JPH04107505A - Wedgelike interference filter - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、任意の波長の単色光を連続的に取り出すこと
ができるくさび型干渉フィルターに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to a wedge-shaped interference filter that can continuously extract monochromatic light of any wavelength.
［発明の技術的背景および従来技術］
従来から、分光写真器、分光計、分光光度計などの分光
測定用のシステムにおいては、光を分光するために回折
格子、プリズムおよびくさび型金属干渉フィルターなど
が分光手段として一般に使用されている。分光手段とし
て回折格子やプリズムを用いた場合、出来上ったシステ
ム自体が大きくなり過ぎたり、価格が高いものとなり易
い。[Technical Background of the Invention and Prior Art] Conventionally, in systems for spectroscopic measurements such as spectrographs, spectrometers, and spectrophotometers, diffraction gratings, prisms, wedge-shaped metal interference filters, etc. are used to separate light. is commonly used as a spectroscopic means. When a diffraction grating or a prism is used as a spectroscopic means, the resulting system itself tends to be too large and expensive.
方、分光手段としてくさび型金属干渉フィルターを用い
た場合は、上記問題点は解消されるものの、製造の難し
さや分光の分解能や分光効率が低く実用上充分とは言え
ないことなどの問題がある。On the other hand, when a wedge-shaped metal interference filter is used as a spectroscopic means, the above problems are solved, but there are other problems such as manufacturing difficulties and low spectral resolution and spectral efficiency that are not sufficient for practical use. .
くさび型金属干渉フィルター（ファプリーベロー型の干
渉フィルター）は、ガラス基板上に、金属層、中間層、
金属層そしてカバーガラスがこの順で積層され、且つ中
央の中間層がくさび型の構成を有している。一般に金属
層の材料としてはＡｇ、中間層の材料としてはＭｇＦ２
が使用される（新編色彩科学ハンドブック（日本色彩学
会編、７７５〜７７８頁）に記載）。通常のくさび型金
属干渉フィルターは、透過率が波長により変動するため
、高精度の干渉フィルターの作成には向いていない。こ
のため、このようなくさび型金属干渉フィルターの分光
の透過率を一定にする目的で、上記金属層を中間層とは
反対の方向のくさび型にすることが行なわれている。但
し、金属干渉フィルターに際しては、例えば中間層材料
を傾けた基板上に斜め蒸着してくさび型の中間層を形成
した後、基板を逆に傾けて反対方向のくさび型となるよ
うに金属を中間層上に斜め蒸着する操作が利用されるが
、この時の傾きの程度や蒸着源の位置調整が煩雑である
との問題がある。また、金属を斜め蒸着によりくさび型
の金属層を形成しようとしても均一なくさび型となり難
く、このため任意の大きさの基板に対して任意の波長範
囲で、任意の波長の単色光を連続的に高分解能で得るこ
とは難しい。A wedge-shaped metal interference filter (Fapley bellows-type interference filter) consists of a metal layer, an intermediate layer,
A metal layer and a cover glass are laminated in this order, and the central intermediate layer has a wedge-shaped configuration. Generally, the material for the metal layer is Ag, and the material for the intermediate layer is MgF2.
is used (described in the new Color Science Handbook (edited by the Color Society of Japan, pp. 775-778)). Ordinary wedge-shaped metal interference filters are not suitable for creating high-precision interference filters because their transmittance varies depending on the wavelength. Therefore, in order to make the spectral transmittance of such a wedge-shaped metal interference filter constant, the metal layer is formed into a wedge shape in the opposite direction to the intermediate layer. However, in the case of a metal interference filter, for example, after forming a wedge-shaped intermediate layer by obliquely depositing the intermediate layer material on a tilted substrate, the metal is deposited between the intermediate layers by tilting the substrate in the opposite direction to form a wedge shape. Although an operation of diagonally depositing on a layer is used, there are problems in that it is complicated to adjust the degree of inclination and the position of the deposition source. Furthermore, even if one attempts to form a wedge-shaped metal layer by diagonal evaporation, it is difficult to form a uniform wedge-shaped metal layer.For this reason, monochromatic light of any wavelength can be continuously applied to a substrate of any size in any wavelength range. It is difficult to obtain high resolution.
［発明の目的］
本発明は、従来のくさび型金属干渉フィルターより分光
の分解能や分光効率の高い干渉フィルターを提供するこ
とを目的とする。[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide an interference filter having higher spectral resolution and spectral efficiency than conventional wedge-shaped metal interference filters.
また、本発明は、製造が容易で、コンパクトな干渉フィ
ルターを提供することを目的とする。Another object of the present invention is to provide an interference filter that is easy to manufacture and compact.
［発明の要旨］
本発明は、基板上に、相対的に屈折率の高い誘電体材料
からなる層と相対的に屈折率の低い誘電体材料からなる
層とが交互に積層されたくさび型の交互多層型干渉フィ
ルター層が少なくとも一層形成されていることを特徴と
するくさび型干渉フィルターにある。[Summary of the Invention] The present invention provides a wedge-shaped structure in which layers made of a dielectric material with a relatively high refractive index and layers made of a dielectric material with a relatively low refractive index are alternately laminated on a substrate. A wedge-shaped interference filter is characterized in that at least one alternating multilayer interference filter layer is formed.
本発明の好ましい態様は以下の通っである。Preferred embodiments of the present invention are as follows.
１）干渉フィルター層が、基板上に少なくとも一層形成
されていることを特徴とする上記くさび型干渉フィルタ
ー
２）基板の片面に設けられた該くさび型の干渉フィルタ
ー層の上に、くさび型の誘電体からなる交互多層型干渉
フィルター層、基板および誘電体からなる交互多層型干
渉フィルター層がこの順で積層された積層板が少なくと
も一枚接着層を介して接合されていることを特徴とする
上記くさび型干渉フィルター
［発明の構成］
本発明のくさび型干渉フィルターは、従来の金属層、中
間層および金属層からなるくさび型金属干渉フィルター
のファプリーベロー型の干渉フィルター層部分を、くさ
び型の誘電体からなる交互多層型干渉フィルター層とし
たものである。なお、本発明の干渉フィルターは、くさ
び型の交互多層型干渉フィルター層（以下主波長透過用
干渉フィルター層とも言う）における副透過帯部分をカ
ットするために、その上に同じくさび型の誘電体の交互
多層型干渉フィルター層（以下カットフィルター層とも
言う）が基板の表裏両面に設けられた積層板を上記干渉
フィルター上に設けることが好ましい。1) The above-mentioned wedge-shaped interference filter characterized in that at least one interference filter layer is formed on the substrate. 2) A wedge-shaped dielectric filter is formed on the wedge-shaped interference filter layer provided on one side of the substrate. The above method is characterized in that a laminate in which alternating multilayer interference filter layers consisting of a body, a substrate and an alternating multilayer interference filter layer consisting of a dielectric are laminated in this order is bonded via at least one adhesive layer. Wedge-shaped interference filter [Structure of the invention] The wedge-shaped interference filter of the present invention replaces the Fapley bellows-type interference filter layer portion of the conventional wedge-shaped metal interference filter consisting of a metal layer, an intermediate layer, and a metal layer with a wedge-shaped interference filter. The filter has alternating multilayer interference filter layers made of dielectric material. The interference filter of the present invention has a wedge-shaped alternating multilayer interference filter layer (hereinafter also referred to as an interference filter layer for transmitting the main wavelength) in order to cut a sub-transmission band portion thereon. It is preferable to provide a laminated plate on the above-mentioned interference filter, in which alternating multilayer interference filter layers (hereinafter also referred to as cut filter layers) are provided on both the front and back surfaces of the substrate.
添付図面を参照しながら、本発明の構成について説明す
る。The configuration of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第１図に、本発明のくさび型誘電体干渉フィルターの一
例の断面図を示す。FIG. 1 shows a cross-sectional view of an example of a wedge-shaped dielectric interference filter of the present invention.
第１図に示されているくさび型誘電体干渉フィルターは
、ガラス基板１の上に、透過主波長を有するくさび型の
誘電体からなる交互多層型干渉フィルター層（主波長透
過用干渉フィルター層）２、接着層３、主波長透過用干
渉フィルター層の副透過帯をカットするためのくさび型
の誘電体からなる交互多層型干渉フィルター層（カット
フィルター層）４、ガラス基板５および同棟のカットフ
ィルター層６がこの順で積層された構成を有する。上記
干渉フィルター層三層は何れも同一方向にくさび型の形
状で形成されている。The wedge-shaped dielectric interference filter shown in FIG. 1 has alternating multilayer interference filter layers (main wavelength transmission interference filter layer) made of a wedge-shaped dielectric material having a transmission dominant wavelength on a glass substrate 1. 2. Adhesive layer 3, alternating multilayer interference filter layer (cut filter layer) made of a wedge-shaped dielectric material for cutting the sub-transmission band of the interference filter layer for transmitting the main wavelength (cut filter layer) 4, glass substrate 5, and cutting of the same structure. The filter layer 6 has a structure in which the filter layers 6 are laminated in this order. All of the three interference filter layers are formed in a wedge shape in the same direction.
接着層上に設けられたカットフィルター層／基板／カッ
トフィルター層の積層板は、カットフィルター層６の上
に任意の枚数接着層を介して設けることができる。積層
枚数を増やすことにより、分光の分解能をさらに向上さ
せることができる。The cut filter layer/substrate/cut filter layer laminate provided on the adhesive layer can be provided on the cut filter layer 6 via an arbitrary number of adhesive layers. Spectral resolution can be further improved by increasing the number of laminated layers.
また、このカットフィルター層の積層板は、例えばプリ
ズムや回折格子の副透過体のカットフィルターとしても
使用することができる。Further, the laminated plate of the cut filter layer can also be used as a cut filter of a sub-transmissive body of a prism or a diffraction grating, for example.
また、上記干渉フィルター層三層（主波長透過用干渉フ
ィルター層２及び二層のカットフィルター層４．６）を
基板上に、直接積層形成しても良いが、形成された干渉
フィルター積層体にクラックが発生したり、あるいは積
層体が基板から剥離する場合があることから上記のよう
な構成を採ることが望ましい。In addition, the three interference filter layers (main wavelength transmission interference filter layer 2 and two cut filter layers 4 and 6) may be directly laminated on the substrate, but the formed interference filter laminate may be Since cracks may occur or the laminate may peel off from the substrate, it is desirable to adopt the above structure.
基板は、カラス、石英ガラスなど従来の干渉フィルター
に使用される材料を用いることができる。The substrate can be made of materials used in conventional interference filters, such as glass or quartz glass.
主波長透過用干渉フィルグー層及びカットフィルター層
は、ＴｉＯ２（屈折率２．３０）のような屈折率の高い
材料と５ｉｎ２ （屈折率１．４６）のような屈折率の
低い材料とを交互積層することにより得られる。使用さ
れる材料としては、上記以外にＴａ２０５、ＨｆＯ２Ｚ
ｒＯ２、ＺｎＳおよびＭｇＦ２を挙げることができる。The interference filter layer and cut filter layer for transmitting the main wavelength are alternately laminated layers of a material with a high refractive index such as TiO2 (refractive index 2.30) and a material with a low refractive index such as 5in2 (refractive index 1.46). It can be obtained by In addition to the above materials, Ta205, HfO2Z
Mention may be made of rO2, ZnS and MgF2.
接着層は、通常基板とほぼ同じ屈折率を示すように形成
される。その材料としてはエポキシ系接着剤、バルサム
などを挙げることができる。The adhesive layer is usually formed to have approximately the same refractive index as the substrate. Examples of the material include epoxy adhesive and balsam.
上記本発明のくさび型干渉フィルターは、例えば下記の
ようにして製造することができる。The wedge-shaped interference filter of the present invention can be manufactured, for example, as follows.
第２図は、製造するために好ましく使用することができ
る装置の概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram of an apparatus that can preferably be used for manufacturing.
第２図では、真空チェンバー１１内の基板保持治具１２
に同心円状且つ放射状に複数の基板１３が配置され、蒸
発源１５と基板保持治具１２との間に補正マスク１４か
配置されている。In FIG. 2, a substrate holding jig 12 inside a vacuum chamber 11 is shown.
A plurality of substrates 13 are arranged concentrically and radially, and a correction mask 14 is arranged between the evaporation source 15 and the substrate holding jig 12.
第３図は、上記第２図の装置の蒸発源１５側から見た概
略平面図である。なお、これは、基板１３と補正マスク
１４との位置関係を示すために添付した。FIG. 3 is a schematic plan view of the apparatus shown in FIG. 2, viewed from the evaporation source 15 side. Note that this is attached to show the positional relationship between the substrate 13 and the correction mask 14.
補正マスク１４は内周側に二つの円弧がつながったの孔
部を有し、これにより内周側の蒸着量が多くなるように
なっている。基板１３が、基板保持治具１２の基板より
僅かに小さい長方形の孔部より見ることができ、放射状
に配置されていることが分かる。The correction mask 14 has a hole in which two circular arcs are connected on the inner circumferential side, so that the amount of vapor deposition on the inner circumferential side is increased. The substrate 13 can be seen through the rectangular hole slightly smaller than the substrate of the substrate holding jig 12, and it can be seen that the substrate 13 is arranged radially.
蒸着は補正マスクを介して放射線状に配置された基板を
回転させながら行なわれる。これにより、くさび型に干
渉フィルター層が形成される。Vapor deposition is performed while rotating the substrates arranged radially through a correction mask. This forms a wedge-shaped interference filter layer.
補正マスクの形状は、所望の波長変化（ウェッジ化）お
よび蒸着物質の既知の膜厚分布に基づき、決定される。The shape of the correction mask is determined based on the desired wavelength change (wedge formation) and the known film thickness distribution of the deposited material.
第２図および第３図で示される装置を用いて、まず、ガ
ラス基板上にＴｉＯ２（屈折率２．３０）のような屈折
率の高い材料とＳｉＯ２（屈折率１．４６）のような屈
折率の低い材料を蒸着源１５に配置する蒸着材料として
用いて、補正マスク１４を介して、所望の膜厚になるよ
うに制御しながら交互に蒸着することにより主波長透過
用干渉フィルター層（第１図の２に相当）が形成され、
主波長透過用干渉フィルターが得られる。別のガラス基
板の両面に同様にして、主波長透過用干渉フィルター層
の副透過帯部分をカットするためのカットフィルター層
（第１図の４および６に相当）を形成する。これにより
、カットフィルターが得られる。Using the apparatus shown in FIGS. 2 and 3, first, a high refractive index material such as TiO2 (refractive index 2.30) and a refractive index material such as SiO2 (refractive index 1.46) were placed on a glass substrate. By using a material with a low coefficient as the evaporation material disposed in the evaporation source 15 and alternately depositing it through the correction mask 14 while controlling the thickness to a desired thickness, an interference filter layer for transmitting the main wavelength (the third (corresponding to 2 in Figure 1) is formed,
An interference filter for transmitting the main wavelength is obtained. Cut filter layers (corresponding to 4 and 6 in FIG. 1) for cutting the sub-transmission band portion of the main wavelength transmission interference filter layer are similarly formed on both surfaces of another glass substrate. A cut filter is thus obtained.
上記カットフィルターと上記主波長透過用干渉フィルタ
ーとを、光学用接着剤で接合することで、例えば可視域
のくさび型干渉フィルターを製造することができる。接
合は、例えば主波長透過用干渉フィルター層上に上記接
着剤を一滴垂らし、その上にカットフィルターを押圧し
て接着層を均一に流延させ、加熱または放置して乾燥（
硬化）させて行なわれる。For example, a wedge-shaped interference filter in the visible range can be manufactured by bonding the above-mentioned cut filter and the above-mentioned main wavelength transmission interference filter with an optical adhesive. For bonding, for example, a drop of the above adhesive is placed on the interference filter layer for transmitting the dominant wavelength, the cut filter is pressed on top of the adhesive layer, the adhesive layer is uniformly cast, and the adhesive layer is heated or left to dry (
hardening).
このようにして得られた本発明のくさび型誘電体干渉フ
ィルターは、構成するすべての層が誘電体てくさび型で
あるので、高効率、高分解能の分光特性が得られる。ま
た、構成するすべての層を誘電体とすることで、−枚の
補正マスクを利用して全層をくさび型に形成することが
できることから、くさび型の金属干渉フィルターの製作
時の問題点（すなわち、金属層をくさび型に蒸着する際
に発生する、基板の位置に対して波長が直線関係と成り
難いことやその再現性が低いこと、さらに透過率を長波
長側と短波長側とで一致させるために行なわれる中間層
（λ／２層）とくさび型を逆向きするための膜厚補正な
ど）から解放される。In the thus obtained wedge-shaped dielectric interference filter of the present invention, all the constituent layers are dielectric wedge-shaped, so that high efficiency and high resolution spectral characteristics can be obtained. In addition, by making all the constituent layers dielectric, it is possible to form all the layers into a wedge shape using two correction masks. In other words, when depositing a metal layer in a wedge shape, it is difficult for the wavelength to have a linear relationship with respect to the position of the substrate and its reproducibility is low, and the transmittance is different between the long wavelength side and the short wavelength side. This eliminates the need for film thickness correction to reverse the orientation of the intermediate layer (λ/2 layer) and the wedge shape, which are performed to make them match.
なお、本発明のくさび型誘電体干渉フィルターは、上記
補正マスクの形状を変えるたけて任意の基板の大きさに
任意の波長範囲でくさび型とすることができる。Note that the wedge-shaped dielectric interference filter of the present invention can be formed into a wedge shape for any substrate size and any wavelength range by changing the shape of the correction mask.
以下に、本発明の実施例を示す。Examples of the present invention are shown below.
［実施例コ
第２図に示した装置および第３図で示した補正マスクを
用いて可視域のくさび型干渉フィルターを製造した。[Example 1] A wedge-shaped interference filter in the visible range was manufactured using the apparatus shown in FIG. 2 and the correction mask shown in FIG.
まず、ガラス基板（縦：１５ｍｍ、横＝８０ｍｍ、厚さ
：１ｍｍ）を真空チェンバー内の基板保持治具に取り付
け、チェンバー内を圧力】×１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、温度２
５０℃にし、６個のルツボの内３個ずつに高屈折率材料
のＴ ｉｏ ２ （屈折率２゜３０）と低屈折率材料
の３１０２（屈折率１．４６）とが人わられた蒸発源に
電子銃から電子ビームを照射し、光学式膜厚計で膜厚コ
ントロールをしながら、ＴｉＯ２と５ｉＯ７をＴｉＯ２
から始めて交互に補正マスクを介して蒸着して、ＴｉＯ
２から始めてＴｉＯ２で終る１５層のくさび型の誘電体
の交互多層型干渉フィルター層（主波長透過用干渉フィ
ルター層）を形成した。ＴｉＯ２および５ｉｎ２の各光
学層厚はλ／４、ただし中間の第８層はλ／２である（
λニア５０ｎｍ）。First, a glass substrate (length: 15 mm, width = 80 mm, thickness: 1 mm) was attached to a substrate holding jig in a vacuum chamber, and the pressure inside the chamber was set to 1 O-5 Torr and a temperature of 2
Evaporation was carried out at 50°C, and three of the six crucibles were filled with a high refractive index material T io 2 (refractive index 2°30) and a low refractive index material 3102 (refractive index 1.46). TiO2 and 5iO7 are converted into TiO2 by irradiating the source with an electron beam from an electron gun and controlling the film thickness with an optical film thickness meter.
TiO
A 15-layer wedge-shaped dielectric alternating multilayer interference filter layer (main wavelength transmission interference filter layer) was formed starting from No. 2 and ending with TiO2. The thickness of each optical layer of TiO2 and 5in2 is λ/4, except for the middle 8th layer, which is λ/2 (
λ near 50 nm).
得られた主波長透過用干渉フィルター層の最大光学層厚
か２８００ｎｍ、最小層厚が層厚が１６００ｎｍであっ
た。The maximum optical layer thickness of the obtained interference filter layer for transmitting the dominant wavelength was 2800 nm, and the minimum layer thickness was 1600 nm.
上記と同じ別の基板の両面の各々に、上記と同様にＴｉ
Ｏ２とＳ ｉ Ｏ２を交互に補正マスクを介して蒸着し
て、ＴｉＯ２から始めてＴｉＯ２て終る３９層からなる
主波長透過用干渉フィルター層の副透過帯部分をカット
するためのくさび型の誘電体の交互多層型干渉フィルタ
ー層（カットフィルター層）を形成した。これにより、
カットフィルターが得られる。得られたカットフィルタ
ー層の一方の層の最大光学層厚が６７６５ｎｍ、最小光
学層厚が３８６６ｎｍで、もう一方の層の最大光学層厚
が７７０５ｎｍ、最小光学層厚が４４０３ｎｍであった
。In the same manner as above, Ti
O2 and SiO2 are alternately deposited through a correction mask to form a wedge-shaped dielectric material for cutting the sub-transmission band portion of the interference filter layer for main wavelength transmission, which consists of 39 layers starting from TiO2 and ending with TiO2. Alternating multilayer interference filter layers (cut filter layers) were formed. This results in
A cut filter is obtained. One layer of the obtained cut filter layer had a maximum optical layer thickness of 6765 nm and a minimum optical layer thickness of 3866 nm, and the other layer had a maximum optical layer thickness of 7705 nm and a minimum optical layer thickness of 4403 nm.
上記主波長透過用干渉フィルター層上にエポキシ系接着
剤（エピコート、シェル化学■製）を数滴たらして、そ
の上に上記カットフィルターを押圧して接着層を均一に
流延させ、８０℃１０分加熱して硬化させることにより
くさび型の誘電体干渉フィルター（第１図参照）を得た
。A few drops of epoxy adhesive (Epicoat, manufactured by Shell Kagaku ■) were placed on the interference filter layer for transmitting the dominant wavelength, and the cut filter was pressed onto it to uniformly cast the adhesive layer at 80°C. By heating and curing for 10 minutes, a wedge-shaped dielectric interference filter (see FIG. 1) was obtained.
上記実施例で基板上に主波長透過用干渉フィルター層（
第１図の２）を形成した際の透過率特性を第４図に示す
。In the above example, an interference filter layer for transmitting the dominant wavelength (
FIG. 4 shows the transmittance characteristics when forming 2) in FIG. 1.
第３図における（イ）および（ロ）の位置は、第４−１
図の（イ）および（ロ）に対応し、それ故形成される層
厚もその位置に対応する。すなわち、（イ）側は層厚が
厚く、（ロ）側は層厚が薄い。ａは基板から基板端部か
６５ｍｍの位置、ｂは４０ｍｍの位置子してＣは７５ｍ
ｍの位置での、それぞれの透過率特性（ａ：第４−２図
、ｂ：第４−３図、Ｃ：第４−４図）を示す。中心波長
がウェッジ化されたファブリペロ−型フィルターが得ら
れることが分かる。The positions of (a) and (b) in Figure 3 are as shown in Figure 4-1.
This corresponds to (a) and (b) in the figure, and therefore the formed layer thickness also corresponds to that position. That is, the layer thickness is thicker on the (a) side, and the layer thickness is thinner on the (b) side. A is a position 65mm from the board edge, b is a 40mm positioner, and C is 75m.
The respective transmittance characteristics (a: Fig. 4-2, b: Fig. 4-3, C: Fig. 4-4) at the position m are shown. It can be seen that a Fabry-Perot filter with a wedged center wavelength can be obtained.
上記実施例で基板上にカットフィルター層（第１図の４
）を形成した際の透過率特性を第５図に示す。In the above embodiment, a cut filter layer (4 in Fig. 1) is placed on the substrate.
) is shown in FIG. 5.
第５−１図のａ、ｂおよびＣの位置は第４−１図と同様
で、それぞれの透過率特性（ａ：第５−２図、ｂ＝第５
−３図、Ｃ：第５−４図）を示す。The positions of a, b and C in Figure 5-1 are the same as in Figure 4-1, and their respective transmittance characteristics (a: Figure 5-2, b = Figure 5
Figure-3, C: Figure 5-4).
上記実施例と同様な方法て基板上にくさび型カット干渉
フィルター層（第１図の６）をくさび型カット干渉フィ
ルター層４を形成せず単独で形成した際の透過率特性を
第６図に示す。Figure 6 shows the transmittance characteristics when the wedge-shaped cut interference filter layer (6 in Figure 1) was formed alone on the substrate by the same method as in the above example without forming the wedge-shaped cut interference filter layer 4. show.
第６−１図のａ、ｂおよびＣの位置は第４−１図と同様
で、それぞれの透過率特性（ａ：第６２図、ｂ：第６−
３図、Ｃ：第６−４図）を示す。The positions of a, b and C in Figure 6-1 are the same as in Figure 4-1, and their respective transmittance characteristics (a: Figure 62, b: Figure 6-1)
Figure 3, C: Figure 6-4) is shown.
第７図は、実施例で得られたくさび型干渉フィルターの
基板位置に対する波長特性を表わす。基板位置に対する
波長変化の直線性が得られていることが分かる。また、
位置と波長の直線性は、補正マスクを修正するのみで変
化させることができる。ａ、ｂおよびＣの位置は、上記
第４〜６図と同様である′。FIG. 7 shows the wavelength characteristics of the wedge-shaped interference filter obtained in the example with respect to the substrate position. It can be seen that linearity of the wavelength change with respect to the substrate position is obtained. Also,
Position and wavelength linearity can be changed simply by modifying the correction mask. The positions of a, b and C are the same as in FIGS. 4-6 above.
［発明の効果］
本発明のくさび型誘電体干渉フィルターは、従来のくさ
び型金属干渉フィルターより分光特性が高効率、高分解
能であり、さらに容易に製造することかてきる。[Effects of the Invention] The wedge-shaped dielectric interference filter of the present invention has higher efficiency and higher resolution in spectral characteristics than conventional wedge-shaped metal interference filters, and can be manufactured more easily.
第１図に、本発明のくさび型誘電体干渉フィルターの一
例の断面図を示す。
第２図は、製造するために好ましく使用することかてき
る装置の概略図である。
第３図は、上記第２図の装置の蒸発源１５側から見た概
略平面図である。
第４図は、上記実施例で基板上に主波長透過用干渉フィ
ルター層（第１図の２）を形成した際の透過率特性を表
わす。
第５図は、上記実施例で基板上にカットフィルター層（
第１図の４）を形成した際の透過率特性を表わす。
第６図は、上記実施例と同様な方法で基板上にカットフ
ィルター層（第１図の６）をカットフィルター層４を形
成せず単独で形成した際の透過率特性を表わす。
第７図は、実施例で得られたくさび型干渉フィルターの
基板位置に対する波長特性を表わす。
カラス基板°１
主波長透過用干渉フィルター層
接着層：３
カットフィルター層：４
ガラス基板＝５
カットフィルター層：６
真空チェンバー：１１
基板保持治具：１２
＝ ２
ガラス基板：１３
補正マスク：１４
蒸発源＝１５
特許出願人 日本真空光学株式会社
代 理 人 弁理士 柳 川 泰 男
図
（ａ位置の透過率特性）
図
（ｂ位置の透過率特性）
図
（Ｃ位置の透過率特性）
図
（ａ位置の透過率特性）
図
（ｂ位置の透過率特性）
図
（Ｃ位置の透過率特性）
図
（ａ位置の透過率特性）
図
（ｂ位置の透過率特性）
図
（Ｃ位置の透過率特性）
波
長
（ｎｍ）FIG. 1 shows a cross-sectional view of an example of a wedge-shaped dielectric interference filter of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of an apparatus that may be preferably used for manufacturing. FIG. 3 is a schematic plan view of the apparatus shown in FIG. 2, viewed from the evaporation source 15 side. FIG. 4 shows the transmittance characteristics when the main wavelength transmission interference filter layer (2 in FIG. 1) is formed on the substrate in the above example. Figure 5 shows the cut filter layer (
The transmittance characteristics when forming 4) in FIG. 1 are shown. FIG. 6 shows the transmittance characteristics when the cut filter layer (6 in FIG. 1) was formed alone on the substrate by the same method as in the above embodiment without forming the cut filter layer 4. FIG. FIG. 7 shows the wavelength characteristics of the wedge-shaped interference filter obtained in the example with respect to the substrate position. Glass substrate °1 Interference filter layer adhesive layer for dominant wavelength transmission: 3 Cut filter layer: 4 Glass substrate = 5 Cut filter layer: 6 Vacuum chamber: 11 Substrate holding jig: 12 = 2 Glass substrate: 13 Correction mask: 14 Evaporation Source = 15 Patent applicant Japan Vacuum Optical Co., Ltd. Agent Patent attorney Yasushi Yanagawa Figure (transmittance characteristics at position a) Figure (transmittance characteristics at position b) Figure (transmittance characteristics at position C) Figure (a Figure (Transmittance characteristics at position b) Figure (Transmittance characteristics at position C) Figure (Transmittance characteristics at position a) Figure (Transmittance characteristics at position b) Figure (Transmittance characteristics at position C) ) Wavelength (nm)
Claims (1)
る層と屈折率の相対的に低い誘電体材料からなる層とが
交互に積層されたくさび型の交互多層型干渉フィルター
層が少なくとも一層形成されていることを特徴とするく
さび型干渉フィルター。1. A wedge-shaped alternating multilayer interference filter layer in which layers made of a dielectric material with a relatively high refractive index and layers made of a dielectric material with a relatively low refractive index are laminated alternately on a substrate. A wedge-shaped interference filter comprising at least one layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22716990A JPH04107505A (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Wedgelike interference filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22716990A JPH04107505A (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Wedgelike interference filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107505A true JPH04107505A (en) | 1992-04-09 |
Family
ID=16856570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22716990A Pending JPH04107505A (en) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | Wedgelike interference filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04107505A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594801U (en) * | 1991-11-08 | 1993-12-24 | 株式会社アドバンテスト | Composite optical filter |
| JPH08503312A (en) * | 1992-10-29 | 1996-04-09 | ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー | Formable reflective multilayer objects |
| FR2765971A1 (en) * | 1997-07-10 | 1999-01-15 | Reosc | Variable spectral transmission optical filter for spectroscopic analysis |
| WO2007044105A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Reflector having an optical coating of alternating layers at a slanted angle |
| JP2021076857A (en) * | 2013-01-29 | 2021-05-20 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． | Variable optical filter and wavelength-selective sensor based thereon |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP22716990A patent/JPH04107505A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594801U (en) * | 1991-11-08 | 1993-12-24 | 株式会社アドバンテスト | Composite optical filter |
| JPH08503312A (en) * | 1992-10-29 | 1996-04-09 | ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー | Formable reflective multilayer objects |
| FR2765971A1 (en) * | 1997-07-10 | 1999-01-15 | Reosc | Variable spectral transmission optical filter for spectroscopic analysis |
| WO2007044105A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Reflector having an optical coating of alternating layers at a slanted angle |
| JP2021076857A (en) * | 2013-01-29 | 2021-05-20 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． | Variable optical filter and wavelength-selective sensor based thereon |
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