JPH04108609A - 超電導体 - Google Patents

超電導体

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JPH04108609A
JPH04108609A JP2226251A JP22625190A JPH04108609A JP H04108609 A JPH04108609 A JP H04108609A JP 2226251 A JP2226251 A JP 2226251A JP 22625190 A JP22625190 A JP 22625190A JP H04108609 A JPH04108609 A JP H04108609A
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JP
Japan
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superconductor
magnetic field
multiple oxide
current density
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Pending
Application number
JP2226251A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Nobumasa
均 信正
Kazuharu Shimizu
一治 清水
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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Publication of JPH04108609A publication Critical patent/JPH04108609A/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、核融合炉、電磁流体発電機、加速器、回転
電気機器(電動機や発電機など)、磁気分離機、磁気浮
上列車、磁気浮上自動車、磁気浮上エレベータ、核磁気
共鳴断層撮影診断装置、磁気推進船、電子ビーム露光装
置、単結晶製造装置、各種実験装置等のマグネットコイ
ル用材料として適し、また、送電線、電気エネルギー貯
蔵器、変圧器、整流器などの電力損失が問題になる用途
に適し、さらに、ジョセフソン素子、5QUID素子、
超電導トランジスタなどの各種素子として適し、さらに
また、赤外線探知材料、磁気遮蔽材料などの各種機能材
料として適した超電導体に関する。
〈従来の技術〉 超電導転移温度の高い超電導体としては、一連の銅複合
酸化物超電導体がある。これら一連の銅複合酸化物超電
導体におけるキャリア(電流を運ぶ担体)は、(Ln、
  ε) 2Cub4や、Ln2Cub4−、F、(L
nはNd、Sm、EuおよびGdから選ばれた元素、ε
はCeおよびThから選ばれた元素)を除き、いずれも
正孔(ホール)である。しかしながら、電荷担体が正孔
であるとコヒーレント長が短くなるので、磁場中臨界電
流密度等の超電導特性がよくならない。
これに対して、上述した超電導体は、電荷担体が電子で
あり、コヒーレント長か長いので、磁場中臨界電流密度
等の超電導特性が向上するといわれている。しかしなが
ら、超電導転移温度は20に程度と低い。
一方、発明者らは、先に、特願平1−250222号に
より、電荷担体が電子であり、かつ、高い超電導転移温
度を有するものとして、ζ8 η。
(:u207F、(ζはLa、Nd55m、Euおよび
Gdから選ばれた元素、ηはSrおよびCaから選ばれ
た元素)を提案したが、蒸発しゃすいFを含んでいるた
め、作製が難しいうえに装置の腐蝕が激しく1、工業性
がよくない。
〈発明が解決しようとする課題〉 この発明の目的は、超電導転移温度が高く、かつ、磁場
中臨界電流密度の高い超電導体を提供するにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、この発明は、下記一般式で
表される超電導体を提供する。
(α1−9βp ) 2−Q (γ1−7δv )In Cu、、o。
ただし、 a : Nd、Sm、Eu、Gd、Dy。
HoおよびYから選ばれた元素。
β:CeおよびThから選ばれた元素。
γ:CaおよびSrから選ばれた元素。
δ:Y、NdXSm、Eu、GdXDy。
Ho、Er、Tm、YbおよびLu から選ばれた元素。
0≦p<0.  4 0≦q<0.  2 0≦r<0. 5 5.5<s≦6.0 以下においては、これを第1発明ということにする。
また、この発明は、下記一般式で表される超電導体を提
供する。
(α1−1  βり2−11 (γl−・ δ・ )2・・ Cu30−ただし、 α: N d N S m XE u z G d %
 D y NHoおよびYから選ばれた元素。
β:CeおよびThから選ばれた元素。
γ:CaおよびSrから選ばれた元素。
δ:Y、Nd55m、Eu、GdXDy。
Ho、%Er、Tm、YbおよびLu から選ばれた元素。
0≦t<0. 4 0≦u<0. 2 0≦v<0. 5 7.5<w≦8.0 以下においては、これを第2発明ということにする。
第1、第2発明の超電導体は、それぞれ第1図、第2図
に示すような結晶構造を有する。元素α、β、γ、δは
、ただ1種を選択してもよく、2種以上を選択してもよ
い。
さて、第1−発明の超電導体は、構造が理想的に実現さ
れたとき、一般式においてSは6.0となるか、通常は
酸素量の不足があるから、5.5〈S≦6.0という組
成範囲が許される。また、pについては、CeおよびT
hの固溶限界から、0≦p<0.4という制限が加わる
第1発明の超電導体は、電荷は電子で与えられ、既知の
電子系銅複合酸化物超電導体である(L n。
ε)2CuO4やL n 2Cu O4−、F 、と同
じく、電子濃度かCu1個あたり0.1以上、0.3以
下のときに超電導体となる。そうして、Cu1個あたり
の電子濃度は(3x (1−p)+4xp)x (2−
q)/2+ (2x (1−r)+3xr)x (1+
q)/2+2−sで与えられるから、1゜7<−(3X
 (1−p)+4xp)X (2−Q)/2−(2X 
(1−r)+3Xr)X (1+q)/2+8<1..
9である。
元素αは、構造を安定にするためのイオン半径の大小関
係によるバッキングの要請から、Nd。
Sm、Eu、Gdを選択するのが好ましい。
一方、1.7<−(3x (1−p)+4xp)x  
(2−q)、/2−  (2X  (1−r)+3xr
)X (1+q)、’2+s<1.9という制限を容易
に満たすためには、Sは構造が理想的に実現された場合
の値よりも小さいほうかよい。この意味からも5.5<
s≦6.0なる制限か加わる。
元素δは、第1図に示すように、元素δが存在する面(
ab面)内に酸素が存在できないようにするために、イ
オン半径が約1100pと小さくなければならない。こ
の条件から、元素δは、YlNd、Sm、Eu、GdX
Dy、Ho、ErXTm、Yb、Luでなければならな
いが、構造を安定にするためには、Y、Dy、Ho、E
r、Yb。
が好ましい。また、元素δの固溶限界から、0≦r<0
.5という制限が加わる。さらに、qには、第1図に示
す構造を安定にするために、0≦q〈0.2なる制限が
加えられる。
この第1発明の超電導体の結晶構造の格子定数は、元素
α、β、γ、δの種類や酸素含有量(S)にもよるが、
およそ3. 8 (a軸およびb軸長)、19(C軸長
)である。なお、繰り返し単位のC軸長は格子定数のC
軸長の1/2で、9〜10である。
次に、第2発明の超電導体については、構造が理想的に
実現されたとき、一般式においてSは8゜0となるが、
第1発明の場合と同様、通常は酸素量の不足があるから
、7.5<w≦8.0という組成範囲が許される。また
、CeおよびThの固溶限界から、第1発明と同様に、
0≦t<0.4という制限が加わる。
第2発明の超電導体も、電荷は電子で与えられ、既知の
電子系銅複合酸化物超電導体である(L n。
ε)2 CuO4やLn2Cub4−、F、と同じく、
電子濃度がCu1個あたり0.1以上、0.3以下のと
きに超電導体となる。そうして、Cu1個あたりの電子
濃度は、(3x (1−t)+4xt)X (2−u)
/3+(2X (1−v)+3Xv)X (2+u)/
3+22−2X/3で与えられるから、11.7<−(
3X (1−t)+4Xt)x(2−u)/3− (2
X (1−v)+3xv) x(2+u)/3+2xw
/3<L  9である。
元素αおよびδの選択は、第一発明の場合と同様である
。また、W、UおよびVの範囲についても、第1発明と
同様の理由から、それぞれ制限が加えられる。すなわち
、1.7<−(3X (1−t)+4xt) X (2
−u)/3− (2X (1v)+3Xv)X (2+
u)/3+2xw/3<1.9という制限を容易に満た
すためには、Wは小さいほうがよく、この意味からも7
.5<w≦8.0なる制限が加わり、また、元素δの固
溶限界から、0≦v<0.5という制限が加わり、さら
に、第2図に示す構造を安定にするために、0≦u<0
.2なる制限が加えられる。
この第2発明の超電導体の結晶構造の格子定数は、元素
α、β、γ、δの種類や酸素含有量(S)にもよるが、
およそ3.8 (a軸およびb軸長)、25(C軸長)
である。なお、繰り返し単位のC軸長は格子定数のC軸
長の1/2で、12〜13である。
さて、電荷担体が正孔である一連の銅複合酸化物超電導
体は、磁場中での臨界電流密度の低下が著しい。これは
、一つには、コヒーレント長が短いためである。これに
対して、第1、第2発明の超電導体は、電荷担体が電子
であるためにコヒーレント長が長く、磁場中でも臨界電
流密度はあまり低下しない。
また、超電導転移温度は、繰返し単位格子中のCuhO
とからなる層の数に比例して高くなるが、上述した、従
来の、電荷担体が電子である超電導体である(Ln、 
 ε) 2Cub4や、Ln2Cu04−、F、は、繰
返し単位格子中のCuとOとからなる層を1層しか含ん
でいないので、超電導転移温度が低いものと推定される
。これに対して、第1発明の超電導体では、CuとOと
からなる層が2層あり、第2発明の超電導体では3層あ
るので、電荷担体が電子である超電導体では最も高い超
電導転移温度を実現できる。
この発明の超電導体は、テープ状、線状、繊維状、シー
ト状など、いろいろな形態にして用いることができる。
また、炭素繊維や、セラミックスや金、銀などの金属か
らなる補強線材上に形成して用いることもできる。また
、銀シースなどの補強用の中空材料に詰めて用いること
もできる。さらにまた、銅などのマトリクスを用いて多
芯線構造の超電導線材とすることもできる。また、Si
、MgO,LaGaO3、LaA ] 03、S rT
iO3などの基板上に薄膜として形成し、いろいろな素
子として、あるいは、LSIの配線として用いることが
できる。
この発明の超電導体は、いろいろな方法によって製造す
ることができる。
たとえば、よく知られた粉末混合法によることができる
。また、電子ビーム蒸着法やレーザー蒸着法などの各種
蒸着法によったり、マグネトロンスパッタ法などの各種
スパッタ法によったり、ハロゲン化物や有機金属などを
用いる化学的気相成長法によったり、硝酸塩や有機酸な
どを用いる霧化法によったり、アルコキシドなどを用い
る塗布法によったりすることができる。
なお、この発明の超電導体は、酸素欠損を生じたほうが
、結晶中の電荷担体、すなわち、注入される電子の数を
増やしやすくなるので、焼成後、急冷したり、低酸素分
圧の雰囲気下で熱処理するのが好ましい。
〈実 施 例〉 実施例1 Eu203、Ce01CaC03、Y2O3、CuOの
各粉末をEu:Ce:Ca:Y:Cuが1.6+0.2
9+1.o:o、1:2.0になるように秤量し、メノ
ウ乳鉢で粉砕、混合した後、A1□03の容器に入れ、
空気中にて900℃で12時間仮焼した。しかる後、再
びメノウ乳鉢で粉砕し、ペレット状に成形し、酸素分圧
が0. 1stm以下の還元雰囲気中で930℃にて3
日間焼成した後、急冷した。
かくして得られた超電導体の室温付近でのキャリヤは、
電子であった。また、組成は(EuO,B5Ceo、t
、)19  (Cao、yol)z、+ Cu2O,9
で、第1図に示す結晶構造を有していた。さらに、超電
導転移温度は35にであった。また、4.2に零磁場下
での臨界電流密度は約550A/cm2であり、500
ガウスの磁場中でも400A/cm2と、外部磁場によ
る臨界電流密度の低下は小さかった。
実施例2 Sm、、o3、Dy203、CeO,CaCO3、Sr
CO3、Er2O3、CuOの各粉末をSm:Dy:C
e:Ca:Sr :Er :Cuが1.3=0.32:
0,34:1.75:0.20:0゜10:3.0にな
るように秤量し、メノウ乳鉢で粉砕、混合した後、A、
]203の容器に入れ、空気中にて900℃で12時間
仮焼した。しかる後、再びメノウ乳鉢で粉砕し、ペレッ
ト状に成形し、酸素分圧が0.  latm以下の還元
雰囲気中で950℃にて3日間焼成した後、急冷した。
かくして得られた超電導体の室温付近でのキャリヤは、
電子であった。また、組成は((sm。
a Dyo2) 0.1!25 CeO,!75 ) 
1.95 ((Ca。
、S ro、x ) 0.95E ro、o、) 2.
05Cu307.85で、第2図に示す結晶構造を有し
ていた。さらに、超電導転移温度は55にであった。ま
た、4,2に零磁場下での臨界電流密度は約800A/
cm2であり、500ガウスの磁場中でも700A/c
m2と、外部磁場による臨界電流密度の低下は小さかっ
た。
〈発明の効果〉 この発明の、電荷担体が電子である超電導体は、実施例
にも示したように、零抵抗超電導転移温度が高く、かつ
、磁場中臨界電流密度が高い。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、それぞれこの発明の超電導体の
結晶構造を示すモデル図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)下記一般式で表される銅複合酸化物を主成分とす
    る超電導体。 (α_1_−_pβ_p)_2_−_q (γ_1_−_rδ_r)_1_+_qCu_2O_s
    ただし、 α:Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 HoおよびYから選ばれた元素。 β:CeおよびThから選ばれた元素。 γ:CaおよびSrから選ばれた元素。 δ:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 Ho、Er、Tm、YbおよびLu から選ばれた元素。 0≦p<0.4 0≦q<0.2 0≦r<0.5 5.5<s≦6.0 (2)下記一般式で表される銅複合酸化物を主成分とす
    る超電導体。 (α_1_−_tβ_t)_2_−_u (γ_1_−_vδ_v)_2_+_uCu_3O_w
    ただし、 α:Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 HoおよびYから選ばれた元素。 β:CeおよびThから選ばれた元素。 γ:CaおよびSrから選ばれた元素。 δ:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 Ho、Er、Tm、YbおよびLu から選ばれた元素。 0≦t<0.4 0≦u<0.2 0≦v<0.5 7.5<w≦8.0
JP2226251A 1990-08-27 1990-08-27 超電導体 Pending JPH04108609A (ja)

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