JPH0369599A - 有機非線形光学単結晶の育成方法 - Google Patents
有機非線形光学単結晶の育成方法Info
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- JPH0369599A JPH0369599A JP20575689A JP20575689A JPH0369599A JP H0369599 A JPH0369599 A JP H0369599A JP 20575689 A JP20575689 A JP 20575689A JP 20575689 A JP20575689 A JP 20575689A JP H0369599 A JPH0369599 A JP H0369599A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- RAKMWGKBCDCUDX-UHFFFAOYSA-N 5-nitro-n-(1-phenylethyl)pyridin-2-amine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=N1 RAKMWGKBCDCUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XTTIQGSLJBWVIV-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-nitroaniline Chemical compound CC1=CC([N+]([O-])=O)=CC=C1N XTTIQGSLJBWVIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSOURMYKACOBIV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-4-nitro-1-oxidopyridin-1-ium Chemical compound CC1=C[N+]([O-])=CC=C1[N+]([O-])=O SSOURMYKACOBIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- HCVBBVTZZJFVLA-NSHDSACASA-N [(2s)-1-(4-nitrophenyl)pyrrolidin-2-yl]methanol Chemical compound OC[C@@H]1CCCN1C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 HCVBBVTZZJFVLA-NSHDSACASA-N 0.000 description 1
- -1 and in recent years Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光高調波発生、光パラメトリツク発振等に用
いられるオプトエレクトロニクス素子への応用が可能な
有機非線形光学単結晶の育成方法に関するものである。
いられるオプトエレクトロニクス素子への応用が可能な
有機非線形光学単結晶の育成方法に関するものである。
[従来の技術]
非線形結晶における非線形分極を利用して光の周波数変
換等を行なうことは従来から知られているが、近年この
種の光学材料として有機材料の開発が進んでいる。
換等を行なうことは従来から知られているが、近年この
種の光学材料として有機材料の開発が進んでいる。
非線形光学材料の中でも二次の非線形性を有するもの(
電界の2乗に比例する分極か生しる)は第2高調波発生
や光パラメトリツク発振等に応用サレるが、これらの材
料の結晶構造はそのほとんどか反転対称性を持たない構
造になっている。しかしながら、反転対称性をもたない
ということは結晶の対称性が低いということてあり、結
晶面それぞれの性質か異なるため結晶の生長速度あるい
は結晶面の形状などか不統一どなり、良好な単結晶が得
にくくなる。したがって、非線形光学係数の大きな有機
材料の結晶化は非常に困難であり、このことが有機非線
形光学材料において大型単結晶の育成例がきわめて少な
い原因となっている。
電界の2乗に比例する分極か生しる)は第2高調波発生
や光パラメトリツク発振等に応用サレるが、これらの材
料の結晶構造はそのほとんどか反転対称性を持たない構
造になっている。しかしながら、反転対称性をもたない
ということは結晶の対称性が低いということてあり、結
晶面それぞれの性質か異なるため結晶の生長速度あるい
は結晶面の形状などか不統一どなり、良好な単結晶が得
にくくなる。したがって、非線形光学係数の大きな有機
材料の結晶化は非常に困難であり、このことが有機非線
形光学材料において大型単結晶の育成例がきわめて少な
い原因となっている。
このような状況のもと、有機非線形光学材料の単結晶化
の方法としては、有機非線形光学材料を昇華により結晶
化させる昇華法、溶融させた有機非線形光学材料を徐冷
することにより結晶を得る融液法(例えばブリッジマン
法やチョクラルスキー法など)、あるいは有機非線形光
学材料を有機溶媒に溶解させて飽和溶液を作製し、その
溶液を冷却させて熱時と冷時の溶解度の差によって結晶
を析出させたり、あるいは溶液から溶媒を蒸発させて結
晶を析出させる溶液法などが従来から行なわれていた。
の方法としては、有機非線形光学材料を昇華により結晶
化させる昇華法、溶融させた有機非線形光学材料を徐冷
することにより結晶を得る融液法(例えばブリッジマン
法やチョクラルスキー法など)、あるいは有機非線形光
学材料を有機溶媒に溶解させて飽和溶液を作製し、その
溶液を冷却させて熱時と冷時の溶解度の差によって結晶
を析出させたり、あるいは溶液から溶媒を蒸発させて結
晶を析出させる溶液法などが従来から行なわれていた。
[従来技術の問題点]
しかし、上記のような従来の有機非線形光学単結晶の育
成方法において、昇華法で結晶を作製した場合、純度は
比較的良いものが得られるが、雑品の発生を抑えるのが
非常に困難であり大きな結晶は出来にくいという欠点が
ある。またブリッジマン法やチョクラルスキー法などの
ような融液からの結晶成長方法では、有機非線形光学材
料をその物質の融点以上にまで昇温させ、かつその温度
にて長時間保持するため、有機非線形光学材料の熱分解
が避けられず、副生成物の生成あるいはそれに基づく結
晶の着色などが起こってしまうという欠点がある。
成方法において、昇華法で結晶を作製した場合、純度は
比較的良いものが得られるが、雑品の発生を抑えるのが
非常に困難であり大きな結晶は出来にくいという欠点が
ある。またブリッジマン法やチョクラルスキー法などの
ような融液からの結晶成長方法では、有機非線形光学材
料をその物質の融点以上にまで昇温させ、かつその温度
にて長時間保持するため、有機非線形光学材料の熱分解
が避けられず、副生成物の生成あるいはそれに基づく結
晶の着色などが起こってしまうという欠点がある。
これに対し溶液法では、融液法に見られるような熱分解
による副生成物の育成といった問題点はあまり認められ
ないが、種結晶としてIlf晶のない高純度の結晶を使
用する必要かある。完全に純枠な種結晶を得ることは現
実問題として非常に困難であるが、かといって結晶性が
不十分な種結晶を用いると多結晶化が避りられない。ま
た、無機利料では結晶が硬いために、結晶の研磨等によ
って目的とする種結晶を得ることが可能であるか、現状
では有機非線形光学単結晶の研磨を行なうことは非常に
困難である。
による副生成物の育成といった問題点はあまり認められ
ないが、種結晶としてIlf晶のない高純度の結晶を使
用する必要かある。完全に純枠な種結晶を得ることは現
実問題として非常に困難であるが、かといって結晶性が
不十分な種結晶を用いると多結晶化が避りられない。ま
た、無機利料では結晶が硬いために、結晶の研磨等によ
って目的とする種結晶を得ることが可能であるか、現状
では有機非線形光学単結晶の研磨を行なうことは非常に
困難である。
この発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、良
好な大型有機非線形性光学単結晶を容易に得ることので
きる結晶育成方法を提供することを目的とするものであ
る。
好な大型有機非線形性光学単結晶を容易に得ることので
きる結晶育成方法を提供することを目的とするものであ
る。
[課題を解決するための手段]
この発明では、有機非線形光学オA料を溶解した溶液中
にai結晶を保持して有機非線形光学単結晶を育成する
方法に45いて、種結晶として劈開した種結晶を用い、
劈開面の一面以外を耐溶剤性の樹脂で被覆して溶液中に
保持することことによって上記の課題を達成している。
にai結晶を保持して有機非線形光学単結晶を育成する
方法に45いて、種結晶として劈開した種結晶を用い、
劈開面の一面以外を耐溶剤性の樹脂で被覆して溶液中に
保持することことによって上記の課題を達成している。
なお、「劈開」とは、結晶か機械的打撃等によって特定
の面に平行に割れたり、はかれたりする現象を言う。
の面に平行に割れたり、はかれたりする現象を言う。
[作用]
本発明では、種結晶を努開して用いるが、劈開は面間の
結合が面内の結合より弱い面(襞開面)でおこり、劈開
面は分子の配列か最も稠密な面である。即ち、種結晶の
襞開面以外を耐溶剤性の樹脂て被覆して用いれば、他の
部分に不完全な部分があっても多結晶化が起こらず、良
好な単結晶が得られる。この際、劈開面の外縁部の陵の
ところは脆く欠けやすいことから多結晶化する危険性が
あるため、被覆は劈開面の外縁部から0.1mm〜1m
m程度内側まで行なうことが好ましい。
結合が面内の結合より弱い面(襞開面)でおこり、劈開
面は分子の配列か最も稠密な面である。即ち、種結晶の
襞開面以外を耐溶剤性の樹脂て被覆して用いれば、他の
部分に不完全な部分があっても多結晶化が起こらず、良
好な単結晶が得られる。この際、劈開面の外縁部の陵の
ところは脆く欠けやすいことから多結晶化する危険性が
あるため、被覆は劈開面の外縁部から0.1mm〜1m
m程度内側まで行なうことが好ましい。
本発明において用いられる有機非線形光学材料は特に限
定されるものてはないが、好ましい例としては(−)2
− (α−メチルベンジルアミノ)−5−ニトロピリジ
ン(以後MBA−NPと略称する)、2−メチル−4−
ニトロアニリン3メチル−(2,4−ジニトロフェニル
)−アくノー2ブロハノエート、N−(4−ニトロフェ
ニル)(L)−プロリノール、I’m−(4−ニトロフ
ェニル)−N−メチルアミノ−アセトニトリル、4(N
、N−ジメチルアミノ)−3−アセトアミドニトロベン
ゼン、3−メチル−4−二トロピリジン−1−オキサイ
ド、あるいは4−二1〜ロ4−メチルベンジリデンアニ
リン等がある。
定されるものてはないが、好ましい例としては(−)2
− (α−メチルベンジルアミノ)−5−ニトロピリジ
ン(以後MBA−NPと略称する)、2−メチル−4−
ニトロアニリン3メチル−(2,4−ジニトロフェニル
)−アくノー2ブロハノエート、N−(4−ニトロフェ
ニル)(L)−プロリノール、I’m−(4−ニトロフ
ェニル)−N−メチルアミノ−アセトニトリル、4(N
、N−ジメチルアミノ)−3−アセトアミドニトロベン
ゼン、3−メチル−4−二トロピリジン−1−オキサイ
ド、あるいは4−二1〜ロ4−メチルベンジリデンアニ
リン等がある。
また、本発明で種結晶を被覆する樹脂は、使用する溶媒
に対して耐性があるものであれば特に限定されないが、
エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂シリコーン樹脂等が好
ましく用いられる。
に対して耐性があるものであれば特に限定されないが、
エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂シリコーン樹脂等が好
ましく用いられる。
[実施例コ
本発明の有機非線形光学単結晶の育成方法を以下の実施
例により詳細に説明する。
例により詳細に説明する。
実施例 1
第2図は、本実施例において用いた結晶育成装置の概念
図である。
図である。
まず、有機非線形光学材料として充分に精製したMBA
−NPを10g秤量し、これを500m1 (r)ガラ
ス製容器3に入れ、さらに充分に精製したアセトン40
m1とn−ヘキサン280m1の混合溶媒を加えて、7
夜温を摂氏50度まて昇温し、MBA−NPを完全に溶
解させた。
−NPを10g秤量し、これを500m1 (r)ガラ
ス製容器3に入れ、さらに充分に精製したアセトン40
m1とn−ヘキサン280m1の混合溶媒を加えて、7
夜温を摂氏50度まて昇温し、MBA−NPを完全に溶
解させた。
この溶液をフィルターでろ過して不純物を除去した後、
ガラス製容器3を恒温水槽6内に配置し液温を徐々に下
げて摂氏14度に設定した。
ガラス製容器3を恒温水槽6内に配置し液温を徐々に下
げて摂氏14度に設定した。
次に、第1図及び第3図は本実施例における種結晶につ
いて説明するための斜視図及び概念図である。本実施例
では、再結晶法で作製したMBANPの単結晶の中から
良好な結晶を種結晶として選出し、その結晶を劈開した
。そして、本実施例では、種結晶1を被覆する樹脂2と
してエポキシ樹脂(商品名 アラルダイトへW2101
.チハガイギー製)を用い、第3図に示されるようにら
せん状に巻いた白金線8(直径0.5mm)に重合開始
剤を混合した樹脂2を塗り、樹脂2の中に劈開したMB
A−NP (種結晶1)を劈開面1aを外側にして剪開
面1aの外縁部が樹脂2で覆われるまで静かに埋込んだ
。しかる後、樹脂2を硬化させて、第1図に示されるよ
うに、種結晶1の劈開面1a以外の面を樹脂2て完全に
覆った。
いて説明するための斜視図及び概念図である。本実施例
では、再結晶法で作製したMBANPの単結晶の中から
良好な結晶を種結晶として選出し、その結晶を劈開した
。そして、本実施例では、種結晶1を被覆する樹脂2と
してエポキシ樹脂(商品名 アラルダイトへW2101
.チハガイギー製)を用い、第3図に示されるようにら
せん状に巻いた白金線8(直径0.5mm)に重合開始
剤を混合した樹脂2を塗り、樹脂2の中に劈開したMB
A−NP (種結晶1)を劈開面1aを外側にして剪開
面1aの外縁部が樹脂2で覆われるまで静かに埋込んだ
。しかる後、樹脂2を硬化させて、第1図に示されるよ
うに、種結晶1の劈開面1a以外の面を樹脂2て完全に
覆った。
そして、上記のようにして白金線8の先端に固定したf
!結晶1を先に調整したMBA−NP0′)a相溶液(
育成溶液7)の中に吊し、静置した。この際、ガラス製
容器3上部に設置したガラスv4(直径3.5mm)の
一方から窒素ガス5を流すことにより溶媒の蒸発量が1
0〜30m1/dayとなるように調節した。
!結晶1を先に調整したMBA−NP0′)a相溶液(
育成溶液7)の中に吊し、静置した。この際、ガラス製
容器3上部に設置したガラスv4(直径3.5mm)の
一方から窒素ガス5を流すことにより溶媒の蒸発量が1
0〜30m1/dayとなるように調節した。
上記のような育成方法によって得られた10mm×10
mmX 8mmのMBA−NPの単結晶をX線回折や偏
光顕微鏡などを用いて観察したところ、多結晶化が殆ど
認められない高純度の単結晶であった。
mmX 8mmのMBA−NPの単結晶をX線回折や偏
光顕微鏡などを用いて観察したところ、多結晶化が殆ど
認められない高純度の単結晶であった。
実施例:2
実施例1と同様に、充分に精製したMBA−NPをto
gfV量し、これを500m1のガラス製容器3に入れ
、さらに充分に精製したアセトン40m1とnヘキサン
280m1の混合溶媒を加えて、液温を摂氏50度まで
昇温し、MBA−NPを完全に溶解させた。
gfV量し、これを500m1のガラス製容器3に入れ
、さらに充分に精製したアセトン40m1とnヘキサン
280m1の混合溶媒を加えて、液温を摂氏50度まで
昇温し、MBA−NPを完全に溶解させた。
この溶液をフィルターでろ過して不純物を除去した後、
この容器を恒温水槽6内に設置し、7夜温を徐々に下げ
て摂氏14度に設定した。
この容器を恒温水槽6内に設置し、7夜温を徐々に下げ
て摂氏14度に設定した。
次に、再結晶法で作製したMBA−NPの単結晶の中か
ら良好な結晶を種結晶1として選出し、その結晶を劈開
した。本実施例では種結晶1を被覆する樹脂2としてポ
リエステル樹脂(商品名:リボラック2004.日新E
M製)を用い、らせん状に巻いた白金線8(直径0.5
mm)に重合開始剤を混合した樹脂2を塗り、樹脂2の
中に劈開したMBA−NP種結晶を劈開面1aを外側に
して劈開面1aの外縁部がポリエステル樹脂で覆われる
まで静かに埋込んだ。しかる後、樹脂2を硬化させて種
結晶1の劈開面1a以外の面を樹脂2で完全に被覆した
。
ら良好な結晶を種結晶1として選出し、その結晶を劈開
した。本実施例では種結晶1を被覆する樹脂2としてポ
リエステル樹脂(商品名:リボラック2004.日新E
M製)を用い、らせん状に巻いた白金線8(直径0.5
mm)に重合開始剤を混合した樹脂2を塗り、樹脂2の
中に劈開したMBA−NP種結晶を劈開面1aを外側に
して劈開面1aの外縁部がポリエステル樹脂で覆われる
まで静かに埋込んだ。しかる後、樹脂2を硬化させて種
結晶1の劈開面1a以外の面を樹脂2で完全に被覆した
。
そして、上記のようにして白金線8の先端に固定した種
結晶1を先に調整したMBA−NPの飽和溶液(育成溶
液7)の中に吊し、静置した。この際、ガラス製容器3
上部に設置したガラス管4(直径3.5mm)の一方か
ら窒素ガス5を流すことにより溶媒の蒸発量が10〜3
0m1/dayとなるように調節した。
結晶1を先に調整したMBA−NPの飽和溶液(育成溶
液7)の中に吊し、静置した。この際、ガラス製容器3
上部に設置したガラス管4(直径3.5mm)の一方か
ら窒素ガス5を流すことにより溶媒の蒸発量が10〜3
0m1/dayとなるように調節した。
上記のような育成方法によって得られた12mmx8m
mX7mmのMBA−NPの単結晶をX線回折や偏光顕
微鏡などを用いて観察したところ、多結晶化が殆ど認め
られない高純度の単結晶であった。
mX7mmのMBA−NPの単結晶をX線回折や偏光顕
微鏡などを用いて観察したところ、多結晶化が殆ど認め
られない高純度の単結晶であった。
比較例・1
実施例1.2と同様に、充分に精製したMBANPを1
0g秤量し、これを500m1のガラス製容器3に入れ
、さらに充分に精製したアセトン40m1とn−ヘキサ
ン280m1の混合溶媒を加えて、?lk tRを摂氏
50度まで昇温し、MBA−NPを完全に溶解させた。
0g秤量し、これを500m1のガラス製容器3に入れ
、さらに充分に精製したアセトン40m1とn−ヘキサ
ン280m1の混合溶媒を加えて、?lk tRを摂氏
50度まで昇温し、MBA−NPを完全に溶解させた。
このm液をフィルターでろ過して不純物を除去した後、
この容器を恒温水槽6内に設置し、液温を徐々に下げて
摂氏14度に設定した。
この容器を恒温水槽6内に設置し、液温を徐々に下げて
摂氏14度に設定した。
次に、再結晶法で作製したMBA−N Pの単結晶の中
から良好な結晶を種結晶9として選出した。本比較例で
は、第4図に示したように劈開を行なっていない種結晶
9を樹脂に埋込まずに、白金線10(直径0.5mm
)に直接縛り付ける□ことにより固定した。
から良好な結晶を種結晶9として選出した。本比較例で
は、第4図に示したように劈開を行なっていない種結晶
9を樹脂に埋込まずに、白金線10(直径0.5mm
)に直接縛り付ける□ことにより固定した。
そして、上記のようにして白金線10の先端に固定した
種結晶9を、先に調整したMBA−NPの飽和溶液(育
成溶液7)の中に吊し、静置した。この際、ガラス製容
器3上部に設置したガラス管4(直径3.5mm)の一
方から窒素ガス5を流すことにより溶媒の蒸発量か10
〜30m1/dayとなるように調節した。
種結晶9を、先に調整したMBA−NPの飽和溶液(育
成溶液7)の中に吊し、静置した。この際、ガラス製容
器3上部に設置したガラス管4(直径3.5mm)の一
方から窒素ガス5を流すことにより溶媒の蒸発量か10
〜30m1/dayとなるように調節した。
上記のようにして得たMBA−NPの単結晶は、多結晶
状で、不透明性の大きなものであった。
状で、不透明性の大きなものであった。
[発明の効果]
以上のように、本発明においては種結晶を劈開して劈開
面の一面以外を耐溶剤性の樹脂で被覆して用いるので、
結晶全体が完全な単結晶でなくとも種結晶として用いる
ことができ、かつ多結晶化も生じない。
面の一面以外を耐溶剤性の樹脂で被覆して用いるので、
結晶全体が完全な単結晶でなくとも種結晶として用いる
ことができ、かつ多結晶化も生じない。
即ち、本発明は、従来育成が困難であった高純度の大型
有機非線形光学単結晶を容易に得ることができるという
効果を有し、有機非線形光学材料の種々のオプトエレク
トロニクス素子への応用を図る上で非常に有益である。
有機非線形光学単結晶を容易に得ることができるという
効果を有し、有機非線形光学材料の種々のオプトエレク
トロニクス素子への応用を図る上で非常に有益である。
第1図は本発明実施例における種結晶の被覆状態を説明
するための斜視図、第2図は本発明実施例における有機
非線形単結晶の育成装置を示した概念図、第3図は実施
例における種結晶の保持方法を説明するための概念図、
第4図は比較例における種結晶の保持方法を説明するた
めの概念図である。 [主要部分の符号の説明コ 1、種結晶 4 Ia:劈開面 5 2、樹脂 6 3 ガラス製容器 7: ガラス管 :窒素ガス 恒温水槽 育成溶液 白金線
するための斜視図、第2図は本発明実施例における有機
非線形単結晶の育成装置を示した概念図、第3図は実施
例における種結晶の保持方法を説明するための概念図、
第4図は比較例における種結晶の保持方法を説明するた
めの概念図である。 [主要部分の符号の説明コ 1、種結晶 4 Ia:劈開面 5 2、樹脂 6 3 ガラス製容器 7: ガラス管 :窒素ガス 恒温水槽 育成溶液 白金線
Claims (1)
- 有機非線形光学材料を溶解した溶液中に種結晶を保持し
て有機非線形光学単結晶を育成する方法において、前記
種結晶として劈開した種結晶を用い、劈開面の一面以外
を耐溶剤性の樹脂で被覆して前記溶液中に保持すること
を特徴とする有機非線形光学単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20575689A JPH0369599A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 有機非線形光学単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20575689A JPH0369599A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 有機非線形光学単結晶の育成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0369599A true JPH0369599A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16512143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20575689A Pending JPH0369599A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 有機非線形光学単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0369599A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2276466A (en) * | 1991-09-16 | 1994-09-28 | British Telecomm | Optical grating device |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP20575689A patent/JPH0369599A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2276466A (en) * | 1991-09-16 | 1994-09-28 | British Telecomm | Optical grating device |
GB2276466B (en) * | 1991-09-16 | 1995-04-26 | British Telecomm | Optical grating device |
US5448665A (en) * | 1991-09-16 | 1995-09-05 | British Telecommunications Public Limited Company | Wavelength-selective optical device utilizing a selectively variable surface acoustic wave grating in a polar organic material |
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