JPH038120A

JPH038120A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH038120A
Application number: JP14235789A
Authority: JP
Inventors: Kazunaga Furumizo; 古溝　和永; Masatoshi Ichikawa; 雅敏市川
Original assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Current assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Priority date: 1989-06-05
Filing date: 1989-06-05
Publication date: 1991-01-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】ｃａ業梁上利用分野］本発明は６ｆ！気記録媒体の製造方法に係り、詳しくは
、高い保磁力を有する磁気記録媒体を製造する方法に関
するものである。

［従来の技術］近年、コンピュータ等の情報処理技術の発達に伴い、そ
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。

現在、長手記録用磁気ディスクに用いられる磁気記録媒
体の磁性層としては、スパッタリング等によりクロム（
Ｃｒ）下地薄膜上に、エピタキシャル的に製膜されたコ
バルト（ＣＯ）系合金薄膜が主流となってきている。し
かして、このＣ。

系合金薄ｇ磁性層についても、高密度記録化への要求に
対し、磁気特性としてより高い保磁力を付与することが
必要とされており、従来より、その特性についての報告
が、数多くなされている。

（例えば、’Ｎｅｗ　ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ　ｒｅ
ｃｏｒ＋ｊｆｎｇ　ｍｅｄｉａＣｏ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、
　ｆｒｏｍ　ｈｉｇｈ　ｒａｔｅ　５ｔａｔｉｃ　ｍａ
ｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒ−ｉｎｇｓｙｓｔａｍ”
　ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ、　Ｍａｇｎ、　Ｍａｇ−２２
゜Ｎｏ５．　（１９８６）、３３４；特開昭６３−７９
２３３号公報；特開昭６３−７９９８８号公報、）［発明が解決しようとする課題］従来報告されているように、Ｃｏ系合金薄１１！磁性層
の保磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。し
かしながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、そ
れ以上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭６３
−７９９６８号公報には、Ｃｒ下下地層膜膜膜厚が１５
００Ａ以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽
和傾向がだめられ、それ以下では磁性層の保磁力が著し
く低下し、実用上問題があることが示されている。

また、この保磁力は、Ｃｏ系合金薄膜の膜厚の低減によ
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。

本発明は上記従来の問題点を解決し、著しく高い保磁力
を有する磁気記録媒体を製造する方法を提供することを
目的とする。

［課題を解決するための手段］本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板上に下地層薄
膜及びＣＯ系会合金石ｎ性薄膜順次積層形成する磁気記
録媒体の製造方法において、基板上の下地層薄膜上にＣ
ｏ系合金磁性薄膜を低圧希ガス雰囲気で製膜する際、該
希ガスに水分を１×１Ｏ−５ｔｏｒｒ以上の分圧で共存
させて製膜することを特徴とする。

即ち、本発明者等は上記従来の状況に鑑み、６ｎ気記録
媒体の保磁力を更に向上させるべく鋭意検討を重ねた結
果、基板の下地層薄膜上にＣｏ系合金薄膜を低圧希ガス
雰囲気にて製膜するに際し、該希ガスに特定量の水分を
共存させて製膜することにより、得られる磁気記録媒体
の保！ｉｎ力が著しく向上することを見出し、本発明を
完成するに至った。

以下、本発明につき詳細に説明する。

本発明に用いられる基板としては、一般に硬質ガラス、
アルミニウム又はアルミニウム合金等のディスク状基板
が用いられ、特にアルミニウム基板が好適に使用される
。アルミニウム基板は通常所定の厚さに加工し、その表
面を鏡面加工した後、第１次下地層として硬質弁ｂｕＰ
！金属、例えばニッケルーリン（Ｎｉ−Ｐ）合金を無電
解メツキ或いは陽極酸化処理により形成し、しかる後、
第２次下地層として例えばＣｒを製膜して用いられる。

なお、上記第１次下地層は必ずしも必要とされず、鏡面
加工したアルミニウム基板上に直接下地層としてＣｒ等
の薄膜を製膜することもできる。

基板上に下地層薄膜を製膜する方法としては、一般に、
真空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング
法、無電解メツキ法等が採用可能であり、特にスパッタ
リング法が好適に用いられる。

スパッタリング法としては、一般に基板上に下地薄膜層
をスパッタリング法によって被着形成させる際に、通常
採用される装置及び条件をすべて採用することができる
。例えば、真空排気したチャンバー内到達圧力を１ｘｌ
Ｏ−’ｔｏｒｒ以下、Ａｒ等の希ガス圧力を５Ｘ１０−
’〜２×１Ｏ−２ｔｏｒｒ、望ましくは１×１０−”−
ＩＸＩＣ）−２ｔｏｒｒの範囲で、基板温度を１５０℃
以上、望ましくは１８０〜３００℃の範囲の条件下でス
パッタリングを実施する。

スパッタリング装置としては、通常のＤＣマグネトロン
スパッタ装置、又はＲＦマグネトロンスパッタ装置等が
採用される。

下地層薄膜としてＣｒ下地層薄膜を製膜する場合、その
膜厚は通常５０〜３００ＯＡの範囲内とする。

本発明においては、上記した基板の下地層薄膜上にｃｏ
系合金ｂｉｉ性薄膜を低圧希ガス７囲気下で製膜する際
、該希ガスに特定量の水分（Ｈ２Ｏ）を共存させて製膜
することを特徴とするものである。該希ガス中の水分共
存量としては、製膜時の水分分圧で１×１０−’ｔｏｒ
ｒ以上、好ましくはＩ　ｘ　Ｉ　Ｏ−５〜１　ｘ　１０
−３ｔｏ　ｒ　ｒの範囲、更に好ましくは２ｘｌＯ−５
〜１ｘｌＯ−’ｔｏｒｒの範囲である。この製膜時の水
分分圧が１×１０−５ｔｏｒｒ未満では、得られる６ｕ
気記録媒体の保磁力の向上効果が十分に得られないため
好ましくない。このような水分分圧の水分を希ガス中に
共存させる方法には特に制限はなく、種々の方法が採用
できる。例えば、希ガスを水で４問させた状態で製膜装
置へ導入する方法は望ましい方法である。

また、製膜方法としては、真空引きした後低圧希ガス；
囲気下で製膜する方法であれば特に制限されないが、一
般に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法等が採用可能である。これらのうち、特にスパッ
タリング法が好適に用いられる。なお、希ガスとしては
、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン
等が挙げられ、特にアルゴン（Ａｒ）が好適に使用され
る。

以下、Ｃｏ系合金磁性薄膜の形成にスパッタリング法を
用いる場合について詳細に説明する。

スパッタリング法としては、一般に前記基板の下地薄膜
層上にＣｏ系合金磁性薄膜をスパッタリング法によって
製膜する際に、通常採用される装置及び条件がすべて採
用可能である。例えば、基板ホルダーに装着させた下地
層を被着形成した基板とＣｏ系合金ターゲット電極とを
対向させた状態で、真空排気したチャンバー内到達圧力
を１×１Ｏ−６ｔｏｒｒ以下、！！膜正圧力即ち水分を
含有するＡｒ等の希ガス圧力（希ガス十水分の合計圧力
）を５Ｘ１０−’〜２Ｘ１０−２ｔｏｒｒ、望ましくは
１ｘ１０−３〜１×１０−２ｔｏｒｒの範囲、水分の分
圧を１ｘ１０−５ｔｏｒｒ以上、好ましくはＩ　Ｘ　１
０−５〜Ｉ　Ｘ　１０−”ｔｏ　ｒ　ｒ、更に好ましく
は２Ｘ　１０−５〜Ｉ　Ｘ　１０−３ｔｏ　ｒ　ｒの範
囲で、基板温度を１５０℃以上、望ましくは１８０〜３
００℃の範囲の条件下でスパッタリングを行ない、該基
板上の下地層薄膜上にＣｏ系合金磁性薄膜を被着形成さ
せる。なお、希ガスと水分との合計圧力に対する水分分
圧の割合は通常０．１／１００〜１０／１００、望まし
くは０．１／１００〜５／１００の範囲内が好ましい。

このようにして形成されるＣｏ系合金６ｆｌ性薄膜層の
膜厚は、通常２００〜１５００Ａの範囲内とするのが好
ましい。

なお、本発明において、ＣＯ系合金石ｉｉ性薄膜として
は、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ　−Ｘ、Ｃｏ
−Ｎ１−Ｘ、Ｃｏ　−Ｗ　（タングステン）−Ｘ等で表
わされるＣＯ系合金が使用される。なお、ここでＸとし
ては、リチウム、ケイ素、カルシウム、チタン、バナジ
ウム、クロム、ニッケル、ヒ素、イツトリウム、ジルコ
ニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、
銀５　アンチモン、ハフニウム、タンタル、タングステ
ン、レニウム５オスミウム、イリジウム、白金金、ラン
タン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウ
ム、サマリウム、ユウロピウムからなる群より選ばれた
１種又は２種以上の元素が挙げられる。

［作用］基板の下地層薄膜上に、水分分圧１ｘｌＯ−５ｔｏｒｒ
以上の低圧希ガス雰囲気でＣＯ系合金ｂｎ性薄膜を積層
形成することにより、著しく高い保磁力を有する磁気記
録媒体が得られる。

［実施例］以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

実施例１，２、比較例１．２表面にＮ１−Ｐメツキ処理を施したアルミニウム合金か
らなるディスク状基板に、下地層としてＣｒ下地層薄膜
（２０００Ａ）を被着形成させ、次いで、該基板とＣｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットとを対向させた状態で第１
表に示す条件下でスパッタリングを行ない、該基板のＣ
ｒ下地層上にＣＯ７゜−Ｎｉｚ。−Ｃｒｌ。（数字は原
子％を表わす。）　ｌ１ｆｆ性薄膜（６４０Ａ）を被着
形成した。

Ｂｒ・δ（残留磁束密度（Ｂｒ）と６ｎ性薄膜層の膜厚
（δ）との積）は５１５Ｇ・μｍであった。

得られた磁気ディスクの保６ｆｉ力を試料振動型磁力計
で測定し、結果を第１表に示した。

［発明の効果コ以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
よれば、高い保磁力を有する高特性磁気記録媒体を容易
に製造することができｂＢ気記録媒体のより一層の高密
度記録化が可能とされる。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に下地層薄膜及びコバルト系合金磁性薄膜
を順次積層形成する磁気記録媒体の製造方法において、
基板上の下地層薄膜上にコバルト系合金磁性薄膜を低圧
希ガス雰囲気で製膜する際、該希ガスに水分を１×１０
＾−＾５ｔｏｒｒ以上の分圧で共存させて製膜すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。