JPH0365933A

JPH0365933A - 並列光演算装置

Info

Publication number: JPH0365933A
Application number: JP20261689A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kurokawa; 隆志黒川; Seiji Fukushima; 誠治福島
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1989-08-04
Filing date: 1989-08-04
Publication date: 1991-03-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野］本発明は内機のような大容量の配列データを、それぞれ
の演算素子ごとに並列に光を用いて演算処理できるよう
ににした並列光演算装置に関するものである。

［従来の技術］従来の電子計算機の技術において、大容量の配列のディ
ジタルデータの演算は、■データづつなされている。こ
の方法において、配列の処理は、処理を施されるデータ
数の回数だけ繰り返すことによってなされる。具体的に
は、メモリー内の演算処理されるデータは、プロセッサ
（ＣＰＵ）からアクセスされると、データバスを経由し
て読み出される。このデータは、ＣＰＵ内でプログラム
に従って処理された後、再度データバスを経由してメモ
リー内に書き込まれる。この処理が、１組のデータの演
算結果を得るために必要なステップである。多次元のシ
ュミレーシロンや画像処理においては、１個から１００
個程度のｃｐｕ、あるいはレジスタを使用して、必要な
回数だけ処理を繰り處して演算を行っていた。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、上記従来の技術における演算装置には、
以ドのような問題点があった。

（１）大容量のデータの演算を行うとき、処理されるデ
ータを記憶装置から取り込み、演算処理後、記憶装置に
書き込む処理を時系列に行うので、配列のデータ数が壇
加すると、処理に必要な時間はデータ数に比例して長く
なる。

（２）半導体ＬＳＩのプロセッサ、あるいは半導体ＬＳ
Ｉのプロセッサ内のレジスタを複数配置することによっ
て高速化が図られているが、配線等の実装上の問題によ
り、従来の電子回路の技術ではその数の限界は低い。

（３）半導体ＬＳＩのプロセッサと記憶装置は、双方向
の通信を行うデータバスで接続されているため、半導体
ＬＳＩのプロセッサと記憶装置の時間的な利用率が低く
、処理の効率が悪い。

本発明は、このような背景のもとになされ、上記問題点
を解決するために創案されたもので、大容量の配列デー
タに対して、複数個のデータの処理を同時に高速に行う
ことが可能で、かつ構成がＩＩｔＩＱｌな並列光演算装
置を提供することを目的とする。

［課題を解決するｔこめの手段］上記の目的を達成するための本発明の並列光演算装置の
構成（よ、制御部からの信号に応じ第１の配列データを示す書き退
み光に対応して直線偏光の第１の読み出し光の偏光状態
を変化させ第１のプリズム部を介し出力光として分岐す
る第１の空間光変調素子と、前記第１の空間光変ｉ＠１
素子の出力光を第２の涜み出し光として大ＱＪ　Ｌ　ｎ
ｉＪ記制御部からの信号に応じ第２の配列データを示す
書き込み光に対応して該第２の読み出し光の偏光状態を
変化させ第２のプリズム部を介し出力光として分岐する
第２の空間光変調素子と、前記第２の空間光度Ｒ素子の出力光を書き込み光とする
とともに前記制御部からの信号に応じ該書き込み光に対
応して直線偏光の第３の読み出し光の偏光状態を変化さ
Ｕ′第３のプリズム部を介し所定方向に出力光として分
岐する第３の空間光変！１１１ｓ子とを有することを特
徴とする。

［作用〕本発明は、配列データを画像光として第１と第２の光空
間変調素子に入力し、これらを読み出して第３の光空間
変調素子に書き込むことにより、各光空間変調素子の光
変調機能を利用して種々の演算機能を実現する。

［実施例］以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

第１図は本発明の第１の実施例を示ず構成図である。Ｗ
Ｐ＋は第１の配列データに対応する画像、ＷＦ２は第２
の配列データに対応する画像である。

本実施例は、この２つの画像ＷＰＩ、ＷＰ２を３つの空
間光変調素子ＳＬＭＩ、ＳＬＭ２．ＳＬＭ３を用いて、
大容量の配列データについて並列に種々の演算を行う。

第１の空間光変調素子ＳＬＭＩの書き込み面側には、レ
ンズＬ４を配置し、画象ＷＰＩを書き込み光として結像
させる。空間光変調素子ＳＬＭＩは、制御部ＣＬからの
印加パルスＳＳＩでその書き込みを行う。第１の空間光
変調素子ＳＬＭＩの読み出１．而側には、第１のプリズ
ム部である偏光ビームスプリッタＰＢＳ　Ｉを配置し、
その後方にｐ偏光を透過する偏光板Ｐｉと平行光を作成
するレンズＬｌを介して光源ＬＡＩを設ける。光源ＬＡ
ｌは、レーザーあるいはＬＥＤなどで構威し、制御部Ｃ
しからの信号Ｓｔに応じて第！の読み出し光を出射する
。この第！の読み出し光は、偏光ＦＬＰＩでｐｌｔｍ光
とされ、レンズＬ１で平行光とされて、偏光ビームスプ
リブタＰＢＳ　ｌを透過し空間光変調素子ＳＬＭＳの読
み出し面に入射される。

空間光変調素子ＳＬＭ目よ、書き込み光に対応して第１
の読み出し光の偏光状態を変化させる。空間光変調素子
ＳＬＭＩからの偏光面が変化した反射光は、出力光とし
て偏光ビームスプリッタＰＢ８１により、入射方向と所
定角度の方向に分岐する。

第２の空間光変調素子ＳＬＭ２は第１の空間光変調素子
Ｓ　Ｌ　Ｍ　Ｉと並列に配置し、その書き込み面側には
レンズＬ５を配置し、画像ＷＦ２を書き込み光として結
像させる。空間光変調素子ＳＬＭ２は、制御部ＣＬから
の印加パルスＳＳ２でその書き込みを行う。第２の空間
光変調素子ＳＬＭ２の読み出し面側には、第２のプリズ
ム部である偏光ビームスプリッタＰＢ５２を配置し、レ
ンズＬ２を通って入射する第１の偏光ビームスプリッタ
ＰＢＳ　ｌからの出力光を入射方向に対し９０°方向に
反射してその書き読み出し面に入射させる。

上記の出力光は、第２の空間光変調素子ＳＬＭ２に対す
る第２の読み出し光となる。第２の空間光変調素子Ｓ　
Ｌ　Ｍ　２は、上記の書き込み光に対応して第２の読み
出し光の偏光状態を変化させる。第２の空間光変化素子
ＳＬＭ２からの偏光面が変化した反射光は、出力光とし
て偏光ビームスプリッタＰＢ９２を透過し後方に出射さ
れる。

第３の空間光変調素子ＳＬＭ３は、その書き込み面杢偏
光ビームスプリッタＰＢＳ２の出力光の出射方向に向け
て配置し、その出力光を書き込み光とする。この書き込
み光に対してレンズし３を介設し、空間光変ｔＪ８素子
Ｓｌ、Ｍ３の書き込み面に結像させる。空間光変調素子
ＳＬＭ３は、制御部ＣＬからの印加パルスＳＳ３でその
書き込みを行う。第３の空間光変調素子ＳＬＭ３の読み
出し面側には、第３のプリズム部である偏光ビームスプ
リッタｒ’Ｂｓ　３を配置する。偏光ビームスプリッタ
Ｉ）　Ｂ　Ｓ　３の側面にはＳ偏光を透過する偏光板Ｐ
２と平行光を作成するレンズＬ６を介して光源りへ２を
設ける。光源りへ２も、レーザーあるいはＬＥＤなとで
構成し、制御部ＣＬからの信号Ｓ２に応じて第３の読み
出し光を出射する。この第３の読み出し光は、偏光板Ｐ
２でＳ偏光とされ、レンズＬ６で平行光とされて、偏光
ビームスプリッタＰＢＳ３で９０”方向に反射され、空
間光変調素子ＳＬＭ３の読み出し面に入射される。空間
光変馴素子ＳＬＭ３は、書き込み光に対応して第３の読
み出し光の偏光状態を変化させる。空間光変調素子ＳＬ
Ｍ３からの偏光面が変化した反射光は、偏光ビームスプ
リッタＰＢ９３を透過し、本装置の演算結果として出力
される。

次に空間光変調素子の構造例を説明する。第２図（ａ）
、（ｂ）は、本実施例に好適な強誘電性液晶（以下ＦＬ
Ｃと記す）を用いた空間光変調素子の構成図であり、本
出願人が先に出願した特願平１−４５７１６号にて開示
したものであって、（ａ）はＯｆ！１面図、（ｂ）は電
極パターンを示すための上面図である。この空間光変調
素子ｌは、以下のように構成される。ＩＩ、ＩＩ’　は
ガラス基板、１２１よ書き込み光に対し感光する光伝導
層、１３は誘電体ミラー　１４は強誘電性液晶（Ｆ　Ｌ
Ｃ）、１５．１５’　はＦＬＣを配向させるための配向
膜、１６．１６’　、１６″は透明電極、１７はＦ　Ｌ
　ＣＩ　４層の厚みを一定に保持するためのスペーサー
、１８は封止かつ固定するための接着剤、１９は上の透
明電極１６′をリード電極２′と接続するための下側の
透明電極１６″と電気的に接続するための銀ペースト層
である。書き込み面側の一方のガラス基板Ｉｌ上には透
明電極ｉｓ、ｔ６″を形成し、その透明電極１６上には
無極性の光伝導ｉ１２を模椎積の手法によって形成し、
さらに光伝導層１２上に順に誘導体ミラー１３と配向Ｐ
ｔＡｌ　５を形成する。また、読み出し面側の他方のガ
ラス基板１１′上には透明電極■６′を形成し、その透
明電極ＩＧ’上には配向膜１５’を形成する。配向１１
４１５．１５′間は、スペーサーＩ７によって隙間が形
成され、その隙間にＦＬＣ１４を充填している。

以上のように構成した実施例の動作および作用を述べる
。

まず、第２図に示した空間光変調素子の動作を説明する
。第３図（ａ）、（ｂ）は強誘電性液晶ＦＬＣ１４の配
向状態を示す図であり、第４図（ａ）。

（ｂ）（よ、空間光変調素子の動作説明図である。

第３図において、ガラス基板ｚ、ｚ’上の配向膜の配向
処理の方向に対し、液晶分子＋４ａは第２図の透明電極
１６．１６’に印加される電界の向きに応じて、負電圧
印加時には（ｌＬ）に示すように左回転方向に２２．５
度の方向（ｕｐ状態）に配向し、正電圧印加時には（ｂ
）に示すように右回転方向に２２．５度の方向（ｄｏｗ
ｎ状態）に揃って配向する。上記において、ｕｐ状態の
液晶の配向方向と同一または直交方向に偏波した直線偏
波光をｒ”　Ｌ　ＣＩ　４層に入射すると、反射した光
は元の偏光状態のまま戻って来る。一方、ｄ。

ｗｎ状態においては、先のような直線偏波光を入射する
と、ＦＬＣｉ　４の屈折率異方性のため戻って来る光は
偏光面が９０度回転する。第４図において、（ａ）は空
間光変調素子１の読み出し面側に偏光ビームスプリッタ
３を配置し、書き込み面側にパターンを書き込んだ時に
偏光ビームスプリッタ３にｐ偏光を入射さＵｏた場合の
例である。ｐ偏光は偏光ビームスプリッタ３を透過し、
空間光変調素子ｌに入射する。ここで、空間光変調素子
ｌの書き込み面全面に消去光を例えば回路のＬＥＤ等か
ら印加すると同時に負パルスを空間光変量素子ｌに印加
しｕｐ状態にリセットした後、書き込み像ＷＰを照射す
ると同時に正パルスＶ＝＋　ｌ　Ｖｌを空間光変調素子
ｔに印加すれば、書き込み像ＷＰと同じ正規像ＮＷＰが
読み出される。逆に空間光変調素子ｌの書き込み面全面
に消去光を印加すると同時に正パルスＶ＝＋　ｌ　Ｖ　
ｌを空間光変調素子ｌに印加しｄ　ｏｗｎ状態にリセッ
トした後、書き込み像ＷＰを照射すると同時に負パルス
Ｖ＝−ＩＶＩを空間光変調素子に印加すれば、書き込み
像ＷＰとｌ！ＩＩ暗が逆の反転像ＩＷＰが読み出される
。（ｂ）は読み出し光をＳ偏光とし、（ａ）の場合と直
角方向から偏光ビームスプリッタ３に入射した場合を示
す。このとき読み出し光は、偏光ビームスプリブタ３で
反転し空間先変調素子１に入射する。この場合も（ａ）
と同様に書き込み時の偏光ビームスプリッタ３への印Ｊ
ＪＵパルス■の正負（±１ｖ１）に応じて、正規像ＮＷ
Ｐまたは反転像Ｉ　Ｗ　Ｐが読み出される。

次に、上記の空間光変調素子の動作を踏まえ、第１図の
実施例の動作を説明する。第５図（ａ）。

（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は第Ｉの実施例における印加パ
ルスと応答動作を示すタイミングチャート、第６図は第
１の実施例におけるＸＯＲ（エクスクル−シブオア）動
作のタイミングチャート、第７図は第１の実施例におけ
るＮＡＮＤ　（ナンド）動作のタイミングチャートを示
している。

第１図において、空間光Ｒ’ＪＲ素子ＳＬＭＩ、ＳＬＭ
２にはそれぞれＷＰＩ、ＷＰ２の画像が書き込まれる。

読み出し光は光源ＬＡＩより偏光板Ｐｌを通ってｐ偏光
となり、更にレンズＬｌにより平行ビームとなった後、
偏光ビームスプリッタＰＢＳｌを道って空間光変調素子
ＳＬＭＩに入射する。空間光変調素子ＳＬＭＩから読み
出された出力光がさらに空間光変調素子ＳＬＭ２に入射
して読み出される場合の像として、４つの組合せが得ら
れる。即ち、空間光変Ｕ８素子ＳＬＭｌへの書き込みＩ
ＩＷＰＩに対し、印加パルスＳＳｌの状態に応じてＷＰ
ｔの正規像（ＮＷＰＩと表示）または反転像（ＩＷＰＩ
と表示）が得られるが、空間光変調素子ＳＬＭ２につい
ても同様であるから、２つの空間光変調素子ＳＬＭＩ、
ＳＬＭ２を通って読み出される像は、第５図のそれぞれ
に示すように各々の空間光変調素子ＳＬＭへの制御部Ｃ
Ｌからの印加パルスのＳＳＩ、ＳＳ２の状態に応じて、
（ａ）ＮＷＰ　１−ＮＷＰ２、（ｂ）ＮＷＰ　ｌ　・Ｉ
ＷＰ２、（ｃ）ＩＷＰ　ｌ　・ＮＷＰ　２、（ｄ）Ｉ　
ＷＰ　Ｉ　ｉＷＰ　２の４つのパターンが読み出される
。つまり、２つの人カバターンの画像ＷＰ１．ＷＰ２の
間の４積用の画像間演算結果が空間光変凋素子ＳＬＭ２
の後で出力光として出力される。

次にこの読み出し光は空間光変調素子ＳＬＭ３の書き込
み面側に入射し、空間光変調素子ＳＬＭ３に書き込まれ
る。空間光変凋素子ＳＬＭ３の読み出し光は光源ＬＡ２
より偏光板Ｐ２を通ってＳ偏光となり、更にレンズによ
り平行ビームとなった後、ｒ’Ｌ１ｓ３で反射されたＳ
ＬＭ３に入射する。

ここで、空間光変調素子ＳＬＭ３に制御部ＣＬ上り印加
されるパルスＳＳ３の長さを変えることにより、先の４
種類の演算結果の組合せの和を得ることができる。例え
ば、第６図に示すように、空間光変調素子ＳＬＭＩ、Ｓ
ＬＭ２への各印加パルスＳＳＩ、ＳＳ２を第５図の（ｂ
）、ＣＣ）の組み合せで印加し、その間に空間光変調素
子ＳＬＭ３ヘパルスＳＳ３を印加して書き込み状態にず
れば、ＮＷＰＩ−ＩＷ＋）２とＩＷＰＩ−ＮＷＰＩの像
を空間光変凋素子ＳＬＭ３に書き込むことになり、空間
光変調素子ＳＬＭ３からは２つの画像ＷＰＩ、ＷＰ２の
間のｘＯＲの演算結果が読み出される。第７図は、同様
に空間光変凋素子ＳＬＭＩ。

ＳＬＭ２への各印加パルスＳＳ３とＳＳ３を第５図の（
ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の組み合せで印加し、その間に空
間光変調素子ＳＬＭ３ヘパルスＳＳ３を印加し書き込み
状態にすることにより、２つの画（ＩＩ！ＷＰＩ、ＷＰ
２の間のＮＡＮＤの演算を実行させる場合を示している
。このように、本実施例では強誘電性液晶（ＦＬＣ）を
用いた空間光変調素子のメモリ性を利用して、空間光変
調素子の後へ出力される４種の演算結果を多重的に空間
光変調素子ＳＬＭ３に書き込み、それを読み出すことよ
り先の４種の演算結果の複数の組み合せの出力が空間光
変調素子ＳＬＭ３から得られる。以上によって、画像Ｗ
ＰＩ、ＷＰ２で表されている個々の配列データは並列に
演算されることになる。

第８図は本発明の第２の実施例を示す構成図である。本
実施例は第監図の第■の実施例における空間光変ｔＪ！
４Ｔ：子ＳＬＭＩとＳＬＭ２の間に光学的結合を１つの
偏光ビームスプリッタＰＢ９４で行うようにして、より
簡単な構成とする場合を示している。第８図において、
第１図と同様に構成する部材や要素には同一の符号を付
しである。本実施列は、１つの偏光ビームスプリブタＰ
Ｂ８４の反射面を挾む両側面に空間光変凋素子ＳＬＭＩ
と空間光変！ＩＡＩ素子ＳＬ、Ｍ２を読み出し面側を向
けて配置する。光＆１ＩＬＡＩ、偏光板Ｐｉ、レンズＬ
ｌは、空間光変調素子ＳＬＭＩの読み出し面の反対側の
偏光ビームスプリッタＩ）　ＢＳ　４面の後方に配置し
、光源ＬＡＩが発する直線偏光の読み出し光を偏光ビー
ムスプリッタＰＢＳ４を透過してその読み出し面に入射
する。偏光ビームスプリッタＰ１３９４の空間光変調素
子ＳＬＭ２の反対側の側面には、空間光変調素子ＳＬＭ
３をその書き込み面側を向けて配置する。この空間光変
調素子ＳＬＭ３の読み出し面側には、第１図と同様に偏
光ビームスプリッタＰ［３Ｓ３と光１ＬＡ２．偏光板Ｐ
２゜レンズＬ６を配置する。偏光ビームスプリッタＰＢ
Ｓ３を透過して出力される演算結果は、レンズＬ７を通
して外部へ出射する。２つの入力画像ＷＰＩ、ＷＰ２は
第１図と同様にそれぞれレンズＬ４、Ｌ５を通して各空
間光変調素子ＳＬＭＩ、ＳＬＭ２へ書き込まれる。ここ
で、光源ＬＡＩからの読み出し光は、Ｐｌでｐ偏光とな
った後、偏光ビームスプリッタＰＢ８４を透過して空間
光変調素子ＳＬＭＩに入射する。空間光変調素子ＳＬＭ
ｌによりＳ偏光に変換された部分の光のみが、偏光ビー
ムスプリッタＰＢＳ４で反射し、空間光変換素子ＳＬＭ
２に入射する。さらに、空間光変調素子ＳＬＭ２により
再度ｐ偏光に変換された部分の光のみが、偏光ビームス
プリッタＰＢＳ４を透過し、空間光度ｎ＊子ＳＬＭ３に
書き込まれる。

従って、本実施例は、第１の実施例と同様な動作となる
。本実施例（第８図）を第１の実施例（第１図）と比較
すると、第１の実施例の２つの偏光ビームスプリッタＰ
ＢＳＩ、ＰＢ９２を１つの偏光ビームスプリブタＰＢＳ
４で共用している形態になっている。

第９図は本発明の第３の実施例を示す構成図である。本
実施例は、第１の実施例または第２の実施例の第１の空
間光変調素子ＳＬＭＩの代わりに、電気書き込み形の空
間光変調素子ＬＣＰを用いた四である。第９図（よ第８
図の第２の実施例に適用したものであり、一つの偏光ビ
ームスプリッタＰ１（Ｓ　４　’の対向する面に上記空
間光変調素子ＬＣＰと第２の空間光変調素子ＳＬＭ２の
読み出し面１１１＋１を配置し、偏光ビームスプリッタ
ＰＢ９４’　で分岐される空間光度Ｒ素子ＳＬＭ２から
の偏波面が変化した反射光を受ける偏光ビームスプリッ
タＰＢ８４’の側面に第３の空間光変調素子ＳＬＭ３を
配置する。その他の構成は、第８図と同様である。

上記において、電気書き込み形の空間光変調素子ＬＣＰ
は、例えば信号が電気的に入力される液晶パネルであっ
て、各画素ごとに信号に応じて液晶に電圧がかかる。従
って、書き込まれる画像Ｗｐｔｔｉ電気信号の形で空間
光変調素子１．ＣＩ’に入力される。偏光板Ｐｉによっ
てｐ偏光となった読み出し光は、空間光変調素子ＬＣＰ
によって変調された後、ｐ偏光のパターンのみが空間光
変調素子ＳＬＭ２に入射し、空間光変調素子ＳＬＭ２に
書き込まれた画１１１ＷＰ２によってさらに変調され、
Ｓ偏光となったパターンのみが空間光変調素子ＳＬＭ３
に書き込まれる。空間光変調素子ＬＣＰに書き込まれる
データは、正規像ＮＷＰＩまたは反対像ＩＷＰ＋の電気
信号の形で空間光変調素子ＬＣＰに書き込まれる。従っ
て、この場合も先の第１図の第１の実施例と同様な動作
となる。

なお、上記実施例の空間光変調素子の駆動形態において
は、消去光パルスを用いない別の駆動形態ら可能である
。この場合は消去光パルスを用いない代わりに、消去の
ための空間光変調素子への負印加電圧を書き込み時の正
印加電圧よりも絶対値を大きくする。即ち、負印加電圧
に対応する強誘電性液晶への印加電界を十分大きくすれ
ば、消去光が無くとも空間光変調素子の状態をリセット
することができ、消去光のある場合と同様な空間光変調
素子が可能となる。また、本発明は演算の種類は制限さ
れることにはなるが、強誘電性液晶（ＦＬＣ）を用いな
い空間光変調素子で構成することら当然可能である。画
像を入力する手段としては、カメラやＬＥＤアレイや液
晶デイスプレィなどが考えられるが、前段の並列光演算
装置の演算結果を後段の並列光演算装置の入力画像とす
ることにより、本発明の並列光演算装置を従属に接続す
ることも可能である。このように、本発明はその主旨に
沿って種々に応用され、種々の実施態様を取り得るもの
である。

［発明の効果１以上の説明で明らかなように、本発明の並列光演算装置
によれば、画像のような配列データを並列に処理し、ま
たプログラム可能なので、大容量のデータの演算を高速
に実行することができる。

本発明は、画像処理システムや計算機などに組み込むこ
とができ、高速なデータ処理を実行できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第！の実施例を示す構成図、第２図（
ａ）、（ｂ）は本実施例に好適な強誘電性液晶を用いた
空間光変調素子の構造図、第３図（ａ）、（ｂ）は強誘
電性液晶の配向状態図、第４図（ａ）、（ｂ）は空間光
変調素子の動作説明図、第５図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）は第！の実施例の印加パルスと応答動作を示す
タイミングチャート、第６図は第１の実施例におけるＸ
ＯＲ動作のタイミングチャート、第７図は第１の実施例
におけるＮＡＮＤ動作のタイミングチャート、第８図は
本発明の第２の実施例の構成図、第９図は本発明の第３
の実施例の構成図である。しＡ１．ＬＡ２・・・光源、ＰＩ、Ｐ２・・・偏光板、
Ｌ　１．Ｌ２．Ｌ３．Ｌ４．Ｌ５．Ｌ６．Ｌ７・・・レ
ンズ、ＰＢＳ　ｌ、ＰＢＳ２．ＰＢＳ３．ＰＢＳ４・・
・偏光ビームスプリッタ、ＳＬＭｌ、ＳＬＭ２．ＳＬＭ
３・・・空間光変調素子、ＣＬ・・・制御部、ＷＰｌ、
ＷＦ２・・・入力データ（画像）、ＬＣＰ・・・電気入
力形空間先安ＥＩ４素子、ｌ・・・空間光変調素子、２
．２′　リード電極、１２・・・光伝導層、１３・・・
誘電体ミラー１４・・・強誘電性液晶、１５．１５’・
・・配向膜、１６゜１６′ ６＃・・・透明電極、７・・・スペーサー８・・・接着剤、 ■ ９・・・銀ペースト層。電芥（ｂ）第３図、ガ去ｔ１５宵去尤１（ａ）（ｂ）消去光１（ｄ）第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）制御部からの信号に応じ第１の配列データを示す
書き込み光に対応して直線偏光の第１の読み出し光の偏
光状態を変化させ第１のプリズム部を介し出力光として
分岐する第１の空間光変調素子と、前記第１の空間光変調素子の出力光を第２の読み出し光
として入射し前記制御部からの信号に応じ第２の配列デ
ータを示す書き込み光に対応して該第２の読み出し光の
偏光状態を変化させ第２のプリズム部を介し出力光とし
て分岐する第２の空間光変調素子と、前記第２の空間光変調素子の出力光を書き込み光とする
とともに前記制御部からの信号に応じ該書き込み光に対
応して直線偏光の第３の読み出し光の偏光状態を変化さ
せ第３のプリズム部を介し所定方向に出力光として分岐
する第３の空間光変調素子とを有することを特徴とする
並列光演算装置。
（２）請求項１に記載の並列光演算装置において、第１
の空間光変調素子の第１のプリズム部と第２の空間光変
調素子の第２のプリズム部とを共用した形態に配置する
ことを特徴とする並列光演算装置。
（３）請求項１または請求項２に記載の並列光演算装置
において、第１の空間光変調素子が電気入力形であり配列データが
電気信号の形で入力されることを特徴とする並列光演算
装置。
（４）請求項１ないし請求項３までに記載のいずれかの
並列光演算装置において、第１から第３までの１つ以上の光空間変調素子が強誘電
性液晶を用いた構造のものであることを特徴とする並列
光演算装置。