JPH04103167A - 薄膜ｅｌ素子及びそれを有する完全密着型イメージセンサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ピンホールあるいはライン発光型の薄膜ＥＬ
素子又は−軸性チューナブルマルチカラー薄膜ＥＬ素子
、ならびに、これらの薄膜ＥＬ素子を光源として利用し
た密着型イメージセンサ−に関するものである。

［従来の技術］ 従来の薄膜ＥＬ素子の発光は完全拡散の面発光であるた
めに、視認性が優れたフラットパネルデイスプレィとし
ての応用が期待されている。

しかし、完全拡散、面発光型であるため、−様に輝度が
低く、実用化の域に達している発光材料はＺｎＳ　：Ｍ
ｎ５ＺｎＳ　：Ｔｂぐらいしか無い。又、薄膜ＥＬ素子
をフラットパネルデイスプレィ以外に、イメージセンサ
−やデジタルコピーの書き込み光源などに応用しようと
すると、上記完全拡散型面発光の特徴が逆に欠点となり
、集光の制御が困難になる、といった問題がある。

従って、一部、ＺｎＳ：Ｍｎ系でフラットパネルデイス
プレィが実用化されているのを除いて、ほとんど応用さ
れていないのか実情である。

一方、複数のＥＬによるマルチカラーフラットパネルデ
イスプレィの開発も盛んに進められている。一般に薄膜
ＥＬ素子を構成する発光層、絶縁層、透明電極は、それ
ぞれ可視光に対する透光性が比較的高いものを選ぶこと
ができる。

したがって、互いに発光色の異なる複数の薄膜ＥＬ素子
を重ね合せて、垂直方向に加法混色することができる。

しかし、こうして何重もの多層膜構成とすることにより
、その透過率は積算で減衰し、上側のＥＬはど非常に高
い発光輝度が要求される。

前述のように、単色でさえ充分な輝度が得られている材
料は少い。垂直方向の加法混色が原理的に可能であるに
もかかわらず、その実現に対してこうした輝度の問題が
大きな制約になっている。

又、多色発光用の母材として最近盛んに開発が進められ
ているアルカリ土類カルコゲナイドは、５００℃前後の
高い基板温度で成膜しないと良い性能が得られないこと
か知られている。これらを用いて複数の薄膜ＥＬ素子を
積層する場合は、その下側に設けられている透明電極に
高い耐熱性と安定性か必要になる。一般に透明電極とし
て用いられているＩＴＯは、こうした耐熱性、安定性に
おいて極めて問題かある。又これに代わるＺｎＯ系は耐
熱性は高いか、基本的に抵抗が高いといった問題がある
。

これとは別に最近、ＯＡ端末のコンパクトに伴い、ファ
クシミリなどの原稿読み取りに用いられるイメージスキ
ャナーにおいても、数１０ｃｎの光路長を必要とする光
学縮小型イメージセンサ−に代わり、密着型イメージセ
ンサ−のニズが高まりつつある。密着型イメージセンサ
−は厚さ　１ｃｍ前後のセンサーユニットを原稿面に押
しつけて読み取るために、極めてコンパクトになること
が特徴である。この特徴を更に活かすために、従来、受
光部に前置されているレンズアレイやファイバーアレイ
を取り去った、所謂、完全密着型といった工夫もなされ
ている。

しかしながら、どちらの場合もキセノンランプ、ハロゲ
ンランプ、ＬＥＤ、螢光体などの照明光源は、センサー
本体に対して外付けになっており、コンパクト化に対し
大きな阻害になっている。しかもこれら光源は原稿面か
ら離れたところに設けられ、受光面と同程度の面積の採
光窓から取り出した極一部の光線だけしか使われていな
い。そのために、極めて大型の光源が必要になり、単に
コンパクト化に対する障害になるだけではなく、その種
類によっては消費電力や発熱の問題が生じている。この
欠点を改良するために、薄膜ＥＬ素子を光源に用い、こ
れを受光外の極近傍に設ける方法が有望であることが知
られている。しかし、薄膜ＥＬ素子の発光は極めて拡散
性の強い面発光型であり、発光面を原稿面に接近させる
か、あるいはレンズアレイを前付けして集光しなければ
ボケを生じてしまう。特開昭５９−２１０８６４記載の
ごとく、薄膜ＥＬ素子を受光素子の上に積層する方法も
提案されたが、この方法によると発光面の最上面は透明
導電膜であり、その損傷は極めて激しく、又発光部と受
光部との素子分離が不完全てＳＮも劣化するといった新
たな欠点が生しる。

一方、これら密着型イメージセンサ−にカラー原稿の読
み取り機能を付加したスキャナーが実現している。一般
にカラー原稿の読み取りには大きくは次のような３つに
分類される方式が提案されている。

（１）各画素への色分解フィルターの直付けによるパラ
レルな色分解 （２）色分解フィルターの順次切替による照明光のシリ
アルな色分解 り３〉複数の光源の順次切替による照明光のシリアルな
色分解 これらの方式において、一般的には（１）は解像度の低
下、・駆動素子数の整数倍化、（２）はフィルター切替
機構の応答速度、信頼性、（３）は光路のズレ、発光の
応答速度といった問題点が指摘されている。しかし、少
なくとも密着型イメージセンサ−に限っては上記のよう
な照明系自身の問題かあるために、複数の光源を使う（
３）の方式の適応性は極めて低く、このことはカラーイ
メージセンサ−の多様化を拡げる上で大きな制約になる
ものである。

［発明か解決しようとする課題］ 本発明は、従来技術の問題を解決して、下記の特性を有
する薄膜ＥＬ素子、すなわち、（１）高輝度、高集光性
、高精細を特徴とする薄膜ＥＬ素子。

（２）光軸を固定したままで発光色が変えられ、かつ高
輝度、高集光性、高精細を特徴とするチューナプルマル
チカラー薄膜ＥＬ素子。

ならびに上記薄膜ＥＬ素子を用い、下記特性を有する完
全密着型カラーイメージセンサ−を提供しようとするも
のである。

（１）小型、軽量、低消費電力の完全密着型イメージセ
ンサ− （２〉高解像度、高速、小型、軽量の完全密着型カラー
イメージセンサ− ［課題を解決するための手段〕 上記課題を解決するための本発明の構成は、（１）基板
上に、光反射性電極層、薄膜ＥＬ層、光反射性電極層を
順次積層し、その積層膜面こ、薄膜ＥＬ層を貫くような
深さて、光射出用のピンホール又はスリットを１個以上
有する薄膜ＥＬ素子。

（２）基板上に、光反射性電極層、薄膜ＥＬ層、光反射
性電極層を順次積層し、その積層膜面に、薄膜ＥＬ層を
貫くような深さて、光射出用のピンホール又はスリット
を１個以上有する薄膜ＥＬ素子を光源とし、その積層膜
の上部に、絶縁層を介して、上記光射出用のピンホール
、あるいはスリットと隣接するように薄膜受光素子を有
する完全密着型イメージセンサ−である。

本発明の上記薄膜ＥＬ素子のひとつは、基板上に、電極
層と互いに発光色が異なる薄膜ＥＬ層とを交互に、薄膜
ＥＬ層が２層以上になるように積層し、少なくとも最下
層と最上層とは光反射性電極層であって、その積層膜面
に、全て薄膜ＥＬ層を貫くような深さで、光射出用のピ
ンホール、あるいはスリットを、少なくとも１個以上形
成したことを特徴とするチューナプルマルチカラー薄膜
ＥＬ素子によって構成されるものであって、それぞれの
発光色がＲＧＢの３原色である３層の薄膜ＥＬ層を積層
することにより、３原色光源になる。

第１図ａは本発明による薄膜ＥＬ素子の一例を説明する
ための断面図である。同図において、ｌは基板、２は下
側光反射性電極層、３は薄膜ＥＬ層、４は上側光反射性
電極層である。積層された薄膜には光射出用のピンホー
ル５が形成されている。こうした構成により、薄膜ＥＬ
層３は一種の導波路効果を持つ。

薄膜ＥＬ層３の内部で発生し、膜中を伝搬しながら近く
のピンホール５に到達した光は、その端面からピンホー
ル内部に射出され、壁面に反射しながら外部に取りださ
れる。こうして取りだされる光は、ピンホールの面積が
小さいほど高輝度になる。又、ピンホールは、少なくと
も薄膜ＥＬ層３を貫く深さであればよいが、より深いほ
うが集光性が高まる。したがって、下側光反射性電極層
２、あるいは上側光反射性電極層４は厚い方がよい。又
、薄膜ＥＬ層３の膜厚は、比較的厚い方が導波路損失が
小さく望ましい。

第１図すは上記光の強さの分布を定性的に示すグラフで
ある。

基板１の材質は特に限定されるものではないが、耐熱性
の高い絶縁性基板が望ましい。ガラス、セラミクス、石
英などを用いることができる。光反射性電極層２，４に
は、Ａｌ、Ｃｒ。

ＴａＳＡｇなど、一般に知られている金属電極を用いる
と良い。薄膜ＥＬ層３の発光層の材料は特に限定される
ものではない。一般に良く知られているＺｎ５ＳＺｎＳ
ｅＳＳ　ｒＳ、ＣａＳ。

５ｒＳｅなどの母材と、Ｍ　ｎ　ＳＴ　ｂ　ｓ　Ｐ　ｒ
　ｓＣｅ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｍなどの発光中心、あるいは
ドナーアクセプタ一対発光用のドーパントとを適当に組
み合わせたものなどを用いることができる。もちろんこ
れらの混晶を用いても良く、又異種の材料を積層しても
良い。たたし、通常の白黒センサーに用いる場合には、
パンクロマティックという点において、ＺｎＳ：Ｐｒ単
層、ＳｒＳ：Ｐｒ単層、ＳｒＳ＋Ｃｅ５Ｅｕ単層、Ｓｒ
Ｓ：ＣｅとＳｒＳ：Ｅｕの積層、ＳｒＳ：ＣｅとＣａＳ
　：　Ｅｕの積層、ＳｒＳ：ＣｅとＺｎＳ：Ｍｎの積層
など、その発光色が白色に近いもののほうが望ましい。

この発光層の両側、あるいは片側に、絶縁層を設けたほ
うが素子としての信頼性は向上することが多い。絶縁層
の材料としては、Ｓｉ　３Ｎ４、ＡＩＮ、ＢＮなどの窒
化物、Ｔａ２０５、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３，５１０２な
どの酸化物、或いはタングステンブロンズ構造やペロプ
スカイト構造を有する強誘電体などを用いることができ
る。又、更にはこれらの材料を混合して用いても良く、
あるいは異なる種類の薄膜を積層しても良い。

ピンホール５は全ての薄膜を形成した後に、エツチング
などで形成しても良く、リフトオフ法などを用いてもよ
い。又加工精度に問題かなければ、マスクをもちいて製
膜時に形成しても良い。ピンホール５は円形、矩形など
、その形状を限定されるものではない。

第２図ａ及びｂはこうしたピンホールに関する他の具体
例を２つ示した図である。薄膜ＥＬ素子を上から見た時
の、下側光反射性電極層２、上側光反射性電極層４に対
（２、第２図すはピンホール５をスリット状に形成した
集光性の高いライン光源である。又、第２図ａはピンホ
ール５とともに電極層自身をバターニングしたアレイ光
源を表している。

こうした構成により、高輝度、高集光性、高精細を特徴
とする薄膜ＥＬ素子が実現される。

一般に薄膜ＥＬ素子は交流駆動によって安定して発光す
るが、その１回の発光時間は、ＳｒＳ：Ｃｅのような短
いものでｌＯμＳ前後、ＺｎＳ：Ｍｎのような長いもの
で数１００μｓくらいである。したがってセンサーアレ
イが蓄積型の読み取り方式を取る場合は、短い発光時間
のものでも数ｋｌｌｚ程度の交流駆動による発光でその
発光波形は問題の無いバースト波になるが、リアルタイ
ムの光導電読み取り方式の場合は、更に高周波にするか
、あるいは複数の発光ラインを設けて発光時間をシフト
させるなど、発光の時間的均一性を図る必要がある。

又、第３図は、本発明によるチューナプルマルチカラー
薄膜ＥＬ素子の一例を説明するための断面図である。同
図おいて、基板１上に光反射性電極層７、薄膜ＥＬ層８
、光反射性電極層７、薄膜ＥＬ層９、光反射性電極層７
、薄膜ＥＬ層ｌＯ１光反射性電極層７が順次形成されて
いる。積層された薄膜には光射出用のピンホール５が形
成されている。

これは基本的には第１図で説明した薄膜ＥＬ素子を３層
重ねたものであり、少なくともピンホール５が薄膜ＥＬ
層８を貫く深さであれば、それぞれの薄膜ＥＬ素子が第
１図ａにより説明した効果と同じ効果を持つ。薄膜ＥＬ
層８．９、ｌＯは互いに発光色が異なり、この構成によ
り、ひとつの光軸により発光色が変えられ、かつ高輝度
、高集光性、高精細を特徴とするチューナプルマルチカ
ラー薄膜ＥＬ素子が実現する。又発光色がそれぞれＲＧ
Ｂの３原色であれば、カラー用書き込み光源としての用
途か広がる。

一般に良（知られている赤色材料にはＺｎＳＳｍ５Ｃａ
Ｓ　：　Ｅｕなどか、青色材料にはＺｎＳ：Ｔｍ、５ｒ
Ｓｅ：Ｃｅ５ＳｒＳ：Ｃｅなどが、緑色材料にはＺｎＳ
　：Ｔｂ、ＣａＳ　：Ｃｅなどがそれぞれある。重ねる
順は特に限定されるものではない。前に説明したように
、これらの発光層の両側、或いは片側には、絶縁層を設
けたほうが素子としての信頼性は向上する。

第４図において、素子分離用の絶縁層１工にはＴａ２０
５、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｓ　ｉｏ２．５Ｌ３Ｎ＋、
ＡＩＮ、ＢＮなど、一般的に知られている絶縁材料を用
いることができる。薄膜ＥＬ素子と薄膜受光素子との電
気的干渉をできるだけ防ぐためには、その膜厚は厚いほ
うが良ぃ。又、薄膜受光素子の受光部１４の光電変換材
料としてはアモルファスＳ　ｉ、Ｃｄ５５ＣｄＳｅ、Ｃ
ｄ５−ＣｓＳｅ固溶体、カルコゲン系混合物などを用い
ることができる。電極構造としてはサンドイッチ型、プ
レーナ型の両方を、それぞれ用いることができる。たた
し、受光素子は薄膜ＥＬ素子の発光色に対応する分光感
度を有していなければならず、特にＲＧＢ３原色のチュ
ーナプルマルチカラー薄膜ＥＬ素子を用いル場合ニはパ
ンクロマティックな感度か必要である。

第５図はＲＧＢ３原色チューナプルマルチカラー薄膜Ｅ
Ｌ素子を用いた時の、ある特定の１画素におけるカラー
画像読み取り動作のタイミングチャートの略図である。

読み取り方式は蓄積方式である。ＲＧＢそれぞれの照明
に応じて、３ストロークで１ライン分の読み取りが完了
する。したがって白黒の場合と同じ読み取り速度を得る
には、実質３倍のスキャニング速度が要求される。

［実施例］ 以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例１ 本実施例は、第３図に示した構成のチューナプルマルチ
カラー薄膜ＥＬ素子に関する。基板ｌには耐熱性の高い
ガラス基板を用いる。光反射性電極層７にはＣｒ金属電
極を用い、真空蒸着により成膜する。集光性と輝度を向
上させるためには、それぞれのＣｒ金属電極の膜厚はで
きるだけ厚くしたほうが良いが、高温プロセスによる剥
離等の問題を防ぐために、全て０，３μ釦とする。薄膜
ＥＬ層８．９、ｌＯとして、それぞれ厚さ　０．３μｍ
のＡＩＮ絶縁層で両側を挾んだ厚さ　１．０μ＋ｇの５
ｒＳｅ：Ｃｅ（青色）、ＣａＳ：Ｅｕ（赤色）、ＺｎＳ
：Ｔｂ　（緑色）を用いる。５ｒＳｅ：Ｃｅは金属Ｓｒ
、Ｓｅ。

ＣｅＣ１ｘを材料とする反応性共蒸着、ＣａＳ　：Ｅｕ
はＥＬＩＣ１３を混合したＣａＳペレットを材料とする
ＥＢ蒸看、ＺｎＳ：ＴｂはＴｂＦ３を混合したＺｎＳタ
ーゲットを材料とするスパッタリングにより、それぞれ
成膜する。有効発光面は５ｎｍ角とする。こうして得ら
れた薄膜ＥＬ素子の表面に、ガリウムのフォーカストイ
オンビームエツチングの垂直掘りにより直径２０μｍ前
後のピンホールを形成する。ピンホールはＣｒ金属電極
７には到達するが、ガラス基板ｌには達しない深さとす
る。

こうした構成によるピンホール発光型薄膜ＥＬ素子にお
いて、任意の薄膜ＥＬ層を挾む電極層に交流電圧を印加
することにより、−軸性のチューナプルマルチカラー発
光が得られ、又垂直方向の加法混色が可能となる。

実施例２ 本実施例は、第３図に示した構造のＲＧＢ３原色ニーナ
ブルマルチカラー薄膜ＥＬ素子を用い、第５図に示しし
たタイミングによる読み取り動作をする、第４図に示し
た構造の完全密着型カラーイメージセンサ−によるもの
である。

まず、第３図に基づき、薄膜ＥＬ素子について説明する
。基板ｌは短冊上の石英基板とする。

光反射性電極層７には耐熱性に優れたＣｒ金属電極を用
い、真空蒸着により成膜する。集光性と輝度を向上させ
るためには、それぞれのＣｒ金属電極の膜厚はできるだ
け厚くしたほうが良いが、高温プロセスによる剥離等の
問題を防ぐために、すべて０．３μｍとする。薄膜ＥＬ
層８．９．１０として、それぞれ厚さ　０．３μ■のＡ
ＩＮ絶縁層で画側を挾んだ厚さ　１，０μｍの５ｒＳｅ
Ｃｅ（青色）　、Ｃａ　Ｓ　：　Ｅ　ｕ　（赤色）、Ｚ
ｎ５Ｔｂ（緑色）を用いる。５ｒＳｅ：Ｃｅは金属Ｓｒ
、Ｓｅ、ＣｅＣ１ｚを材料とする反応性共蒸着、ＣａＳ
：ＥｕはＥｕＣ１３を混合したＣａＳベレットを材料と
するＥＢ蒸着、ＺｎＳ：ＴｂはＴｂＦ：＋を混合したＺ
ｎＳターゲットを材料とするスパッタリングにより、そ
れぞれ製膜する。ＡＩＮ絶縁層はＡＩをターゲットする
反応性スパッタにより成膜する。短冊状有効発光面の幅
は６１１１ｍとする。こうして形成した薄膜ＥＬ素子の
表面の長手方向に平行に、薄膜受光素子を積層する側の
端面から４１離して幅５０μｍ前後の光射出用スリット
　５を形成する。スリット５はＣｒ金属電極７には到達
するが、石英基板Ｉには達しない深さとなるように、Ｒ
ＩＥにより形成する。

次工程を第４図に基づいて説明する。薄膜ＥＬ素子２Ｉ
の上に、絶縁層１１として厚さ　０，５μ■のＳ　１Ｏ
ｚｌｉｌを形成した。第４図とは異なり、光射出用スリ
ットを覆うようにして成膜したが、この点については特
に限定されるものではない。

薄膜受光素子の受光部Ｉ４は、アモルファスＳｉ＋Ｈを
光電変換材料とする片側絶縁素子構造とし、可視光に対
し、はぼパンクロマティックな分光感度を有する。下部
電極１３にはＣｒを、又上部電極１５にはＡＩを用いる
。−個の画素の受光幅は７０μ鑓であり、光射出用スリ
ット　５から数１０μＩＩＮれている。駆動方式は蓄積
読み取り型とし、駆動用のスイッチング素子として、絶
縁層１１の上に形成したポリＳｌ系ＴＰＴを用いる。

カバーガラス１Ｂの厚さは８０μ■とする。その内側に
は絶縁性の黒化膜１８を塗布し、採光窓１９を設ける。

この効果により分解能は大幅に向上する。石英基板２０
とカバーガラス１６とのギャップスペースはポリイミド
で封止、固定し、エポキシ系の透明接着剤により接着す
る。ギャップスペースは３０μｍとする。以上が本実施
例による完全密着型カラーイメージセンサ−であり、こ
れを用いて第５図のタイミングチャートに準じて動作す
ることにより、カラー画像を読み取ることができる。

実施例３ 本実施例は、第６図に示した構造のＲＧＢ３原色チュー
ナプルマルチカラー薄膜ＥＬ素子を用い、第５図に示し
たタイミングによる取り取り動作をする密着型カラーイ
メージセンサ−によるものである。

基板２０は短冊上の石英基板とし、薄膜受光素子１２は
アモルファスＳｉ　：Ｈを光電変換材料とする片側絶縁
素子構造とする。この受光素子は可視光に対し、はぼパ
ンクロマティックな分光感度を有する。下部電極１３に
はＣｒを、又上部電極１５にはＡ１を用いる。受光幅は
７０μｍとする。駆動方式は蓄積読取り型とし、駆動用
スイッチング素子としては、同一基板上に形成したポリ
Ｓ１系ＴＰＴを用いる。

一方、薄膜ＥＬ素子の基板１は、基板２０とは別の耐熱
性ガラス基板とする。光反射性電極層７にはＣｒ金属電
極を用い、真空蒸着により成膜する。集光性と輝度を向
上させるためには、それぞれのＣｒ金属電極の膜厚はで
きるたけ厚くしたほうが良いが、高温プロセスによる剥
離等の問題を防ぐために、すべて０．３μｍとする。

薄膜ＥＬ層８．９．１０として、それぞれ厚さ０．３μ
園のＡＩＮ絶縁層で両側を挾んだ厚さ１．０μｒａの５
ｒＳｅ：Ｃｅ（青色）、ＣａＳ：Ｅｕ（赤色）、ＺｎＳ
：Ｔｂ（緑色）を用いる。

５ｒＳｅ：Ｃｅは金属Ｓ　ｒ、Ｓｅ、ＣｅＣｌ　３を材
料とする反応性共蒸着、ＣａＳ　：　ＥｕはＥｕＣｌ３
を混合したＣａＳベレットを材料とする反応性共蒸着、
ＣａＳ　：　ＥｕはＥｕＣ１３を混合したＣａＳペレッ
トを材料とするＥＢ蒸着、ＺｎＳ　：　ＴｂはＴｂＦ３
を混合したＺｎＳターゲットを材料とするスパッタリン
グにより、それぞれ製膜する。

短冊状の有効発光面の幅は３■とする。こうして得られ
る薄膜ＥＬ素子の表面の長手方向にガリウムのフォーカ
ストイオンビームエツチングにより、幅３０μｍ前後の
光射出用スリット　５を形成する。スリット　５はＣｒ
金属電極７には到達するが、ガラス基板１には達しない
深さとする。

こうして薄膜ＥＬ素子を形成したガラス基板ｌと、セン
サ一部を形成した石英基板２０とを長手方向に並べて別
基板の上に固定させた後、その上に厚さ８０μ順のカバ
ーガラス１６を張りあわせる。基板とカバーガラスとの
ギャップスペースはポリイミドで封止、固定し、エポキ
シ系の透明接着剤により接着する。ギャップスペースは
３０ａ■とする。カバーガラス１６の内側には絶縁性の
黒化膜１８を設け、採光スリット１９を設ける。この効
果により分解能は大幅に向上する。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の薄膜ＥＬ素子を光源とし
て用いた完全密着型イメージセンサ−は従来のセンサー
に比較して極めて小型であるため取扱いが簡単である。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ、第２図３、第２図す及び第３図は本発明の薄
膜ＥＬ素子の具体例の断面の模式図、第１図すは第１図
ａの薄膜ＥＬ素子の発光強度の分布を定性的に示すグラ
フ、 第４図は本発明の密着型カラーイメージセンサ−の断面
の模式図。 第５図は本発明のカラーイメージセンサ−を用いたカラ
ー画像読取り動作のタイミングチャートの略図。 第６図は実施例３て用いた薄膜ＥＬ素子の断面の模式図
である。 １・・・基板、２・・・下側光反射性電極層、３・薄膜
ＥＬ層、４・・下側光反射性電極層、５・・・ピンホー
ル、６・・薄膜ＥＬ層、７・・光反射性電極層、８．９
．１０・・・薄ＩＩ！ＥＬ層、１１・・・絶縁層、１２
　　薄膜受光素子、１３・・下部ＷＳ極、１４・・受光
部、１５・・・上部電極、１６・カバーガラス、１７・
・原稿、１８・・黒化膜、１９・・・採光スリット、２
０　　石英基板、２１・・薄膜ＥＬ素子。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、光反射性電極層、薄膜ＥＬ層、光反射
   性電極層を順次積層し、その積層膜面に、薄膜ＥＬ層を
   貫くような深さで、光射出用のピンホール又はスリット
   を１個以上有することを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
2. （２）基板上に、光反射性電極層、薄膜ＥＬ層、光反射
   性電極層を順次積層し、その積層膜面に、薄膜ＥＬ層を
   貫くような深さで、光射出用のピンホール又はスリット
   を１個以上有する薄膜ＥＬ素子を光源とし、その積層膜
   の上部に、絶縁層を介して、上記光射出用のピンホール
   、あるいはスリットと隣接するように薄膜受光素子を有
   することを特徴とする完全密着型イメージセンサー。