JPH04101468A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH04101468A JPH04101468A JP2218229A JP21822990A JPH04101468A JP H04101468 A JPH04101468 A JP H04101468A JP 2218229 A JP2218229 A JP 2218229A JP 21822990 A JP21822990 A JP 21822990A JP H04101468 A JPH04101468 A JP H04101468A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はファイバジャイロ等光計測や光制御の分野の光
源として用いられる超輻射ダイオード（スーパー・ルミ
ネッセント・ダイオード、５ＬＤ）に係わり、特にＩ
ｎＧａＡｌ Ｐ系拐料を用いた短波長可視光スーパー・
ルミネッセント・ダイオードに関する。
源として用いられる超輻射ダイオード（スーパー・ルミ
ネッセント・ダイオード、５ＬＤ）に係わり、特にＩ
ｎＧａＡｌ Ｐ系拐料を用いた短波長可視光スーパー・
ルミネッセント・ダイオードに関する。
（従来の技術）
超輻射ダイオード（スーパー ルミネッセントダイオー
ド、５ＬＤ）は、ファイバジャイロ等に代表される光計
測分野において重要な光源である。通常ＳＬＤは半導体
レーザと同様のダブルヘテロ構造と光導波路を備えた構
造であるが、共振器の損失を増す等の方法によってレー
ザ発振を抑制し、数ｍＷの光出力まで自然放出光による
広い発光スペクトルが得られる。この様な構造を実現す
るために、共振器のミラー損失を増す目的で光導波路端
面の反射率を十分小さくしたり、共振器端面近傍で光導
波路の無い構造することにより帰還光の光導波路への結
合効率を小さくするなどの方法、また共振器の内部損失
を増す目的で非励起領域を設けるなどの方法が取られて
いる（例えば、立岡他−８９年秋季応用物理学会講演予
稿集２７ｐ−ＺＧ−１６、ｐ、８８３、今仲他＝９０年
春応用物理学会講演予稿集２９ａ−３Ａ−２２、ｐ。
ド、５ＬＤ）は、ファイバジャイロ等に代表される光計
測分野において重要な光源である。通常ＳＬＤは半導体
レーザと同様のダブルヘテロ構造と光導波路を備えた構
造であるが、共振器の損失を増す等の方法によってレー
ザ発振を抑制し、数ｍＷの光出力まで自然放出光による
広い発光スペクトルが得られる。この様な構造を実現す
るために、共振器のミラー損失を増す目的で光導波路端
面の反射率を十分小さくしたり、共振器端面近傍で光導
波路の無い構造することにより帰還光の光導波路への結
合効率を小さくするなどの方法、また共振器の内部損失
を増す目的で非励起領域を設けるなどの方法が取られて
いる（例えば、立岡他−８９年秋季応用物理学会講演予
稿集２７ｐ−ＺＧ−１６、ｐ、８８３、今仲他＝９０年
春応用物理学会講演予稿集２９ａ−３Ａ−２２、ｐ。
９３６ など）。
しかし、誘電体膜コーティングにより共振器端面の反射
率を低減する方法では、誘電体膜の厚さを制御して十分
小さい反射率の値を再現性良く実現することは容易では
ない。また、共振器端面で先導波路を除去した構造や、
活性層に非励起領域を設けた構造は素子の作製工程が複
雑になるという問題点があった。このため、量産性にす
ぐれた構造のＳＬＤ素子が待たれていた。
率を低減する方法では、誘電体膜の厚さを制御して十分
小さい反射率の値を再現性良く実現することは容易では
ない。また、共振器端面で先導波路を除去した構造や、
活性層に非励起領域を設けた構造は素子の作製工程が複
雑になるという問題点があった。このため、量産性にす
ぐれた構造のＳＬＤ素子が待たれていた。
一方、プラスチック光ファイバの損失の小さい０．６μ
ｍ帯で発光するＳＬＤを実現するなめには、禁制帯幅の
広いＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ系の材料が用いられる。発光
波長６７０ｎｍで、活性層をＩｎｏ、、Ｇａｏ、５Ｐ、
クラッド層をＡ１混晶比の大きいＩｎｏ、（Ｇａ＋−）
Ｌ Ａｌｘ ）ｏ、Ｐ （Ｘ”’０゜７）とした場合で
も、両者の禁制帯幅の差が十分に大きくないために、半
導体レーザと比べて駆動電流の大きなＳＬＤとして動作
させると、活性層からクラッド層へのキャリアのオーバ
ーフローカイ顕著になって温度特性の良好な素子を実現
することは容易でない。特に６７０ｎｍ以下の波長で発
光する素子の場合には、活性層とクラッド層の禁制帯幅
の差がさらに小さくなるため、温度特性は更に悪化する
。このため、０．６μｍの波長帯では良好な温度特性を
有するＳＬＤの実現は困難てあった。
ｍ帯で発光するＳＬＤを実現するなめには、禁制帯幅の
広いＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐ系の材料が用いられる。発光
波長６７０ｎｍで、活性層をＩｎｏ、、Ｇａｏ、５Ｐ、
クラッド層をＡ１混晶比の大きいＩｎｏ、（Ｇａ＋−）
Ｌ Ａｌｘ ）ｏ、Ｐ （Ｘ”’０゜７）とした場合で
も、両者の禁制帯幅の差が十分に大きくないために、半
導体レーザと比べて駆動電流の大きなＳＬＤとして動作
させると、活性層からクラッド層へのキャリアのオーバ
ーフローカイ顕著になって温度特性の良好な素子を実現
することは容易でない。特に６７０ｎｍ以下の波長で発
光する素子の場合には、活性層とクラッド層の禁制帯幅
の差がさらに小さくなるため、温度特性は更に悪化する
。このため、０．６μｍの波長帯では良好な温度特性を
有するＳＬＤの実現は困難てあった。
また、６７０ｎｍ以下の短波長の発光を実現するために
は、活性層にＡ１を含むＩｎｏ。、（Ｇａ１−８ＡＩＫ
）。、Ｐを用いる必要があるが、波長を短くするために
ＡＩの混晶比を増してゆくと発光効率の高い結晶を得る
ことが難しくなる。そのため、６７０ｎｍ以下の波長領
域では量子効率の高いＳＬＤ素子を再現性良く製造する
ことは難しかった。
は、活性層にＡ１を含むＩｎｏ。、（Ｇａ１−８ＡＩＫ
）。、Ｐを用いる必要があるが、波長を短くするために
ＡＩの混晶比を増してゆくと発光効率の高い結晶を得る
ことが難しくなる。そのため、６７０ｎｍ以下の波長領
域では量子効率の高いＳＬＤ素子を再現性良く製造する
ことは難しかった。
（発明が解決しようとする課題）
以上述べたように、従来のＳＬＤ素子は量産に適してい
ないという問題点があった。また、ＩｎＧａＡｌＰ系の
０．６μｍ帯の短波長領域では、それに加えて良好な温
度特性や量子効率を有するＳＬＤの実現が難しいという
問題点があった。
ないという問題点があった。また、ＩｎＧａＡｌＰ系の
０．６μｍ帯の短波長領域では、それに加えて良好な温
度特性や量子効率を有するＳＬＤの実現が難しいという
問題点があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、構造・工程が簡単で量産に適した構造
のＳＬＤ素子を提供することにある。また、０．６μｍ
帯の短波長領域においても温度特性や量子効率の良好な
Ｓ Ｌ Ｄを提供することにある。
とするところは、構造・工程が簡単で量産に適した構造
のＳＬＤ素子を提供することにある。また、０．６μｍ
帯の短波長領域においても温度特性や量子効率の良好な
Ｓ Ｌ Ｄを提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、ＩｎＧａＡｌ Ｐ糸材料からなるＳＬ
Ｄ素子において、（１００）面から［０］１］方向に傾
いた面方位を有する半導体基板上に、ＩｎＧａＡ ］
Ｐ活性層をこれより禁制帯幅の大きいｐ型およびｎ型Ｉ
ｎＧａ、ＡＩＰクラッド層で挾んだダブルヘテロ構造を
積層し、このダブルヘテロ構造部に［０１１］方向と平
行な方向にストライプ状の発光領域を形成し、このスト
ライプ状の発光領域の少なくとも一端に（０１１）襞開
面からなる端面を形成して上記（０１１）！開面からな
る端面が発光領域である活性層と直交しない構成とし、
端面における光帰還効率を十分に低くすることによって
レーザ発振を効果的に抑制してＳＬＤ素子を実現するこ
とにある。また同時に、（１００）面から［０１１１方
向に傾いた面方位を有する半導体基板上に成長したＩ
ｎＧａＡ Ｉ Ｐでは、自然超格子構造の形成が抑制さ
れて無秩序構造となって禁制帯幅が大きくなることを利
用して、自然超格子構造を有する結晶と比べて同一のＡ
１混晶比に対して、より短波長での発光が可能となるよ
うにしたものである。
Ｄ素子において、（１００）面から［０］１］方向に傾
いた面方位を有する半導体基板上に、ＩｎＧａＡ ］
Ｐ活性層をこれより禁制帯幅の大きいｐ型およびｎ型Ｉ
ｎＧａ、ＡＩＰクラッド層で挾んだダブルヘテロ構造を
積層し、このダブルヘテロ構造部に［０１１］方向と平
行な方向にストライプ状の発光領域を形成し、このスト
ライプ状の発光領域の少なくとも一端に（０１１）襞開
面からなる端面を形成して上記（０１１）！開面からな
る端面が発光領域である活性層と直交しない構成とし、
端面における光帰還効率を十分に低くすることによって
レーザ発振を効果的に抑制してＳＬＤ素子を実現するこ
とにある。また同時に、（１００）面から［０１１１方
向に傾いた面方位を有する半導体基板上に成長したＩ
ｎＧａＡ Ｉ Ｐでは、自然超格子構造の形成が抑制さ
れて無秩序構造となって禁制帯幅が大きくなることを利
用して、自然超格子構造を有する結晶と比べて同一のＡ
１混晶比に対して、より短波長での発光が可能となるよ
うにしたものである。
すなわち本発明は、（１００）面から［０１１］方向に
傾いた面方位を有する半導体基板上に、ＩｎＧａＡ Ｉ
Ｐ活性層をこれより禁制帯幅の大きいｐ型およびｎ型
ＩｎＧａＡｌＰクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造と
、このダブルヘテロ構造部に［０１１］方向と平行な方
向にストライプ状の発光領域が形成され、このストライ
プ状の発光領域の少なくとも一端に（０１１）！開面か
らなる端面が形成された半導体発光装置である。
傾いた面方位を有する半導体基板上に、ＩｎＧａＡ Ｉ
Ｐ活性層をこれより禁制帯幅の大きいｐ型およびｎ型
ＩｎＧａＡｌＰクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造と
、このダブルヘテロ構造部に［０１１］方向と平行な方
向にストライプ状の発光領域が形成され、このストライ
プ状の発光領域の少なくとも一端に（０１１）！開面か
らなる端面が形成された半導体発光装置である。
（作用）
本発明によれば、発光領域となる活性層が端面と直交し
ないため、端面における光帰還効率を十分に低くできる
ため、従来のように端面反射率が極めて小さくなるよう
に誘電体コート膜厚の精密な制御をしなり、複雑な構造
や工程を採用する必要なく容易にＳＬＤ素子を製造する
ことが可能である。
ないため、端面における光帰還効率を十分に低くできる
ため、従来のように端面反射率が極めて小さくなるよう
に誘電体コート膜厚の精密な制御をしなり、複雑な構造
や工程を採用する必要なく容易にＳＬＤ素子を製造する
ことが可能である。
また本発明によれは、（１００）面から［０１１］方向
に傾いた面方位を有する半導体基板上に、Ｉ ｎＧａＡ
Ｉ Ｐダブルヘテロ構造が形成されているため、自然
超格子構造の形成が抑制されて無秩序構造となって各層
の禁制帯幅が大きくなることにより、同一のＡ１混晶比
に対して、温度特性や量子効率を損なうことなく、より
短波長での発光が可能となる。
に傾いた面方位を有する半導体基板上に、Ｉ ｎＧａＡ
Ｉ Ｐダブルヘテロ構造が形成されているため、自然
超格子構造の形成が抑制されて無秩序構造となって各層
の禁制帯幅が大きくなることにより、同一のＡ１混晶比
に対して、温度特性や量子効率を損なうことなく、より
短波長での発光が可能となる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わるＩｎＧａＡｌＰ系Ｓ
ＬＤ素子のの概略構造を示す斜視図である。図中、１０
は（１００）面から［０１１］方向に２０°傾いた面方
位を有するｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓ基板、１１はｎ Ｉ
ｎ０．５（Ｇａｔ−ＫＡＩＩＣ）０．５Ｐクラッド層（
ｘ＝０．７、ｎ＝４Ｘ１０１７ａｍ３．１μｍ）、１２
はＩ ｎＯ，５（Ｇａｔ−、Ａ １ 、 ）。、、Ｐ活
性層（ｙ＝ｏ、ｌ、ｙ＜ｘ、０．０６μｍ）、１ＢはＰ
Ｉ ｎｏ、、（Ｇａｔ ｚ Ａ １ ｚ ）。
ＬＤ素子のの概略構造を示す斜視図である。図中、１０
は（１００）面から［０１１］方向に２０°傾いた面方
位を有するｎ −Ｇ ａ Ａ Ｓ基板、１１はｎ Ｉ
ｎ０．５（Ｇａｔ−ＫＡＩＩＣ）０．５Ｐクラッド層（
ｘ＝０．７、ｎ＝４Ｘ１０１７ａｍ３．１μｍ）、１２
はＩ ｎＯ，５（Ｇａｔ−、Ａ １ 、 ）。、、Ｐ活
性層（ｙ＝ｏ、ｌ、ｙ＜ｘ、０．０６μｍ）、１ＢはＰ
Ｉ ｎｏ、、（Ｇａｔ ｚ Ａ １ ｚ ）。
５Ｐクラッド層（ｘ＝０．７、ｐ＝６Ｘ１０”ｃｍ’、
ｌ、ｔｒｍ）、１４はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層（ｎ＝２
Ｘ１０”’ｃｍ ’、０．７７−ｔｍ）−１５はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層＜ｐ＝２ｘ１０”ｃｍ３．３μｍ）
、１６はｐ電極、１７はｎ電極をそれぞれ示す。
ｌ、ｔｒｍ）、１４はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層（ｎ＝２
Ｘ１０”’ｃｍ ’、０．７７−ｔｍ）−１５はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層＜ｐ＝２ｘ１０”ｃｍ３．３μｍ）
、１６はｐ電極、１７はｎ電極をそれぞれ示す。
第２図くａ）〜（ｃ）は、第１図のＳＬＤ素子の製造工
程を示す図である。先ず、第２図（ａ＞に示す如く基板
１０上にｎ−ｒｎ、ｏ、５ （Ｇａ、−８ＡＩＫ＞０
．５Ｐクラッド層１１、Ｉｎ、）、５ （Ｇａ１−、
Ａ １ ｙ ） ｏ、５ Ｐ活性層１２、ｐ−Ｉｎｏ
、。
程を示す図である。先ず、第２図（ａ＞に示す如く基板
１０上にｎ−ｒｎ、ｏ、５ （Ｇａ、−８ＡＩＫ＞０
．５Ｐクラッド層１１、Ｉｎ、）、５ （Ｇａ１−、
Ａ １ ｙ ） ｏ、５ Ｐ活性層１２、ｐ−Ｉｎｏ
、。
（Ｇ ａｌｔ Ａ １ ｚ ） ｏ５Ｐクラッド層１３
、及びｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１４を有機金属気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）により順次成長形成する。ここでＭ
ＯＣＶＤ成長は、例えば減圧下２５ Ｔ ｏ ｒｒ、成
長温度８００°Ｃ，Ｖ族とＩＩＩ族の原料供給量比Ｖ／
ＩＩＩ ＝３００〜５００の条件下で行うことができる
。
、及びｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１４を有機金属気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）により順次成長形成する。ここでＭ
ＯＣＶＤ成長は、例えば減圧下２５ Ｔ ｏ ｒｒ、成
長温度８００°Ｃ，Ｖ族とＩＩＩ族の原料供給量比Ｖ／
ＩＩＩ ＝３００〜５００の条件下で行うことができる
。
次いで、第２図（ｂ）に示す如く、フォトレジスト等を
マスクとして用いｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１４をストラ
イプ状にエツチング除去する。このときストライプの方
向は［０１１］方向と平行な方向とする。
マスクとして用いｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１４をストラ
イプ状にエツチング除去する。このときストライプの方
向は［０１１］方向と平行な方向とする。
さらに第２図（ｃ）に示す如く、ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層企ＭＯＣＶＤ法により成長形成し、電極１６．１７
を形成する。その後、前記ストライプと直交するように
片開−により光取り出し端面２１を形成して前記第１図
に示すＳＬＤ素子構造が実現される。ここで光取り出し
端面２１は活性層１２に対してθ−２０°傾いて形成さ
れる。
ト層企ＭＯＣＶＤ法により成長形成し、電極１６．１７
を形成する。その後、前記ストライプと直交するように
片開−により光取り出し端面２１を形成して前記第１図
に示すＳＬＤ素子構造が実現される。ここで光取り出し
端面２１は活性層１２に対してθ−２０°傾いて形成さ
れる。
かくして作成されたＳＬＤ素子においては、活性層と襞
間により形成された光取り出し端面とが直交しないため
、端面における光帰還効率を極めて小さくできる。その
結果、従来のように複雑な構造・工程によらすレーザ発
振が効果的に抑制され、広いスペクトル幅を有する良好
なＳＬＤ特性が実現された。
間により形成された光取り出し端面とが直交しないため
、端面における光帰還効率を極めて小さくできる。その
結果、従来のように複雑な構造・工程によらすレーザ発
振が効果的に抑制され、広いスペクトル幅を有する良好
なＳＬＤ特性が実現された。
また、（１００）面から［０１１］方向に傾いた基板上
にＩｎＧａＡｌＰダブルヘテロ構造が形成されているた
め自然超格子の発生が抑制され、６４０ｎｍという短波
長で発光し、同一のＡ１組成の活性層に対して温度特性
や量子効率を損なうことなく、より短い波長での発光が
得られた。
にＩｎＧａＡｌＰダブルヘテロ構造が形成されているた
め自然超格子の発生が抑制され、６４０ｎｍという短波
長で発光し、同一のＡ１組成の活性層に対して温度特性
や量子効率を損なうことなく、より短い波長での発光が
得られた。
ここで、基板面の（ＩＱＯ）面から［０１１］方向への
傾斜角度は、自然超格子の発生の抑制という点では１０
°以上であれば良く、また光帰還効率の低減という点で
は２０°以上が好ましい。
傾斜角度は、自然超格子の発生の抑制という点では１０
°以上であれば良く、また光帰還効率の低減という点で
は２０°以上が好ましい。
第３図は、本発明の第２の実施例である。この実施例で
は、片方の端面を反応性イオンエツチング等の手段によ
って基板表面と直交に形成し、光取り出し面とする。こ
の様にすると、光が基板面と平行に出射されるため光フ
ァイバへの結合の調整等が簡単になる。
は、片方の端面を反応性イオンエツチング等の手段によ
って基板表面と直交に形成し、光取り出し面とする。こ
の様にすると、光が基板面と平行に出射されるため光フ
ァイバへの結合の調整等が簡単になる。
また、本発明は第４図に示すようにアレイ横遣とするこ
とも可能である。アレイ構造では、アレイを構成する複
数のＳＬＤ素子が等しく−様な特性で動作することが重
要である。しかし、従来の複雑な工程を必要とする素子
構造では、特性の揃った素子を再現性良く実現すること
は極めて困難であった。本発明によれば、極めて簡単な
構造・工程により各素子を構成・形成できるので、特性
の揃ったアレイを歩留まり良く実現することが可能とな
る。
とも可能である。アレイ構造では、アレイを構成する複
数のＳＬＤ素子が等しく−様な特性で動作することが重
要である。しかし、従来の複雑な工程を必要とする素子
構造では、特性の揃った素子を再現性良く実現すること
は極めて困難であった。本発明によれば、極めて簡単な
構造・工程により各素子を構成・形成できるので、特性
の揃ったアレイを歩留まり良く実現することが可能とな
る。
なお、本発明は１述の実施例に限定されるものではなく
、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能で
ある。
、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能で
ある。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明によれば、複雑な工程によ
らず良好な特性のＳＬＤ素子を実現できる。また温度特
性や量子効率を損なうことなく、より短波長の発光が可
能である。
らず良好な特性のＳＬＤ素子を実現できる。また温度特
性や量子効率を損なうことなく、より短波長の発光が可
能である。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体発光装置の概
略構造を示す図、第２図はこの半導体発光装置の製造工
程を示す図、第３図及び第４図は本発明の他の実施例を
示す図である。 ｏ−−− ５−一 ｎ−ＧａＡｓ基板 ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ＩｎＧａＡｌＰ活性層 ｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層 ｎ−ＧａＡＳ電流阻止層 ｐ−ＧａＡＳ１１コンタクト層 ｎ電極 ｎ電極
略構造を示す図、第２図はこの半導体発光装置の製造工
程を示す図、第３図及び第４図は本発明の他の実施例を
示す図である。 ｏ−−− ５−一 ｎ−ＧａＡｓ基板 ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ＩｎＧａＡｌＰ活性層 ｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層 ｎ−ＧａＡＳ電流阻止層 ｐ−ＧａＡＳ１１コンタクト層 ｎ電極 ｎ電極
Claims (1)
- （１００）面から［０１１］方向に傾いた面方位を有す
る半導体基板上に、ＩｎＧａＡｌＰ活性層をこれより禁
制帯幅の大きいｐ型およびｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層で挟んだダブルヘテロ構造と、このダブルヘテロ構造
部に［０１１］方向と平行な方向にストライプ状の発光
領域が設けられ、このストライプ状の発光領域の少なく
とも一端に（０１１）劈開面からなる端面が設けられて
いることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21822990A JP3139757B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21822990A JP3139757B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04101468A true JPH04101468A (ja) | 1992-04-02 |
| JP3139757B2 JP3139757B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16716634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21822990A Expired - Fee Related JP3139757B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3139757B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11233820A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Sharp Corp | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2004281445A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型発光ダイオード素子 |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP21822990A patent/JP3139757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11233820A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Sharp Corp | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2004281445A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型発光ダイオード素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP3139757B2 (ja) | 2001-03-05 |
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