図に示
す構造を安定にするために、0≦q〈0.2なる制限が
加えられる。
この第1発明の超電導体の結晶構造の格子定数は、元素
α、β、γ、δの種類や酸素含有量(S)にもよるが、
およそ3. 8 (a軸およびb軸長)、19(C軸長
)である。なお、繰り返し単位のC軸長は格子定数のC
軸長の1/2で、9〜10である。
α、β、γ、δの種類や酸素含有量(S)にもよるが、
およそ3. 8 (a軸およびb軸長)、19(C軸長
)である。なお、繰り返し単位のC軸長は格子定数のC
軸長の1/2で、9〜10である。
次に、第2発明の超電導体については、構造が理想的に
実現されたとき、一般式においてSは8゜0となるが、
第1発明の場合と同様、通常は酸素量の不足があるから
、7.5<w≦8.0という組成範囲が許される。また
、CeおよびThの固溶限界から、第1発明と同様に、
0≦t<0.4という制限が加わる。
実現されたとき、一般式においてSは8゜0となるが、
第1発明の場合と同様、通常は酸素量の不足があるから
、7.5<w≦8.0という組成範囲が許される。また
、CeおよびThの固溶限界から、第1発明と同様に、
0≦t<0.4という制限が加わる。
第2発明の超電導体も、電荷は電子で与えられ、既知の
電子系銅複合酸化物超電導体である(L n。
電子系銅複合酸化物超電導体である(L n。
ε)2 CuO4やLn2Cub4−、F、と同じく、
電子濃度がCu1個あたり0.1以上、0.3以下のと
きに超電導体となる。そうして、Cu1個あたりの電子
濃度は、(3x (1−t)+4xt)X (2−u)
/3+(2X (1−v)+3Xv)X (2+u)/
3+22−2X/3で与えられるから、11.7<−(
3X (1−t)+4Xt)x(2−u)/3− (2
X (1−v)+3xv) x(2+u)/3+2xw
/3<L 9である。
電子濃度がCu1個あたり0.1以上、0.3以下のと
きに超電導体となる。そうして、Cu1個あたりの電子
濃度は、(3x (1−t)+4xt)X (2−u)
/3+(2X (1−v)+3Xv)X (2+u)/
3+22−2X/3で与えられるから、11.7<−(
3X (1−t)+4Xt)x(2−u)/3− (2
X (1−v)+3xv) x(2+u)/3+2xw
/3<L 9である。
元素αおよびδの選択は、第一発明の場合と同様である
。また、W、UおよびVの範囲についても、第1発明と
同様の理由から、それぞれ制限が加えられる。すなわち
、1.7<−(3X (1−t)+4xt) X (2
−u)/3− (2X (1v)+3Xv)X (2+
u)/3+2xw/3<1.9という制限を容易に満た
すためには、Wは小さいほうがよく、この意味からも7
.5<w≦8.0なる制限が加わり、また、元素δの固
溶限界から、0≦v<0.5という制限が加わり、さら
に、第2図に示す構造を安定にするために、0≦u<0
.2なる制限が加えられる。
。また、W、UおよびVの範囲についても、第1発明と
同様の理由から、それぞれ制限が加えられる。すなわち
、1.7<−(3X (1−t)+4xt) X (2
−u)/3− (2X (1v)+3Xv)X (2+
u)/3+2xw/3<1.9という制限を容易に満た
すためには、Wは小さいほうがよく、この意味からも7
.5<w≦8.0なる制限が加わり、また、元素δの固
溶限界から、0≦v<0.5という制限が加わり、さら
に、第2図に示す構造を安定にするために、0≦u<0
.2なる制限が加えられる。
この第2発明の超電導体の結晶構造の格子定数は、元素
α、β、γ、δの種類や酸素含有量(S)にもよるが、
およそ3.8 (a軸およびb軸長)、25(C軸長)
である。なお、繰り返し単位のC軸長は格子定数のC軸
長の1/2で、12〜13である。
α、β、γ、δの種類や酸素含有量(S)にもよるが、
およそ3.8 (a軸およびb軸長)、25(C軸長)
である。なお、繰り返し単位のC軸長は格子定数のC軸
長の1/2で、12〜13である。
さて、電荷担体が正孔である一連の銅複合酸化物超電導
体は、磁場中での臨界電流密度の低下が著しい。これは
、一つには、コヒーレント長が短いためである。これに
対して、第1、第2発明の超電導体は、電荷担体が電子
であるためにコヒーレント長が長く、磁場中でも臨界電
流密度はあまり低下しない。
体は、磁場中での臨界電流密度の低下が著しい。これは
、一つには、コヒーレント長が短いためである。これに
対して、第1、第2発明の超電導体は、電荷担体が電子
であるためにコヒーレント長が長く、磁場中でも臨界電
流密度はあまり低下しない。
また、超電導転移温度は、繰返し単位格子中のCuhO
とからなる層の数に比例して高くなるが、上述した、従
来の、電荷担体が電子である超電導体である(Ln、
ε) 2Cub4や、Ln2Cu04−、F、は、繰
返し単位格子中のCuとOとからなる層を1層しか含ん
でいないので、超電導転移温度が低いものと推定される
。これに対して、第1発明の超電導体では、CuとOと
からなる層が2層あり、第2発明の超電導体では3層あ
るので、電荷担体が電子である超電導体では最も高い超
電導転移温度を実現できる。
とからなる層の数に比例して高くなるが、上述した、従
来の、電荷担体が電子である超電導体である(Ln、
ε) 2Cub4や、Ln2Cu04−、F、は、繰
返し単位格子中のCuとOとからなる層を1層しか含ん
でいないので、超電導転移温度が低いものと推定される
。これに対して、第1発明の超電導体では、CuとOと
からなる層が2層あり、第2発明の超電導体では3層あ
るので、電荷担体が電子である超電導体では最も高い超
電導転移温度を実現できる。
この発明の超電導体は、テープ状、線状、繊維状、シー
ト状など、いろいろな形態にして用いることができる。
ト状など、いろいろな形態にして用いることができる。
また、炭素繊維や、セラミックスや金、銀などの金属か
らなる補強線材上に形成して用いることもできる。また
、銀シースなどの補強用の中空材料に詰めて用いること
もできる。さらにまた、銅などのマトリクスを用いて多
芯線構造の超電導線材とすることもできる。また、Si
、MgO,LaGaO3、LaA ] 03、S rT
iO3などの基板上に薄膜として形成し、いろいろな素
子として、あるいは、LSIの配線として用いることが
できる。
らなる補強線材上に形成して用いることもできる。また
、銀シースなどの補強用の中空材料に詰めて用いること
もできる。さらにまた、銅などのマトリクスを用いて多
芯線構造の超電導線材とすることもできる。また、Si
、MgO,LaGaO3、LaA ] 03、S rT
iO3などの基板上に薄膜として形成し、いろいろな素
子として、あるいは、LSIの配線として用いることが
できる。
この発明の超電導体は、いろいろな方法によって製造す
ることができる。
ることができる。
たとえば、よく知られた粉末混合法によることができる
。また、電子ビーム蒸着法やレーザー蒸着法などの各種
蒸着法によったり、マグネトロンスパッタ法などの各種
スパッタ法によったり、ハロゲン化物や有機金属などを
用いる化学的気相成長法によったり、硝酸塩や有機酸な
どを用いる霧化法によったり、アルコキシドなどを用い
る塗布法によったりすることができる。
。また、電子ビーム蒸着法やレーザー蒸着法などの各種
蒸着法によったり、マグネトロンスパッタ法などの各種
スパッタ法によったり、ハロゲン化物や有機金属などを
用いる化学的気相成長法によったり、硝酸塩や有機酸な
どを用いる霧化法によったり、アルコキシドなどを用い
る塗布法によったりすることができる。
なお、この発明の超電導体は、酸素欠損を生じたほうが
、結晶中の電荷担体、すなわち、注入される電子の数を
増やしやすくなるので、焼成後、急冷したり、低酸素分
圧の雰囲気下で熱処理するのが好ましい。
、結晶中の電荷担体、すなわち、注入される電子の数を
増やしやすくなるので、焼成後、急冷したり、低酸素分
圧の雰囲気下で熱処理するのが好ましい。
〈実 施 例〉
実施例1
Eu203、Ce01CaC03、Y2O3、CuOの
各粉末をEu:Ce:Ca:Y:Cuが1.6+0.2
9+1.o:o、1:2.0になるように秤量し、メノ
ウ乳鉢で粉砕、混合した後、A1□03の容器に入れ、
空気中にて900℃で12時間仮焼した。しかる後、再
びメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット状に成形し、酸素分圧
が0. 1stm以下の還元雰囲気中で930℃にて3
日間焼成した後、急冷した。
各粉末をEu:Ce:Ca:Y:Cuが1.6+0.2
9+1.o:o、1:2.0になるように秤量し、メノ
ウ乳鉢で粉砕、混合した後、A1□03の容器に入れ、
空気中にて900℃で12時間仮焼した。しかる後、再
びメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット状に成形し、酸素分圧
が0. 1stm以下の還元雰囲気中で930℃にて3
日間焼成した後、急冷した。
かくして得られた超電導体の室温付近でのキャリヤは、
電子であった。また、組成は(EuO,B5Ceo、t
、)19 (Cao、yol)z、+ Cu2O,9
で、第1図に示す結晶構造を有していた。さらに、超電
導転移温度は35にであった。また、4.2に零磁場下
での臨界電流密度は約550A/cm2であり、500
ガウスの磁場中でも400A/cm2と、外部磁場によ
る臨界電流密度の低下は小さかった。
電子であった。また、組成は(EuO,B5Ceo、t
、)19 (Cao、yol)z、+ Cu2O,9
で、第1図に示す結晶構造を有していた。さらに、超電
導転移温度は35にであった。また、4.2に零磁場下
での臨界電流密度は約550A/cm2であり、500
ガウスの磁場中でも400A/cm2と、外部磁場によ
る臨界電流密度の低下は小さかった。
実施例2
Sm、、o3、Dy203、CeO,CaCO3、Sr
CO3、Er2O3、CuOの各粉末をSm:Dy:C
e:Ca:Sr :Er :Cuが1.3=0.32:
0,34:1.75:0.20:0゜10:3.0にな
るように秤量し、メノウ乳鉢で粉砕、混合した後、A、
]203の容器に入れ、空気中にて900℃で12時間
仮焼した。しかる後、再びメノウ乳鉢で粉砕し、ペレッ
ト状に成形し、酸素分圧が0. latm以下の還元
雰囲気中で950℃にて3日間焼成した後、急冷した。
CO3、Er2O3、CuOの各粉末をSm:Dy:C
e:Ca:Sr :Er :Cuが1.3=0.32:
0,34:1.75:0.20:0゜10:3.0にな
るように秤量し、メノウ乳鉢で粉砕、混合した後、A、
]203の容器に入れ、空気中にて900℃で12時間
仮焼した。しかる後、再びメノウ乳鉢で粉砕し、ペレッ
ト状に成形し、酸素分圧が0. latm以下の還元
雰囲気中で950℃にて3日間焼成した後、急冷した。
かくして得られた超電導体の室温付近でのキャリヤは、
電子であった。また、組成は((sm。
電子であった。また、組成は((sm。
a Dyo2) 0.1!25 CeO,!75 )
1.95 ((Ca。
1.95 ((Ca。
、S ro、x ) 0.95E ro、o、) 2.
05Cu307.85で、第2図に示す結晶構造を有し
ていた。さらに、超電導転移温度は55にであった。ま
た、4,2に零磁場下での臨界電流密度は約800A/
cm2であり、500ガウスの磁場中でも700A/c
m2と、外部磁場による臨界電流密度の低下は小さかっ
た。
05Cu307.85で、第2図に示す結晶構造を有し
ていた。さらに、超電導転移温度は55にであった。ま
た、4,2に零磁場下での臨界電流密度は約800A/
cm2であり、500ガウスの磁場中でも700A/c
m2と、外部磁場による臨界電流密度の低下は小さかっ
た。
〈発明の効果〉
この発明の、電荷担体が電子である超電導体は、実施例
にも示したように、零抵抗超電導転移温度が高く、かつ
、磁場中臨界電流密度が高い。
にも示したように、零抵抗超電導転移温度が高く、かつ
、磁場中臨界電流密度が高い。
第1図および第2図は、それぞれこの発明の超電導体の
結晶構造を示すモデル図である。
結晶構造を示すモデル図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)下記一般式で表される銅複合酸化物を主成分とす
る超電導体。 (α_1_−_pβ_p)_2_−_q (γ_1_−_rδ_r)_1_+_qCu_2O_s
ただし、 α:Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 HoおよびYから選ばれた元素。 β:CeおよびThから選ばれた元素。 γ:CaおよびSrから選ばれた元素。 δ:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 Ho、Er、Tm、YbおよびLu から選ばれた元素。 0≦p<0.4 0≦q<0.2 0≦r<0.5 5.5<s≦6.0 (2)下記一般式で表される銅複合酸化物を主成分とす
る超電導体。 (α_1_−_tβ_t)_2_−_u (γ_1_−_vδ_v)_2_+_uCu_3O_w
ただし、 α:Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 HoおよびYから選ばれた元素。 β:CeおよびThから選ばれた元素。 γ:CaおよびSrから選ばれた元素。 δ:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 Ho、Er、Tm、YbおよびLu から選ばれた元素。 0≦t<0.4 0≦u<0.2 0≦v<0.5 7.5<w≦8.0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2226251A JPH04108609A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2226251A JPH04108609A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 超電導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04108609A true JPH04108609A (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16842266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2226251A Pending JPH04108609A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 超電導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04108609A (ja) |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP2226251A patent/JPH04108609A/ja active Pending
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