JPH0380417A - 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、Ｎ　１−Ｆｅ合金を含有する軟磁性膜とＣｏ
−Ｃｒ系合金の磁性層を有する垂直磁気記録媒体および
その製造方法に関する。

〈従来の技術〉 近年、磁気記録媒体の高密度記録化は進む一方であるが
、従来広く用いられている磁性層面内記録方法では、磁
性層中の反磁界作用により減磁が生じ、一定以上の記録
密度向上は困難である。

このような面内記録に対し、垂直磁気記録媒体が提案さ
れている。

垂直磁気記録は、磁性層を垂直方向に磁化することによ
り記録を行なう方法である。　垂直磁気記録では高密度
記録を行なう程減磁が減少するため、減磁の影響を受け
ることなく極めて高密度な記録を行なうことができる。

垂直磁気記録媒体としては、ポリエチレンテレフタレー
ト等の基体上に、パーマロイ等の軟磁性膜およびＣｏ−
Ｃｒ合金のスパッタ磁性層を順次形成したものがよく知
られている。

また、このような垂直磁気記録媒体に高密度記録を行な
うための磁気ヘッドとしては、薄膜型の磁気ヘッドが好
適である。　薄膜型の磁気ヘッドは、セラミクス基体上
に磁極、保護膜等が、スパッタ法等の薄膜形成法により
積層されているものである。　このような薄膜ヘッドは
、基体に比べて磁極およびその保護膜が摩耗し易いため
、偏摩耗が生じ易く出力低下が起こり易い。

上記したように、垂直磁気記録媒体は原理的に高密度記
録に好適であるが、実用化を考えた場合、下記のような
特性が要求される。

■耐久性、耐候性、耐食性が高いこと ■高速記録読出し下でのへラドタッチが良好であること ■再生出力が高いこと ■モジュレーションの発生が低いこと ■生産性が高いこと ■磁気ヘッドの偏摩耗が生じにくいこと等である。

本発明者らはこのような特性を満足するために、基体、
軟磁性膜、磁性層、保護層および潤滑層をこの順で有す
る垂直磁気記録媒体において、各構成部分の物性、構成
材料等を限定する提案を行なっている（特願平１−９６
９６４号、同１−９８０７７号）。

これらの提案における垂直磁気記録媒体は上記■〜■の
特性を高水準で満たすものである。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、樹脂基体上に軟磁性膜および磁性層を成膜する
に際し、スパッタ法等の気相成膜法を用いた場合、膜中
の応力により、得られる磁気記録媒体には反りが発生し
てしまう。

磁気記録媒体に反りが発生すると、記録密度が低下し、
また、耐久性が低下し、特に繰り返し再生時の出力低下
を招く。

このような反りは、軟磁性膜や磁性層成膜の際の条件、
特にスパッタ時の雰囲気ガス条件を制御することにより
防止することが可能であるが、反りを最小とする条件で
は、軟磁性膜に必要とされる磁気特性を得ることが困難
であり、良好な電磁変換特性を有する垂直磁気記録媒体
の実現は難しかった。

本発明は、このような事情からなされたものであり、垂
直磁気記録に用いられる磁気記録媒体であって、耐久性
、耐候性および耐食性が高く、磁気ヘッドの摩耗が生じ
にくく、しかも、反りが小さくかつ電磁変換特性が良好
な磁気記録媒体と、その製造方法とを提供することを目
的とする。

く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記（１）〜（７）の本発明により
達成される。

（１）基体上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金を含有する軟磁性膜お
よびＣｏ−Ｃｒ系合金を含有する磁性層を順次有する磁
気記録媒体であって、前記軟磁性膜がＮｉおよびＦｅを
９９．９ｗｔ％以上含有し、残部が実質的にＳｉおよび
／または／７２であることを順次有する磁気記録媒体。

（２）前記軟磁性膜の保磁力が６〜２０Ｏｅである上記
（１）に記載の磁気記録媒体。

（３）前記軟磁性膜の厚さが０．１〜１．０ｇｍである
上記（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。

（４）前記磁性層上に、固体保護層および潤滑膜を順次
有する上記（１）ないしく３）のいずれかに記載の磁気
記録媒体。

（５）前記固体保護層が、金属または半金属から選択さ
れる２種以上の元素と、ＯおよびＮとを含有する上記（
４）に記載の磁気記録媒体。

（６）基体上にＮｉ−Ｆｅ合金を含有する軟磁性膜およ
びＣｏ−Ｃｒ系合金を含有する磁性層を順次有する磁気
記録媒体の製造方法であって、 ＮｉおよびＦｅを９９．９ｗｔ％以上含有し、残部が実
質的にＳｉおよび／またはＡｆｉであるターゲットを用
い、酸素分圧１．０×１０−３〜２、ＯＸ、１Ｏ−３Ｐ
ａにてスパッタ法により前記軟磁性膜を形成することを
順次有する磁気記録媒体の製造方法。

（７）前記軟磁性膜の厚さが０．１〜１．０．Ｊｌであ
る上記（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。

く作用〉 本発明の磁気記録媒体は、基体上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金を
含有する軟磁性膜およびＣｏ−Ｃｒ系合金を含有する磁
性層を順次有する。

本発明では、軟磁性膜を上記範囲の酸素分圧雰囲気にて
スパッタ法で成膜するため、媒体の反りを最小とするこ
とができる。　　しかも、このとき上記範囲の純度のタ
ーゲットを用いるため、軟磁性膜の保磁力を最適範囲に
保つことができ、良好な電磁変換特性が得られる。

また、磁性層上に所定の元素を含有する固体保護層を有
する場合、耐食性が顕著に向上する。

さらに固体保護層表面の接触角を所定範囲とした場合、
潤滑膜を均一かつ強固に形成することができるため、耐
久性が向上し、また、ヘッドタッチが良好となり、ヘッ
ドの摩耗を防止することができる。

く具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

第１図に、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す。

本発明の磁気記録媒体ｌは、基体２上に、軟磁性膜３、
磁性層４を順次有し、さらに、好ましくは固体保護層５
および潤滑膜６を順次有する。

本発明の磁気記録媒体は、両面記録型であっても片面記
録型であってもよいが、本発明は特に両面記録型の磁気
記録媒体において有効である。

磁気記録媒体１が両面記録型である場合、軟磁性膜３、
磁性層４、固体保護層５および潤滑膜６は、第１図に示
すように基体２の両面に設けられる。

本発明は、媒体の反りが発生し易い可撓性材質の基体を
用いる場合に特に効果を発揮するので、基体２は可撓性
材質から構成される。

基体２に用いる可撓性材質に特に制限はないが、ポリイ
ミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ’）　　ポ
リフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）　　ポリアミド、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）　　ポリエーテル
エーテルケトン（ＰＥＥＫ）などの高分子物質から選択
することが好ましく、耐熱性、寸法安定性、表面粗度等
が良好であることから、これらのうちではポリイミドを
用いることがより好ましい。

なお、Ｃｏ−Ｃｒ系合金から構成される磁性層は、磁気
特性向上のために熱処理が施されることが好ましいので
、この場合の基体２構成材質には１２０℃程度以上の加
熱に耐えられるものを選択することが好ましい。

基体２の形状はディスク状であってもテープ状であって
もよく、磁気記録媒体１の使用目的に応じて選定すれば
よい。

基体２のヤング率は、３００〜１００１００Ｏ／ｍｍ”
であることが好ましい。　ヤング率をこの範囲とするこ
とにより、耐久性が向上すると共にヘッドタッチが良好
となる。　ヤング率が上記範囲未満であると、ヘッドタ
ッチは良好であるが耐久性が低下する。　また、ヤング
率が上記範囲を超えると、耐久性は向上するがヘッドタ
ッチが悪化する。

基体２の表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、０．０２ｐ以下であ
ることが好ましい。　Ｒｍａｘがこの範囲であると、ヘ
ッドと媒体間で生じるスペーシングロスが減少し、記録
密度を高くすることができる。　　Ｒｍａｘが上記範囲
を超えると、十分な記録密度を得ることが困難である。

上記のようなＲｍａｘは、基体２の両面で実現している
ことが好ましいが、少なくとも磁性層設層面で実現して
いれば上記の効果は得られる。

なお、基体２中には、必要に応じ摩擦係数低減のために
フィラー゛が含有されていてもよい。

基体２をディスク状とする場合、その直径は用途に応じ
て適当な値を選択すればよく、通常、５０〜１３０ｍｍ
程度である。　また、基体２の厚さは、７〜８０μｍ程
度、より詳細にはフロッピーディスクとして用いる場合
２０〜５０ＩＬｍ程度、磁気テープとして用いる場合７
〜１５μｍ程度である。

基体２上には、再生出力の向上のために、Ｎｉ−Ｆｅ合
金を含有する軟磁性膜３が設けられる。

Ｎｉ−Ｆｅ合金のＮｉ含有量に特に制限はないが、Ｎｉ
含有量が６０〜９５ｗｔ％であると、本発明に特に好適
な磁気特性が得られる。

本発明において軟磁性膜は、ＮｉおよびＦｅを合計で９
９．９ｗｔ％以上含有し、残部が実質的にＳＬおよび／
またはＡｌ１とされる。　なお、Ｓｉおよび／またはＡ
ｌ２は、残部の５０ｗｔ％以上を占めていることが好ま
しい。

なお、軟磁性膜には、必要に応じ、さらにＴｉ、Ｍｎ、
Ｃｕ％Ｔａ、０％　Ｏ％Ｎ％Ａｒ。

Ｃａ、Ｃｒ等が含有されていてもよい。

軟磁性膜３の面内方向の保磁力は、６〜２０Ｏｅである
ことが好ましい。　保磁力がこの範囲内であると、高い
再生出力が得られると共にモジュレーションが２０％以
下に向上する。

保磁力が上記範囲未満となると再生出力は向上するがモ
ジュレーションが大きくなり、上記範囲を超えるとモジ
ュレーションは小さくなるが再生出力が低下してしまう
。

軟磁性膜３の膜厚は０．１〜１．０−であることが好ま
しい。　膜厚がこの範囲未満であると生産性は向上する
が十分な再生出力が得られず、この範囲を超えると再生
出力は高くなるが、成膜に時間を要し生産性が低下する
。

本発明において、軟磁性膜３はスパッタ法、特にマグネ
トロンスパッタ法により成膜されることが好ましい。

本発明では、軟磁性膜３をスパッタ法で成膜するに際し
、雰囲気中の酸素分圧を１．０×１０−”　〜２．ＯＸ
　１０−３Ｐａとする。

酸素分圧がこの範囲を外れると媒体の反りが臨界的に増
大し、記録密度および耐久性が低下する。

そして本発明では、このような酸素分圧下にて、Ｎｉお
よびＦｅを合計で９９．９ｗｔ％以上含有し、残部が実
質的にＳｉおよび／またはＡｌ１である合金ターゲット
を用いてスパッタを行なう。　合金中の好ましいＮｉ含
有量は、上記した軟磁性膜におけるＮｉ含有量と同範囲
である。

ターゲット中のＮｉおよびＦｅの合計含有量が上記範囲
未満であると、反りが小さい範囲、すなわち上記範囲の
酸素分圧にて成膜したときに上記のような保磁力が得ら
れず、媒体の電磁変換特性が不十分となる。

軟磁性膜３を成膜するに際し、酸素分圧およびターゲッ
ト以外は通常の条件であってよい。

例えば、Ａｒガス分圧は１．０×１０”’〜３．０×Ｉ
Ｏ−’Ｐａ程度、特に１．０×１０−’〜２．Ｑｘ　１
０−’Ｐａ程度である。

磁性層４は、膜面と垂直方向に磁化容易軸を有するＣｏ
−Ｃｒ系合金の垂直磁化膜である。

Ｃｏ−Ｃｒ系合金としては、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｂ合金、Ｃｏ　−Ｃｒ　−Ｍ　ｎ合金、Ｃｏ　−Ｃ
ｒ　−Ｍ　ｎ　−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ−５１−ＡＩ２．合金等が好ましい。

なお、Ｃｏ−Ｃｒ系合金中のＣｒ含有率は、１６〜２３
ａｔ％程度であることが好ましい。

また、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の他、Ｃｏ−Ｖ系合金も用いる
ことができる。

なお、これら合金には、必要に応じ、０、Ｎ％Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｍｎ５Ａｒ等が含有されていてもよい。

磁性層４の垂直方向保磁力は４００Ｏｅ以上であること
が好ましい。　垂直方向保磁力がこの範囲未満であると
、再生出力が不十分である。　なお、垂直方向保磁力の
上限は特にないが、通常１５００Ｏｅ程度まで容易に製
造することができる。

磁性層４の厚さは０．０５〜０．２μｍであることが好
ましい。　厚さがこの範囲未満であると再生出力が低下
し、Ｓ／Ｎが低下する。

また、この範囲を超えると記録密度が低下し、例えば記
録密度（Ｄ、。）が１００　ＫＦＲＰＩに達しない。

磁性層は、スパッタ法、特にマグネトロンスパッタ法に
より成膜されることが好ましい。

スパッタ法による磁性層の成膜はＡｒ雰囲気中で行なわ
れる。

スパッタ条件は上記した軟磁性膜の場合と同様とするこ
とが好ましく、高い生産性を得るためには、軟磁性膜と
磁性層とを同一真空槽内で連続して形成することが好ま
しい。

なお、両面記録型の媒体を製造する際には、まず基体両
面に軟磁性膜を形成し、次いで軟磁性膜の表面に磁性層
を形成することが好ましい。

用いるターゲットに特に制限はなく、目的とする磁性層
組成に対応する組成のターゲットを用いればよい。

固体保護層５は、金属または半金属から選択される２種
以上の元素と、ＯおよびＮとを含有し、通常、非晶質状
態にある。

本発明において、固体保護層５表面は、水との接触角が
８０°以下であることが好ましく、より好ましくは６０
”以下、さらに好ましくは４０’以下とされる。

水との接触角をこのような範囲とすることにより、潤滑
膜６の成膜を均一に行なうことができる。　特に、潤滑
膜を構成する有機化合物が液状である場合や、極性基、
親水性基、親水性部分などを有する場合、このような効
果はより顕著となる。　なお、固体保護層５の水との接
触角は、通常８°程度以上である。

水との接触角は、例えば、固体保護層表面に純水を滴下
して３０秒後に測定すればよい。　測定雰囲気は、１８
〜２３℃、４０〜６０％ＲＨ程度である。

固体保護層５に含有される金属または半金属としては、
Ｙを含む希土類元素（Ｙ、ランタノイド元素およびアク
チノイド元素を意味し、以下、Ｒと略称する。）、Ｓｉ
、ＡＪ２、Ｔｉ、ＺｎおよびＢが好ましく、これらのう
ちＲおよびＳｉを必須とするかＳｉおよびＡＩ２を必須
として固体保護層５に含有させることが好ましい。

また、これらの元素の他、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ａｒ、Ｍｎ等が全体の１ａｔ％以下程度含有されて
いてもよい。

さらに詳述すると、固体保護層５の組成は、下記の組成
Ｉまたは組成Ｈの範囲から選択することが好ましい。

組ＪＬＬ［金属または半金属としてＳＬおよびＡεを必
須とするもの］ ＳｉおよびＡＪ２は、通常、酸化物および窒化物の形で
含有される。

固体保護層５中の上記化合物は、その組成において化学
量論的な組成比を外れていてよい。

これらの元素と酸素および窒素とを含有することにより
、耐食性が向上する。

組成工における固体保護層５中の各元素の含有率は、下
記の範囲であることが好ましい。

Ｓ　ｉ　：　２０〜８０ａｔ％、 より好ましくは４０〜７０ａｔ％。

Ａ１：１〜３０ａｔ％　、 より好ましくは２〜１０ａｔ％。

Ｏ：２〜３０ａｔ％、 より好ましくは２〜２０ａｔ％。

Ｎ：５〜４５ａｔ％、 より好ましくは１５〜３５ａｔ％。

このような組成の固体保護層には、さらにＲが含有され
ることが好ましい。

Ｒとしては、Ｙおよびランタノイド元素が好ましい。

Ｒの含有率は、保護層中に含有されるＲ以外の金属また
は半金属元素と、０およびＮとの合計を１００ａｔ％と
したとき、好ましくは１〜１０ａｔ％、より好ましくは
２〜８ａｔ％である。

このような含有率にてＲを含有することにより、耐久性
、耐候性および耐食性がさらに向上し、特に耐久性は極
めて高いものとなる。

この組成におけるＲとしては、Ｙ、Ｌａ。

Ｃｅ％Ｐｒ、Ｎｄ％ＳｍおよびＥｕからなる群から選ば
れた元素の１種以上であることが好ましく、特にＹを必
須とすることが好ましい。　Ｒ中のＹの比率は、５０％
以上であることが好ましい。

このとき耐久性、耐候性、耐食性等の面でより良好な結
果が得られる。

また、固体保護層５をスパッタ法により形成する際に、
用いるターゲットにこれらの元素を含有させることによ
り緻密なターゲットが得られ、その結果、ターゲットの
冷却効率が向上し、スパッタ時の輻射熱が抑えられる。

Ｒは、固体保護層５中にて元素単体あるいは化合物いず
れの形で含有されてもよい。　化合物として含有される
場合は、通常、酸化物の形で含有されることが好ましい
。

」産生［金属または半金属としてＲおよびＳｉを必須と
するもの］ この組成におけるＲとしては、少なくともＬａおよびＣ
ｅのうち一種以上が含まれることが好ましい。

ＬａおよびＣｅは、通常、酸化物として含有される。　
これらの酸化物の化学量論組成はそれぞれＬａ２０−お
よびＣｅ　Ｏ２であるが、これらから偏奇したものであ
ってもよい。

ＣｅおよびＬａのはいずれか一方であってもよく、両者
が含有されてもよいが、両者が含有される場合、その量
比は任意である。

また、Ｌａおよび／またはＣｅの他、Ｙを含む他の希土
類元素、例えばＹ、Ｅｒ等が含有されていてもよいが、
Ｒ中のＬａおよび／またはＣｅの比率は５０％以上であ
ることが好ましい。

固体保護層Ｓ中には、希土類元素の酸化物に加え、Ｓｉ
が含有される。

ＳＬは、通常、酸化物および窒化物として含有されるが
、化学量論組成から偏奇していてもよい。

組成Ｈにおける固体保護層５中の各元素の含有率は、下
記の範囲であることが好ましい。

Ｓ　　ｉ　　：　　１　０〜８　０ａｔ％　。

より好ましくは２０〜６０ａｔ％。

０　：　１０〜８０ａｔ％、 より好゛ましくは１５〜６０ａｔ％。

Ｎ：２〜６０ａｔ％、 より好ましくは３〜５０ａｔ％。

そして、Ｒの含有率は、保護層中に含有されるＲ以外の
金属または半金属元素と、ＯおよびＮとの合計を１００
ａｔ％としたとき、好ましくは１〜１０ａｔ％、より好
ましくは２〜８ａｔ％である。

このような含有率にてＲを含有することにより、耐久性
、耐候性および耐食性が向上し、特に耐久性は極めて高
いものとなる。

固体保護層５中の各元素の含有率は、オージェ、ＥＳＣ
Ａ％ＳＩＭＳ等によって測定すればよい。

このような組成を有する固体保護層５の設層は気相成膜
法により行なうことが好ましく、特にスパッタ法を用い
ることが好ましい。

スパッタ法としては、上記組成の焼結体をターゲットと
して用いてもよく、また、２種以上のターゲットを用い
る多元スパッタを用いてもよい。　さらに、反応性スパ
ッタを用いることもできる。

なお、希土類元素としてＬａおよび／またはＣｅを含有
させる場合、スパッタターゲットの少なくとも一部とし
て、発火合金であるアラニルメタル、ヒユーバーメタル
、ミツシュメタル、ウエルスバッハメタル等の酸化物を
用いることもできる。

また、固体保護層５の設層には、その他の気相成膜法、
例えばＣＶＤ法、蒸着法、イオンブレーティング法等を
適・宜用いることも可能である。

固体保護層５は、十分な耐久性を確保するたメニヒッカ
ース硬度が７００以上であることが好ましいが、上記し
たような組成を選択すれば、７００以上のビッカース硬
度が容易に得られる。　特にＲを含有する場合、１００
０以上のビッカース硬度を得ることもできる。

固体保護層５の厚さは、３０〜２００人、特に３０〜１
００人とすることが好ましい。　厚さが上記範囲未満で
あると保護効果が不十分で。

あり、上記範囲を超えるとスペーシングロスが増加して
記録密度を向上させることができない。

このような固体保護層上には、潤滑膜６が設けられるこ
とが好ましい。

潤滑膜は有機化合物を含有することが好ましい。

用いる有機化合物に特に制限はなく、また、液体であっ
ても固体であってもよく、フッ素系有機化合物、例えば
欧州特許公開第０１６５６５０号およびその対応日本出
願である特開昭６１−４７２７号公報、欧州特許公開第
０１６５６４９号およびその対応日本出願である特開昭
６１−１５５３４５号公報等に記載されているようなパ
ーフルオロポリエーテル、あるいは公知の各種脂肪酸、
各種エステル、各種アルコール等から適当なものを選択
すればよい。

潤滑膜の成膜方法に特に制限はなく、塗布法等を用いれ
ばよい。

潤滑膜の表面は、水との接触角が７０”以上、特に９０
°以上であることが好ましい。

このような接触角を有することにより、磁気ヘッドと磁
気ディスクとの吸着が防止され、高い走行安定性が得ら
れる。

潤滑膜６の膜厚は５〜５０人、特に１０〜４０入である
ことが好ましい。　膜厚がこの範囲未満であると潤滑効
果が不十分であり、この範囲を超えるとかえって摩擦を
増加させてしまう。

以上に説明したような構成を有する本発明の磁気記録媒
体は、垂直磁気記録媒体として、フロッピーディスク、
ハードディスク、磁気テープなどに適用される。

また、本発明の磁気記録媒体の記録再生に用いられる垂
直記録型磁気ヘッドに特に制限はないが１本発明の磁気
記録媒体は薄膜型垂直磁気ヘッドと組合せて使用した場
合に、特にヘッド摩耗防止効果を発揮する。　薄膜型磁
気ヘッドとしては、ＡＩ２□Ｏ，−Ｔｉｃ等のセラミク
ス製基体上にＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系アモルファス等の金属
製磁極を形成し、さらにＡ　、Ａ　ｚ　Ｏｓ等の無機保
護膜を被覆したものを用いることが好ましい。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

（実施例１） 第１図に示す構成の磁気記録媒体において、軟磁性膜の
成膜条件を変え、種々のサンプルを作製した。

厚さ４０ＬＬｍ、ヤング率９００　ｋｇｆ／ｍｍ２　　
表面粗さ（Ｒｍａｘ　）　０．０１５　μｍのポリイミ
ド基体の両生面上に、下記ターゲットＡ、ＢまたはＣを
用いてＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ０．５μ
ｍの軟磁性膜を成膜した。

ターゲットＡ ３０ｗｔ％Ｎ１−ＦＢを９９．９９ｗｔ％含有し、残部
ＳｉおよびＡｌ ターゲットＢ ８０ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅを９９．９ｗｔ％含有し、残部Ｓ
ｉおよびＡｎ ターゲットＣ ７９ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅ−５ｗｔ％Ｍｏを９９．９９ｗｔ
％含有し、残部ＳｉおよびＪ２ 成膜は、酸素と１．５Ｘ１０−’ＰａのＡｒとを含む雰
囲気中にて行ない、酸素分圧を０．　５〜２．８Ｘ１０
−３Ｐａの範囲で変更することにより種々の軟磁性膜を
形成した。

軟磁性膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により２０
ａｔ％Ｃｏ−Ｃｒ合金の磁性層を厚さ０．２戸に形成し
た。

成膜時の雰囲気は、軟磁性膜形成の際と同様とした。

さらに、磁性層上に、６０Ｓｉ−８Ａｊ−１００−２２
Ｎ−４Ｙ（ただし、数字は原子比率を表わす。）の組成
を有する固体保護層を、ｌＸｌ０−’ＰａのＡｒ雰囲気
中でＲＦマグネトロンスパッタ法により厚さ０．０１−
に形成した。

次いで、基体を直径８６ｍｍのディスク状に打ち抜いた
後、フッ素系有機化合物を含有する溶液をスピンコード
法により厚さ２０人に成膜して潤滑膜とし、磁気ディス
クサンプルを得た。

得られた各サンプルについて、下記の測定を行なった。

（軟磁性膜の面内方向保磁力） Ｂ−Ｈループトレーサーを用い、印加磁界強度５０Ｏｅ
にて測定した。

（磁性層の保磁力） 振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用い、印加磁界強度１０
ｋＯｅにて測定した。

なお、測定は、基体および軟磁性膜をそれぞれヒドラジ
ンおよびＦ、ｅＣｌｓによりエツチングした後に行なっ
た。

（反り） 磁気ディスクサンプルを平板上に載置し、ディスク外縁
部の２箇所で平板との距離を測定し、これらの相加平均
を算出した。　なお、２箇所の測定位置はディスク中心
に対して対称にとった。

このようにして求められた相加平均の最大値をカールハ
イトとした。

第２図に、軟磁性膜成膜時の酸素分圧とカールハイトと
の関係を表わすグラフを示す。

また、第３図に、軟磁性膜成膜時の酸素分圧と軟磁性膜
形成力との関係を表わすグラフを示す。

第２図に示されるように、軟磁性膜を１．０ｘ１ｏ−”
　〜２．０×１０−３Ｐａの酸素分圧にて成膜すれば、
ターゲットＡ、ＢおよびＣのいずれを用いた場合でもカ
ールハイトは１．Ｑｍｍ以下であり、実用上問題は生じ
ない。　そして、この酸素分圧範囲を外れるとカールハ
イトは急激に増加してしまう。

そして、このような酸素分圧範囲で成膜した場合に、６
〜２０Ｏｅの保磁力を得るためには、第３図に示される
ように、Ｎ　１−Ｆｅ合金を９９．９％以上含有するタ
ーゲットＡまたはＢを用いる必要がある。

（実施例２） 実施例１で作製したサンプルのうち、下記表１に示すサ
ンプルを選択し、垂直磁気記録における記録密度の測定
を行なった。　各サンプル作製に用いたターゲット、軟
磁性膜成膜時の酸素分圧、カールハイト、軟磁性膜の面
内方向保磁力、磁性層垂直方向保磁力を、表１に示す。

測定には、Ａ　Ｉ２２０　ｓ　−Ｔ　ｉ　Ｃ基体上にＣ
ｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス磁極およびＡ　Ｉ２ｚ　Ｏ
ａ保護膜をスパッタ法により形成した主磁極励磁型単磁
極薄膜磁気ヘッドを用いた。

なお、磁気磁極厚は０．２Ｉｕａ、トラック幅は８０７
ｍとした。

測定に際しては、第４図に示すように磁気ヘッド接触部
近傍にてディスクを下側から一対のパッドで支持した。

　両パッドのディスク側表面が構成する平面に対する磁
気ヘッドフロント面の侵入量りを、磁気ヘッドとディス
クとが安定して接触するように各サンプルのそれぞれに
ついて調整した。　各サンプルのＬ値を表１に示す。

記録密度は、再生出力が初期出力の５０％になる値Ｉ）
ｓｏで評価した。

結果を、表１に示す。

表１に示される結果から、同等の記録密度を得るために
は、カールハイトが大きいほどＬを大きくしなければな
らないことがわかる。

すなわち、カールハイトが大きいと、Ｌを大きくしなけ
れば磁気ヘッドとディスクとが安定して接触しないため
、安定した出力が得られない。

次に、表１に示す各サンプルについて、上記磁気ヘッド
により記録密度１００　ｋＰＣＩにて繰り返し記録再生
を行なった。　なお、各サンプルの記録再生に際し、Ｌ
は表１と同じ値とした。

第５図に、パス数と平均再生出力との関係を示す。

第５図に示される結果から、本発明の効果が明らかであ
る。

すなわち、カールハイトの大きいサンプルは所定の記録
密度を得るためにＬを大きくしなければならないが、Ｌ
が大きいと耐久性が低下してしまう。　本発明によれば
カールハイトの小さいサンプルが得られるので、Ｌを大
きくする必要がなく、耐久性の高い磁気ディスクが得ら
れる。

〈発明の効果〉 本発明によれば、反りが少なく、しかも電磁変換特性の
良好な磁気記録媒体が実現する。

また、本発明の磁気記録媒体は、耐久性、耐候性および
耐食性が良好で、さらに磁気ヘッドの摩耗を少なくする
ことができる。

従って、本発明は、高密度記録を行なう垂直磁気記録媒
体に適用した場合に顕著な効果を発揮する。

４、

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気記録媒体の好適実施例を示す部
分断面図である。 第２図は、軟磁性膜成膜時の酸素分圧とカールハイトと
の関係を表わすグラフである。 第３図は、軟磁性膜成膜時の酸素分圧と軟磁性膜保磁力
との関係を表わすグラフである。 第４図は、本発明の磁気記録媒体に薄膜型垂直磁気ヘッ
ドにより記録を行なう際の説明図である。 第５図は、記録再生バス数と平均再生出力との関係を示
すグラフである。 符号の説明 ｌ・・・磁気記録媒体 ２・・・基体 ３・・・軟磁性膜 ４・・・磁性層 ５・・・固体保護層 ６・・・潤滑膜

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金を含有する軟磁性膜お
   よびＣｏ−Ｃｒ系合金を含有する磁性層を順次有する磁
   気記録媒体であって、 前記軟磁性膜がＮｉおよびＦｅを９９．９ｗｔ％以上含
   有し、残部が実質的にＳｉおよび／またはＡｌであるこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前記軟磁性膜の保磁力が６〜２０Ｏｅである請求
   項１に記載の磁気記録媒体。
3. （３）前記軟磁性膜の厚さが０．１〜１．０μｍである
   請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. （４）前記磁性層上に、固体保護層および潤滑膜を順次
   有する請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒
   体。
5. （５）前記固体保護層が、金属または半金属から選択さ
   れる２種以上の元素と、ＯおよびＮとを含有する請求項
   ４に記載の磁気記録媒体。
6. （６）基体上にＮｉ−Ｆｅ合金を含有する軟磁性膜およ
   びＣｏ−Ｃｒ系合金を含有する磁性層を順次有する磁気
   記録媒体の製造方法であって、 ＮｉおよびＦｅを９９．９ｗｔ％以上含有し、残部が実
   質的にＳｉおよび／またはＡｌであるターゲットを用い
   、酸素分圧１．０×１０＾−＾３〜２．０×１０＾−＾
   ３Ｐａにてスパッタ法により前記軟磁性膜を形成するこ
   とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
7. （７）前記軟磁性膜の厚さが０．１〜１．０μｍである
   請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。