JPH0382050A - Bonding device for film carrier semiconductor device - Google Patents
Bonding device for film carrier semiconductor deviceInfo
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフィルムキャリア半導体装置用自動ボンディン
グ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an automatic bonding apparatus for film carrier semiconductor devices.
従来のフィルムキャリア方式による半導体装置の製造方
法を、第3図および第4図を用いて説明する。A method of manufacturing a semiconductor device using a conventional film carrier method will be explained with reference to FIGS. 3 and 4.
あらかじめ電極端子上に金属突起物であるバンプ7を設
けた半導体チップ2を準備する。A semiconductor chip 2 is prepared in advance in which bumps 7, which are metal protrusions, are provided on electrode terminals.
さらに搬送および位置決め用のスプロケットホール1と
、半導体チップ2が入る開口部であるデバイスホール3
を有するポリイミドなどの絶縁ブイlレム上に銅などの
金属箔を接着したのち、金属箔をエツチングしてリード
4と電気選別のためのパッド5とを形成したフィルムキ
ャリアテープ6を準備する。Furthermore, there is a sprocket hole 1 for transportation and positioning, and a device hole 3 which is an opening into which a semiconductor chip 2 is inserted.
A film carrier tape 6 is prepared by adhering a metal foil such as copper onto an insulating bulk rem made of polyimide or the like, and then etching the metal foil to form leads 4 and pads 5 for electrical selection.
つぎにフィルムキャリアテープ6のリード4と半導体チ
ップ2のバンプ7とを熱圧着法または共晶法などにより
インナーリードボンディング(以下IL、Bと記す)し
、フィルムキャリアテープの状態で電気選別用パッド5
の上に10−ブを接触させて、電気選別やバイアス試験
を実施することができる。Next, inner lead bonding (hereinafter referred to as IL, B) is performed between the leads 4 of the film carrier tape 6 and the bumps 7 of the semiconductor chip 2 by a thermocompression bonding method or a eutectic method, and the film carrier tape is bonded to an electrical screening pad. 5
Electrical screening and bias tests can be carried out by contacting a 10-beam on top.
リード4の変形防止用として、絶縁フィルムの枠である
サスペンダー8が設けられている。Suspenders 8, which are frames made of insulating film, are provided to prevent the leads 4 from deforming.
最後に信頼性向上および機械的保護のため第5図に示す
ように樹脂9をポツティングして樹脂封止してから、リ
ード4を所望の長さに切断してフィルムキャリア半導体
装置が完成する。Finally, for reliability improvement and mechanical protection, a resin 9 is potted and sealed as shown in FIG. 5, and then the leads 4 are cut to a desired length to complete the film carrier semiconductor device.
外部回路に実装するときは、例えばプリント基板11の
上に接着剤10を塗布して半導体チップ2を固着した状
態で、リード4をプリント基板の上のポンディングパッ
ド12にアウターリードボンディング(OLB)する。When mounting on an external circuit, for example, adhesive 10 is applied onto the printed circuit board 11 to fix the semiconductor chip 2, and the leads 4 are bonded to the bonding pads 12 on the printed circuit board by outer lead bonding (OLB). do.
このフィルムキャリア半導体装置は、リード本数と無関
係に一度でボンディングできることと、連続したフィル
ムキャリアテープを使用するため自動化が容易との理由
で、適用範囲が拡がる傾向にある4
一般的な自動ILBボンダーは、フィルムキャリアテー
プのリード位置をTVカメラで認識検知してから、半導
体チップをボンディングステージの上に搬送して、再度
TVカメラで半導体チップのバンプ位置を認識検知して
、リードとバンプの位置合せを行ない、あらかじめ設定
した圧力、温度で一定時間、ボンディングツールで加熱
圧着してボンディングを完了する。The range of application of this film carrier semiconductor device is expanding because it can be bonded at once regardless of the number of leads, and because it uses a continuous film carrier tape, it is easy to automate. 4 General automatic ILB bonders are After recognizing and detecting the lead position of the film carrier tape with a TV camera, the semiconductor chip is transported onto the bonding stage, and the bump position of the semiconductor chip is recognized and detected again with the TV camera, and the leads and bumps are aligned. Then, the bonding is completed by heating and pressing with a bonding tool at a preset pressure and temperature for a certain period of time.
つぎに半導体チップ1個分に相当する1コマだけフィル
ムキャリアテープを搬送してからボンディングを繰り返
す。Next, the film carrier tape is conveyed by one frame corresponding to one semiconductor chip, and then bonding is repeated.
さらに半導体チップ1個当りの作業時間(インデックス
)を短縮するために、フィルムキャリアテープのリード
位置と半導体チップのバンプ位置の認識検知を同時に行
ない、フィルムキャリアテープの不良コマはあらかじめ
形成されたマーク(パンチ穴など)を検知して、ILB
を省略してつぎのコマにスキップする機能をもっている
。Furthermore, in order to reduce the working time (index) per semiconductor chip, the lead position of the film carrier tape and the bump position of the semiconductor chip are recognized and detected at the same time. punch holes, etc.) and detects the ILB.
It has a function to skip to the next frame by omitting the .
ILB作業直前までに発見されなかったリード曲りをT
Vカメラで検出して、つぎのコマにスキップする機能を
備えたものもある。T check any lead bends that were not discovered before ILB work.
Some have a function that detects them with the V-camera and skips to the next frame.
フィルムキャリアテープのリード位置は認識マーク12
から割り出されるのが普通である。The lead position of the film carrier tape is the recognition mark 12.
It is usually determined from.
TVカメラ像は二値化処理によってパターン化されてい
る。The TV camera image is patterned by binarization processing.
しかしながらフィルムキャリアテープに設けられた認識
マークは、フィルムキャリアテープの熱や加湿による膨
張、反り、フィルムキャリアテープ製造工程中のフォト
エツチングのばらつきなどにより、ロフト間、ロフト内
で位置ずれを生じる。However, the recognition mark provided on the film carrier tape may be misaligned between lofts or within a loft due to expansion and warping of the film carrier tape due to heat or humidification, variations in photo-etching during the film carrier tape manufacturing process, and the like.
収縮膨張が僅かに±0.2%であったとしても、パター
ン間の距離が10mmな°ら±20μmに達して致命的
な位置ずれとなる。Even if the contraction/expansion is only ±0.2%, if the distance between the patterns is 10 mm, it will reach ±20 μm, resulting in a fatal misalignment.
ボンダーや照明系の熱や振動による経時変化も無視する
ことができない。Changes over time due to heat and vibration in the bonder and lighting system cannot be ignored.
さらにILB条件である圧力、温度、時間についても、
リードやバンプの物理的化学的性質のばらつきが付きま
とっている。Furthermore, regarding the ILB conditions of pressure, temperature, and time,
Variations in the physical and chemical properties of leads and bumps are common.
たとえばAuのバンプとAuメツキされたリードをボン
ディングするAu−Au熱圧着の場合はリードのつぶれ
具合であるリードの変形率(ボンディング後のリード幅
をボンデング前のリード幅で割ったもの)を管理するこ
とによって、ボンディング条件を最適化することができ
る。For example, in the case of Au-Au thermocompression bonding in which Au bumps and Au-plated leads are bonded, the lead deformation rate (lead width after bonding divided by lead width before bonding), which is the degree of lead collapse, is controlled. By doing so, bonding conditions can be optimized.
第2図にリードの変形率と破壊強度の関係を示す。Figure 2 shows the relationship between lead deformation rate and fracture strength.
リードの変形率が小さい場合は、圧力や温度が不足して
おり、リードの剥れが発生して強度が著し、く小さい。When the deformation rate of the lead is small, the pressure and temperature are insufficient, and the lead peels off, resulting in a significant decrease in strength.
逆にリードの変形率が大きい場合は、圧力や温度が過剰
で、リードの潰れ過ぎにより強度が徐々に低下している
。On the other hand, if the deformation rate of the lead is large, the pressure and temperature are excessive and the lead is crushed too much, resulting in a gradual decrease in strength.
一般に温度設定を450〜500℃とすれば。Generally, if the temperature setting is 450-500°C.
100μm幅のリードの場合、リード1本当り約100
gfの圧力でボンディングされている。For leads with a width of 100 μm, approximately 100
Bonded at a pressure of gf.
このように条件設定に重大な影響を与えるリード幅も一
般的には±15μmの公差で管理されており、同一ロッ
ト内においてさえ±10μm程度のばらつきがある。As described above, the lead width, which has a significant effect on condition setting, is generally controlled with a tolerance of ±15 μm, and even within the same lot there is a variation of about ±10 μm.
Au−3n共晶ボンデイングや半田を用いるろう材によ
るボンディングの場合はリードの変形量での管理は適切
ではないので、Au−8n共晶合金量や半田の溶融量を
管理するのが普通である。In the case of Au-3n eutectic bonding or brazing metal bonding using solder, it is not appropriate to control the amount of deformation of the lead, so it is common to control the amount of Au-8n eutectic alloy or the amount of melted solder. .
生産工程では、ロット毎などでラインを止めて、頻繁に
測定検査、条件補正を繰り返しているのが現状である。In the production process, the current situation is to stop the line after each lot and frequently repeat measurements, inspections, and condition corrections.
本発明の目的は、ボンディングを終了したフィルムキャ
リア半導体装置のリードとバンプとの位置ずれやボンデ
ィング形状を自動的に検査して、ボンディング条件に補
正を加えながら、常に最適なボンディング条件を得るこ
とにある、〔課題を解決するための手段〕
本発明のフィルムキャリア半導体装置用ボンディング装
置は、間けり搬送されているフィルムキャリアテープ下
面からデバイスホール開孔に突き出しているリードの位
置と、チップステージから半導体チップをピックアップ
してボンディングステージに載せた状態における半導体
チップの電極であるバンプの位置とをTVカメラで認識
検知して位置合せし、ボンディングステージを下方から
前記フィルムキャリアテープに接触させてフィルムキャ
リアテープのリードと、半導体チップのバンプとをボン
ディングツールで加熱圧着する機能を備えた自動ボンデ
ィング装置において、ボンディングを終了したブイ6ル
ムキヤリア半導体装置のボンディング状態をTVカメラ
を用いて画像処理して、リードとバンプのずれ量および
リード変形率を測定してボンディングステージにおける
半導体チップの位置座標の補正や圧力、温度、時間など
のボンディング条件の補正を行なうように構成されてい
る。An object of the present invention is to automatically inspect the positional deviation between the leads and bumps of a film carrier semiconductor device after bonding and the bonding shape, and to always obtain the optimal bonding conditions while making corrections to the bonding conditions. [Means for Solving the Problems] The bonding apparatus for film carrier semiconductor devices of the present invention has the following features: When a semiconductor chip is picked up and placed on a bonding stage, the positions of the bumps, which are the electrodes of the semiconductor chip, are recognized and aligned using a TV camera, and the bonding stage is brought into contact with the film carrier tape from below to attach the film carrier. In an automatic bonding machine equipped with a function of heat-pressing the tape lead and the bump of the semiconductor chip using a bonding tool, the bonding state of the buoy carrier semiconductor device after bonding is image-processed using a TV camera, and the lead is bonded. The device is configured to measure the deviation amount of the bump and the lead deformation rate to correct the position coordinates of the semiconductor chip on the bonding stage and the bonding conditions such as pressure, temperature, and time.
本発明の第1の実施例の自動ボンディング装置について
、第1図を用いて説明する。An automatic bonding apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
はじめに搬送用のスプロケットホイール13を回転させ
て、フィルムキャリアテープ6を1コマ分ボンデインダ
ステージ15の上に搬送してフィルムキャリアテープ6
のリード位置をボンディング用TVカメラ16により認
識検知する。First, the conveying sprocket wheel 13 is rotated to convey one frame of the film carrier tape 6 onto the bonder stage 15.
The lead position is recognized and detected by the bonding TV camera 16.
あらかじめフィルムキャリアテープ6に設けられたパン
チ穴などの不良識別マークはフォトセンサー14により
検出されて、不良コマはスキップされている。Defective identification marks such as punch holes provided in advance on the film carrier tape 6 are detected by the photosensor 14, and the defective frames are skipped.
つぎに半導体チップ用TVカメラ20で半導体チップス
テージ19に並んでいる半導体チップ2を認識して、半
導体チップピックアップアーム17によりボンディング
ステージ15の上に吸着搬送する。Next, the semiconductor chips 2 lined up on the semiconductor chip stage 19 are recognized by the semiconductor chip TV camera 20, and the semiconductor chips 2 are suctioned and conveyed onto the bonding stage 15 by the semiconductor chip pickup arm 17.
そのあとボンディング用TVカメラ16で半導体チップ
2のバンプ位置を認識検知しリードと位置合せしたのち
、あらかじめ設定した圧力、温度で一定時間ボンディン
グツール18で加熱圧着してリードとバンプをボンディ
ングする。Thereafter, the position of the bumps on the semiconductor chip 2 is recognized and detected by a bonding TV camera 16 and aligned with the leads, and then the leads and bumps are bonded by heating and pressing with a bonding tool 18 at a preset pressure and temperature for a certain period of time.
このあとはじめのスプロケットホイール13の回転から
のボンディング作業を繰り返す。After this, the bonding work starting from the first rotation of the sprocket wheel 13 is repeated.
ボンディングと並行してフィルムキャリアテープ6の数
コマ分うしろのところで、ボンディングを完了した半導
体チップ2について、別に設けた検査用TVカメラ20
によりボンディング状態を認識して、リードとバンプの
位置ずれやリードの変形量を計算して、自動的に位置座
標やボンディング条件に補正を加える。In parallel with the bonding, a separate inspection TV camera 20 is used to inspect the semiconductor chip 2 that has completed bonding several frames behind the film carrier tape 6.
The system recognizes the bonding state, calculates the positional deviation between the lead and bump and the amount of deformation of the lead, and automatically makes corrections to the position coordinates and bonding conditions.
実際に補正を行なう場合は、突発的なずれやばらつきを
避けるため、例えば10〜20個分のデータのうち、管
理限界・から極端に外れた値を除外した平均値を採用す
るのが好ましい。When actually performing correction, in order to avoid sudden deviations and variations, it is preferable to use an average value of, for example, 10 to 20 pieces of data, excluding values that are extremely outside the control limit.
つぎに本発明の第2の実施例について説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
第1図においては3台のTVカメラを使用しているが、
位置合せに用いたボンディング用のTVカメラ16と検
査用のTVカメラ20を、1台のTVカメラで兼用する
ことができる。In Figure 1, three TV cameras are used,
One TV camera can serve as the bonding TV camera 16 used for alignment and the inspection TV camera 20.
この場合はボンディング完了後、コマ送りしないでボン
ディング用TVカメラ16で、ボンディング検査を行な
う。In this case, after the bonding is completed, a bonding inspection is performed using the bonding TV camera 16 without frame-by-frame advance.
第1の実施例と違ってその場検査ができるので、特に多
数リードを有する製品など、特に高精度や高品質を要す
るものに適している。Unlike the first embodiment, this method can be inspected on the spot, so it is particularly suitable for products that require high precision and quality, such as products with a large number of leads.
1台のTVカメラを兼用しているため、ボンディング作
業とボンディング検査とを直列して行なうので、ボディ
ングインデックスが増加するが、例えば50〜100個
毎の管理幅の抜き取りでボンディング検査を実施するこ
とにより、ボンディングインデックスをほとんど増加さ
せないで品質を維持することもできる。Since one TV camera is used, bonding work and bonding inspection are performed in series, which increases the bonding index, but for example, bonding inspection is performed by sampling a control width every 50 to 100 pieces. By doing so, quality can be maintained without increasing the bonding index.
これらの実施例は、アウターリードボンディング(OL
B)やワイヤーボンディングにも応用することが可能で
ある。These examples are based on outer lead bonding (OL
B) and wire bonding.
本発明のフィルムキャリア半導体装置の自動ボンディン
グ装置で、ボンディングを終了したフィルムキャリア半
導体装置のリードとバンプのずれやリードの熱圧着によ
るつぶれ具合をラインを止めることなく、TVカメラに
より検査して、自動的に補正しながらボンディング作業
を進めることができる。The automatic bonding apparatus for film carrier semiconductor devices of the present invention uses a TV camera to inspect the misalignment of the leads and bumps of the film carrier semiconductor device after bonding and the crushing of the leads due to thermocompression bonding without stopping the line. You can proceed with the bonding work while making corrections.
第1図は本発明の実施例を示す自動ボンディング装置の
斜視図、第2図はリードの変形率とボンディング強度と
の関係を示すグラフ、第3図はフィルムキャリア半導体
装置の平面図、第4図〜第6図はフィルムキャリア半導
体装置を製造工程順に説明する断面図である。
l・・・スプロケットホ町ル、2・・・半導体チップ、
3・・・デバイスホール、4・・・リード、5・・・電
気選別用パッド、6・・・フィルムキャリアテープ、7
・・・バンプ、8・・・サスペンダー 9・・・樹脂、
10・・・接着剤、11・・・プリント基板、12・・
・認識マーク、13・・・スプロケットホイール、14
・・・フォトセンサー 15・・・ボンディングツ−ル
、16・・・ボンディング用TVカメラ、17・・・ピ
ックアップアーム、18・・・ボンディングツール、1
9・・・半導体チップステージ、20・・・半導体チッ
プmmTVカメラ、21・・・検査用TVカメラ、22
・・・引伸しリング、23・・・位置決めピン。FIG. 1 is a perspective view of an automatic bonding apparatus showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing the relationship between lead deformation rate and bonding strength, FIG. 3 is a plan view of a film carrier semiconductor device, and FIG. 6 to 6 are cross-sectional views illustrating the film carrier semiconductor device in the order of manufacturing steps. l...Sprocket hole, 2...Semiconductor chip,
3... Device hole, 4... Lead, 5... Electrical sorting pad, 6... Film carrier tape, 7
...Bump, 8...Suspenders 9...Resin,
10...Adhesive, 11...Printed circuit board, 12...
・Recognition mark, 13... Sprocket wheel, 14
... Photo sensor 15 ... Bonding tool, 16 ... TV camera for bonding, 17 ... Pickup arm, 18 ... Bonding tool, 1
9... Semiconductor chip stage, 20... Semiconductor chip mm TV camera, 21... TV camera for inspection, 22
... Enlarger ring, 23... Positioning pin.
Claims (1)
デバイスホール開孔に突き出しているリードの位置と、
チップステージから半導体チップをピックアップしてボ
ンディングステージに載せた状態における半導体チップ
の電極であるバンプの位置とをTVカメラで認識検知し
て位置合せし、ボンディングステージを下方から前記フ
ィルムキャリアテープに接触させてフィルムキャリアテ
ープのリードと、半導体チップのバンプとをボンディン
グツールで加熱圧着する機能を有する自動ボンディング
装置において、ボンディングを終了したフィルムキャリ
ア半導体装置のボンディング状態をTVカメラを用いて
画像処理して、リードとバンプのずれ量およびリード変
形率を測定してボンディングステージにおける半導体チ
ップの位置座標の補正や圧力、温度、時間などのボンデ
ィング条件の補正を行なうことを特徴とする自動ボンデ
ィング装置。The position of the lead protruding into the device hole opening from the bottom surface of the film carrier tape that is being conveyed intermittently,
When a semiconductor chip is picked up from the chip stage and placed on the bonding stage, the positions of the bumps, which are the electrodes of the semiconductor chip, are recognized and aligned using a TV camera, and the bonding stage is brought into contact with the film carrier tape from below. In an automatic bonding device having a function of heat-pressing the leads of a film carrier tape and the bumps of a semiconductor chip using a bonding tool, the bonding state of the film carrier semiconductor device after bonding is image-processed using a TV camera, An automatic bonding device that measures the amount of deviation between a lead and a bump and the lead deformation rate to correct the position coordinates of a semiconductor chip on a bonding stage and bonding conditions such as pressure, temperature, and time.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1218970A JPH0382050A (en) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | Bonding device for film carrier semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1218970A JPH0382050A (en) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | Bonding device for film carrier semiconductor device |
Publications (1)
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JPH0382050A true JPH0382050A (en) | 1991-04-08 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP1218970A Pending JPH0382050A (en) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | Bonding device for film carrier semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0382050A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008010869A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-17 | Sigo Co Ltd | Semiconductor chip flip assembly, and semiconductor chip bonding device utilizing the same |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP1218970A patent/JPH0382050A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008010869A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-17 | Sigo Co Ltd | Semiconductor chip flip assembly, and semiconductor chip bonding device utilizing the same |
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