JPH0376416A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はMO5構造を持つ半導体集積回路に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having an MO5 structure.
第2図は従来から用いられているCMO5構造のインバ
ータ回路で、図において、(1)はPチャネルトランジ
スタ、(2)はNチャネルトランジスタで、このトラン
ジスタ(11(2)により構成されている。(3)はイ
ンバータの入力、(4)はインバータの出力である。FIG. 2 shows an inverter circuit with a conventionally used CMO5 structure. In the figure, (1) is a P-channel transistor, (2) is an N-channel transistor, and this transistor (11 (2)) is constructed. (3) is the input of the inverter, and (4) is the output of the inverter.
次に動作について説明する。入力(3)にハイレベルの
電位(以下Hと記す)が入力されている場合。Next, the operation will be explained. When a high level potential (hereinafter referred to as H) is input to input (3).
Pチャネルトランジスタ(以下Pch )ランジスタと
記す)(1)は0FFL、Nチャネルトランジスタ(以
下Nch)ランジスタと記す)(2)がON t、て、
出力(4)にはローレベルの電位(以下りと記す)が出
力される。P-channel transistor (hereinafter referred to as Pch transistor) (1) is 0FFL, N-channel transistor (hereinafter referred to as Nch transistor) (2) is ON t,
A low level potential (hereinafter referred to as below) is output to the output (4).
入力(3)にLが入力されている場合、Nch トラン
ジスタ(2)はOFF L/、Pch)ランジスタ(1
)がONして、出力(4)にはHが出力される。When L is input to the input (3), the Nch transistor (2) is OFF.
) is turned on, and H is output to output (4).
入力(3)に中間電位が入力されている場合、 Nch
トランジスタ(2)、Pch トランジスタ(1)とも
にONしている状態となり、VccからGNDに貫通電
流が流れ、出力(4)はHになるかLになるかは不確定
になる。When the intermediate potential is input to input (3), Nch
Both transistor (2) and Pch transistor (1) are in an ON state, a through current flows from Vcc to GND, and it is uncertain whether the output (4) becomes H or L.
従来のMO5構造を持つ半導体集積回路は以上のように
構成されていたので、入力電圧が中間電位の場合、出力
がLかHかは不確定なので、中間電位であるということ
は判定することができず、また、中間電位の場合貫通電
流により電力を消費するという問題点があった。The conventional semiconductor integrated circuit with the MO5 structure was configured as described above, so if the input voltage is at an intermediate potential, it is uncertain whether the output is L or H, so it is impossible to determine that it is at an intermediate potential. Moreover, in the case of an intermediate potential, there is a problem that power is consumed due to a through current.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、中間電位であることを判定する半導体集積回
路を得ることを目的とする。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain a semiconductor integrated circuit that determines that the voltage is at an intermediate potential.
この発明に係る半導体集積回路は1MO5構造を持つ半
導体回路の入力端が、中間電位であることを判定できる
ようにしたものである。A semiconductor integrated circuit according to the present invention is capable of determining that the input terminal of a semiconductor circuit having a 1MO5 structure is at an intermediate potential.
この発明における判定回路は、MO5構造を持つ半導体
回路の入力端が、中間電位である時、それを検出し検出
信号を出力する。The determination circuit according to the present invention detects when the input terminal of the semiconductor circuit having the MO5 structure is at an intermediate potential and outputs a detection signal.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図において、Pch)ランジスタ(1)、Nchト
ランジスタ(2)により前記従来のものと同様インバー
タ回路を構成している。(3)はインバータ回路の入力
、(4)はインバータの回路出力、OI)はインバータ
回路の貫通電流を阻止するためのPChトランジスタ、
0目マ入力(3)が中間電位の時に出力(4)をLに固
定するためのNch hランジスタである。次に、従来
回路の入力(3)をゲート入力とする(5)は判定回路
のPch )ランジスタ、(6)は判定回路のNch
)ランジスタ、(7)は判定回路を流れる電流を制御す
るプルアップ抵抗、(8)は判定回路を流れる電流によ
る電圧降下を検出するインバータ、(9)は判定回路の
出力で、(1Gはインバータ(8)の入力である。In FIG. 1, a Pch transistor (1) and an Nch transistor (2) constitute an inverter circuit similar to the conventional one. (3) is the input of the inverter circuit, (4) is the inverter circuit output, OI) is the PCh transistor for blocking the through current of the inverter circuit,
This is an Nch h transistor for fixing the output (4) to L when the 0th input (3) is at an intermediate potential. Next, the input (3) of the conventional circuit is the gate input, (5) is the Pch transistor of the judgment circuit, and (6) is the Nch transistor of the judgment circuit.
) transistor, (7) is a pull-up resistor that controls the current flowing through the judgment circuit, (8) is an inverter that detects the voltage drop due to the current flowing through the judgment circuit, (9) is the output of the judgment circuit, (1G is the inverter This is the input of (8).
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
まず、従来回路の入力(3)が中間電位の場合について
説明する。Pch )ランジスタ(5)、 Nch )
ランジスタ(6)ともにONL、でいる状態となり、V
ccから抵抗(7)、Pchトランジスタ(5)、Nc
h )ランジスタ(6)を通ってGNDまで貫通電流が
流れ、この貫通電流により電圧降下が起こり、インバー
タ(8)の入力(101がLに引かれる。この時、Pc
h )ランジスタ(51、Nch トランジスタ(6)
のオン抵抗と抵抗(7)の抵抗分割により、入力00の
レベルが決定される。First, the case where the input (3) of the conventional circuit is at an intermediate potential will be described. Pch) transistor (5), Nch)
Both transistors (6) become ONL, and V
From cc to resistor (7), Pch transistor (5), Nc
h) A through current flows through the transistor (6) to GND, and this through current causes a voltage drop, and the input (101) of the inverter (8) is pulled to L. At this time, Pc
h) Transistor (51, Nch transistor (6)
The level of input 00 is determined by the on-resistance of and the resistance division of resistor (7).
このレベルはPch トランジスタ(5)がOFF シ
てしまわない値に選定し、インバータ(8)のしきい値
電圧は、このレベルをL入力と判定できる値に選定する
。このような回路構成にすることにより出力(9)。This level is selected to a value that does not turn off the Pch transistor (5), and the threshold voltage of the inverter (8) is selected to a value that allows this level to be determined as an L input. With this circuit configuration, output (9) is obtained.
はHとなる。出力(9)がHになることにより、Pch
トランジスタθ1)、Nchトランジスタa枠のゲート
がHとなり、Pch )ランジスタ00はOFF L/
、 VccからPch )ランジスタ(1)、Nch
)ランジスタ(2)を通って、GNDに流れる貫通電
流を阻止し、Nch )ランジスタ02)がONするこ
とで、出力(4)がLに固定され、出力(4)がつなが
る次段のロジックの入力が安定する。次に、入力(3)
にLが入力されている場合を説明すると%Pch hラ
ンジスタ(5)はONfるが、Nch トランジスタ(
6)はOFF L/ているため、インバータ(8)の入
力α0はHが保持された状態となり、インバータ(8)
の出力(9)はLとなり、Pch )ランジスタ(10
はON% Nch )ランジスタαのはOFFとなり、
破線内のインバータ回路は単なるインバータとなる。becomes H. By the output (9) becoming H, Pch
The gates of transistor θ1) and Nch transistor a frame become H, and Pch) transistor 00 becomes OFF L/
, Vcc to Pch) transistor (1), Nch
) Blocks the through current flowing to GND through the transistor (2), turns on the Nch transistor (02), fixes the output (4) to L, and connects the next stage logic to which the output (4) is connected. Input becomes stable. Next, input (3)
To explain the case where L is input to %Pch h transistor (5) is ONf, but Nch transistor (
6) is OFF L/, the input α0 of the inverter (8) is held at H, and the inverter (8)
The output (9) becomes L, and the Pch) transistor (10
is ON% Nch) transistor α is OFF,
The inverter circuit within the broken line is simply an inverter.
入力(3)がHの時もLが入力されている時と同様Nc
h トランジスタ(6)はONするが、Pch )ラン
ジスタ(5)はOFF L/ているために、入力α印は
Hが保持された状態で、インバータ(8)の出力(9)
もLのままで、破線内のインバータ回路は単なるインバ
ータである。When input (3) is H, Nc is the same as when L is input.
The h transistor (6) is turned on, but the Pch transistor (5) is turned off, so the input α mark remains high and the output (9) of the inverter (8)
remains at L, and the inverter circuit within the broken line is simply an inverter.
以上のようにこの発明によれば、MOS半導体集積回路
が中間電位の時に流れる貫通電流を防ぐことができ1判
定回路の出力を観察することにより、中間電位を検出す
ることができる効果がある。As described above, according to the present invention, a through current can be prevented from flowing when the MOS semiconductor integrated circuit is at an intermediate potential, and the intermediate potential can be detected by observing the output of the 1 determination circuit.
第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路の回
路図、第2図は従来のCMOS構造を持つインバータ回
路の回路図である。
(11、(51はPチャネルMOS)ランジスタ、(2
1、(61はNチャネルMOSトランジスタ、(7)は
貫通電流を制御するプルアップ抵抗、(8)は貫通電流
により電圧降下を検出するインバータ、αυ、a別tト
ランジスタを示す。
なお。
図中、
同一符号は同一、
又は相当部分を
示す。FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of an inverter circuit having a conventional CMOS structure. (11, (51 is P channel MOS) transistor, (2
1, (61 is an N-channel MOS transistor, (7) is a pull-up resistor that controls the through current, (8) is an inverter that detects the voltage drop by the through current, and αυ and a t transistors are shown. , Same symbols indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
MOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタを
通した出力をゲート入力とするインバータの出力は、N
チャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトラン
ジスタのゲート入力が中間電位になったときのみ変化す
ることにより、中間電位を検出することを特徴とする半
導体集積回路。The output of an inverter whose gate inputs are the output from Vcc through a resistor and the output from GND through an N-channel MOS transistor and a P-channel MOS transistor is N.
A semiconductor integrated circuit characterized in that an intermediate potential is detected by changing only when the gate inputs of a channel MOS transistor and a P-channel MOS transistor reach an intermediate potential.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1213556A JPH0376416A (en) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1213556A JPH0376416A (en) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0376416A true JPH0376416A (en) | 1991-04-02 |
Family
ID=16641165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1213556A Pending JPH0376416A (en) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0376416A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060846A (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Kubota Corp | Transplanter |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213556A patent/JPH0376416A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060846A (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Kubota Corp | Transplanter |
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