JPH0373519A - Formation of polycrystalline silicon film on semiconductor substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高い電圧に耐えることのできるＬＳＩ等を製
造するに際し、その素子間を電気絶縁物によって電気的
に隔絶した所謂誘電体分離基板の支持層を形成したり、
単結晶Ｓｉ基板上に低抵抗の多結晶シリコン層（ポリシ
リコン歴）を形成してノイズによる素子破壊の防止を意
図する際等に要求される半導体基板上への多結晶シリコ
ン膜形成方法に関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a so-called dielectric isolation substrate in which the elements are electrically isolated by an electrical insulator when manufacturing an LSI etc. that can withstand high voltage. forming a supporting layer for
The present invention relates to a method for forming a polycrystalline silicon film on a semiconductor substrate, which is required when forming a low-resistance polycrystalline silicon layer (polysilicon layer) on a single-crystalline Si substrate to prevent element destruction due to noise.
（従来の技術）
半導体基板上に、多結晶シリコン膜を形成する従来法と
しては、所謂ＣＶＤ法が採択されていたが、同法による
ときは、大変な時間を要し、製品が高価となることから
、本願人は既に、スプレー法と称すべき以下の如き方法
を提案（特願平１−５０９８） している。(Prior art) The so-called CVD method has been adopted as a conventional method for forming a polycrystalline silicon film on a semiconductor substrate, but using this method takes a lot of time and makes the product expensive. Therefore, the applicant has already proposed the following method which should be called a spray method (Japanese Patent Application No. 1-5098).
すなわち、同上法は、第２図に示す如きスブレー装置＾
を用いて実施することができ、当該装置Ａは、全体が不
活性ガス雰囲気ｌに内設されており、上側に配設された
溶融槽２には、その下端にノズル等による噴出口２ａが
下向きに開口されており、この溶融４１１２に収納され
た多結晶シリコン３が、側傍の高周波加熱コイル等によ
る第１加熱源４によって加熱溶融可能となっていると共
に、溶融槽２の上側からは加圧不活性ガス５が付与され
、当該加圧によって溶融したシリコンが、上記の噴出口
２ａから下向きに噴射されるよう構成されている。In other words, the same law applies to the Sbrae device as shown in Figure 2.
The apparatus A is entirely installed in an inert gas atmosphere 1, and a melting tank 2 disposed on the upper side has a spout 2a such as a nozzle at its lower end. The polycrystalline silicon 3 stored in this melting tank 4112 can be heated and melted by a first heating source 4 such as a high-frequency heating coil located near the melting tank 2. A pressurized inert gas 5 is applied, and the silicon melted by the pressurization is jetted downward from the jet port 2a.
さらに同上装置Ａは、同じく不活性ガス雰囲気ｌ内にあ
って、上記溶融槽２の直下に、第２加熱源６によって加
熱自在としたターンテーブル７が配設され、当該テーブ
ル７上にあって、その回転軸心に半導体基板上を載置す
るのである。Furthermore, the same device A is also located in an inert gas atmosphere 1, and is provided with a turntable 7 that can be freely heated by a second heating source 6 directly below the melting tank 2, and is placed on the table 7. The semiconductor substrate is placed on the axis of rotation.
さらに、上記溶融槽２の外側には、これを支持する溶融
槽支持ｌｌ２ｂが被嵌され、その外側に加圧（圧縮）不
活性ガス８が流通する通隙路９だけ離して電気炉壁とし
ての有底外被筒ｌＯが被嵌されていると共に、これには
、その底部に所要数の噴気孔１０ａが開口され、開孔１
０ａの９気方向は噴出口２ａの軸心線直下へ指向させで
ある。Further, a melting tank support 112b is fitted on the outside of the melting tank 2 to support the melting tank 2, and a gap passage 9 through which pressurized (compressed) inert gas 8 flows is spaced apart from the outside of the melting tank support ll2b to serve as an electric furnace wall. A bottomed jacket cylinder lO is fitted therein, and a required number of fumarole holes 10a are opened at the bottom of this, and the openings 1
The 9 air direction of 0a is directed directly below the axis of the jet nozzle 2a.
ここで、実際上溶融槽２には、外径３０ｍｍ＋程度の石
英管を用いることができ、噴出口２ａの寸法は１ｍｍφ
とし、溶融槽支持筒２ｂはカーボン製で約ｅＯｍｍφ、
噴気孔１０ａは約３關φ程度で使用することができる。Here, in practice, a quartz tube with an outer diameter of about 30 mm+ can be used for the melting tank 2, and the size of the spout 2a is 1 mmφ.
The melting tank support cylinder 2b is made of carbon and has a diameter of approximately eOmmφ.
The fumarole 10a can be used with a diameter of approximately 3 mm.
そこで、上記のスプレー装置Ａを用いて前掲スプレー法
を実施するには、グラファイト製によるターンテーブル
７上に、半導体基板Ｂを載置し。Therefore, in order to carry out the above-mentioned spray method using the above-mentioned spray device A, the semiconductor substrate B is placed on the turntable 7 made of graphite.
低速回転を与える。Gives low speed rotation.
一方溶融槽２内は第１加熱源により１４００℃以上に加
熱され、この中には所望の多結晶シリコン膜を形成する
のに必要なシリコン粒を入れておくのであり、この際例
えば、直径４インチの半導体基板上に約５００ｐ腸の多
結晶シリコン膜を形成するためには、上記シリコン粒を
１０〜１５ｇ用意することとなり、当該シリコン粒は１
４５０℃にて溶融される。On the other hand, the inside of the melting tank 2 is heated to 1400° C. or higher by a first heating source, and silicon grains necessary to form a desired polycrystalline silicon film are placed in this melting tank 2. In order to form a polycrystalline silicon film of about 500p on an inch-inch semiconductor substrate, 10 to 15g of the silicon particles described above must be prepared.
It is melted at 450°C.
上記シリコン粒３は、完全に溶融されて溶融槽２の噴出
口２ａから、不活性ガス５によって押し出されることと
なるが、もちろんこの押出しは、シリコン粒が全部溶融
してしまってからでも、一部溶融しながら行うようにし
てもよい。The silicon grains 3 will be completely melted and extruded from the spout 2a of the melting tank 2 by the inert gas 5, but of course this extrusion will not be possible even after all the silicon grains have been melted. It may be carried out while partially melting.
噴出口２ａから押出されてきた溶融シリコンは、通隙路
８に供給された加圧不活性ガス８によって微細化され、
この霧状となった溶融シリコンが。The molten silicon extruded from the spout 2a is atomized by the pressurized inert gas 8 supplied to the gap path 8.
This molten silicon becomes atomized.
半導体基板Ｂ上に堆積されることとなり、これが冷却固
化することで、固化した多結晶シリコン膜Ｓが得られる
。It will be deposited on the semiconductor substrate B, and by cooling and solidifying it, a solidified polycrystalline silicon film S is obtained.
この際、ターンテーブル７は、多結晶シリコン膜の膜厚
を均一化するため回転が与えられ、もちろん所望の層厚
にしたければ、これに必要な量だけのシリコンを溶融し
、これをスプレーすることになるが、前記のシリコン粒
を溶融槽２に投入してから固化した多結晶シリコン膜Ｓ
が形成されるまでの時間は１乃至５分程度である。At this time, the turntable 7 is rotated to make the thickness of the polycrystalline silicon film uniform.Of course, if you want to achieve the desired layer thickness, you can melt and spray the required amount of silicon. However, the polycrystalline silicon film S solidified after the silicon grains are put into the melting tank 2
It takes about 1 to 5 minutes to form.
さらに、同上図にあっては、不活性ガス雰囲気１を形成
するためのステンレス鋼製としたチャンバーに、不活性
ガスＧを給送するだけでなく、別途真空ポンプＰを連結
しておき、これを稼動させることによって不活性ガスＧ
によりチャンバー内を置換し、当該チャンバー内の圧力
を１００Ｔｏｒｒ未満程度に保持し得るようにしである
。Furthermore, in the same figure, in addition to supplying the inert gas G to the chamber made of stainless steel for forming the inert gas atmosphere 1, a vacuum pump P is also connected separately. By operating the inert gas G
This is to replace the inside of the chamber so that the pressure inside the chamber can be maintained at about less than 100 Torr.
従って、上記真空ポンプＰを稼動させれば、不活性ガス
雰囲気１は減圧状態となるので、半導体基板Ｂ対する溶
融シリコンの漏れが悪くとも、両者に不活性ガスが侵入
せず、これによって、多結晶シリコン膜Ｓ内にピンホー
ルが発生することを抑止し得ることとなる。Therefore, when the vacuum pump P is operated, the inert gas atmosphere 1 is brought into a reduced pressure state, so even if the molten silicon leaks to the semiconductor substrate B, the inert gas will not infiltrate both of them, thereby preventing the inert gas from entering the semiconductor substrate B. This makes it possible to prevent pinholes from forming within the crystalline silicon film S.
尚、チャンバー内は単に真空にしてもよい。Note that the inside of the chamber may be simply evacuated.
また、上記のように半導体基板Ｂ上に直接溶融シリコン
をスプレーするのではなしに、当該基板８に予めＣＶＤ
法による多結晶シリコンや窒化シリコン等の薄膜である
下地を、数千Ａかも数角口厚程度だけ改暦しておき、当
該薄膜上に、上記のスプレー法による多結晶シリコン膜
を形成するようにしてもよく、このようにすることで、
前者の方法の如く半導体基板Ｂの表面に溶融シリコンが
直接触れることかないため、温度差による半導体基板Ｂ
への熱歪発生といった支障を解消できて望ましい。Moreover, instead of spraying molten silicon directly onto the semiconductor substrate B as described above, the substrate 8 may be coated with CVD in advance.
The base layer, which is a thin film of polycrystalline silicon or silicon nitride, etc., is prepared by a thin film such as polycrystalline silicon or silicon nitride, which is made by the above-mentioned spraying method, and then modified by a thickness of several thousand amps or a few square feet, and then a polycrystalline silicon film is formed by the above-mentioned spray method on the thin film. By doing this,
Since the molten silicon does not come into direct contact with the surface of the semiconductor substrate B as in the former method, the semiconductor substrate B due to the temperature difference
This is desirable because it can eliminate problems such as thermal distortion.
ここで、上記スプレー法では、第２図に示した噴気孔１
０ａによって溶融シリコン３を単なるスプレー粒子では
なく、更に微細化して霧状にスプレーするようにしてい
るが、もちろん噴出口２ａから、そのまま単なるスプレ
ー粒子として噴出するようにしてもよい。Here, in the above spray method, the fumarole 1 shown in FIG.
0a, the molten silicon 3 is not simply sprayed particles, but is further made finer and sprayed in the form of a mist, but of course, it may be ejected directly from the spout 2a as mere spray particles.
本発明は、以上の如きスプレー法、すなわち、常圧また
は減圧下の不活性ガス雰囲気内にて、回転する半導体基
板上に、溶融シリコンを当該半導体基板の略回転軸線上
に臨設した噴出口から、そのまま、または加圧不活性ガ
スによって霧状に微細化してスプレーすることにより、
所要厚さの溶融シリコン層を形成した後、これを冷却固
化して多結晶シリコン膜を形成するようにした方法の改
良に関する。The present invention uses the above-described spray method, that is, in an inert gas atmosphere under normal pressure or reduced pressure, molten silicon is sprayed onto a rotating semiconductor substrate from a spout provided approximately on the axis of rotation of the semiconductor substrate. , either as is or by atomizing and spraying with pressurized inert gas.
The present invention relates to an improvement in a method in which a molten silicon layer of a required thickness is formed and then cooled and solidified to form a polycrystalline silicon film.
上記の如きスプレー法によるときは、前掲第２図に示し
たように、ターンテーブル７の回転軸線上に噴出口２ａ
、が存し、かつ噴気孔１０ａがない場合はもちろんのこ
と、ある場合でも、噴出Ｑ２ａの先端に図示の如く溶融
シリコンによる液だれ３ａが生じ易く、この結果巨大径
のまま、スプレー粒子がその直下、すなわち半導体基板
Ｂ上の略中央部にスプレーされてしまい、このことが、
多結晶シリコン膜の均一な形成を阻害するばかりか、単
結晶である当該半導体基板Ｂ中に、大きな温度差を生じ
させ、同上基板Ｂに反りや結晶欠陥を生じさせることと
なり、さらには当該基板Ｂ中に予め施しておいたデイバ
イスの特性を劣化させてしまうといった原因になってい
る。When using the spray method as described above, as shown in FIG.
, and there is no fumarole 10a, of course, but even if there is, a drip 3a of molten silicon is likely to occur at the tip of the jet Q2a as shown in the figure, and as a result, the spray particles remain large in size and are It is sprayed directly below, that is, approximately at the center of the semiconductor substrate B, and this causes
This not only hinders the uniform formation of a polycrystalline silicon film, but also causes a large temperature difference in the semiconductor substrate B, which is a single crystal, which causes warping and crystal defects in the substrate B. This causes deterioration of the device characteristics that have been applied in advance during B.
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上記液だれによる各種欠陥の発生に鑑み、前
記の溶融槽が有する噴出口に対して超音波等による所要
の小振幅振動を付与することで、上記液だれの発生を完
全に解消し、多結晶シリコン膜の形成にあたって、スプ
レー粒子径の均一化を計り、これにより同上シリコン膜
厚を均一に形成すると共に、結晶欠陥やデイバイスの特
性劣化といった問題に解決を与えようとするのが、その
目的である。(Problems to be Solved by the Invention) In view of the occurrence of various defects due to the above-mentioned dripping, the present invention provides a solution by applying a required small amplitude vibration using ultrasonic waves or the like to the jet nozzle of the above-mentioned melting tank. By completely eliminating the above-mentioned dripping, and by making the spray particle diameter uniform when forming a polycrystalline silicon film, we can form the same silicon film with a uniform thickness, and also solve problems such as crystal defects and deterioration of device characteristics. Its purpose is to provide a solution to the problem.
（課題を解決するための手段）
本願は上記の目的を遠戚するため、請求項（１）では常
圧または減圧下の不活性雰囲気内にて、回転する半導体
基板上、溶融シリコンを当該半導体基板の略回転軸線上
に臨設した噴出口から、そのまま、または加圧不活性ガ
スによって霧状に微細化してスプレーすることにより、
所定厚さの溶融シリコン層を形成した後、これを冷却固
化して多結晶シリコン膜を形成するようにした方法にお
いて、上記噴出口に対して、超音波等所望の周波数にし
て、上記噴出口からのスプレー方向を太きく変動させる
ことのない小振幅の振動が付与されるようにしたことを
特徴とする半導体基板上に多結晶シリコン膜を形成する
方法を提供しようとしており、さらに請求項（２）では
噴出口に付与される振動が、当該噴出口を下端に開口し
、溶融シリコンが貯留される溶融槽に付設された超音波
振動子によって付与されることをその内容としてい（作
用）
請求項（１）によるときは、ノズル等の溶融シリコン噴
出口に超音波等の小振幅による振動が付加されるので、
これにより噴出口の先端に生じようとする溶融シリコン
の液だれか、当該噴出口先端の細かい振動によりシリコ
ン細粒子として飛散されてしまい、溶融シリコンが噴出
口から単に噴出される場合でも液だれか抑制され、噴気
孔からの不活性ガス噴出によるスプレー粒子の微細化が
施される場合は、より一層液だれの発生が抑止され、こ
れにより半導体基板上へのスプレー粒子はその径が均一
化され、また、振動の振幅も大きくないので、スプレー
粒子が大幅に半導体基板外へスプレーされてしまうとい
った支障もない。(Means for Solving the Problems) Since the present application is distantly related to the above-mentioned object, in claim (1), molten silicon is transferred onto a rotating semiconductor substrate in an inert atmosphere under normal pressure or reduced pressure. By spraying it directly or after atomizing it into a mist using pressurized inert gas from a jet nozzle installed approximately on the axis of rotation of the substrate,
In a method in which a molten silicon layer of a predetermined thickness is formed and then cooled and solidified to form a polycrystalline silicon film, a desired frequency such as ultrasonic waves is applied to the jet nozzle, and The present invention seeks to provide a method for forming a polycrystalline silicon film on a semiconductor substrate, characterized in that small-amplitude vibrations are applied without greatly changing the direction of spray from the substrate. In 2), the vibration applied to the jet nozzle is applied by an ultrasonic vibrator attached to a melting tank in which the jet nozzle is opened at the lower end and molten silicon is stored. ) According to claim (1), since small amplitude vibrations such as ultrasonic waves are applied to the molten silicon spout such as a nozzle,
As a result, the molten silicon liquid that is about to form at the tip of the spout is scattered as fine silicon particles by the fine vibrations of the tip of the spout, and even if the molten silicon is simply spouted from the spout, the liquid is If this is suppressed and the spray particles are made finer by ejecting inert gas from the fumarole, the occurrence of dripping will be further suppressed, and the diameter of the spray particles on the semiconductor substrate will be made uniform. Furthermore, since the amplitude of the vibration is not large, there is no problem that the spray particles are sprayed outside the semiconductor substrate to a large extent.
（実 施 例）
本発明につき、第１図に示したスプレー方向Ｃを用いる
場合につき詳記すれば、当該スプレー装置Ｃも、前記第
２図のものと近似しており、同一部材については、同一
符合をもって示しているが、相違点は、振動源１１が付
加されていることにある。(Embodiment) To describe in detail the case where the spray direction C shown in FIG. 1 is used according to the present invention, the spray device C is also similar to that shown in FIG. 2, and regarding the same members, Although shown with the same reference numerals, the difference is that a vibration source 11 is added.
すなわち１図示例では振動源１１として超音波振動子が
用いられ、これが溶融槽２の上端開口縁から突出した上
端部２ｂ上に載設してあり、当該振動子としては周波数
１９．１５Ｈｚ 、 ４５０Ｗ程度のものを採択するこ
とができる。That is, in the illustrated example, an ultrasonic vibrator is used as the vibration source 11, and this is placed on the upper end portion 2b protruding from the upper opening edge of the melting tank 2, and the vibrator has a frequency of 19.15 Hz and 450 W. It is possible to adopt one with a certain degree.
本発明では、上記振動［１１を稼動させながら、前記の
スプレー法を実施するのであり、このことによって、振
動源１１による振動により、当該振動が溶融槽２の本体
を介して、その噴出口２ａに伝達され、このことにより
、噴出口２ａから流出しようとする液だれは、細かく砕
かれたシリコン細粒子となってスプレーされることとな
り、その粒子径は２００ミクロン以下で均一化され、単
結晶である半導体基板Ｂ上に堆積されて多結晶シリコン
膜Ｓを形成することができた。In the present invention, the above-mentioned spraying method is carried out while operating the above-mentioned vibration [11]. As a result, the vibration caused by the vibration source 11 causes the vibration to be transmitted through the main body of the melting tank 2 to its spout 2a. As a result, the dripping liquid that is about to flow out from the spout 2a becomes finely crushed silicon particles and is sprayed. A polycrystalline silicon film S could be formed by being deposited on a semiconductor substrate B.
ここで、上記振動源１１の振動が、半導体基板Ｂと平行
する横振動であっても、また縦振動であっても、その振
幅があまり大に失すると、噴出口２ａから噴出されるス
プレー粒子が、半導体基板Ｂの外周辺にまで放散され、
スプレー面積を限定し得なくなるので、この点を考慮し
た小さな振幅の振動源であれば、必ずしも、その周波数
が超音波領域のものである必要はない。Here, whether the vibration of the vibration source 11 is a transverse vibration parallel to the semiconductor substrate B or a longitudinal vibration, if the amplitude is lost too much, spray particles will be ejected from the ejection port 2a. is dissipated to the outer periphery of semiconductor substrate B,
Since the spray area cannot be limited, the frequency does not necessarily have to be in the ultrasonic range as long as the vibration source has a small amplitude in consideration of this point.
（発明の効果）
本願は上記のようにして実施し得るものであるから、請
求項（１）による方法では、 Ｃ：ＶＤ法による場合、
数時間を要した５００ ｐ−層のシリコン膜を、１〜５
分程度で形成できるだけでなく、噴出口に対する振動の
付加によって、当該噴出口からの溶融シリコンによる液
だれの発生を抑制乃至抑止することができ、スプレー粒
子径の均一化、多結晶シリコン膜厚の均一化が実現でき
て良質製品が得られ、半導体基板中への液だれ滴下によ
る温度差により、当該基板に反りや結晶欠陥が生ずるこ
となく、デイバイス特性を劣化させてしまうといったこ
ともなくなる。(Effect of the invention) Since the present application can be carried out as described above, in the method according to claim (1), when using the C:VD method,
The 500 p-layer silicon film, which took several hours, was
Not only can it be formed in about a minute, but by applying vibration to the jet nozzle, it is possible to suppress or suppress the occurrence of liquid dripping due to molten silicon from the jet nozzle, making the spray particle size uniform, and increasing the thickness of the polycrystalline silicon film. Uniformity can be achieved and a high-quality product can be obtained, and the substrate will not be warped or have crystal defects due to temperature differences caused by dripping into the semiconductor substrate, and device characteristics will not deteriorate.
また、請求項（２）によるときは、超音波振動子を用い
るので、騒音の発生なく効果的に溶融シリコンの液だれ
を細粒化でき、請求項（１）による効果を確実にあげさ
せることができる。Furthermore, according to claim (2), since an ultrasonic vibrator is used, drips of molten silicon can be effectively reduced to fine particles without generating noise, and the effect according to claim (1) can be reliably achieved. I can do it.
第１図は本発明に係る多結晶シリコン膜を形成する方法
に供して好適なスプレー装置の一例を示した縦断正面略
示図、第２図は本願人が既に提示した多結晶シリコン膜
形成方法（スプレー法）に供し得るスプレー装置例を示
す縦断正面略示図である。
１・・・・・・不活性雰囲気
３・・・・・・溶融シリコン
５・・・・・・加圧不活性ガス
Ｂ・・・・・・半導体基板
Ｓ・・争・◆・多結晶シリコン膜
第７図FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional front view showing an example of a spray apparatus suitable for use in the method of forming a polycrystalline silicon film according to the present invention, and FIG. 2 is a method for forming a polycrystalline silicon film already proposed by the applicant. (Spray method) FIG. 1... Inert atmosphere 3... Molten silicon 5... Pressurized inert gas B... Semiconductor substrate S... War ◆ Polycrystalline silicon Membrane figure 7
Claims (2)
る半導体基板上、溶融シリコンを当該半導体基板の略回
転軸線上に臨設した噴出口から、そのまま、または加圧
不活性ガスによって霧状に微細化してスプレーすること
により、所定厚さの溶融シリコン層を形成した後、これ
を冷却固化して多結晶シリコン膜を形成するようにした
方法において、上記噴出口に対して、超音波等所望の周
波数にして、上記噴出口からのスプレー方向を大きく変
動させることのない小振幅の振動が付与されるようにし
たことを特徴とする半導体基板上に多結晶シリコン膜を
形成する方法。(1) In an inert atmosphere under normal pressure or reduced pressure, molten silicon is sprayed directly onto a rotating semiconductor substrate from a spout located approximately on the axis of rotation of the semiconductor substrate, either directly or with a pressurized inert gas. In this method, a molten silicon layer of a predetermined thickness is formed by spraying the molten silicon layer, which is then cooled and solidified to form a polycrystalline silicon film. A method for forming a polycrystalline silicon film on a semiconductor substrate, characterized in that vibrations are applied at a desired frequency and with a small amplitude without significantly changing the spray direction from the jet nozzle.
開口し、溶融シリコンが貯留される溶融槽に付設された
超音波振動子によって付与されるようにした請求項（１
）記載の半導体基板上に多結晶シリコン膜を形成する方
法。(2) Claim (1) wherein the vibrations applied to the jet nozzle are applied by an ultrasonic vibrator attached to a melting tank in which the jet nozzle is opened at the lower end and molten silicon is stored.
) A method for forming a polycrystalline silicon film on a semiconductor substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20980189A JPH0373519A (en) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | Formation of polycrystalline silicon film on semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20980189A JPH0373519A (en) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | Formation of polycrystalline silicon film on semiconductor substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0373519A true JPH0373519A (en) | 1991-03-28 |
Family
ID=16578822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20980189A Pending JPH0373519A (en) | 1989-08-14 | 1989-08-14 | Formation of polycrystalline silicon film on semiconductor substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0373519A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033366A1 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Method for the production of multi-crystalline semiconductor material |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5528363A (en) * | 1978-08-22 | 1980-02-28 | Nippon Steel Corp | Manufacture of minimum spangle galvanized sheet |
| JPS58107628A (en) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | Loquid phase epitaxial growth method |
| JPS61244025A (en) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Manufacture of thin film |
-
1989
- 1989-08-14 JP JP20980189A patent/JPH0373519A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5528363A (en) * | 1978-08-22 | 1980-02-28 | Nippon Steel Corp | Manufacture of minimum spangle galvanized sheet |
| JPS58107628A (en) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | Loquid phase epitaxial growth method |
| JPS61244025A (en) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Manufacture of thin film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033366A1 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-08 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Method for the production of multi-crystalline semiconductor material |
| US6506250B1 (en) | 1998-11-30 | 2003-01-14 | Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Method for the production of multi-crystalline semiconductor material |
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