JPH039078A - 斜板式ピストンモータ - Google Patents

斜板式ピストンモータ

Info

Publication number
JPH039078A
JPH039078A JP14110189A JP14110189A JPH039078A JP H039078 A JPH039078 A JP H039078A JP 14110189 A JP14110189 A JP 14110189A JP 14110189 A JP14110189 A JP 14110189A JP H039078 A JPH039078 A JP H039078A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure oil
piston
speed
valve
port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14110189A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuru Arai
満 新井
Katsuji Ishikawa
勝司 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP14110189A priority Critical patent/JPH039078A/ja
Publication of JPH039078A publication Critical patent/JPH039078A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Hydraulic Motors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パワーショベル、ブルドーザ−農業用車両の
走行モータ等として利用される斜板式ピストンモータに
関する。
〔従来の技術〕
車両の走行モータとして利用される斜板式ピストンモー
タは、走行速度を変更できるようにするため斜板角度を
変更して回転速度を高速・低速に切換えできるようにし
ている。
例えば、第5図に示すように、斜板1のロッカーカム2
をクレードル3に沿って揺動自在とし、このロッカーカ
ム2を可変ピストン4て揺動じて斜板角度を変更し、こ
れによってシリンダーブロック5のシリンダー孔6に嵌
挿したピストン7のストロークを異ならせて出力軸8の
回転速度を高速・低速に切換えるようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
かかる斜板式ピストンモータにおいては、斜板1の角度
を変更してピストン7のストロークを異ならせ、押除は
容積を大きくしたり小さくしたりすることで出力軸8の
回転速度を切換えているので、ロッカーカム2、クレー
ドル3等の斜板1を揺動自在に支承する部材及び可変ピ
ストン4を必要とし、部品点数が多くなって組立作業が
面倒となるばかりか、全体が大きくなる。
そこで、本発明は前述の課題を解決できるようにした斜
板式ピストンモータを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕シリンダーブロ
ックの内周側と外周側に内・外側シリンダー孔をそれぞ
れ複数形成し、内・外側シリンダー孔に内・外側ピスト
ンをそれぞれ嵌挿して内・外側シリンダー室を形成し、
前記谷内・外側ピストンの先端部をモータケースに固定
した斜板に沿って摺動自在とし、その内側シリンダー室
に圧油を供給・停止する速度切換弁及び、圧油の供給方
向を変換する操作弁を設けた斜板式ピストンモータ。
これにより、速度切換弁を切換えることで押除は容積を
変更できると共に、操作弁を切換えることで回転方向を
逆にでき、斜板角度を一定として高速・低速・正転・逆
転できる。
〔実 施 例〕
第1図、第2図に示すように、モータケース10にエン
ドカバー11をボルト止めしてモータハウジング12と
し、モータケース10とエンドカバー11とに亘って出
力軸13か回転自在に支承され、この出力軸13にシリ
ンダー孔0ツク14がスプライン嵌合されてシリンダブ
ロック14はモータハウジング12内で出力軸13とと
もに回転自在となり、そのシリンダーブロック14には
内側シリンダー孔15と外側シリンダー孔16が第2図
に示すように同心円上に等間隔で複数形成され、内側シ
リンダ孔15は隣接する一対の外側シリンダー孔161
6間に形成されて内・外側シリンダー孔]5゜16は径
方向にオーバーラツプしてシリンダブロック14を小さ
くできるようにしである。
前記各内側シリンダー孔15には内側ピストン17が揺
動自在に嵌挿されて内側シリンダ室18を形成し、各外
側シリンダー孔]6に外側ピストン19が摺動自在に嵌
挿されて外側シリンダー室20を形成し、内側ピストン
17に設けた内側ピストンシュー21及び外側ピストン
19に設けた外側ピストンシュー22が斜板23に沿っ
て摺動自在となり、該斜板23はモタケース10に所定
角度で固定しである。
前記各内側シリンダー室18はシリンダーブロック14
に形成したまゆ型の内側ポート24より弁板25に形成
した略円弧状の内側吸込ポート26と内側吐出ポート2
7に交互に開口し、各外側シリンダー室20はシリンダ
ーブロック14に形成したまゆ型の外側ポート28より
弁板25に形成した略円弧状の外側吸込ポー!・29と
外側吐出ポート30に交互に開口し、各ポートは第3図
のようにエンドカバ〜11に形成した第1・第2内側ポ
ート31,32、第1・第2外側ポート33.34にそ
れぞれ連通している。
前記第1・第2外側ポー)33,34は第4図のように
第1・第2主回路40.41に接続し、第1・第2内側
ポート31.32は速度切換弁42で第1・第2主回路
40.41とタンクに接続制御され、前記第1・第2主
回路40゜41は操作弁43でポンプ44とタンクとに
接続制御される。
次に作動を説明する。
操作弁43を正転位置Fとするとポンプ44の吐出圧油
が第1主回路40に接続し、第2主回路41がタンクに
接続する。
この時、速度切換弁42の受圧部42aにパイロッ)・
圧油が供給されず速度切換弁42はハネ42bで低速位
置Iとなっている。
これにより、油圧ポンプ44の吐出圧油は第1主回路4
0より第1外側ポート33、外側吸込ポート29、外側
ポート28より外側シリンダー室20に流入し、外側吐
出ポート3oは第2外側ポート34より第2主回路41
に接続して外側ピストン19が往復し、前記油圧ポンプ
44の吐出圧油は第1主回路40、速度切換弁42の低
速位置Iを紅で第1内側ポート31に流入し、内側吸込
ポート26より内側シリンダー室18に供給され、第2
内側ボート32は速度切換弁42の低速位置Iより第2
主回路41に接続するので、内側ピストン17が往復動
するからシリンダーブロック14は出力軸13とともに
正回転する。
この時に、内・外側シリンダー室]82゜に油圧ポンプ
44の吐出圧油が供給されるから、押除は容積が最大と
なり1つのシリンダー室に供給される油量は油圧ポンプ
44の吐出油量に比べて少なくなり、内・外側ピストン
17.19のストローク速度が遅くなって出力軸]3は
低速回転で高トルクとなる。
前記の状態で操作弁43を逆転位置Rとすると、油圧ポ
ンプ44の吐出圧油は第2主回路41に供給され、第1
主回路40がタンク側に接続するので、前述と同様にシ
リンダーブロック14は出力軸13とともに低速・高ト
ルクで逆回転する。
また、操作弁43を正転位置Fとして速度切換弁42を
高速位置■とすると、第1内側ポート31と第2内側ポ
ート32は相互に連通してタンク側に連通し、かつ第1
・第2主回路4041と遮断されるので、内側シリンダ
ー室18には油圧ポンプ44の吐出圧油が供給されずに
外側シリンダー室20にのみ供給されて外側ピストン1
9が往復動され、シリンダーブロック14は出力軸13
とともに正回転する。
この時、外側シリンダー室20にのみ油圧ポンプ44の
吐出圧油が供給されるので、押除は容積が最小の値とな
り出力軸13は高速回転で低トルクとなる。
また、内側シリンダー室18にのみ油圧ポンプ44の吐
出圧油を供給した場合は外側ピストン19のストローク
は内側ピストン17のストロークよりも長くなるので、
さらに押除は容積が小さくなり出力軸13はさらに高速
回転で低トルクすることが出来る。
前述の状態で操作弁43を逆転位置Rとすれば前述と同
様に高速・低トルクで逆回転する。
〔発明の効果〕
速度切換弁42を切換えることで内側シリンダー室18
に油圧ポンプ44の吐出圧油を供給したり、供給しない
ようにでき、外側シリンダー室20には油圧ポンプ44
の吐出圧油を常に供給できるので、外側シリンダー室2
0と内側シリンダー室18に圧油を供給して押除は容積
を大としたり、外側シリンダー室20にのみ圧油を供給
して押除は容積を小としたりでき、しかも操作弁43を
切換えることて第1主回路40と第2主回路41の一方
に圧油を供給して正転、逆転できる。
したがって、斜板23の角度を変更せずにシリンダーブ
ロック14の回転速度を高速、低速及び正転・逆転に切
換えでき、ロッカーカムやクレードルなどの斜板を揺動
自在に支承する部材及び斜板を揺動させる可変ピストン
を設ける必要がなく、部品点数を少なくして組立作業を
簡単にてきると共に、全体をコンパクトにできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す縦断面図、第2図はシリ
ンダーブロックの断面図、第3図はエンドカバーの断面
図、第4図は油圧回路図、第5図は従来例の断面図であ
る。 10はモータケース、13は出力軸、14はシリンダー
ブロック、15は内側シリンダー孔、 0 16は外側シリンダー孔、17は内側ピストン、18は
内側シリンダー室、]9は外側ピストン、20は外側シ
リンダー室、23は斜板、26は内側吸込みポート、2
7は内側吐出ポート、29は外側吸込ボート、30は外
側吐出ボート、4041は第1、第2主回路、42は速
度切換弁、43は操作弁、44は油圧ポンプ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 シリンダーブロック14の内周側に内側シリンダー孔1
    5を複数形成し、外周側に外側シリンダー16を複数形
    成し、各内側シリンダー孔15に内側ピストン17を嵌
    挿して内側シリンダー室18を形成し、前記各外側シリ
    ンダー孔16に外側ピストン19を嵌挿して外側シリン
    ダー室20を形成し、前記各内側ピストン17の先端部
    と各外側ピストン19の先端部をモータケース10に固
    定した斜板23に沿って摺動自在とし、 前記内側シリンダー18と外側シリンダー室20を弁板
    25に形成した内側吸込みポート26、内側吐出ポート
    27と外側吸込みポート29、外側吐出ポート30に順
    次連通し、前記外側吸込ポート29と外側吐出ポート3
    0または前記内側吸込ポート26と内側吐出ポート27
    を第1・第2主回路40、41に接続し、この第1・第
    2主回路40、41の一方を油圧ポンプ44に接続し、
    かつ他方をタンク側に接続する操作弁43を設け、 前記第1・第2主回路40、41と前記内側吸込ポート
    26内側吐出ポート27または、前記外側吸込ポート2
    9と外側吐出ポート30を連通・遮断する速度切換弁4
    2を設けたことを特徴とする斜板式ピストンモータ。
JP14110189A 1989-06-05 1989-06-05 斜板式ピストンモータ Pending JPH039078A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14110189A JPH039078A (ja) 1989-06-05 1989-06-05 斜板式ピストンモータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14110189A JPH039078A (ja) 1989-06-05 1989-06-05 斜板式ピストンモータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH039078A true JPH039078A (ja) 1991-01-16

Family

ID=15284214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14110189A Pending JPH039078A (ja) 1989-06-05 1989-06-05 斜板式ピストンモータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH039078A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6180220B1 (en) 1997-02-26 2001-01-30 Memc Electronic Materials, Inc. Ideal Oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
US6190631B1 (en) 1997-04-09 2001-02-20 Memc Electronic Materials, Inc. Low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
US6191010B1 (en) 1998-09-02 2001-02-20 Memc Electronic Materials, Inc. Process for preparing an ideal oxygen precipitating silicon wafer
US6236104B1 (en) 1998-09-02 2001-05-22 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon
US6284384B1 (en) 1998-12-09 2001-09-04 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US6336968B1 (en) 1998-09-02 2002-01-08 Memc Electronic Materials, Inc. Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers
US6339016B1 (en) 2000-06-30 2002-01-15 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone
US6361619B1 (en) 1998-09-02 2002-03-26 Memc Electronic Materials, Inc. Thermally annealed wafers having improved internal gettering
US6599815B1 (en) 2000-06-30 2003-07-29 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
US6635587B1 (en) 1999-09-23 2003-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Method for producing czochralski silicon free of agglomerated self-interstitial defects
US6666915B2 (en) 1999-06-14 2003-12-23 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US6828690B1 (en) 1998-08-05 2004-12-07 Memc Electronic Materials, Inc. Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices
US7135351B2 (en) 2001-04-11 2006-11-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling of thermal donor formation in high resistivity CZ silicon

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306733B1 (en) 1997-02-26 2001-10-23 Memc Electronic Materials, Spa Ideal oxygen precipitating epitaxial silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
US6180220B1 (en) 1997-02-26 2001-01-30 Memc Electronic Materials, Inc. Ideal Oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
US6537368B2 (en) 1997-02-26 2003-03-25 Memc Electronic Materials Spa Ideal oxygen precipitating epitaxial silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
US6204152B1 (en) 1997-02-26 2001-03-20 Memc Electronic Materials, Spa Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
US6586068B1 (en) 1997-02-26 2003-07-01 Memc Electronic Materials, Inc. Ideal oxygen precipitating silicon wafer having an asymmetrical vacancy concentration profile and a process for the preparation thereof
US6849119B2 (en) 1997-02-26 2005-02-01 Memc Electronic Materials, Inc. Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
US6555194B1 (en) 1997-04-09 2003-04-29 Memc Electronic Materials, Inc. Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
US7229693B2 (en) 1997-04-09 2007-06-12 Memc Electronic Materials, Inc. Low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
US6190631B1 (en) 1997-04-09 2001-02-20 Memc Electronic Materials, Inc. Low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
US6896728B2 (en) 1997-04-09 2005-05-24 Memc Electronic Materials, Inc. Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
US7442253B2 (en) 1997-04-09 2008-10-28 Memc Electronic Materials, Inc. Process for forming low defect density, ideal oxygen precipitating silicon
US7242037B2 (en) 1998-08-05 2007-07-10 Memc Electronic Materials, Inc. Process for making non-uniform minority carrier lifetime distribution in high performance silicon power devices
US6828690B1 (en) 1998-08-05 2004-12-07 Memc Electronic Materials, Inc. Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices
US7618879B2 (en) 1998-08-05 2009-11-17 Memc Electronics Materials, Inc. Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices
US6849901B2 (en) 1998-09-02 2005-02-01 Memc Electronic Materials, Inc. Device layer of a silicon-on-insulator structure having vacancy dominated and substantially free of agglomerated vacancy-type defects
US6342725B2 (en) 1998-09-02 2002-01-29 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon on insulator structure having a low defect density handler wafer and process for the preparation thereof
US6191010B1 (en) 1998-09-02 2001-02-20 Memc Electronic Materials, Inc. Process for preparing an ideal oxygen precipitating silicon wafer
US6236104B1 (en) 1998-09-02 2001-05-22 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon
US6336968B1 (en) 1998-09-02 2002-01-08 Memc Electronic Materials, Inc. Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers
US6579779B1 (en) 1998-09-02 2003-06-17 Memc Electronic Materials, Inc. Process for the preparation of an ideal oxygen precipitating silicon wafer having an asymmetrical vacancy concentration profile capable of forming an enhanced denuded zone
US6686260B2 (en) 1998-09-02 2004-02-03 Memc Electronics Materials, Inc. Process for producing thermally annealed wafers having improved internal gettering
US6709511B2 (en) 1998-09-02 2004-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Process for suppressing oxygen precipitation in vacancy dominated silicon
US6713370B2 (en) 1998-09-02 2004-03-30 Memc Electronic Materials, Inc. Process for the preparation of an ideal oxygen precipitating silicon wafer capable of forming an enhanced denuded zone
US6432197B2 (en) 1998-09-02 2002-08-13 Memc Electronic Materials, Inc. Process for the preparation of non-oxygen precipitating Czochralski silicon wafers
US6361619B1 (en) 1998-09-02 2002-03-26 Memc Electronic Materials, Inc. Thermally annealed wafers having improved internal gettering
US6958092B2 (en) 1998-12-09 2005-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof
US6284384B1 (en) 1998-12-09 2001-09-04 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US6537655B2 (en) 1998-12-09 2003-03-25 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering and a method for the preparation thereof
US6666915B2 (en) 1999-06-14 2003-12-23 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US6635587B1 (en) 1999-09-23 2003-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Method for producing czochralski silicon free of agglomerated self-interstitial defects
US6339016B1 (en) 2000-06-30 2002-01-15 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone
US6599815B1 (en) 2000-06-30 2003-07-29 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
US7135351B2 (en) 2001-04-11 2006-11-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling of thermal donor formation in high resistivity CZ silicon

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU600146B2 (en) Static hydraulic pressure type continuously variable transmission
JPH039078A (ja) 斜板式ピストンモータ
US4967556A (en) Hydrostatically operated continuously variable transmission
US4578948A (en) Reversible flow vane pump with improved porting
KR970703504A (ko) 연속적 변환이 가능한 유체정역학적 트랜스미션(continuously variable hydrostatic transmission)
US3166016A (en) Axial piston pump or motor
JP4649007B2 (ja) 電気作動式可変容積制御及びタイミング制御を備えた可変容積形ピストンユニット
JP4582597B2 (ja) 油圧モータユニット
JP2696520B2 (ja) 動力伝達装置
JP3781908B2 (ja) ピストンポンプ
EP3436700B1 (en) Variable displacement axial piston pump with fluid controlled swash plate
US3202105A (en) Power transmission
JP4319397B2 (ja) 2速ラジアルピストンモータ
JPH039080A (ja) 斜板式ピストンモータ
JPH05113112A (ja) エンジンの弁開閉時期可変装置
JPH039079A (ja) 斜板式ピストンモータ
JP3913920B2 (ja) 可変容量型斜板式液圧回転機
JPH0333481A (ja) 斜板式ピストンモータ
JP2022011098A (ja) アキシャルピストン装置
US4768422A (en) Pump motor
JP2000310182A (ja) アキシャルピストンポンプ又はモータとその駆動回路
JP4226879B2 (ja) 可変容量型斜板式液圧回転機
JPH0634625Y2 (ja) 可変容量型斜板式ピストンポンプ
JPH0333480A (ja) 斜板式ピストンモータ
JPS63203959A (ja) 斜板式油圧装置の作動油分配装置