JPH0368775A - Ｃｕ―Ｉｎ―Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法 - Google Patents
Ｃｕ―Ｉｎ―Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法Info
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- JPH0368775A JPH0368775A JP20129689A JP20129689A JPH0368775A JP H0368775 A JPH0368775 A JP H0368775A JP 20129689 A JP20129689 A JP 20129689A JP 20129689 A JP20129689 A JP 20129689A JP H0368775 A JPH0368775 A JP H0368775A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１例えば太陽電池等への利用が期待されている
Ｃｕ−１ｎ−Ｓｓ系化合物薄膜半導体を薄膜状で多量に
且つ簡便に製造する方法に関するものである。
Ｃｕ−１ｎ−Ｓｓ系化合物薄膜半導体を薄膜状で多量に
且つ簡便に製造する方法に関するものである。
ＣｕＩｎＳｅ２化合物に代表されるＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系
化合物薄膜半導体材料の製作法としては、真空蒸着法（
例えば特開昭５７−５０２１９６号公報、米国特許第４
３３５２６６号明細書等）、またはスパッタ法（例えば
特開昭６２−２０３８１号公報、米国特許第４４６５５
７５号明細書）などのように真空下での作製方法が知ら
れている。また、大気中での製作法として・スプレー焼
成法（例えばＰｒｏｇ、Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ
Ｃｈａｒａｃｔ。
化合物薄膜半導体材料の製作法としては、真空蒸着法（
例えば特開昭５７−５０２１９６号公報、米国特許第４
３３５２６６号明細書等）、またはスパッタ法（例えば
特開昭６２−２０３８１号公報、米国特許第４４６５５
７５号明細書）などのように真空下での作製方法が知ら
れている。また、大気中での製作法として・スプレー焼
成法（例えばＰｒｏｇ、Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ
Ｃｈａｒａｃｔ。
１９７９ ｖｏｌ、１． Ｐ、３９５〜４０３． 或い
は特開昭６４−２２０３４号公報等）も知られている。
は特開昭６４−２２０３４号公報等）も知られている。
前記のＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物薄膜作製方法のうち、
真空蒸着法やスパッタ法は真空下での作製法のために高
級装置を必要とし、その制御や維持管理も複雑であり、
必ずしも簡便な製造方法ではなく、多量且つ安価に製造
するには問題がある。
真空蒸着法やスパッタ法は真空下での作製法のために高
級装置を必要とし、その制御や維持管理も複雑であり、
必ずしも簡便な製造方法ではなく、多量且つ安価に製造
するには問題がある。
一方、スプレー焼成法は多量に作製するには適した方法
であるが、セレン元素源としてはジメチルセレノ尿素Ｃ
ＨｓＮ ＨＣＳｅＮ ＨＣＨｓを使用するものであった
。ジメチルセレノ尿素は比較的高価で且つ純度的にも問
題があり、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系半導体材料として利用す
る場合、その特性が微量の不純物によって大きく変化す
るため、セレン元素源としてのジメチルセレノ尿素は必
ずしも最適な化合物でなく、高純度で且つ入手が容易な
化合物の使用が望まれていた。
であるが、セレン元素源としてはジメチルセレノ尿素Ｃ
ＨｓＮ ＨＣＳｅＮ ＨＣＨｓを使用するものであった
。ジメチルセレノ尿素は比較的高価で且つ純度的にも問
題があり、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系半導体材料として利用す
る場合、その特性が微量の不純物によって大きく変化す
るため、セレン元素源としてのジメチルセレノ尿素は必
ずしも最適な化合物でなく、高純度で且つ入手が容易な
化合物の使用が望まれていた。
本発明はこのような従来のＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物薄
膜作製方法の問題点を解決することを目的としたもので
あり、Ｃｕ−Ｉｎ−５ｅ系化合物薄膜を大量生産方式に
よって安価且つ簡易に製造できる方法を提供しようとす
るものである。
膜作製方法の問題点を解決することを目的としたもので
あり、Ｃｕ−Ｉｎ−５ｅ系化合物薄膜を大量生産方式に
よって安価且つ簡易に製造できる方法を提供しようとす
るものである。
〔問題点を解決する手段〕
本発明は、スプレー焼成法によるＣｕ−Ｉｎ−５ｅ系化
合物薄膜作製において、セレン元素源として高純度化が
可能で入手が比較的容易なアルコール可溶性化合物を用
い、また、他の銅元素源、インジウム元素源にもアルコ
ール可溶性化合物を用いて、これらのアルコール溶液を
個別にあるいは混合して、加熱した基板上に不活性ガス
雰囲気中でスプレーすることを特徴とするものであり、
基板上にＣｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物薄膜を簡易に焼成さ
せるものである。
合物薄膜作製において、セレン元素源として高純度化が
可能で入手が比較的容易なアルコール可溶性化合物を用
い、また、他の銅元素源、インジウム元素源にもアルコ
ール可溶性化合物を用いて、これらのアルコール溶液を
個別にあるいは混合して、加熱した基板上に不活性ガス
雰囲気中でスプレーすることを特徴とするものであり、
基板上にＣｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物薄膜を簡易に焼成さ
せるものである。
すなわち本発明は、銅元素を含むアルコール可溶性化合
物（ただし、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｓｅ以外の金属元素を含まな
い化合物）をアルコールに溶解し゛た銅系アルコール溶
液と、インジウム元素を含むアルコール可溶性化合物（
ただし、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅ以外の金属元素を含まない化
合物）をアルコールに溶解したインジウム系アルコール
溶液と、セレン元素を含むアルコール可溶性化合物を溶
解したセレン系アルコール溶液（ただし、Ｃｕ、Ｉｎ、
Ｓｅ以外の金属元素を含まない化合物）とを１加熱した
基板上に不活性ガス雰囲気中でスプレーすることからな
るＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法を提供する
ものである。
物（ただし、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｓｅ以外の金属元素を含まな
い化合物）をアルコールに溶解し゛た銅系アルコール溶
液と、インジウム元素を含むアルコール可溶性化合物（
ただし、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅ以外の金属元素を含まない化
合物）をアルコールに溶解したインジウム系アルコール
溶液と、セレン元素を含むアルコール可溶性化合物を溶
解したセレン系アルコール溶液（ただし、Ｃｕ、Ｉｎ、
Ｓｅ以外の金属元素を含まない化合物）とを１加熱した
基板上に不活性ガス雰囲気中でスプレーすることからな
るＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法を提供する
ものである。
セレン元素源として具体的には亜セレン酸や二酸化セレ
ンが有効である。そのさい、基板温度は２００’Ｃ〜５
００℃とするのがよく、また、各元素のスーｙ’レー１
比について、銅元素よりもインジウム元素を当量比以上
に多くしてスプレーとするのがよく、更にセレン元素は
インジウム元素との当量比以上に多くしてスプレーする
のが良い。
ンが有効である。そのさい、基板温度は２００’Ｃ〜５
００℃とするのがよく、また、各元素のスーｙ’レー１
比について、銅元素よりもインジウム元素を当量比以上
に多くしてスプレーとするのがよく、更にセレン元素は
インジウム元素との当量比以上に多くしてスプレーする
のが良い。
〔発明の詳細な
説明者らは、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物の薄膜を簡便に
作製するために、スプレー焼成法について種々検討した
結果、銅、インジウム、セレンの各元素を含む化合物の
アルコール溶液を不活性ガス雰囲気中で加熱したガラス
板などの基板上にスプレーすることによって基板上に薄
膜状のＣｕ−Ｉｎ−５ｅ系化合物が得られることを見出
した。すなわち。
作製するために、スプレー焼成法について種々検討した
結果、銅、インジウム、セレンの各元素を含む化合物の
アルコール溶液を不活性ガス雰囲気中で加熱したガラス
板などの基板上にスプレーすることによって基板上に薄
膜状のＣｕ−Ｉｎ−５ｅ系化合物が得られることを見出
した。すなわち。
スプレー焼成法においてセレン元素源として高価なジメ
チルセレノ尿素を使用しなくてもＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化
合物の薄膜を作製することができたのである。具体的に
は１亜セレン酸や二酸化セレンのアルコール溶液を使用
することによってＣｕ−１ｎＳｅ系化合物の薄膜をガラ
ス板上に作製することができた。セレン元素源としてそ
の他のアルコール可溶性化合物（但しＣｕ、Ｉｎ以外の
金属元素を含まないアルコール可溶性化合物）の使用も
種々検討したが、コスト的に亜セレン酸や二酸化セレン
が有利である。一方、Ｃｕ元素源やインジウム元素源と
しは、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅ以外の金属元素を含まないアル
コール可溶性化合物の使用が可能であった。
チルセレノ尿素を使用しなくてもＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化
合物の薄膜を作製することができたのである。具体的に
は１亜セレン酸や二酸化セレンのアルコール溶液を使用
することによってＣｕ−１ｎＳｅ系化合物の薄膜をガラ
ス板上に作製することができた。セレン元素源としてそ
の他のアルコール可溶性化合物（但しＣｕ、Ｉｎ以外の
金属元素を含まないアルコール可溶性化合物）の使用も
種々検討したが、コスト的に亜セレン酸や二酸化セレン
が有利である。一方、Ｃｕ元素源やインジウム元素源と
しは、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅ以外の金属元素を含まないアル
コール可溶性化合物の使用が可能であった。
スプレー雰囲気に関しては２通常の大気中で実施した場
合にもＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物が合成することがわか
ったが、この場合には他の化合物の残存も認められた。
合にもＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物が合成することがわか
ったが、この場合には他の化合物の残存も認められた。
特にＣｕ ＣＩｔ＋ Ｉ ｎ ＣＩ３１ 亜セレン酸（
Ｈ，５ｅＯｓ）の各アルコール溶液を混合して大気中で
スプレーした際には ＣｕＣｌとＣｕの析出が認められ
る場合があった。不活性ガス雰囲気とすればかような他
の化合物の残存は低減することができる。なお、再現性
のある結果を得るためには、各元素を含むアルコール溶
液を個別にスプレーするよりも９各アルコール溶液を混
合し１均一なスプレー原液として用いる方が望ましかっ
た。
Ｈ，５ｅＯｓ）の各アルコール溶液を混合して大気中で
スプレーした際には ＣｕＣｌとＣｕの析出が認められ
る場合があった。不活性ガス雰囲気とすればかような他
の化合物の残存は低減することができる。なお、再現性
のある結果を得るためには、各元素を含むアルコール溶
液を個別にスプレーするよりも９各アルコール溶液を混
合し１均一なスプレー原液として用いる方が望ましかっ
た。
スプレー原液中の銅元素、インジウム元素、セレン元素
の混合比については、当量比で、胴元素よりもインジウ
ム元素を多くすべきであり、更にインジウム元素よりも
セレン元素を多くすべきであった。これは、Ｃｕよりも
Ｉｎの方が揮発性が大きく、また、ＩｎよりもＳｅの方
が揮発性が大きいことによると考えられる０本発明者ら
の経験によると１ スプレー原液の組成化によっては、
目的とするＣｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物以外にＣｕの析出
が認められる場合がしばしばあった。
の混合比については、当量比で、胴元素よりもインジウ
ム元素を多くすべきであり、更にインジウム元素よりも
セレン元素を多くすべきであった。これは、Ｃｕよりも
Ｉｎの方が揮発性が大きく、また、ＩｎよりもＳｅの方
が揮発性が大きいことによると考えられる０本発明者ら
の経験によると１ スプレー原液の組成化によっては、
目的とするＣｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物以外にＣｕの析出
が認められる場合がしばしばあった。
基板温度としては、１５０°Ｃのような低温であるとＣ
ｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物の生成は認められず、又。
ｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物の生成は認められず、又。
高過ぎるとＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物以外に他の物質も
生成して満足な結果が得られなかった。従って。
生成して満足な結果が得られなかった。従って。
スプレー原液の組成にもよるが、基板温度としては２０
０°Ｃ〜５００℃が適切である。
０°Ｃ〜５００℃が適切である。
〔実施例１〕
塩化第二ＶＡ （Ｃｕ Ｃ１ｇ）の０．１ｍｏＩ／ ｌ
アルコール溶液（イソプロピルアルコールとプロピレン
グリコールからなるアルコール溶液、以下同じ）を１部
１ 塩化インジウム （Ｉ ｎ ＣＩｓ） のＯ，１ｍ
ｏｌ／ ｊ！該デアルコール溶液１部、および亜セレン
酸（ＨよＳｓｏ、）の０゜１ｍｏｌ／ ｆ該アルコール
匈液を４部、それぞれ計り取ってガラス製噴霧器に入れ
混合した。
アルコール溶液（イソプロピルアルコールとプロピレン
グリコールからなるアルコール溶液、以下同じ）を１部
１ 塩化インジウム （Ｉ ｎ ＣＩｓ） のＯ，１ｍ
ｏｌ／ ｊ！該デアルコール溶液１部、および亜セレン
酸（ＨよＳｓｏ、）の０゜１ｍｏｌ／ ｆ該アルコール
匈液を４部、それぞれ計り取ってガラス製噴霧器に入れ
混合した。
すなわち、銅元素、インジウム元素、セレン元素のモル
比が１＝ｌ：４であるアルコールのスプレー原液を準備
した。このように調整したスプレー原液を通常の大気中
または窒素ガス雰囲気中（酸素濃度１％以下）で３００
″Ｃに加熱したガラス板上にスプレーした。そして、徐
冷後、このガラス板上に生じた膜をＸ線回折（Ｘ＆ＩＩ
：ＣｕＫα）で調べた。
比が１＝ｌ：４であるアルコールのスプレー原液を準備
した。このように調整したスプレー原液を通常の大気中
または窒素ガス雰囲気中（酸素濃度１％以下）で３００
″Ｃに加熱したガラス板上にスプレーした。そして、徐
冷後、このガラス板上に生じた膜をＸ線回折（Ｘ＆ＩＩ
：ＣｕＫα）で調べた。
第１図に大気中でスプレー坑底した場合のＸ線回折記録
図を示した。第１図に見られるように。
図を示した。第１図に見られるように。
認められるピークはＣｕＣｌとＣｕに関するものであり
、Ｃｕ−Ｉｎ−５ｅ系化合物は認められなかった。
、Ｃｕ−Ｉｎ−５ｅ系化合物は認められなかった。
第２図は窒素ガス雰囲気中でスプレー坑底した場合のＸ
線回折記録図である。矢印で示したピークはＣｕに関す
るピークであるが、他のピークはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化
合物に関するものである。したがって１本方法よってＣ
ｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物を合成できることが確認された
。なお、Ｃｕの析出はスプレー原液中のＣｕ含有量が多
すぎるためであると考えられる。
線回折記録図である。矢印で示したピークはＣｕに関す
るピークであるが、他のピークはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化
合物に関するものである。したがって１本方法よってＣ
ｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物を合成できることが確認された
。なお、Ｃｕの析出はスプレー原液中のＣｕ含有量が多
すぎるためであると考えられる。
〔実施例２〕
塩化第二ｉｉ （Ｃｕ Ｃｌりの０．１ｓ＋ｏｌ／ ｌ
該アルコール溶液を０．５部、塩化インジウム （Ｉ
ｎＣＩｓ）の０．１ｍｏｌ／ ｆ 該アルコール溶液を
１部、および亜セレン酸 （ＨｚＳｅＯｓ）の０．１ｍ
ｏｌ／ Ｉ！、Ｍアルコール液を４部．それぞれ計り取
ってガラス製噴霧器に入れ混合した．すなわち、銅元素
，インジウム元素，セレン元素のモル比がｏ．ｓ：ｉ：
４であるアルコールのスプレー原液を準備した．このよ
うに調整したスプレー原液を窒素ガス雰囲気中（酸素濃
度１％以下）で２５０℃に加熱したガラス板上にスプレ
ーした．そして、徐冷後，このガラス板上に生した膜を
Ｘ線回折（Ｘ線： ＣｕＫα）で調べた。
該アルコール溶液を０．５部、塩化インジウム （Ｉ
ｎＣＩｓ）の０．１ｍｏｌ／ ｆ 該アルコール溶液を
１部、および亜セレン酸 （ＨｚＳｅＯｓ）の０．１ｍ
ｏｌ／ Ｉ！、Ｍアルコール液を４部．それぞれ計り取
ってガラス製噴霧器に入れ混合した．すなわち、銅元素
，インジウム元素，セレン元素のモル比がｏ．ｓ：ｉ：
４であるアルコールのスプレー原液を準備した．このよ
うに調整したスプレー原液を窒素ガス雰囲気中（酸素濃
度１％以下）で２５０℃に加熱したガラス板上にスプレ
ーした．そして、徐冷後，このガラス板上に生した膜を
Ｘ線回折（Ｘ線： ＣｕＫα）で調べた。
第３図にそのＸ線回折記録図を示した．第３図に見られ
るとおり，認められるピークはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合
物に関するものであり，Ｃｕの析出はなかった．またこ
の膜はＰ形の伝導性を示した．従って本方法によれば，
半導体材料として使用し得るＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物
薄膜を作製できる。
るとおり，認められるピークはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合
物に関するものであり，Ｃｕの析出はなかった．またこ
の膜はＰ形の伝導性を示した．従って本方法によれば，
半導体材料として使用し得るＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物
薄膜を作製できる。
本発明によれば，容易に人手し得る化合物を用いて簡単
なスプレー焼成法によりＣｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物薄膜
を作製することができ．ダイオード等の半導体装置製作
工程の大幅な簡略化，および低コスト化に，大きく寄与
することが期待できる。
なスプレー焼成法によりＣｕ−１ｎ−Ｓｅ系化合物薄膜
を作製することができ．ダイオード等の半導体装置製作
工程の大幅な簡略化，および低コスト化に，大きく寄与
することが期待できる。
第１図は銅系アルコール溶液，インジウム系アルコール
溶液およびセレン系アルコール溶液を空気中でスプレー
坑底した場合に得られた膜のＸ線回折記録図。 第２図は銅系アルコール溶液，インジウム系アルコール
溶液およびセレン系アルコール溶液を窒素ガス雰囲気中
でスプレー坑底した場合に得られた膜のＸ線回折記録図
であり，ｗ４元素含有量が多いスプレー原液を用いた場
合に得られた膜のＸ線回折記録図。 第３図は本発明法によって得られたＣｕ−Ｉｎ−Ｓｓ系
化合物薄膜のＸ線回折記録図である。
溶液およびセレン系アルコール溶液を空気中でスプレー
坑底した場合に得られた膜のＸ線回折記録図。 第２図は銅系アルコール溶液，インジウム系アルコール
溶液およびセレン系アルコール溶液を窒素ガス雰囲気中
でスプレー坑底した場合に得られた膜のＸ線回折記録図
であり，ｗ４元素含有量が多いスプレー原液を用いた場
合に得られた膜のＸ線回折記録図。 第３図は本発明法によって得られたＣｕ−Ｉｎ−Ｓｓ系
化合物薄膜のＸ線回折記録図である。
Claims (2)
- （１）銅元素を含むアルコール可溶性化合物をアルコー
ルに溶解した銅系アルコール溶液と，インジウム元素を
含むアルコール可溶性化合物をアルコールに溶解したイ
ンジウム系アルコール溶液と，セレン元素を含むアルコ
ール可溶性化合物を溶解したセレン系アルコール溶液と
を，加熱した基板上に不活性ガス雰囲気中でスプレーす
ることからなるＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物薄膜の作製方
法。 - （２）セレン元素を含むアルコール可溶性化合物は亜セ
レン酸または二酸化セレンである請求項１に記載のＣｕ
−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20129689A JPH0368775A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | Ｃｕ―Ｉｎ―Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20129689A JPH0368775A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | Ｃｕ―Ｉｎ―Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368775A true JPH0368775A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16438636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20129689A Pending JPH0368775A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | Ｃｕ―Ｉｎ―Ｓｅ系化合物薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368775A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008003635A1 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Honda Motor Co., Ltd. | Airbag-Jacke |
| WO2012000594A1 (en) | 2010-06-29 | 2012-01-05 | Merck Patent Gmbh | Preparation of semiconductor films |
| WO2012077243A1 (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-14 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | カルコゲン化合物粉及びカルコゲン化合物ペースト及びそれらの製造方法 |
| WO2013159864A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Merck Patent Gmbh | Preparation of semiconductor films |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312980A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 多元化合物薄膜の製造方法 |
| JPS6422034A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | Sprayer for forming cuinse2 thin-film |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP20129689A patent/JPH0368775A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63312980A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 多元化合物薄膜の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2012077243A1 (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-14 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | カルコゲン化合物粉及びカルコゲン化合物ペースト及びそれらの製造方法 |
| JPWO2012077243A1 (ja) * | 2010-12-07 | 2014-05-19 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | カルコゲン化合物粉及びカルコゲン化合物ペースト及びそれらの製造方法 |
| WO2013159864A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Merck Patent Gmbh | Preparation of semiconductor films |
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