JPH0367489A - マイクロウェーブ吸収発熱体 - Google Patents
マイクロウェーブ吸収発熱体Info
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- JPH0367489A JPH0367489A JP20415389A JP20415389A JPH0367489A JP H0367489 A JPH0367489 A JP H0367489A JP 20415389 A JP20415389 A JP 20415389A JP 20415389 A JP20415389 A JP 20415389A JP H0367489 A JPH0367489 A JP H0367489A
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- JP
- Japan
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- microwave
- heat
- ceramic base
- heating element
- ceramic
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Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
産業上皇剋里立立
本発明はマイクロウェーブの吸収効率を向上させて発熱
量の増大を図ったマイクロウェーブ吸収発熱体に関する
ものである。
量の増大を図ったマイクロウェーブ吸収発熱体に関する
ものである。
丈来坐技歪
従来、緻密なる焼結体としたセラミック素地は気孔率が
極めて小となることによりマイクロウェーブの透過性も
小となり、又マイクロウェーブは誘電体に照射すると該
誘電体の構成分子が振動(毎秒24億5千万回)して誘
電体自体が発熱する特徴を有しており、例えば上記セラ
ミック素地表面にマイクロウェーブの吸収発熱層をコー
ティング形成してマイク、ロウェーブ吸収発熱体とすれ
ば、マイクロウェーブの入射地点での吸収発熱層による
発熱だけでセラごンク素地を加熱する為、該セラミック
素地の加熱に時間を要すると共に、マイクロウェーブが
セラミック素地内にて減衰して透過しない為、マイクロ
ウェーブの特徴を活用出来ず、よって熱効率が非常に悪
い欠点を有している。
極めて小となることによりマイクロウェーブの透過性も
小となり、又マイクロウェーブは誘電体に照射すると該
誘電体の構成分子が振動(毎秒24億5千万回)して誘
電体自体が発熱する特徴を有しており、例えば上記セラ
ミック素地表面にマイクロウェーブの吸収発熱層をコー
ティング形成してマイク、ロウェーブ吸収発熱体とすれ
ば、マイクロウェーブの入射地点での吸収発熱層による
発熱だけでセラごンク素地を加熱する為、該セラミック
素地の加熱に時間を要すると共に、マイクロウェーブが
セラミック素地内にて減衰して透過しない為、マイクロ
ウェーブの特徴を活用出来ず、よって熱効率が非常に悪
い欠点を有している。
又、マイクロウェーブ透過性材質よりなる鍋等の陶製容
器内面にマイクロウェーブの吸収発熱層をコーティング
形成したものもあるが、かかる容器に於いてはマイクロ
ウェーブの照射量に対する吸収発熱層の発熱量が一定と
なると共に、上記容器に蓋をして保温措置を講しなけれ
ば蓄熱されず大部分が放熱し、よって容器が赤熱化しな
い欠点を有している。
器内面にマイクロウェーブの吸収発熱層をコーティング
形成したものもあるが、かかる容器に於いてはマイクロ
ウェーブの照射量に対する吸収発熱層の発熱量が一定と
なると共に、上記容器に蓋をして保温措置を講しなけれ
ば蓄熱されず大部分が放熱し、よって容器が赤熱化しな
い欠点を有している。
賢 く”しよ゛と る課
本発明は素焼工程により形成したセラミック素地又は素
焼或いは完全焼結工程によりハニカム状に形成したセラ
ミンク素地にマイクロウェーブ吸収発熱層をコーティン
グ形成したことにより、マイクロウェーブの入射地点及
び透過地点において吸収発熱層が発熱して熱効率の向上
を図り、又蓋を取り外した状態の容器に収容しても上記
した如く熱効率大なると共に、該本体間の空気層が加熱
昇温することにより保温効果が向上して本体内に蓄熱さ
れて赤熱状態と威すことが出来るマイクロウェーブ吸収
発熱体を提供せんとするものである。
焼或いは完全焼結工程によりハニカム状に形成したセラ
ミンク素地にマイクロウェーブ吸収発熱層をコーティン
グ形成したことにより、マイクロウェーブの入射地点及
び透過地点において吸収発熱層が発熱して熱効率の向上
を図り、又蓋を取り外した状態の容器に収容しても上記
した如く熱効率大なると共に、該本体間の空気層が加熱
昇温することにより保温効果が向上して本体内に蓄熱さ
れて赤熱状態と威すことが出来るマイクロウェーブ吸収
発熱体を提供せんとするものである。
諜庵° t−の
本発明はかかる点に鑑み、素焼工程において形成したセ
ラミック素地表面にマイクロウェーブ吸収発熱層をコー
ティング形成したちのミ及びセラミンク素地を素焼或い
は完全焼結工程によりハニカム状に形成したマイクロウ
ェーブ吸収発熱体を提供して上記欠点を解消せんとした
ものである。
ラミック素地表面にマイクロウェーブ吸収発熱層をコー
ティング形成したちのミ及びセラミンク素地を素焼或い
は完全焼結工程によりハニカム状に形成したマイクロウ
ェーブ吸収発熱体を提供して上記欠点を解消せんとした
ものである。
立−里
本発明はマイクロウェーブを本体に照射し、吸収発熱層
がマイクロウェーブを吸収して発熱し、それによりセラ
もンク素地が加熱されると共に、更に前記吸収発熱層に
て吸収しきれない余剰のマイクロウェーブがセラミック
素地内を透過し反対側の吸収発熱層により吸収して発熱
し、それによりセラミック素地が均一に加熱されて赤熱
状態となるのである。
がマイクロウェーブを吸収して発熱し、それによりセラ
もンク素地が加熱されると共に、更に前記吸収発熱層に
て吸収しきれない余剰のマイクロウェーブがセラミック
素地内を透過し反対側の吸収発熱層により吸収して発熱
し、それによりセラミック素地が均一に加熱されて赤熱
状態となるのである。
又、七うξ7り素地をハニカム状に形成することにより
、該セラミック素地が有する孔内の空気の加熱昇温によ
り保温するのである。
、該セラミック素地が有する孔内の空気の加熱昇温によ
り保温するのである。
1座班
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明すると、
lは本発明に係るマイクロウェーブ吸収発熱体の本体で
あり、該本体1は800℃〜B50℃程度で焼成する素
焼工程により極小孔が無数に発生して気孔重大となると
共に、構成粒子が若干焼結しである程度の強度を有する
球状のセラミック素地2表面に5iC(炭化珪素)等よ
りなるマイクロウェーブMの吸収発熱Fi3をコーティ
ング形成している。
あり、該本体1は800℃〜B50℃程度で焼成する素
焼工程により極小孔が無数に発生して気孔重大となると
共に、構成粒子が若干焼結しである程度の強度を有する
球状のセラミック素地2表面に5iC(炭化珪素)等よ
りなるマイクロウェーブMの吸収発熱Fi3をコーティ
ング形成している。
又、第2の発明に於けるセラミック素地2は素焼或いは
完全焼結工程においてハニカム状に形成している。
完全焼結工程においてハニカム状に形成している。
、尚、本実施例においてセラミック素地2はセラミック
素地2を球状と威していたが、かかる形状に何ら限定さ
れない。
素地2を球状と威していたが、かかる形状に何ら限定さ
れない。
次に本発明に係るマイクロウェーブ吸収発熱体の作用に
ついて説明すると、 マイクロウェーブMを本体1に照射し、吸収発熱M3が
マイクロウェーブMを入射地点Aにおいて吸収すると共
に熱エネルギーに変換して発熱し、それによりセラミッ
ク素地2が加熱されると共に、更に吸収発熱Fi3によ
り吸収しきれない余剰のマイクロウェーブMがセラミッ
ク素地2内を透過して反対側の吸収発熱層3の透過地点
Bにおいて吸収されると共に熱エネルギーに変換されて
発熱し、それによりセラミック素地2が均一に加熱され
て赤熱状態となるのである。
ついて説明すると、 マイクロウェーブMを本体1に照射し、吸収発熱M3が
マイクロウェーブMを入射地点Aにおいて吸収すると共
に熱エネルギーに変換して発熱し、それによりセラミッ
ク素地2が加熱されると共に、更に吸収発熱Fi3によ
り吸収しきれない余剰のマイクロウェーブMがセラミッ
ク素地2内を透過して反対側の吸収発熱層3の透過地点
Bにおいて吸収されると共に熱エネルギーに変換されて
発熱し、それによりセラミック素地2が均一に加熱され
て赤熱状態となるのである。
又、セラミック素地2をハニカム状に形成すれば、吸収
発熱層3がマイクロウェーブMの照射により発熱してセ
ラご7り素地2が加熱されると共に、該セラミック素地
2が有する孔内の空気の加熱昇温により保温するのであ
る。
発熱層3がマイクロウェーブMの照射により発熱してセ
ラご7り素地2が加熱されると共に、該セラミック素地
2が有する孔内の空気の加熱昇温により保温するのであ
る。
要するに本発明は、素焼工程において形成したセラミッ
ク素地2表面にマイクロウェーブMの吸収発熱層3をコ
ーティング形成したので、セラミック素地2を素焼工程
にて形成してマイクロウェーブMの透過重大と戊したこ
とにより、マイクロウェーブMの入射時及び透過時にマ
イクロウェーブMが吸収発熱FJ3により熱エネルギー
に変換され、更にセラミンク素地2をマイクロウェーブ
Mが透過することにより該マイクロウェーブMの前記し
た特徴が活用出来る為、熱効率の向上を図ることが出来
る。
ク素地2表面にマイクロウェーブMの吸収発熱層3をコ
ーティング形成したので、セラミック素地2を素焼工程
にて形成してマイクロウェーブMの透過重大と戊したこ
とにより、マイクロウェーブMの入射時及び透過時にマ
イクロウェーブMが吸収発熱FJ3により熱エネルギー
に変換され、更にセラミンク素地2をマイクロウェーブ
Mが透過することにより該マイクロウェーブMの前記し
た特徴が活用出来る為、熱効率の向上を図ることが出来
る。
又、本体1を球状に形成することにより、該本体1を多
数重ね合わせる様にしてマイクロウェーブ透過性材質よ
りなる容器内に収容してマイクロウェーブMを照射すれ
ば、たとえ容器に蓋を装着せずとも、本体1は上記した
効果と同様にして熱効率の向上を図ると共に、吸収発熱
層3の総表面積が大となることにより発熱量の増大を図
り、更に本体1間に発生する空気層が本体lの発熱で加
熱昇温し、かかる空気層により保温効果をより向上させ
ることが出来る為、該本体1内に蓄熱されて該本体1を
赤熱状態と威すことが出来る。
数重ね合わせる様にしてマイクロウェーブ透過性材質よ
りなる容器内に収容してマイクロウェーブMを照射すれ
ば、たとえ容器に蓋を装着せずとも、本体1は上記した
効果と同様にして熱効率の向上を図ると共に、吸収発熱
層3の総表面積が大となることにより発熱量の増大を図
り、更に本体1間に発生する空気層が本体lの発熱で加
熱昇温し、かかる空気層により保温効果をより向上させ
ることが出来る為、該本体1内に蓄熱されて該本体1を
赤熱状態と威すことが出来る。
又、セラミ7り素地2を素焼或いは完全焼結工程により
ハニカム状に形成したので、上述した効果に加えて、表
面積大なることにより吸収発熱N3による発熱量の増大
を図り、又完全焼結してもハニカム状に形成することに
より、セラ果ソク素地2内には多数の孔が存在する為、
たとえセラミック素地が完全焼結されたとしても孔間の
セラミック素地2の肉厚は薄くなり、よってマイクロウ
ェーブMが透過性大となると共番こ、上記孔内の空気が
本体1の発熱で加熱昇温し、よって該本体1の保温効果
を向上させることが出来る等その実用的効果甚だ大なる
ものである。
ハニカム状に形成したので、上述した効果に加えて、表
面積大なることにより吸収発熱N3による発熱量の増大
を図り、又完全焼結してもハニカム状に形成することに
より、セラ果ソク素地2内には多数の孔が存在する為、
たとえセラミック素地が完全焼結されたとしても孔間の
セラミック素地2の肉厚は薄くなり、よってマイクロウ
ェーブMが透過性大となると共番こ、上記孔内の空気が
本体1の発熱で加熱昇温し、よって該本体1の保温効果
を向上させることが出来る等その実用的効果甚だ大なる
ものである。
図は本発明の一実施例を示すものにして1、第1図は本
発明に係るマイクロウェーブ吸収発熱体の断面図である
。 2セラ壽ソク素地 3吸収発熱層 以上
発明に係るマイクロウェーブ吸収発熱体の断面図である
。 2セラ壽ソク素地 3吸収発熱層 以上
Claims (2)
- (1)素焼工程において形成したセラミック素地表面に
マイクロウェーブの吸収発熱層をコーティング形成した
ことを特徴とするマイクロウェーブ吸収発熱体。 - (2)セラミック素地を素焼或いは完全焼結工程により
ハニカム状に形成したことを特徴とする請求項1記載の
マイクロウェーブ吸収発熱体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20415389A JP2879450B2 (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | マイクロウェーブ吸収発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20415389A JP2879450B2 (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | マイクロウェーブ吸収発熱体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0367489A true JPH0367489A (ja) | 1991-03-22 |
JP2879450B2 JP2879450B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=16485715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20415389A Expired - Fee Related JP2879450B2 (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | マイクロウェーブ吸収発熱体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2879450B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0486969A2 (en) * | 1990-11-21 | 1992-05-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for Producing a Microwave Absorbing Heater |
US6172346B1 (en) | 1993-08-10 | 2001-01-09 | Ea Technology Limited | Method of processing ceramic materials and a microwave furnace therefore |
-
1989
- 1989-08-07 JP JP20415389A patent/JP2879450B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0486969A2 (en) * | 1990-11-21 | 1992-05-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for Producing a Microwave Absorbing Heater |
US5189273A (en) * | 1990-11-21 | 1993-02-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Microwave absorbing heater |
US6172346B1 (en) | 1993-08-10 | 2001-01-09 | Ea Technology Limited | Method of processing ceramic materials and a microwave furnace therefore |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2879450B2 (ja) | 1999-04-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
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